技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有功能材料層、硬掩膜層、無定形材料層以及圖案化的掩膜層；

步驟S2：以所述圖案化的掩膜層為掩膜部分地蝕刻所述無定形材料層，以形成凹槽，接著在所述凹槽的側(cè)壁上形成間隙壁，以使所述無定形材料層更加堅(jiān)固；

步驟S3：重復(fù)所述步驟S2至在所述無定形材料層中形成目標(biāo)圖案并露出所述硬掩膜層，同時(shí)所述間隙壁向下延伸至所述目標(biāo)圖案的底部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

步驟S4：以所述無定形材料層為掩膜，蝕刻所述硬掩膜層，以在所述硬掩膜層中形成所述目標(biāo)圖案；

步驟S5：以所述無定形材料層和所述硬掩膜層為掩膜蝕刻所述功能材料層，以將所述目標(biāo)圖案轉(zhuǎn)移至所述功能材料層中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S21：以所述圖案化的掩膜層為掩膜部分地蝕刻所述無定形材料層，以形成所述凹槽；

步驟S22：去除所述凹槽側(cè)壁上在蝕刻過程中形成的應(yīng)力層，以露出所述凹槽的側(cè)壁；

步驟S23：在露出的所述凹槽的側(cè)壁上形成間隙壁，以使所述無定形材料層更加堅(jiān)固。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S21：選用包含硫化羰的等離子體部分地蝕刻所述無定形材料層，以形成所述凹槽；

步驟S22：在所述凹槽的表面沉積間隙壁材料層，以覆蓋所述凹槽的表面并使所述無定形材料層更加堅(jiān)固。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S22中選用Ar、CH₄、N₂和CO₂中的一種或多種沖刷以去除所述應(yīng)力層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隙壁選用硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隙壁在N₂和Ar氣氛中，在直流電的條件下沉積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述無定形材料層選用無定形碳。

9.一種如權(quán)利要求1至8之一所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

10.一種電子裝置，包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。