本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，尤其涉及一種內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品的需求朝向高功能化、信號傳輸高速化及電路組件高密度化，集成電路芯片所呈現(xiàn)的功能越強，而針對消費性電子產(chǎn)品，搭配的被動組件數(shù)量亦隨的劇增。再者，在電子產(chǎn)品強調(diào)輕薄短小之際，如何在有限的構(gòu)裝空間中容納數(shù)目龐大的電子組件，已成為電子構(gòu)裝業(yè)者急待解決與克服的技術(shù)瓶頸。為了解決此一問題，構(gòu)裝技術(shù)逐漸走向單構(gòu)裝系統(tǒng)(systeminpackage,sip)的系統(tǒng)整合階段，特別是多芯片模塊(multi-chipmodule,mcm)的封裝。而其中，內(nèi)埋式主動組件及被動組件技術(shù)(embeddedtechnology)成為關(guān)鍵技術(shù)。藉由組件的內(nèi)埋化，可使封裝體積大幅度縮小，能放入更多高功能性組件，以增加基板表面的布局面積，以達(dá)到電子產(chǎn)品薄型化的目的。

一般而言，在已知使用內(nèi)埋式電子組件的封裝技術(shù)中，需先在基板上形成一容置槽，以將電子組件配置于基板的容置槽內(nèi)。之后，再進(jìn)行填充絕緣膠體的步驟，以使電子組件內(nèi)埋于基板中。然而，在壓合填充絕緣膠體于容置槽內(nèi)時，設(shè)置于容置槽內(nèi)的電子組件容易因絕緣膠體的流動性而產(chǎn)生偏移，進(jìn)而影響電子組件與基板的接點之間的對位精準(zhǔn)度，導(dǎo)致內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制程良率下降。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其可提升電子組件的對位精準(zhǔn)度以及封裝結(jié)構(gòu)的制程良率。

本發(fā)明的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。提供核心層，其中，核心層包括容置槽、第一表面以及相對第一表面的第二表面， 且容置槽貫穿核心層。將核心層的第二表面貼附于支撐層的上表面，其中，支撐層覆蓋容置槽位于核心層的第二表面的開口端。支撐層還包括組件設(shè)置區(qū)，且容置槽曝露組件設(shè)置區(qū)并與組件設(shè)置區(qū)的邊緣維持間距。提供定位基板，其中定位基板包括定位凸起。定位基板貼附于支撐層的下表面，其中定位凸起環(huán)繞組件設(shè)置區(qū)并位于間距內(nèi)，以往上擠壓支撐層而于支撐層上形成對應(yīng)的定位凸部。設(shè)置電子組件于組件設(shè)置區(qū)上，且定位凸部環(huán)繞電子組件。壓合第一介電層于核心層的第一表面，且第一介電層填充容置槽并覆蓋電子組件。移除支撐層以及定位基板，以曝露第二表面以及容置槽中的第一介電層的表面，其中，第一介電層的表面與容置槽位于核心層第二表面的開口端齊平。壓合第二介電層于第二表面上，并使第二介電層與容置槽中的第一介電層的表面貼合。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的定位凸起包括多個凸塊，共同環(huán)繞組件設(shè)置區(qū)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的定位部包括長條狀凸肋，環(huán)繞組件設(shè)置區(qū)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還包括：在移除支撐層以及定位基板之前，對第一介電層進(jìn)行烘烤制程，以固化第一介電層。

在本發(fā)明的一實施例中，上述提供定位基板的步驟包括：提供基材，其中基材包括絕緣層、第一金屬層以及第二金屬層，且第一金屬層及第二金屬層分別覆蓋絕緣層的相對兩表面。對第一金屬層進(jìn)行圖案化制程，以形成定位凸起于絕緣層上。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化制程包括半加成(semi-additive)法或減成(subtractive)法。

在本發(fā)明的一實施例中，上述提供定位基板的步驟包括下列步驟：提供絕緣層。形成圖案化光阻層于絕緣層上，且圖案化光阻層曝露部分絕緣層。進(jìn)行電鍍制程，以于被曝露的部分絕緣層上形成定位凸起。移除圖案化光阻層。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的容置槽與組件設(shè)置區(qū)邊緣的間距實質(zhì)上介于50微米(μm)至100微米之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的定位凸起至電子組件的最短距離實質(zhì)上介于5微米至15微米之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的定位凸起的厚度實質(zhì)上小于或等于二分之一電子組件的厚度。

基于上述，本發(fā)明將具有定位凸起的定位基板貼附于支撐層上，以使支撐層因受到擠壓而形成對應(yīng)的定位凸部，且定位凸部環(huán)繞支撐層的組件設(shè)置區(qū)。之后，再將電子組件設(shè)置于組件設(shè)置區(qū)，以使定位凸部環(huán)繞電子組件。如此，在進(jìn)行后續(xù)的壓合介電層的制程時，由于定位凸部環(huán)繞于電子組件的四周，因而可防止電子組件在壓合及加熱介電層的過程中因介電層的流動性而受其帶動，進(jìn)而產(chǎn)生偏移的現(xiàn)象。因此，本發(fā)明的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法可提高電子組件的對位精準(zhǔn)度，進(jìn)而可提升內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制程良率。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1a至圖1g是依照本發(fā)明的一實施例的一種內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程剖面示意圖；

圖2是依照本發(fā)明的一實施例的一種定位凸部的俯視示意圖；

圖3是依照本發(fā)明的另一實施例的一種定位凸部的俯視示意圖；

圖4a至圖4b是依照本發(fā)明的一實施例的一種定位基板的制作流程的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記：

100：內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)

110：核心層

112：容置槽

114：第二表面

116：第一表面

120：支撐層

122：組件設(shè)置區(qū)

124：定位凸部

130：定位基板

130a：基材

132：定位凸起

134：絕緣層

136：第一金屬層

138：第二金屬層

140：電子組件

150：第一介電層

160：第二介電層

d1：最短距離

g1：間距

具體實施方式

有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點與功效，在以下配合附圖的各實施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實施例中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本發(fā)明。并且，在下列各實施例中，相同或相似的組件將采用相同或相似的標(biāo)號。

圖1a至圖1g是依照本發(fā)明的一實施例的一種內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程剖面示意圖。本實施例的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。首先，請參照圖1a，提供核心層110，其中，核心層110包括容置槽112、第一表面116以及第二表面114，且第一表面116與第二表面114彼此相對，而容置槽112貫穿核心層110。本實施例可例如使用機械鉆孔的方式形成貫穿核心層110的容置槽112，當(dāng)然，本實施例僅用以舉例說明，本發(fā)明并不限制容置槽的形成方式。

接著，將核心層110的第二表面114貼附于支撐層120的上表面，其中，支撐層120覆蓋容置槽112位于核心層110的第二表面114的開口端。在本實施例中，支撐層120包括組件設(shè)置區(qū)122，以供后續(xù)制程中的電子組件設(shè)置于其上。容置槽112如圖1a所示的曝露上述的組件設(shè)置區(qū)122，并且，容 置槽112與組件設(shè)置區(qū)122的邊緣之間維持間距g1，以使后續(xù)制程中的第一介電層能輕易地完全填充于容置槽內(nèi)。在本實施例中，上述容置槽112與組件設(shè)置區(qū)122的邊緣的間距g1實質(zhì)上約介于50微米(μm)至100微米之間。

接著，請參照圖1b，提供定位基板130，其中，定位基板130包括定位凸起132，其凸出于基板130的上表面并環(huán)繞組件設(shè)置區(qū)122。具體而言，定位基板130的制作方法可例如包括下列步驟。首先，如圖4a所示，提供基材130a，本實施例的基板130a可例如為銅箔基板(coppercladlaminate,ccl)，其可包括銅箔層、離型膜、環(huán)氧樹脂或含已固化環(huán)氧樹脂的玻璃纖維層，在本實施例中，基材130a包括絕緣層134、第一金屬層136以及第二金屬層138，且第一金屬層136及第二金屬層138分別覆蓋絕緣層134的相對兩表面。絕緣層134的材料可包括含有半固化(b-stage)環(huán)氧樹脂的玻璃纖維層(prepreg,pp)或是含有已固化(c-stage)環(huán)氧樹脂的玻璃纖維層(fr4)。當(dāng)然，本實施例僅用以舉例說明，本發(fā)明并不限制絕緣層134的種類。

接著，如圖4b所示的對第一金屬層136進(jìn)行圖案化制程，以形成定位凸起132于絕緣層134上。在本實施例中，圖案化制程可例如為減成(subtractive)法。也就是說，圖案化制程可例如先形成圖案化光阻層于基材130a上，再通過蝕刻制程移除被圖案化光阻層所曝露的部分第一金屬層136而形成如圖4b所示的定位凸起132?；蛘?，圖案化制程也可為半加成(semi-additive)法。也就是說，圖案化制程可包括先形成圖案化光阻層于基材134上，再通過電鍍制程于被圖案化光阻層所曝露的部分基材134上形成圖案化金屬層，之后，再移除圖案化光阻層并通過蝕刻制程移除被圖案化光阻層所曝露的部分第一金屬層136，如此，圖案化金屬層與殘余的第一金屬層136即可形成本實施例的定位凸起132。

當(dāng)然，上述實施例僅用以舉例說明，在其他實施例中，定位凸起132也可通過加成(additive)法來形成。也就是說，定位基板130的制作方法可包括先提供絕緣層，之后再形成圖案化光阻層于此絕緣層上，且圖案化光阻層曝露部分絕緣層。接著再進(jìn)行電鍍制程，以于被曝露的部分絕緣層上形成定位凸起132。之后再移除上述的圖案化光阻層，以形成定位基板130。當(dāng)然，本發(fā)明并不限制定位基板130的形成方法，在其他實施例中，定位基板130亦可通過模具直接成型或是其他適合的制作方法而形成。

請接續(xù)參照圖1c，貼附上述的定位基板130于支撐層120的下表面，其中，定位凸起132環(huán)繞支撐層120的組件設(shè)置區(qū)122并位于間距g1內(nèi)。如此，當(dāng)定位基板130貼附于定位基板130的下表面時，定位凸起132會對支撐層120往上擠壓，因而于支撐層120上形成對應(yīng)的定位凸部124。接著，設(shè)置電子組件140于組件設(shè)置區(qū)122上。如此，定位凸部124即可環(huán)繞電子組件140，以定位電子組件140。

圖2及圖3為圖1c中的定位凸起132于不同實施中的俯視示意。須說明的是，圖2省略顯示了支撐層120，以更清楚呈現(xiàn)定位凸起132的形狀及其與電子組件140的關(guān)系。舉例而言，在如圖2所示的實施例中，定位凸起132可為多個凸塊，以共同環(huán)繞支撐層120的組件設(shè)置區(qū)122，因而可擠壓支撐層120，以于其上對應(yīng)形成多個凸塊狀的定位凸部124。在如圖3所示的實施例中，定位凸起132可為長條狀凸肋，也就是說，定位凸起132可為連續(xù)性的長條狀凸起，以環(huán)繞支撐層120的組件設(shè)置區(qū)122，因而可擠壓支撐層120，以于其上對應(yīng)形成多個凸肋狀的定位凸部124。

在本實施例中，定位凸起132的厚度若太厚，則可能導(dǎo)致定位凸起132戳破支撐層120，因此，定位凸起132的厚度可具有一定的限制。具體而言，本實施例的定位凸起132的厚度實質(zhì)上約可小于或等于二分之一的電子組件140的厚度。并且，定位凸起132至電子組件140的最短距離d1實質(zhì)上介于5微米至15微米之間。較佳地，定位凸起132至電子組件140的最短距離d1約可為10微米。當(dāng)然，上述的數(shù)據(jù)僅用以舉例說明，只要定位凸起132位于容置槽112與電子組件140之間的間距g1內(nèi)，即可對電子組件140達(dá)到進(jìn)一步定位的效果。

接著，請參照圖1d，壓合第一介電層150于核心層110的第一表面116，且第一介電層150填充于容置槽112內(nèi)并覆蓋電子組件140。之后，可對第一介電層150進(jìn)行烘烤制程，以固化第一介電層150，并固定電子組件140的位置。在上述制程步驟中，由于定位凸部124環(huán)繞于電子組件140的四周，因而可防止電子組件140在壓合及加熱的過程中因為第一介電層150的流動性而受其帶動，進(jìn)而產(chǎn)生偏移的現(xiàn)象。

接著，請參照圖1e，移除支撐層120以及定位基板130，以曝露核心層110的第二表面114以及容置槽112中的第一介電層150的表面，其中，第 一介電層150的表面與容置槽112位于核心層110的第二表面114的開口端齊平。之后，再如圖1f及1g所示，壓合第二介電層160于核心層110的第二表面114上，并通過第二介電層160的流動性填補因定位基板130上的定位凸起132壓合后于第一介電層150上造成的空孔，使第二介電層160與容置槽112中的第一介電層150的表面貼合，再經(jīng)烘烤制程使第二介電層160固化以便完全貼合。如此，如圖1g所示的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)100的制作方法即大致完成。

綜上所述，本發(fā)明將具有定位凸起的定位基板貼附于支撐層上，以使支撐層因受到擠壓而形成對應(yīng)的定位凸部，且定位凸部環(huán)繞支撐層的組件設(shè)置區(qū)。之后，再將電子組件設(shè)置于組件設(shè)置區(qū)，以使定位凸部環(huán)繞電子組件。如此，在進(jìn)行后續(xù)的壓合介電層的制程時，由于定位凸部環(huán)繞于電子組件的四周，因而可防止電子組件在壓合及加熱介電層的過程中因介電層的流動性而受其帶動，進(jìn)而產(chǎn)生偏移的現(xiàn)象。因此，本發(fā)明的內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法可提高電子組件的對位精準(zhǔn)度，進(jìn)而可提升內(nèi)埋式電子組件的封裝結(jié)構(gòu)的制程良率。

雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求界定范圍為準(zhǔn)。