本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)：

CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor,CIS)是數(shù)字攝像頭的重要組成部分，其成像的原理是通過光敏器件進行感光，從而將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，然后輸出圖像。

目前，主流的CIS芯片封裝技術(shù)包括：CSP(Chip Scale Package)、COB(Chip On Board)及FC(Flip Chip)。其中CSP是指芯片尺寸封裝和芯片核心尺寸基本相同的芯片封裝技術(shù)，目前普遍應用在中低端、低像素(2M像素或以下)圖像傳感器的Wafer level(晶圓級)封裝方面。CSP封裝技術(shù)一般是將圖像傳感器芯片正面作為感光窗口，使用晶圓級玻璃(芯片正面的透光蓋板)與晶圓綁定，并在晶圓的圖像傳感器芯片之間使用圍墻隔開，然后在研磨后的晶圓的焊盤區(qū)域，通過制作焊盤表面連接的(或焊盤面內(nèi)孔側(cè)面環(huán)金屬連接的)硅穿孔(Through Silicon Via，TSV)或切割后焊盤側(cè)面的T型金屬來接觸晶圓上的圖像傳感器芯片，并在晶圓背面延伸線路后制作焊球柵陣列(Ball Grid Array，BGA)，從而將芯片正面的焊盤通過一定的方式重新分布到芯片背面，實現(xiàn)與外界的互聯(lián)，最后切割晶圓以形成單個密封空腔的圖像傳感器單元，后端通過表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology，SMT)形成模塊組裝結(jié)構(gòu)。CSP內(nèi)核面積與封裝面積的比例約為1:1.1，凡是符合這一標準的封裝都可以稱之為CSP。這樣的封裝形式大大提高了印刷電路板(PCB)上的集成度，減小了電子器件的體積和重量，提高了產(chǎn)品的性能。

上述的硅穿孔技術(shù)，一般是先在芯片背面的硅本體上利用干法刻蝕的方法形成硅通孔，然后對暴露出的芯片襯底硅及孔內(nèi)的硅進行絕緣化處理，并在孔底部開出互聯(lián)窗口以便后續(xù)填充金屬與焊盤形成接觸，接著在孔內(nèi)填充金屬，以及重新分布金屬線路層。然而，這種晶圓級圖像傳感器封裝方式由于引入了 硅通孔互聯(lián)，使得封裝結(jié)構(gòu)復雜；并且硅通孔互聯(lián)技術(shù)還不成熟，往往由于孔內(nèi)絕緣不好、互聯(lián)窗口不完整以及金屬填充不實等問題導致失效或可靠性不好，使得這類利用硅通孔互聯(lián)進行的晶圓級圖像傳感器封裝存在工藝難度大、互聯(lián)可靠性低的問題。同時，硅通孔互聯(lián)工藝的復雜性也導致采用該技術(shù)的晶圓級圖像傳感器封裝價格比較昂貴。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)及方法，能夠簡化封裝結(jié)構(gòu)、降低工藝難度和工藝成本。

為解決上述問題，本發(fā)明提出一種圖像傳感器芯片的封裝方法，包括以下步驟：

提供封裝基板和圖像傳感器芯片，所述封裝基板具有透光區(qū)，所述圖像傳感器芯片形成在一半導體襯底的正面上，且所述圖像傳感器芯片周圍的半導體襯底正面上形成有多個焊盤，每個焊盤是由多層金屬層互連而成的金屬結(jié)構(gòu)；

粘合所述封裝基板與所述半導體襯底的正面，其中，所述透光區(qū)對應所述圖像傳感器芯片的感光區(qū)；

對所述半導體襯底的背面進行刻蝕以形成溝槽，所述溝槽暴露所述焊盤的最底層金屬層；

刻蝕所述焊盤以使所述焊盤的多層金屬層形成階梯狀結(jié)構(gòu)，并在所述半導體襯底的背面形成絕緣層，所述絕緣層暴露所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階表面；

在所述絕緣層以及所述階梯狀結(jié)構(gòu)表面形成布線金屬層，所述布線金屬層與所述階梯狀結(jié)構(gòu)的每層金屬層接觸；

在所述布線金屬層表面形成保護層，并刻蝕所述保護層形成暴露出所述布線金屬層的多個開口；以及

在所述開口中設(shè)置凸點。

進一步的，提供所述圖像傳感器芯片的步驟包括：

提供所述半導體襯底；

在所述半導體襯底的正面上形成至少一個圖像傳感單元，所述圖像傳感單元所在區(qū)域為所述感光區(qū)；

在每個圖像傳感單元的周圍形成多個焊盤。

進一步的，所述圖像傳感單元以及各個焊盤均部分形成在所述半導體襯底正面的鈍化層中。

進一步的，采用點膠、畫膠、印刷膠、滾膠或光刻工藝圖案化膠的方式，粘合所述封裝基板與所述半導體襯底的正面。

進一步的，在形成所述溝槽之后，先不同程度地刻蝕所述溝槽處的焊盤的各層金屬層以形成階梯狀結(jié)構(gòu)，然后在所述半導體襯底的背面形成絕緣層。

進一步的，在形成所述溝槽之后，先在所述半導體襯底的背面形成絕緣層，然后不同程度地刻蝕所述溝槽處的焊盤的各層金屬層以形成階梯狀結(jié)構(gòu)。

進一步的，形成所述階梯狀結(jié)構(gòu)時，從焊盤的最底層金屬層至其最頂層金屬層的刻蝕程度依次均勻遞減，以使得所述最底層金屬層至所述最頂層金屬層在溝槽側(cè)壁的延伸長度依次均勻加長。

進一步的，在刻蝕所述溝槽處的焊盤的各層金屬層以形成階梯狀結(jié)構(gòu)時，所述焊盤的各層金屬層中至少保留其最頂層金屬層不被刻蝕。

進一步的，所述絕緣層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和有機聚合物中的至少一種。

進一步的，通過回流焊法、植球法、蒸發(fā)法、化學鍍法、電鍍法、置球法、焊膏模板印制法或者印刷焊膏法在開口位置形成凸點。

進一步的，所述凸點的材料包括鋁、錫、銀、鉛、銅、鋅、鉍、銦、金和銻中的一種或者多種。

本發(fā)明還提供一種圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

半導體襯底；

圖像傳感器芯片，形成在所述半導體襯底的正面上；

溝槽，形成于所述半導體襯底背面；

多個焊盤，分布在所述圖像傳感器芯片周圍的半導體襯底中，且所述溝槽處的焊盤是由多層金屬層互連而成的階梯狀結(jié)構(gòu)；

絕緣層，覆蓋所述半導體襯底的背面，并暴露出所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階表面；

布線金屬層，覆蓋所述絕緣層以及所述暴露出的所述階梯狀結(jié)構(gòu)的臺階表面，并與所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階的金屬層接觸；

保護層，覆蓋所述布線金屬層表面，且具有暴露所述布線金屬層的多個開口；以及

凸點，設(shè)置在所述開口中，并與所述布線金屬層導電接觸。

進一步的，所述圖像傳感器芯片位于一晶圓上，所述晶圓上包括半導體襯底以及形成在所述半導體襯底正面上的至少一個圖像傳感器芯片。

進一步的，所述晶圓的正面還覆蓋有鈍化層，所述圖像傳感器芯片的圖像傳感單元以及分布于所述圖像傳感單元周圍的各個焊盤均部分形成在所述鈍化層中。

進一步的，所述階梯狀結(jié)構(gòu)中，最底層金屬層至最頂層金屬層在溝槽側(cè)壁的延伸長度依次均勻加長。

進一步的，所述凸點的材料包括鋁、錫、銀、鉛、銅、鋅、鉍、銦、金和銻中的一種或者多種。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)及方法，具有以下有益效果：

(1)本發(fā)明先在芯片周圍的焊盤底部的半導體襯底位置形成溝槽，且溝槽底部暴露出焊盤的背部表面；然后修整各個焊盤的各層金屬層，將焊盤邊緣修改為階梯狀結(jié)構(gòu)；最后通過在溝槽中形成導電接觸所述階梯狀結(jié)構(gòu)的布線金屬層，從而實現(xiàn)芯片電信號從芯片正面轉(zhuǎn)移到芯片背面；與硅穿孔互聯(lián)相比，結(jié)構(gòu)相對簡單；

(2)由于本發(fā)明形成的溝槽底部尺寸較大，后續(xù)的溝槽內(nèi)的填充布線金屬層工藝難度減小，避免了由于硅穿孔內(nèi)金屬填充不實造成可靠性不良的問題；

(3)由于本發(fā)明的階梯狀結(jié)構(gòu)增加了布線金屬層與焊盤的接觸面積，避免了現(xiàn)有技術(shù)中填充的布線金屬層僅與焊盤的最頂層金屬層表面或最底層金屬表面接觸的不利影響，從而避免了由于硅穿孔內(nèi)布線金屬層與焊盤連接可靠性不良的問題；

(4)由于本發(fā)明避免采用硅穿孔互連技術(shù)，封裝結(jié)構(gòu)及工藝簡化，封裝成本降低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明具體實施例的圖像傳感器芯片的封裝方法流程圖；

圖2A至2F是圖1所示封裝方法中的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明的核心思想在于，提供一種無硅穿孔、低成本的圖像傳感器倒封裝工藝，采用芯片背面的襯底溝槽刻蝕工藝來避免使用硅穿孔(TSV)工藝，同時將溝槽底部暴露出的焊盤的外周邊緣修正為階梯狀結(jié)構(gòu)，由此來降低布線金屬層的填充難度，增加后續(xù)填充的布線金屬層與焊盤的接觸面積，提高布線金屬層的連接可靠性。

為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的說明，然而，本發(fā)明可以用不同的形式實現(xiàn)，不應只是局限在所述的實施例。

本發(fā)明提出一種圖像傳感器芯片的封裝方法，包括以下步驟：

S1，提供封裝基板和圖像傳感器芯片，所述封裝基板具有透光區(qū)，所述圖像傳感器芯片形成在一半導體襯底的正面上，且所述圖像傳感器芯片周圍的半導體襯底正面上形成有多個焊盤，每個焊盤是由多層金屬層互連而成的金屬結(jié)構(gòu)；

S2，粘合所述封裝基板與所述半導體襯底的正面，其中，所述透光區(qū)對應所述圖像傳感器芯片的感光區(qū)；

S3，對所述半導體襯底的背面進行刻蝕以形成溝槽，所述溝槽暴露所述焊盤的最底層金屬層；

S4，刻蝕所述焊盤以使所述焊盤的多層金屬層形成階梯狀結(jié)構(gòu)，并在所述半導體襯底的背面形成絕緣層，所述絕緣層暴露所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階表面；

S5，在所述絕緣層以及所述階梯狀結(jié)構(gòu)表面形成布線金屬層，所述布線金屬層與所述階梯狀結(jié)構(gòu)的每層金屬層接觸；

S6，在所述布線金屬層表面形成保護層，并刻蝕所述保護層形成暴露出所述布線金屬層的多個開口；以及

S7，在所述開口中設(shè)置凸點。

參考圖2A所示，本實施例的封裝方法的起點為圖像傳感器晶圓，該晶圓包 括半導體襯底10、位于半導體襯底10正面的圖像傳感器半導體襯底10、半導體襯底10周圍的焊盤14及圖像傳感器半導體襯底10和焊盤14所在的內(nèi)部鈍化層13，因此在步驟S1中，提供所述圖像傳感器芯片時，可預先完成以下制程：首先，提供所述半導體襯底10，半導體襯底可以為體硅襯底或絕緣體上硅襯底(SOI)等；

然后，在半導體襯底10的正面上形成至少一個圖像傳感單元，所述圖像傳感單元所在區(qū)域為圖像傳感器芯片的感光區(qū)101；

接著，在每個圖像傳感單元的周圍形成多個焊盤14。

其中，半導體襯底10的正面上形成由一層鈍化層13，鈍化層13為氧化硅、氮化硅、環(huán)氧基、聚酰亞胺、樹脂、FR4或任何其它適合的介電材料。圖像傳感單元和焊盤14的部分結(jié)構(gòu)位于的鈍化層13中，且一個圖像傳感單元(包括光電二極管)連同分布于該圖像傳感單元周圍的多個焊盤14、鈍化層13、下方的半導體襯底10及該圖像傳感單元周圍的其他相關(guān)器件(例如圖像傳感單元的外圍MOS晶體管電路)構(gòu)成一個圖像傳感器芯片(或稱圖像傳感器芯片區(qū)域)，所述圖像傳感單元通常部分結(jié)構(gòu)位于半導體襯底10中，部分結(jié)構(gòu)位于半導體襯底10正面表面上，其所在區(qū)域為圖像傳感器芯片的感光區(qū)101，各個焊盤14圍繞在圖像傳感單元周圍并電連接所述圖像傳感單元，其中所述鈍化層13通常為多層介質(zhì)層堆疊形成的疊層結(jié)構(gòu)，由此可以在其中形成多層金屬層互連的金屬互連結(jié)構(gòu)，以用于連接圖像傳感器芯片中的圖像傳感單元和圖像傳感單元的外圍MOS晶體管電路，金屬互連結(jié)構(gòu)的最頂層金屬層最終在鈍化層13表面形成分立的多個連接墊。因此各個焊盤14為多層金屬層互連堆疊而成的金屬結(jié)構(gòu)，圖像傳感器芯片的倒封裝工藝就是將焊盤背面連出到半導體襯底10背面表面。

步驟S1中所涉及的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知技術(shù)，包括氧化、圖形轉(zhuǎn)移、光刻、摻雜、多晶硅沉積和金屬沉積、刻蝕等工藝，在此不再贅述。

請繼續(xù)參考圖2A，在步驟S2中，可以在焊盤14的表面通過點膠、畫膠、印刷膠、滾膠或光刻工藝圖案化膠的方式形成粘附層12，粘附層12厚度為200埃到3000埃，成分為化學粘合劑；然后將封裝基板11與半導體襯底10正面粘合在一起。還可以在封裝基板11與半導體襯底10的正面粘合之前，在焊盤14表面形成支撐層或者在封裝基板11表面形成支撐層(未圖示)，以給圖像傳感器芯片的感光區(qū)101提供合理的空間，同時為后續(xù)封裝步驟提供支撐作用，避 免封裝基板與芯片正面產(chǎn)生擠壓，損毀圖像傳感器芯片。粘附層12形成在支撐層與焊盤14之間。優(yōu)選的，封裝基板11與所述感光區(qū)101的距離大于10微米。

請繼續(xù)參考圖2B，在步驟S3中，可以先通過晶圓片磨片或刻蝕的方法對半導體襯底10背面進行減薄，得到半導體襯底10的目標厚度，例如為100微米至200微米；然后通過光刻結(jié)合刻蝕的方法在半導體襯底10的背面形成溝槽(未圖示)，溝槽刻蝕停止在焊盤14底部的最底層金屬層背面表面。其中，晶圓的背部減薄工藝可以減小溝槽刻蝕以及后續(xù)填充的深寬比，提高溝槽刻蝕以及后續(xù)充的性能。

請參考圖2C，在步驟S4中，在溝槽表面以及半導體襯底10背部表面沉積絕緣層15(即絕緣層15的部分是填充在溝槽中的，絕緣層的厚度未填滿溝槽)，并通過光刻、刻蝕的方法，使絕緣層能夠部分覆蓋半導體襯底10的背部表面以及覆蓋溝槽中的焊盤14的最底層金屬層靠近半導體襯底10的部分表面。所述絕緣層15的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種組合。

請參考圖2D，在步驟S4中，在形成絕緣層15之后，在溝槽中依次向上刻蝕絕緣層15暴露出的焊盤14外邊緣的各層金屬層，最終使得各個焊盤14的外邊緣的金屬層呈階梯狀。形成所述階梯狀結(jié)構(gòu)時，對焊盤14的最底層金屬層至該焊盤14的最頂層金屬層的刻蝕程度可以依次均勻遞減，以使得其最底層金屬層至其最頂層金屬層在溝槽側(cè)壁的延伸長度依次均勻加長。例如溝槽處的焊盤14主要由3層金屬層形成，從半導體襯底10的背面至正面依次是最底層金屬層M1、中間層金屬層M2以及最頂層金屬層M3，在溝槽中依次對M1、M2、M3遠離感光區(qū)101的外邊緣進行不同程度刻蝕后形成的階梯狀結(jié)構(gòu)中，M1臺階邊緣最短、M3臺階邊緣最長，而且各個臺階的表面以及側(cè)面均為金屬，用于與后續(xù)形成的布線金屬層接觸。為了最大程度地避免對封裝基板11與圖像傳感器半導體襯底10的粘合性能的影響，在溝槽中刻蝕焊盤14的各層金屬層來形成階梯狀結(jié)構(gòu)時，至少保留焊盤的最頂層金屬層不刻蝕，例如焊盤14從半導體襯底10的背面至正面依次為M1、M2、M3三層金屬層，保留M3不刻蝕，再例如焊盤有4層以上的金屬層時，可以保留最頂層金屬層以及次頂層金屬層不刻蝕。

在本發(fā)明的其他實施例中，步驟S4中的絕緣層以及焊盤的階梯狀結(jié)構(gòu)的形成順序可以互換，即在步驟S3的溝槽刻蝕完成之后，在步驟S4中繼續(xù)刻蝕焊盤中的各層金屬層而形成階梯狀結(jié)構(gòu)，然后在溝槽表面以及半導體襯底背部表 面沉積絕緣層15并刻蝕，暴露出階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階。

請參考圖2E，在步驟S5中，通過濺射、電鍍或化學鍍的方法在絕緣層表面形成布線金屬層16，并對布線金屬層16進行光刻和刻蝕，形成預先設(shè)計好的圖案。該布線金屬層16可優(yōu)選為TiW與Cu構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，其中TiW為粘附層，Cu為布線層。布線金屬層16在焊盤14的位置與階梯狀結(jié)構(gòu)的暴露的各個表面接觸，接觸面積比較多，連接可靠性高。同時溝槽的深寬比較小，金屬布線層16填充在焊盤14出的溝槽中時的填充性能良好，由此使得金屬布線層16本身的性能比較可靠。

請繼續(xù)參考圖2E，在步驟S6中，通過沉積工藝在金屬布線層16表面形成保護層17，以保護布線金屬層16。并進一步光刻、刻蝕保護層17，以在待形成焊錫凸點的位置形成暴露出布線金屬層16的開口(未圖示)。

請參考圖2F，在步驟S7中，通過回流焊法、植球法、蒸發(fā)法、化學鍍法、電鍍法、置球法、焊膏模板印制法或者印刷焊膏法在開口位置形成凸點18，凸點18與金屬布線層16導電接觸。本實施例中，可以采用回流焊工藝在焊墊上形成凸點18，回流焊工藝包括：先通過電鍍或者沉積工藝形成焊料層，焊料層的材料可以包括鋁、錫、銀、鉛、銅、鋅、鉍、銦、金和銻中的一種或者多種，例如為錫、錫銀、錫鉛、錫銀銅、錫銀鋅、錫鋅、錫鉍銦、錫銦、錫金、錫銅、錫鋅銦或者錫銀銻等，并且焊料層中包括有活性劑，然后可以采用氮氣作為保護氣體，采取升溫-恒溫-回流(RSS)的加熱方式進行回流焊，在開口中形成凸點18。具體的，所述回流焊工藝首先進行升溫操作，從室溫到100℃左右，以1℃/s～2℃/s的升溫速率平穩(wěn)升溫；接著進行恒溫操作，恒溫階段的溫度范圍為150℃～250℃，恒溫時間范圍為50s～100s；最后進行回流操作，回流時間范圍為30s～60s，溫度范圍為225℃～250℃。需要說明的是，在本發(fā)明的其它實施例中，可以通過植球法、蒸發(fā)法、化學鍍法、電鍍法、置球法、焊膏模板印制法或者印刷焊膏法形成焊料凸點，本發(fā)明對此不作限定。

由上可見，本發(fā)明的圖像傳感器芯片的封裝方法，先在芯片四周邊緣的焊盤底部的半導體襯底位置形成溝槽，且溝槽底部暴露出焊盤的背部表面；然后修整各個焊盤的各層金屬層，將焊盤邊緣修改為階梯狀結(jié)構(gòu)；接著在溝槽中形成導電接觸所述階梯狀結(jié)構(gòu)的布線金屬層以及在芯片背部表面的布線金屬層上形成焊錫凸點，從而將芯片電信號從芯片正面轉(zhuǎn)移到芯片背面；與硅穿孔互聯(lián) 相比，由于形成的溝槽底部尺寸較大，后續(xù)的溝槽內(nèi)的填充布線金屬層工藝難度減小，避免了由于硅穿孔內(nèi)金屬填充不實造成可靠性不良的問題；同時由于階梯狀結(jié)構(gòu)增加了布線金屬層與焊盤的接觸面積，避免了現(xiàn)有技術(shù)中填充的布線金屬層僅與焊盤的一最頂層金屬層表面或者最底層金屬表面接觸的不利影響，避免了由于硅穿孔內(nèi)布線金屬層與焊盤連接可靠性不良的問題；而且由于避免采用硅穿孔互連技術(shù)，封裝工藝簡化，封裝成本降低。

請參考圖2F，本發(fā)明還提供一種圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

半導體襯底10；

圖像傳感器芯片，形成在所述半導體襯底10的正面上；

溝槽，形成于所述半導體襯底10的背面；

多個焊盤14，分布在所述圖像傳感器芯片周圍的半導體襯底10中，且所述溝槽處的焊盤14是由多層金屬層互連而成的階梯狀結(jié)構(gòu)；

絕緣層15，覆蓋所述半導體襯底10的背面，并暴露出所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階表面；

布線金屬層16，覆蓋所述絕緣層15以及所述暴露出的所述階梯狀結(jié)構(gòu)的臺階表面，并與所述階梯狀結(jié)構(gòu)的各個臺階的金屬層接觸；

保護層17，覆蓋所述布線金屬層16表面，且具有暴露所述布線金屬層16的多個開口；以及

凸點18，設(shè)置在所述開口中，并與所述布線金屬層16導電接觸。

進一步的，所述圖像傳感器芯片位于一晶圓上，所述晶圓上包括所述半導體襯底10以及形成在半導體襯底10正面的至少一個圖像傳感器芯片。

進一步的，所述晶圓的正面還覆蓋有鈍化層13，所述圖像傳感器芯片的圖像傳感單元(即感光區(qū)101)以及分布于所述圖像傳感單元周圍的各個焊盤14均部分形成在所述鈍化層13中。

進一步的，所述階梯狀結(jié)構(gòu)中，最底層金屬層至最頂層金屬層在溝槽側(cè)壁的延伸長度依次均勻加長。

由上可見，本發(fā)明提供的圖像傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，通過溝槽、階梯狀焊盤結(jié)構(gòu)、布線金屬層、焊錫凸點的結(jié)構(gòu)將芯片電信號從芯片正面轉(zhuǎn)移到芯片背面，與硅穿孔互聯(lián)相比，結(jié)構(gòu)相對簡單，封裝成本降低；而且布線金屬層填 充在深寬比的溝槽中比填充在傳統(tǒng)的硅穿孔中的性能高，階梯狀焊盤結(jié)構(gòu)與布線金屬層的接觸面積大，由此避免了由于硅穿孔內(nèi)布線金屬層與焊盤連接可靠性不良的問題。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。