Perc太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領域】
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[0001]本實用新型涉及一種PERC太陽能電池，其屬于光伏技術(shù)領域。
【背景技術(shù)】
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[0002]現(xiàn)有PERC太陽能電池的生產(chǎn)步驟一般包括清洗制絨、擴散制PN結(jié)、刻蝕和去PSG、雙面鈍化、激光開孔、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。其中激光開孔是為了金屬電極與硅片形成良好的接觸，開孔的好壞直接影響到電池的填充因子，從而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。三氧化二鋁為兩性氧化物，與強酸和強堿都能反應，所以，可以通過化學腐蝕的方法進行開孔。同時，激光燒蝕在微加工方面的應用越來越廣泛，也可以用作三氧化二鋁開孔。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和缺點:
[0004]化學腐蝕:掩膜濕法腐蝕法，步驟多，流程復雜，并且容易引入離子污染，廢棄化學品容易對環(huán)境造成危害，而近期出現(xiàn)的漿料腐蝕法，在漿料中加入可以腐蝕三氧化二鋁和氮化硅的成分，會對鋁膜的平整度造成不良影響；
[0005]現(xiàn)有激光開孔技術(shù):通過激光燒蝕，將三氧化二鋁完全去除，難免對硅片表面造成損傷，形成缺陷中心，影響鈍化效果。
[0006]正面氮化硅鈍化層與硅片之間沒有隔離層，很容易出現(xiàn)PID(電位誘導衰減)現(xiàn)象?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】:
[0007 ]本實用新型提供一種PERC太陽能電池，其能夠有效解決PERC太陽能電池電位誘導衰減問題。
[0008]本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽能電池，包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅層和銀層、位于二氧化硅層上表面的正面氮化硅鈍化層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開設有若干個開孔，在開孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。
[0009]進一步地，所述開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中。
[0010]本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽能電池的制備方法，其包括如下步驟:
[0011]步驟1、在硅片的上表面鍍二氧化硅層，在二氧化硅層的上表面鍍正面氮化硅鈍化層，在硅片的下表面鍍氧化鋁鈍化層，在氧化鋁鈍化層的下表面鍍背面氮化硅鈍化層；
[0012 ]步驟2、在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，其中開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中，且開孔不打穿氧化鋁鈍化層；
[0013]步驟3、在硅片的上表面上印刷銀漿形成銀層，在背面氮化硅鈍化層上印刷鋁漿形成鋁層，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金。
[0014]本實用新型具有如下有益效果:
[0015](I).本實用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸；
[0016](2).本實用新型在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽能電池電位誘導衰減問題。
【附圖說明】
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[0017]圖1為本實用新型PERC太陽能電池的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
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[0018]請參照圖1所示，本實用新型PERC太陽能電池包括硅片1、位于硅片I上表面的二氧化硅層2和銀層3、位于二氧化硅層2上表面的正面氮化硅鈍化層4、位于硅片I下表面的氧化鋁鈍化層5、位于氧化鋁鈍化層5下表面的背面氮化硅鈍化層6，在背面氮化硅鈍化層6上間隔開設有若干個開孔7，在開孔7中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層5后與硅片I形成鋁硅合金的招層8。
[0019]其中開孔7貫穿于背面氮化硅鈍化層6后延伸至氧化鋁鈍化層5中，且開孔7不打穿氧化鋁鈍化層5。
[0020]本實用新型PERC太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0021]步驟1、在硅片I的上表面鍍二氧化硅層2，在二氧化硅層2的上表面鍍正面氮化硅鈍化層4，在硅片I的下表面鍍氧化鋁鈍化層5，在氧化鋁鈍化層5的下表面鍍背面氮化硅鈍化層6;
[0022]步驟2、在背面氮化硅鈍化層6上通過激光開孔方式開孔，其中開孔貫穿于背面氮化硅鈍化層6后延伸至氧化鋁鈍化層5中，且開孔不打穿氧化鋁鈍化層5;
[0023]步驟3、在硅片I的上表面上印刷銀漿形成銀層3，在背面氮化硅鈍化層6上印刷鋁漿形成鋁層8，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層5后與硅片I形成鋁硅合金。
[0024]本實用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸。本實用新型在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽能電池電位誘導衰減問題。
[0025]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下還可以作出若干改進，這些改進也應視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種PERC太陽能電池，其特征在于:包括硅片(I)、位于硅片(I)上表面的二氧化硅層(2)和銀層(3)、位于二氧化硅層(2)上表面的正面氮化硅鈍化層(4)、位于硅片(I)下表面的氧化鋁鈍化層(5)、位于氧化鋁鈍化層(5)下表面的背面氮化硅鈍化層(6)，在背面氮化硅鈍化層(6)上間隔開設有若干個開孔(7)，在開孔(7)中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層(5)后與硅片(I)形成鋁硅合金的鋁層(8)。2.如權(quán)利要求1所述的PERC太陽能電池，其特征在于:所述開孔(7)貫穿于背面氮化硅鈍化層(6)后延伸至氧化鋁鈍化層(5)中。
【專利摘要】本實用新型公開一種PERC太陽能電池，其包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅層和銀層、位于二氧化硅層上表面的正面氮化硅鈍化層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開設有若干個開孔，在開孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。本實用新型在背面氮化硅鈍化層上通過激光開孔方式開孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金。本實用新型在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽能電池電位誘導衰減問題。
【IPC分類】H01L31/0224, H01L31/18, H01L31/068
【公開號】CN205385035
【申請?zhí)枴緾N201521129987
【發(fā)明人】蔣建寶, 李科偉
【申請人】無錫賽晶太陽能有限公司
【公開日】2016年7月13日
【申請日】2015年12月30日