本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有高分辨率的OLED顯示裝置，以及該具有高分辨率的OLED顯示裝置的制備方法。

背景技術(shù)：

經(jīng)過近三十年的發(fā)展，有機電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light Emitting Device，簡稱為OLED)作為下一代照明和顯示技術(shù)，具有色域?qū)?、響?yīng)快、廣視角、無污染、高對比度、平面化等優(yōu)點，已經(jīng)在照明和顯示上得到一定程度的應(yīng)用。典型的有機電致發(fā)光器件一般包括透明基板、透明陽極、陰極以及設(shè)置在兩個電極間的有機功能層。

AMOLED顯示屏由于蒸鍍的掩膜板制作精度及蒸鍍對位等因素導(dǎo)致屏體單個發(fā)光像素的開口率較低，影響顯示效果(顆粒感)。目前三星S5的藍色OLED材料開口率為26.74％。業(yè)內(nèi)通常通過改變顯示器子像素的排列方式，來提高顯示器的分辨率，很多專利通過采用將相同顏色的子像素排列在一起從而增大開口率的方式來實現(xiàn)高分辨，如圖1所示的像素排布方式，紅光子像素和綠光子像素分別排列在一起，由于相鄰的四個像素的相同子像素緊挨著的緣故，在實現(xiàn)圖像顯示時會產(chǎn)生鋸齒狀的顯示效果，對視覺效果有較大的影響。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有的OLED發(fā)光像素的開口率低的問題，提供一種具有高分辨率的OLED顯示裝置，其采用了顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，從而可以將原本在一起的像素的光線分開，有效的減少鋸齒效應(yīng)，且制備工藝簡單。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種具有高分辨率的OLED顯示裝置，包括OLED，所述OLED包括多個像素單元，在所述OLED的出光方向上設(shè)有顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)具有陣列排布的雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)，相鄰的所述兩個像素單元中的一個像素單元與所述雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)位置對應(yīng)設(shè)置。

所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)包括一具有第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜，所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f1和第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f2滿足：f2＝9f1，所述第二透明薄膜設(shè)置在所述第一薄膜遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)，且所述第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)與所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)之間的距離為6f₁。

所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)包括一具有第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₁和第二透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₂滿足：f₂＝9f₁，所述第二透明薄膜設(shè)置在所述第一薄膜遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)。

第一透明薄膜和所述第二透明薄膜分別具有若干陣列排布的凸透鏡結(jié)構(gòu)，每一行的偶數(shù)列或奇數(shù)列的像素單元與所述凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)。

所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)包括一具有第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f1和第二透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f2滿足：f2＝9f1，所述第二透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一透鏡結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)。

第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)分別呈陣列排布，每一行的偶數(shù)列或奇數(shù)列的像素單元與所述凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和對應(yīng)位置的第二凸透鏡結(jié)構(gòu)主軸在同一條直線上。

所述像素單元距離所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的距離為3f1。

所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₁為0.01-5mm。

所述的像素單元為n行m列，同一行相鄰的兩個像素單元呈鏡像設(shè)置，所述呈鏡像設(shè)置的兩個像素單元中的一個像素單元與所述雙層凸透 鏡結(jié)構(gòu)位置對應(yīng)設(shè)置。

每個像素單元為藍光子像素、綠光子像素和紅光子像素中的一種或其中幾種的組合。

每個像素單元包括藍光子像素、綠光子像素和紅光子像素，所述綠光子像素和紅光子像素位于所述藍光子像素的同一側(cè)。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明具有高分辨率的OLED顯示裝置，在OLED的出光方向上設(shè)有顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)具有陣列排布的雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)，相鄰的所述兩個像素單元中的一個像素單元與所述雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)位置對應(yīng)設(shè)置。采用此顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)后，與所述雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)位置對應(yīng)位置的子像素發(fā)出的光線，經(jīng)雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后從凸透鏡主軸的另一側(cè)射出，從而可以將原本在一起的像素的光線分開，有效的減少鋸齒效應(yīng)。

附圖說明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明，其中

圖1現(xiàn)有技術(shù)像素排布示意圖；

圖2為本發(fā)明具有高分辨率的OLED顯示裝置的第一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明具有高分辨率的OLED顯示裝置的第二實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明具有高分辨率的OLED顯示裝置的第三實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖

圖5是采用顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)后像素位置變化示意圖；

圖6是另一是實施方式采用顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)后像素位置變化示意圖；

圖中附圖標(biāo)記表示為：1-發(fā)光層，2-第一透明薄膜，3-第二透明薄膜，4-像素單元，5-陽極層，6-陰極層，7-封裝層。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進一步地詳細(xì)描述。

本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時，不存在中間元件。

實施例1

如圖2所示，一種具有高分辨率的OLED顯示裝置，包括陽極層5，發(fā)光層1，陰極層6和封裝層7，所述OLED包括多個像素單元4，在所述OLED的出光方向上設(shè)有顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)具有陣列排布的雙層半凸透鏡結(jié)構(gòu)，相鄰的所述兩個像素單元中的一個像素單元與所述雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)位置對應(yīng)設(shè)置。

具體地，如圖2所示，所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)包括一具有第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜2和一具有第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜3，所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₁和第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₂滿足：f₂＝9f₁，所述第二透明薄膜3設(shè)置在所述第一透明薄膜2遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)，且所述第二透鏡結(jié)構(gòu)與所述第一透鏡結(jié)構(gòu)之間的距離為6f₁。所述像素單元4距離所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的距離為3f₁。所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f1為0.01-5mm。

如圖5所示，本實施例的像素單元4為n行m列，同一行相鄰的兩 個像素單元4呈鏡像設(shè)置，每個像素單元4包括藍光、綠光子像素和紅光子像素，所述綠光子像素和紅光子像素位于所述藍光子像素的同一側(cè)。所述第一透明薄膜2包括若干陣列排布的第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)，所述第二透明薄膜3具有若干陣列排布的第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)，所述第一半凸透鏡結(jié)構(gòu)和對應(yīng)位置的第二半凸透鏡結(jié)構(gòu)主軸在同一條直線上。每一行奇數(shù)列(圖中第一列和第三列)的像素單元4與所述半凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)，作為其他可實施方式，也可以為偶數(shù)列的像素單元4與所述半凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)。奇數(shù)列的像素單元4的光線經(jīng)雙層半凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后，從半凸透鏡主軸的另一側(cè)射出，從而可以將原本在一起的子像素的光線分開，即第一列和第二列的紅光子像素，第二列和第三列的綠光子像素，經(jīng)顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)中的雙半凸透鏡作用后，光線以圖4中右圖所示方式發(fā)出，有效的減少鋸齒效應(yīng)。當(dāng)然，也可以根據(jù)需要，選擇其中需要分開的像素單元4處設(shè)置雙凸鏡結(jié)構(gòu)，使其分開。

實施例2

如圖3所示，本實施例中具有高分辨率的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)同實施例1，其中所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)為一層透明薄膜，該層透明薄膜中設(shè)有第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f1和第二透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₂滿足：f₂＝9f₁，所述第二透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一透鏡結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)。

實施例3

本實施例中具有高分辨率的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)同實施例1，其中所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)如圖3中所示，所述顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)包括一具有第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜2和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜3，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₁和第二透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f₂滿足：f₂＝9f₁，所述第二透明薄膜3設(shè)置在所述第一透明薄膜2遠(yuǎn)離所述有機電致發(fā)光單元的一側(cè)，且所述第二透鏡結(jié)構(gòu)與所述第一透鏡結(jié)構(gòu)之間的距離為6f₁。所述像素單元距離所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的距離為3f₁。所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f1為0.01-5mm。

實施例4

本實施例中具有高分辨率的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)同實施例1，其中像素單元排布方式如圖6所示，兩個紅光子像素和兩個綠光子像素之間具有一個藍光子像素，圖中虛線框所示區(qū)域為兩個像素單元，以此類推，每個像素單元包括紅光子像素、綠光子像素和藍光子像素，藍光子像素位于紅光子像素和綠光子像素之間，位于同一行的相鄰的兩個像素單元呈鏡像設(shè)置。所述第一透明薄膜2包括若干陣列排布的第一凸透鏡結(jié)構(gòu)，所述第二透明薄膜3具有若干陣列排布的第二凸透鏡結(jié)構(gòu)，所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和對應(yīng)位置的第二凸透鏡結(jié)構(gòu)主軸在同一條直線上。為使原本在一起的兩個子像素分開，每一行奇數(shù)列(圖中第一列和第三列)的像素單元與所述凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)，作為其他可實施方式，也可以為偶數(shù)列的像素單元與所述凸透鏡結(jié)構(gòu)對應(yīng)。奇數(shù)列的像素單元的光線經(jīng)雙層凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后，從凸透鏡主軸的另一側(cè)射出，從而可以將原本在一起的子像素的光線分開，即第一列和第二列的紅光子像素，第二列和第三列的綠光子像素，經(jīng)顯示像素位置反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)中的雙凸透鏡作用后，光線以圖5中右圖所示方式發(fā)出，有效的減少鋸齒效應(yīng)。當(dāng)然，也可以根據(jù)需要，選擇其中需要分開的像素單元處設(shè)置雙凸鏡結(jié)構(gòu)，使其分開。

如無特別說明，本發(fā)明中的器件各層采用材料如下：

陽極可以采用無機材料或有機導(dǎo)電聚合物。無機材料一般為氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO；有機導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡稱PEDOT/PSS)、聚苯胺(以下簡稱PANI)中的一種。

陰極一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。本發(fā)明中陰極優(yōu)選為Al層。

空穴傳輸層的材料可以選自芳胺類，咔唑類和枝聚物類低分子材料，優(yōu)選NPB和TCTA。

所述空穴注入層的材料例如可采用2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲HAT-CN，4,4',4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺摻雜F4TCNQ，或者采用銅酞菁(CuPc)，或可為金屬氧化物類，如氧化鉬，氧化錸。

發(fā)光層的發(fā)光材料可以選自香豆素類如DMQA或C545T,或雙吡喃類如DCJTB或DCM等熒光染料，或含Ir,Pt,Os,Ru,Rh,Pd,鑭系,錒系等金屬配合物。

熒光染料在發(fā)光層中的摻雜濃度不高于5wt％，磷光染料在發(fā)光層中的摻雜濃度不高于30wt％。所述的摻雜濃度＝染料質(zhì)量/(染料質(zhì)量+主體材料質(zhì)量)×100％。

發(fā)光層的主體材料可選自常用于基質(zhì)材料的材料，如4,4’-二(咔唑基-9-)聯(lián)苯CBP。

本發(fā)明的電子傳輸層的材料可采用常用于電子傳輸層的材料，如芳香稠環(huán)類(如Pentacene、苝)或鄰菲咯啉類(如Bphen、BCP)化合物。

基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物材料或者薄金屬片。所述層疊及封裝可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意合適方法。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之中。