本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)，尤其涉及一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路的生產(chǎn)主要可分為三個(gè)階段：集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制作以及集成電路封裝。在集成電路設(shè)計(jì)完成后，交由集成電路生產(chǎn)工廠完成集成電路制作，集成電路芯片由晶圓制作、形成集成電路以及切割晶圓等步驟完成。當(dāng)晶圓內(nèi)部的集成電路制作完成之后，再在晶圓上配置多個(gè)焊墊，以使最終由晶圓切割所形成的芯片可經(jīng)由這些焊墊向外點(diǎn)連接于一承載器。承載器可以為一引線框架或者一封裝基板。芯片可以打線接合或者覆晶接合的方式連接至承載器上，使得芯片的這些焊墊可以連接于承載器的電接觸點(diǎn)，從而構(gòu)成芯片封裝結(jié)構(gòu)。

以引線框架為芯片承載件的半導(dǎo)體封裝，例如方形扁平無引腳封裝(qfn，quadflatno-leadpackage)，其外觀多為矩形，元件底部具有水平焊端，在中央有一個(gè)用來放置半導(dǎo)體芯片的裸片墊，圍繞裸片墊的四周有實(shí)現(xiàn)電氣連接的金屬焊端。半導(dǎo)體裸片安裝在中央的裸片墊上，并且連接線將半導(dǎo)體裸片上的金屬焊盤電性連接至引線框架的金屬焊端，然后以封裝膠體包覆所述芯片以及接合引線而形成半導(dǎo)體封裝件。

在電子系統(tǒng)中，除了有源的集成電路芯片外，還會(huì)用到大量的無源器件，所述無緣器件是指在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件，主要包括電阻類，電感類和電容類器件，以及由這些所組成的無源濾波器、諧振器、轉(zhuǎn)換器和開關(guān)等。這些元件具有很多重要的功能，如偏置、去耦、開關(guān) 噪聲抑制、濾波、調(diào)諧和電路終端等。

隨著網(wǎng)絡(luò)通訊、電子多媒體產(chǎn)品以及信息化、智能化技術(shù)快速發(fā)展，集成電路元器件的處理功能日趨重要，并越來越向著小型化、薄型化、集成化、高密度等態(tài)勢發(fā)展，因而有源芯片與無源器件的高密度集成技術(shù)面臨機(jī)遇和挑戰(zhàn)。然而現(xiàn)有的框架封裝在很多情況下，在系統(tǒng)中都是與分立的無源器件通過電路板走線相連接，從而導(dǎo)致集成度非常低，封裝體內(nèi)空間也沒有被有效利用，而過長的電路板走線也會(huì)為系統(tǒng)引入更多的信號(hào)完整性問題。如何充分利用封裝體內(nèi)的空間，有效地提高框架封裝器件的集成密度和整個(gè)集成系統(tǒng)的信號(hào)傳輸質(zhì)量是目前框架封裝技術(shù)的一個(gè)重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，其技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述框架封裝結(jié)構(gòu)包括：裸片墊，設(shè)置于所述裸片墊下方的第一絕緣介質(zhì)層，設(shè)置于所述第一絕緣介質(zhì)層下方的金屬結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于所述金屬結(jié)構(gòu)層下方的第二絕緣介質(zhì)層，以及，設(shè)置于所述裸片墊外圍的至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤；所述至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤與所述第二絕緣介質(zhì)層連接；

所述裸片墊上設(shè)置有至少一個(gè)有源芯片，所述至少一個(gè)有源芯片與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第二絕緣介質(zhì)層中設(shè)置有金屬互連層；

所述金屬互連層與所述金屬結(jié)構(gòu)層電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述金屬互連層與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述裸片墊、所述金屬結(jié)構(gòu)層以及所述第一絕緣介質(zhì)層形成電容元件，其中，所述裸片墊作為所述電容元件的上極板；所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電容元件的介質(zhì)層；所述金屬結(jié)構(gòu)層作為所述電容元件的下極板。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述金屬結(jié)構(gòu)層設(shè)置為線圈結(jié)構(gòu)而形成電感元件；所述金屬結(jié)構(gòu)層采用高電阻率的材料，而形成電阻元件。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電阻元件、所述電感元件與所述裸片墊之間的絕緣層。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電容元件的介質(zhì)層時(shí)，由氮化硅si3n4或二氧化硅sio2材料制成；

所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電阻元件、所述電感元件與所述裸片墊之間的絕緣層時(shí)，由聚酰亞胺pi或聚對(duì)苯撐苯并二噁唑pbo材料制成。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述至少一個(gè)有源芯片的上表面設(shè)置有焊盤端，所述焊盤端為金屬結(jié)構(gòu)且與所述至少一個(gè)有源芯片內(nèi)部電路電連接；在所述焊盤端與所述導(dǎo)電焊盤之間設(shè)置金屬連接線，所述至少一個(gè)有源芯片的內(nèi)部電路與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，所述方法包括：

制作引線框架，所述引線框架包括裸片墊和位于裸片墊外圍的導(dǎo)電焊盤；

在所述裸片墊下表面設(shè)置第一絕緣介質(zhì)層；

在所述第一絕緣介質(zhì)層下表面通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材料，通過光刻、刻蝕工藝去除多余的金屬材料，而形成金屬結(jié)構(gòu)層；

在所述金屬結(jié)構(gòu)層的下表面通過化學(xué)氣相沉積cvd、物理氣相沉積pvd的工藝淀積形成第二絕緣介質(zhì)層；

在所述第二絕緣介質(zhì)層上通過光刻形成過孔，所述過孔穿透所述第二絕緣介質(zhì)層而與金屬結(jié)構(gòu)層接觸；在已形成過孔的第二絕緣介質(zhì)層上，通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材料，并使所述金屬導(dǎo)電材料填充到所述過孔內(nèi)而與金屬結(jié)構(gòu)層連接，通過光刻刻蝕去除多余的金屬導(dǎo)電材料，而在第二絕緣介質(zhì)的上表面形成金屬互連層；

在所述裸片墊上表面設(shè)置至少一個(gè)有源芯片，并使所述至少一個(gè)有源芯片與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述使所述至少一個(gè)有源芯片與所述導(dǎo)電焊盤電連接， 包括：

在所述至少一個(gè)有源芯片的上表面設(shè)置焊盤端，使所述焊盤端為金屬結(jié)構(gòu)且與所述至少一個(gè)有源芯片內(nèi)部電路電連接；在所述焊盤端與所述導(dǎo)電焊盤之間設(shè)置金屬連接線，使所述至少一個(gè)有源芯片的內(nèi)部電路與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述方法還包括：

使所述金屬互連層與所述導(dǎo)電焊盤電連接。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述裸片墊、所述金屬結(jié)構(gòu)層以及所述第一絕緣介質(zhì)層形成電容元件，其中，所述裸片墊作為所述電容元件的上極板；所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電容元件的介質(zhì)層；所述金屬結(jié)構(gòu)層作為所述電容元件的下極板。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述方法還包括：

使所述金屬結(jié)構(gòu)層設(shè)置為線圈結(jié)構(gòu)而形成電感元件；使所述金屬結(jié)構(gòu)層采用高電阻率的材料，而形成電阻元件。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電阻元件、所述電感元件與所述裸片墊之間的絕緣層。

作為一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電容元件的介質(zhì)層時(shí)，由氮化硅si3n4或二氧化硅sio2材料制成；

所述第一絕緣介質(zhì)層作為所述電阻元件、所述電感元件與所述裸片墊之間的絕緣層時(shí)，由聚酰亞胺pi或聚對(duì)苯撐苯并二噁唑pbo材料制成。

本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)由下述方式制成：制作引線框架，所述引線框架包括裸片墊和位于裸片墊外圍的導(dǎo)電焊盤；在所述裸片墊下表面設(shè)置第一絕緣介質(zhì)層；在所述第一絕緣介質(zhì)層下表面通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材料，通過光刻、刻蝕工藝去除多余的金屬材料，而形成金屬結(jié)構(gòu)層；在所述金屬結(jié)構(gòu)層的下表面通過化學(xué)氣相沉積cvd、物理氣相沉積pvd的工藝淀積形成第二絕緣介質(zhì)層；在所述第二絕緣介質(zhì)層上通過光刻形成過孔，所述過孔穿透所述第二絕緣介質(zhì)層而與金屬結(jié)構(gòu)層接觸；在已形成過孔的第二 絕緣介質(zhì)層上，通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材料，并使所述金屬導(dǎo)電材料填充到所述過孔內(nèi)而與金屬結(jié)構(gòu)層連接，通過光刻刻蝕去除多余的金屬導(dǎo)電材料，而在第二絕緣介質(zhì)的上表面形成金屬互連層；在所述裸片墊上表面設(shè)置至少一個(gè)有源芯片，并使所述至少一個(gè)有源芯片與所述導(dǎo)電焊盤電連接。本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)中，可以在框架封裝結(jié)構(gòu)的裸片墊背面通過常規(guī)工藝集成大量的無源器件，這種結(jié)構(gòu)充分利用了框架封裝中裸片墊背面的空白區(qū)域，可以為本發(fā)明實(shí)施例的框架封裝體中的芯片提供無源器件，還可以為整個(gè)系統(tǒng)中的其他芯片提供無源器件，而不需要增加額外的分立無源器件，本發(fā)明實(shí)施例可以有效提高整個(gè)系統(tǒng)的集成密度。同時(shí)，無源器件可以通過一層水平方向的金屬走線連接到框架結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電焊盤上，通過導(dǎo)電焊盤與有源芯片相關(guān)信號(hào)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電性連接，極大地縮短了有源芯片與無源器件之間的信號(hào)傳輸路徑，提高了信號(hào)完整性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的引線框架形成第一絕緣介質(zhì)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的形成金屬結(jié)構(gòu)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例的形成第二絕緣介質(zhì)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例的形成金屬互連層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例二的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例三的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例四的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明的特點(diǎn)與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)闡述，所附附圖僅供參考說明之用，并非用來限定本發(fā)明。

為了解決現(xiàn)有框架封裝技術(shù)中有源芯片與無源器件集成度不夠高，電性能損耗大的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)可以將無源器件與有源芯片集成到同一框架封裝結(jié)構(gòu)中，從而有效提高了封裝集成度，極大地縮短了有源芯片與無源器件之間的信號(hào)傳輸路徑，提高了信號(hào)完整性。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)包括裸片墊；至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電焊盤位于裸片墊四周；在所述裸片墊下表面形成第一絕緣介質(zhì)層；在所述第一絕緣介質(zhì)層下表面形成金屬結(jié)構(gòu)層；在所述金屬結(jié)構(gòu)層下表面形成第二絕緣介質(zhì)層；在所述第二絕緣介質(zhì)層中形成金屬互連層；在所述裸片墊的上表面放置至少一個(gè)有源芯片，所述有源芯片上表面設(shè)置有焊盤端，所述有源芯片可以通過金屬打線的方式與導(dǎo)電焊盤進(jìn)行電連接。

所述裸片墊可以作為有源芯片的支撐體，封裝系統(tǒng)的散熱體，還可以作為電容元件的上極板；所述導(dǎo)電焊盤可將芯片管腳與封裝體外部管腳相連接；所述第一絕緣介質(zhì)層可以作為電容元件的介質(zhì)層，也可以作為電阻、電感元件與裸片墊之間的絕緣層；所述金屬結(jié)構(gòu)層可以作為電容元件的下極板，也可以形成線圈結(jié)構(gòu)作為電感元件，還可以為高電阻率的材料形成電阻元件；所述金屬互連層可以通過過孔與金屬結(jié)構(gòu)層進(jìn)行電連接，從而將無源器件管腳連接到導(dǎo)電焊盤上，也可以將無源器件管腳引出到封裝體外；所述焊盤端為金屬結(jié)構(gòu)且與有源芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)電性互連。

所述裸片墊、第一絕緣介質(zhì)層以及金屬結(jié)構(gòu)層所形成的電容元件，金屬結(jié)構(gòu)層通過特殊物理結(jié)構(gòu)形成的電感、電阻元件均可稱為無源器件。

本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，提供引線框架，所述引線框架包括裸片墊和位于裸片墊外圍的導(dǎo)電焊盤；

步驟二，在所述裸片墊下表面形成第一絕緣介質(zhì)層，所述第一絕緣層通過化學(xué)氣相沉積cvd、物理氣相沉積pvd等工藝淀積形成；

步驟三，在所述第一絕緣介質(zhì)層下表面通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材 料，然后通過光刻、刻蝕工藝等工藝去除不需要的金屬材料，從而形成金屬結(jié)構(gòu)層，所述金屬結(jié)構(gòu)層的形狀可以為水平方向呈陣列排布的金屬平面作為電容元件的下極板，也可以為線圈結(jié)構(gòu)從而構(gòu)成電感元件，還可以為高電阻率導(dǎo)電材料平面從而構(gòu)成電阻元件；

步驟四，在所述金屬結(jié)構(gòu)層的下表面形成第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層可以通過cvd、pvd等工藝淀積形成；

步驟五，在所述第二絕緣介質(zhì)層上通過光刻形成過孔，所述過孔穿透第二絕緣介質(zhì)層并與金屬結(jié)構(gòu)層部分金屬導(dǎo)電材料相接觸，然后在已形成過孔的第二絕緣介質(zhì)層上，通過電鍍等工藝覆蓋一層金屬導(dǎo)電材料，并且該金屬導(dǎo)電材料填充到過孔內(nèi)，與金屬結(jié)構(gòu)層的金屬導(dǎo)電材料連接，最后通過光刻刻蝕去除掉不需要的金屬材料，從而在第二絕緣介質(zhì)的上表面形成金屬互連層；

步驟六，在所述裸片墊上表面放置有源芯片，所述有源芯片上表面設(shè)置有焊盤端，所述焊盤端為金屬結(jié)構(gòu)且與芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)電性互連。在有源芯片上表面的焊盤端與引線框架導(dǎo)電焊盤之間形成金屬鍵合線，從而實(shí)現(xiàn)有源芯片內(nèi)部電路與導(dǎo)電焊盤的電性連接。

以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)作進(jìn)一步闡述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)包括裸片墊102，至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤101，第一絕緣介質(zhì)層103，金屬結(jié)構(gòu)層104，第二絕緣介質(zhì)層105以及金屬互連層106，其中，所述裸片墊102為導(dǎo)電金屬材料，所述裸片墊102可以作為有源芯片的支撐體，本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)的散熱體，還可以作為電容元件的上極板；所述導(dǎo)電焊盤101位于裸片墊102四周，所述導(dǎo)電焊盤101為導(dǎo)電金屬材料，可將有源芯片的管腳與本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)的外部管腳相連接；在所述裸片墊102下表面形成第一絕緣介質(zhì)層103，所述第一絕緣介質(zhì)層103可以由氮化硅si3n4或二氧化硅sio2等高介電常數(shù)介質(zhì)材料作為電容元件的介質(zhì)層，所述第一絕緣介質(zhì)層103也可以由聚酰亞胺(pi)或聚對(duì)苯撐苯并二噁唑(pbo)等有機(jī)聚合物材料作 為電阻、電感元件與裸片墊102之間的絕緣層；在所述第一絕緣介質(zhì)層103下表面形成金屬結(jié)構(gòu)層104，所述金屬結(jié)構(gòu)層104可以為一個(gè)或者多個(gè)在同一平面放置的金屬平面結(jié)構(gòu)作為電容元件的下極板，也可以形成線圈結(jié)構(gòu)作為電感元件，還可以為高電阻率的材料形成電阻元件；在所述金屬結(jié)構(gòu)層104下表面形成第二絕緣介質(zhì)層105，所述第二絕緣介質(zhì)層105可以為有機(jī)聚合物等不導(dǎo)電材料；在所述第二絕緣介質(zhì)層105中形成金屬互連層106，所述金屬互連層106可以通過過孔107內(nèi)的金屬導(dǎo)電材料與金屬結(jié)構(gòu)層104進(jìn)行電連接，所述金屬互連層106可以將無源器件連接到導(dǎo)電焊盤101上，從而與有源芯片201相關(guān)信號(hào)進(jìn)行電連接，也可以將無源器件引出到本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)外，從而與其他外部芯片相連；在所述裸片墊102的上表面放置至少一個(gè)有源芯片201，所述有源芯片201上表面設(shè)置有焊盤端202，所述焊盤端202為金屬結(jié)構(gòu)且與有源芯片201內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)電性互連，所述有源芯片201可以通過金屬打線的方式與導(dǎo)電焊盤101進(jìn)行電連接。具體地，焊盤端202為金屬結(jié)構(gòu)且與有源芯片201內(nèi)部電路電連接；在所述焊盤端202與所述導(dǎo)電焊盤101之間設(shè)置金屬連接線，使有源芯片201的內(nèi)部電路與導(dǎo)電焊盤202電連接。

所述裸片墊102、第一絕緣介質(zhì)層103以及金屬結(jié)構(gòu)層104所形成的電容元件，金屬結(jié)構(gòu)層104通過特殊物理結(jié)構(gòu)形成的電感元件、電阻元件，電容元件電感元件及電阻元件均稱為無源器件。

本發(fā)明實(shí)施例還記載了一種集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

步驟一，如圖2所示，提供引線框架，所述引線框架包括裸片墊102和位于裸片墊外圍的導(dǎo)電焊盤101。所述裸片墊102和導(dǎo)電焊盤101均為導(dǎo)電金屬材料形成；

步驟二，如圖3所示，在所述裸片墊102下表面形成第一絕緣介質(zhì)層103，所述第一絕緣層103通過pvd、cvd等工藝淀積形成，其材料可以為si3n4、sio2等高介電常數(shù)介質(zhì)作為電容元件的介質(zhì)層，也可以為pi、pbo等有機(jī)聚合 物作為電阻、電感元件與裸片墊102之間的絕緣層；

步驟三，如圖4所示，在所述第一絕緣介質(zhì)層103下表面通過電鍍工藝形成一層金屬導(dǎo)電材料，所述金屬導(dǎo)電材料可以為銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、金(au)等低電阻率導(dǎo)電材料構(gòu)成電容下極板和電感元件，也可以為鎳鉻合金、氮化鉭等高電阻率材料構(gòu)成電阻元件。然后通過光刻、刻蝕工藝等工藝去除多余的金屬材料，從而形成金屬結(jié)構(gòu)層104，所述金屬結(jié)構(gòu)層104的形狀可以為水平方向呈陣列排布的金屬平面作為電容元件的下極板，從而與第一絕緣介質(zhì)層103以及裸片墊102共同構(gòu)成電容元件，也可以為線圈結(jié)構(gòu)從而構(gòu)成電感元件，還可以為高電阻率導(dǎo)電材料平面從而構(gòu)成電阻元件，所述電容、電感、電阻元件均可稱為無源器件。

步驟四，如圖5所示，在所述金屬結(jié)構(gòu)層104的下表面形成第二絕緣介質(zhì)層105，所述第二絕緣介質(zhì)層105可以通過化學(xué)氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(pvd)等工藝淀積形成，第二絕緣介質(zhì)層105的絕緣介質(zhì)材料覆蓋金屬結(jié)構(gòu)層104，且填充于金屬結(jié)構(gòu)層104金屬材料之間的空隙處；

步驟五，如圖6所示，在所述第二絕緣介質(zhì)層105上通過光刻形成過孔107，所述過孔107穿透第二絕緣介質(zhì)層105并與金屬結(jié)構(gòu)層104部分金屬導(dǎo)電材料相接觸，然后在已形成過孔107的第二絕緣介質(zhì)層105上，通過電鍍等工藝覆蓋一層金屬導(dǎo)電材料，并且該金屬導(dǎo)電材料填充到過孔107內(nèi)，與金屬結(jié)構(gòu)層104的金屬導(dǎo)電材料連接，最后通過光刻刻蝕去除掉多余的金屬材料，從而在第二絕緣介質(zhì)105的上表面形成金屬互連層106，所述金屬互連層106可以將無源器件管腳連接到導(dǎo)電焊盤101上，從而與有源芯片201相關(guān)信號(hào)進(jìn)行電連接，也可以將所述無源器件管腳引出到本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)外，從而與其他外部芯片連接；

步驟六，如圖1所示，在所述裸片墊102上表面放置有源芯片201，所述有源芯片201上表面設(shè)置有焊盤端202，所述焊盤端202為金屬結(jié)構(gòu)且與芯片201內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)電性互連。在有源芯片201上表面的焊盤端202與引線框架導(dǎo)電焊盤101之間形成金屬鍵合線，從而實(shí)現(xiàn)有源芯片201內(nèi)部電路與導(dǎo)電焊 盤101的電性連接；

進(jìn)一步地，如圖7所示，在圖6所示的封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在金屬互連層106下方通過植球、電鍍等工藝形成金屬焊球，從而與其他封裝結(jié)構(gòu)或者裸芯片進(jìn)行電性連接。

進(jìn)一步地，如圖8所示，以本發(fā)明的制備方法步驟五所示的方法，在第二絕緣介質(zhì)105的下表面形成的金屬互連層106可以為多層的金屬互連結(jié)構(gòu)，從而滿足更高密度信號(hào)的互連。

進(jìn)一步地，如圖9所示，在裸片墊102上表面可以通過現(xiàn)有多芯片集成工藝集成更多的有源芯片，從而形成框架多芯片封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例的集成無源器件的框架封裝結(jié)構(gòu)中，可以在框架封裝結(jié)構(gòu)的裸片墊背面通過常規(guī)工藝集成大量的無源器件，這種結(jié)構(gòu)充分利用了框架封裝中裸片墊背面的空白區(qū)域，可以為本發(fā)明實(shí)施例的框架封裝體中的芯片提供無源器件，還可以為整個(gè)系統(tǒng)中的其他芯片提供無源器件，而不需要增加額外的分立無源器件，本發(fā)明實(shí)施例可以有效提高整個(gè)系統(tǒng)的集成密度。同時(shí)，無源器件可以通過一層水平方向的金屬走線連接到框架結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電焊盤上，通過導(dǎo)電焊盤與有源芯片相關(guān)信號(hào)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電性連接，極大地縮短了有源芯片與無源器件之間的信號(hào)傳輸路徑，提高了信號(hào)完整性。

本發(fā)明實(shí)施例所記載的技術(shù)方案之間，在不沖突的情況下，可以任意組合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。