【技術領域】

本發(fā)明涉及一種芯片制造領域，尤其涉及一種芯片封裝方法。

背景技術：

目前引線框架包括有兩種，一種是通過腐蝕工藝形成的引線框架，可以被稱為腐蝕引線框架，另一種是通過沖壓工藝形成的引線框架，可以被稱為沖壓引線框架。

通過腐蝕工藝形成的引線框架的分行面形狀為弧形凹入，端部側(cè)面有尖毛邊。如圖1所示的，其示意出了腐蝕引線框架的端部側(cè)面，引線框架的上表面為110，下表面為120，端部側(cè)面為130，可見由于端部側(cè)面是腐蝕而成的，因此具有毛邊，端部側(cè)面在與上表面110和下表面120交界處形成有尖刺。通過沖壓工藝形成的引線框架的分行面形狀為平面，端部側(cè)面為r角，無毛邊。如圖2所示的，其示意出了沖壓引線框架的端部側(cè)面，引線框架的上表面為210，下表面為220，端部側(cè)面為230，可見由于端部側(cè)面是沖壓而成的，因此無毛邊，在端部側(cè)面230與下表面220交界處形成有r角。

在將芯片產(chǎn)品從腐蝕引線框架上拉扯分離時，所述端部側(cè)面的毛邊容易導致腐蝕引線框的端部上層電鍍的錫層被帶出，而在所述芯片產(chǎn)品的側(cè)邊上形成錫絲，造成引腳短路風險。

由于沖壓引線框的端部側(cè)面無毛邊，因此在將芯片產(chǎn)品從沖壓引線框架上拉扯分離時，不會在所述產(chǎn)品的側(cè)邊上形成錫絲。雖然將腐蝕框架更換成沖壓框架可以解決在所述產(chǎn)品的側(cè)邊上形成錫絲的問題，然而這樣會帶來另外的兩個問題：第一、無法滿足客戶要求；第二、沖壓引線框架模具開模費用高，周期長，影響產(chǎn)品交期。

有必要提出一種新的方案來解決在所述產(chǎn)品的側(cè)邊上形成金屬絲的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種芯片封裝方法，其在采用腐蝕引線框的同時還能夠解決芯片產(chǎn)品的側(cè)邊上形成金屬絲的問題。

為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供芯片封裝方法，其包括：提供引線框架，該引線框架包括島區(qū)、引線端子、框架端部以及連接所述引線端子和島區(qū)的連筋部；將晶片安放于所述引線框架的島區(qū)上；通過鍵合工藝將鍵合線連接于所述晶片的焊盤和相應的引線端子之間；通過塑封模具形成塑封體以將所述晶片、鍵合線和部分引線框架塑封于所述塑封體內(nèi)，所述塑封體包括與所述框架端部相接合的塑封體端部；在露于所述塑封體外的引線框架部分上電鍍一層金屬；切除所述引線框架的連筋部以形成芯片產(chǎn)品，此時所述芯片產(chǎn)品由所述框架端部支撐；和，將所述芯片產(chǎn)品從所述引線框架上分離出來；其中，所述塑封模具的靠近所述框架端部的位置設置排氣凹槽，在通過所述塑封模具進行塑封時從所述排氣凹槽排出部分溢料，這部分溢料覆蓋在所述框架端部的部分區(qū)域上。

進一步的，所述引線框架是由腐蝕工藝制造而成的。

進一步的，所述排氣凹槽的深度為0.010mm至0.030mm。

進一步的，所述排氣凹槽的寬度為所述塑封體的寬度的1/4至1/3。

進一步的，所述電鍍形成的一層金屬為一層錫。

進一步的，根據(jù)所述芯片產(chǎn)品從所述引線框架上分離出來的方向，設置所述氣凹槽在所述塑封模具上的具體位置。

進一步的，所述排氣凹槽設置于所述塑封模具的下型腔。

與現(xiàn)有技術相比，在本發(fā)明中，通過在所述塑封模具的靠近所述框架端部的位置設置排氣凹槽，在通過所述塑封模具進行塑封時從所述排氣凹槽排出部分溢料，這部分溢料覆蓋在所述框架端部的部分區(qū)域上，這樣在電鍍時就不會在所述框架端部上形成完整的金屬層，從而解決芯片產(chǎn)品的側(cè)邊上形成金屬絲的問題。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中：

圖1示意出了腐蝕引線框架的端部側(cè)面，其中端部側(cè)面具有毛邊；

圖2示意出了沖壓引線框架的端部側(cè)面，其中端部側(cè)面不具有毛邊；

圖3為本發(fā)明中的芯片封裝方法在一個實施例中的流程示意圖；

圖4為圖3中的塑封步驟后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為現(xiàn)有技術中的分離步驟的示意圖；

圖6為圖3中的分離步驟的示意圖。

【具體實施方式】

本發(fā)明的詳細描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來直接或間接地模擬本發(fā)明技術方案的運作。為透徹的理解本發(fā)明，在接下來的描述中陳述了很多特定細節(jié)。而在沒有這些特定細節(jié)時，本發(fā)明則可能仍可實現(xiàn)。所屬領域內(nèi)的技術人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領域內(nèi)的其他技術人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。換句話說，為避免混淆本發(fā)明的目的，由于熟知的方法和程序已經(jīng)容易理解，因此它們并未被詳細描述。

此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個實現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。

圖3為本發(fā)明中的芯片封裝方法300在一個實施例中的流程示意圖，其在采用腐蝕引線框的同時還能夠解決芯片產(chǎn)品的側(cè)邊上形成金屬絲的問題。

如圖3所示的，所述芯片封裝方法300包括如下步驟。

步驟310，提供引線框架，該引線框架包括島區(qū)、引線端子、框架端部以及連接所述引線端子和島區(qū)的連筋部。

結(jié)合圖4所示的，所述引線框架被標記為410，所述引線框架410的島區(qū)被塑封在芯片產(chǎn)品420內(nèi)，并未示出，所述引線框架410的連筋部也未被示出，所述引線框架410的引線端子被標記為411，所述引線框架410的框架端部被標記為412。

在本發(fā)明中，所述引線框架是由腐蝕工藝制造而成的，可以被稱之為腐蝕引線框架。如背景所述的，由于所述引線框架是由腐蝕工藝制造而成的，因此所述框架端部412的側(cè)面是有毛刺的。

步驟320，將晶片(未圖示)安放于所述引線框架的島區(qū)上。

步驟330，通過鍵合工藝將鍵合線連接于所述晶片的焊盤和相應的引線端子之間。所述鍵合工藝可以采用所屬領域內(nèi)的常規(guī)鍵合工藝，因此此處并未特別詳細說明。

步驟340，塑封步驟：通過塑封模具形成塑封體以將所述晶片、鍵合線和部分引線框架塑封于所述塑封體內(nèi)，所述塑封體包括與所述框架端部412相接合的塑封體端部421。

圖4為發(fā)明的塑封步驟后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的優(yōu)點或特點之一在于：所述塑封模具的靠近所述框架端部412的位置設置排氣凹槽，可以結(jié)合圖4和圖6所示，在通過所述塑封模具進行塑封時從所述排氣凹槽排出部分溢料413，這部分溢料413覆蓋在所述框架端部412的部分區(qū)域上。

在一個實施例中，所述排氣凹槽的深度為0.010mm至0.030mm。優(yōu)選的，所述排氣凹槽的深度為0.025mm。所述排氣凹槽的寬度為所述塑封體的寬度的1/4至1/3，比如如果塑封體的寬度為4mm，那么排氣凹槽的寬度可以為1mm。

步驟350，在露于所述塑封體外的引線框架部分上電鍍一層金屬。

由于所述框架端部412的部分區(qū)域上覆蓋有溢料，因此在所述框架端部412的具有溢料的區(qū)域并未被電鍍上所述金屬。

結(jié)合圖4和圖6所示的，所述框架端部412的靠近所述芯片產(chǎn)品的區(qū)域上形成覆蓋有溢料，而遠離所述芯片產(chǎn)品的區(qū)域通過電鍍形成一層金屬。在其他實施例中，也可以是所述框架端部412的整個表面都覆蓋有溢料。

在一個實施例中，所述金屬為錫。

步驟360，切除所述引線框架的連筋部以形成芯片產(chǎn)品420，此時所述芯片產(chǎn)品420由于所述框架端部412和所述塑封體端部421的結(jié)合而被支撐。

步驟370，將所述芯片產(chǎn)品420從所述引線框架410上分離出來。

在一個實施例中，如圖6所示的，沿箭頭方向拉拽所述芯片產(chǎn)品420以使得所述芯片產(chǎn)品420與所述引線框架410的剩余部分分離。

圖5示意出了現(xiàn)有的芯片產(chǎn)品520從引線框架上分離出來的示意圖。所述引線框架的框架端部512與所述塑封體的塑封體端部521相結(jié)合，在所述引線框架的框架端部512的表面上電鍍形成有一層錫514。在芯片產(chǎn)品520從引線框架上分離出來時，所述框架端部512上的錫514可能被帶出形成錫絲。

而在本發(fā)明中，結(jié)合圖6所示的，雖然所述引線框架410是腐蝕引線框架410，其框架端部412的側(cè)面上具有毛刺，但是由于框架端部412的部分區(qū)域上覆蓋有溢料413，而沒有被全部電鍍上金屬層，因此在所述芯片產(chǎn)品420從所述引線框架410上分離出來時，并不會形成錫絲。

在一個實施例中，可以根據(jù)所述芯片產(chǎn)品420從所述引線框架410上分離出來的方向，設置所述氣凹槽在所述塑封模具上的具體位置。具體的，如果所述芯片產(chǎn)品420向下從所述引線框架410上分離出來，那么所述排氣凹槽被設置的面向所述引線框架410的框架端部412的下表面，比如，所述排氣凹槽設置于所述塑封模具的下型腔的靠近所述框架端部412的位置處。如果所述芯片產(chǎn)品420向上從所述引線框架410上分離出來，那么所述排氣凹槽被設置的面向所述引線框架410的框架端部412的上表面。

本發(fā)明中的解決錫絲問題的方案，易操作、費用低、周期短，且對芯片產(chǎn)品本身無任何影響，而且不涉及客戶任何變更問題。

上述說明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實施方式。需要指出的是，熟悉該領域的技術人員對本發(fā)明的具體實施方式所做的任何改動均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍。相應地，本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實施方式。