技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及測試柵極氧化層的擊穿電壓的方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：多個晶體管、多個二極管、多個保險絲、多個第一測量墊以及至少一個第二測量墊；每個晶體管均包括形成于一襯底上的柵極以及位于所述柵極兩側(cè)的襯底中的源極和漏極，所述柵極與所述襯底之間具有一柵極氧化層；每個二極管的正極連接一晶體管的柵極，每個二極管的負(fù)極與該晶體管的柵極連接同一第一測量墊，每個晶體管的柵極以及所述晶體管的柵極連接的第一測量墊之間設(shè)置一保險絲，所述襯底連接所述第二測量墊。本發(fā)明中，可以同時對多個晶體管的擊穿電壓進(jìn)行檢測，縮短測試周期。

技術(shù)研發(fā)人員：朱月芹;宋永梁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510960964
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.18
技術(shù)公布日：2017.06.27