本申請要求于2014年2月14日向美國專利商標局提交的美國非臨時專利申請No.14/181,371的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過援引納入于此。

背景

領(lǐng)域

各種特征涉及包括重分布層上的堆疊管芯的集成器件。

背景技術(shù)：

圖1解說了常規(guī)集成封裝100，其包括基板102、第一管芯106、第二管芯108、第一組焊球116、第二組焊球118和第三組焊球120。第一管芯106通過第一組焊球116耦合至基板102。第二管芯108通過第二組焊球118耦合至基板102。第三組焊球120耦合至基板102。通常，第三組焊球120耦合至印刷電路板(PCB)(未示出)。

常規(guī)的集成封裝(諸如圖1中描述的集成封裝)具有某些限制和不利方面。例如，圖1的集成封裝100的基板102通常由有機層壓(例如，剛性或柔性)或硅(Si)中介體制成。將此類材料用作基板在嘗試制造低剖面集成封裝時產(chǎn)生設計問題。即，這些材料由于其制造限制而產(chǎn)生顯著的設計懲罰。具體地，這些材料使得提供包括多個管芯的低剖面集成封裝是不可能的或者是成本所不允許的，其中集成封裝占據(jù)盡可能小的空間。

此外，將焊球用作管芯與基板之間的耦合方法會限制可能在管芯與基板之間存在的連接的密度，因為焊球之間要求的最小間隔往往大于基板上的跡線和/或通孔之間要求的最小間隔。

因此，存在對具有低剖面而且占據(jù)盡可能小的空間的節(jié)省成本的集成封裝的需要。理想地，此類集成封裝還將提供與管芯的較高密度連接。

概述

本文中描述的各種特征、裝置和方法提供包括重分布層上的堆疊管芯的集成器件。

第一示例提供一種集成器件，其包括被配置為集成器件的基底的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層中的數(shù)個重分布金屬層，耦合至該電介質(zhì)層的第一表面的第一晶片級管芯，以及耦合至第一晶片級管芯的第二晶片級管芯。

根據(jù)一方面，該電介質(zhì)層包括數(shù)個電介質(zhì)層。

根據(jù)一個方面，第一晶片級管芯通過第一組互連耦合至數(shù)個重分布金屬層。

根據(jù)一方面，第二晶片級管芯通過一組互連和一組焊球耦合至第一晶片級管芯。

根據(jù)一個方面，第一晶片級管芯包括數(shù)個穿透基板通孔(TSV)。在一些實現(xiàn)中，第二晶片級管芯通過第一組互連、數(shù)個TSV、第二組互連和一組焊球耦合至數(shù)個重分布金屬層。

根據(jù)一方面，該集成器件包括封裝第一晶片級管芯和第二晶片級管芯的封裝層。

根據(jù)一個方面，該集成器件包括耦合至電介質(zhì)層的第一表面的第三晶片級管芯。

根據(jù)一方面，第一晶片級管芯是處理器并且第二晶片級管芯是存儲器管芯。

根據(jù)一個方面，集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。

第二示例提供一種裝備，其包括被配置為集成器件的基底的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層中的重分布互連裝置，耦合至該電介質(zhì)層的第一表面的第一晶片級管芯，以及耦合至第一晶片級管芯的第二晶片級管芯。

根據(jù)一方面，該電介質(zhì)層包括數(shù)個電介質(zhì)層。

根據(jù)一個方面，第一晶片級管芯通過第一組互連耦合至重分布互連裝置。

根據(jù)一方面，第二晶片級管芯通過一組互連和一組焊球耦合至第一晶片級管芯。

根據(jù)一個方面，第一晶片級管芯包括多個穿透基板通孔(TSV)。在一些實現(xiàn)中，第二晶片級管芯通過第一組互連、數(shù)個TSV、第二組互連和一組焊球耦合至重分布互連裝置。

根據(jù)一方面，該裝備包括封裝第一晶片級管芯和第二晶片級管芯的封裝層。

根據(jù)一個方面，該裝備包括耦合至電介質(zhì)層的第一表面的第三晶片級管芯。

根據(jù)一方面，第一晶片級管芯是處理器并且第二晶片級管芯是存儲器管芯。

根據(jù)一個方面，該裝備被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計算機、和/或膝上型計算機。

第三示例提供了一種用于制造集成器件的方法。該方法將第一晶片級管芯置于載體上。該方法將第二晶片級管芯置于第一晶片級管芯上。該方法用封裝層來封裝第一和第二晶片級管芯。該方法在經(jīng)封裝的第一和第二晶片級管芯的第一表面上形成電介質(zhì)層，其中第一表面與載體相對。該方法在電介質(zhì)層中形成多個重分布金屬層。

根據(jù)一方面，形成電介質(zhì)層包括在經(jīng)封裝的第一和第二晶片級管芯的表面上形成數(shù)個電介質(zhì)層。

根據(jù)一個方面，形成數(shù)個重分布金屬層包括將數(shù)個重分布金屬層耦合至第一晶片級管芯的第一組互連。

根據(jù)一方面，將第二晶片級管芯放置到第一晶片級管芯包括將一組互連和一組焊球耦合至第一晶片級管芯。

根據(jù)一個方面，第一晶片級管芯包括數(shù)個穿透基板通孔(TSV)。

根據(jù)一方面，將第一晶片級管芯置于載體上包括將第一晶片級管芯置于載體的粘合層上。在一些實現(xiàn)中，該方法還包括移除載體和/或粘合層中的至少一者。

根據(jù)一個方面，該方法進一步包括移除載體的至少一部分。

根據(jù)一方面，第一晶片級管芯是處理器并且第二晶片級管芯是存儲器管芯。

根據(jù)一個方面，集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細描述時，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，相像的附圖標記貫穿始終作相應標識。

圖1解說了常規(guī)的集成器件的剖面圖。

圖2解說了包括堆疊管芯的集成器件的示例。

圖3解說了管芯的示例。

圖4解說了包括穿透基板通孔的管芯的示例。

圖5解說了包括堆疊管芯的集成器件的示例。

圖6解說了包括堆疊管芯的集成器件的示例。

圖7A解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖7B解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖7C解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖8解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性方法。

圖9A解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖9B解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖9C解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序的一部分。

圖10解說了用于提供/制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性方法。

圖11A解說了用于提供/制造重分布層的示例性工序的一部分。

圖11B解說了用于提供/制造重分布層的示例性工序的一部分。

圖11C解說了用于提供/制造重分布層的示例性工序的一部分。

圖12解說了可集成本文所描述的半導體器件、管芯、集成電路和/或PCB的各種電子設備。

詳細描述

在以下描述中，給出了具體細節(jié)以提供對本公開的各方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細節(jié)也可實踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細節(jié)中。在其他實例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可能不被詳細示出以免模糊本公開的這些方面。

總覽

一些新穎特征涉及一種集成器件(例如，集成封裝、晶片級集成封裝器件)，其包括被配置為集成器件的基底的電介質(zhì)層、該電介質(zhì)層中的數(shù)個重分布金屬層、耦合至該電介質(zhì)層的第一表面的第一管芯、以及耦合至第一管芯的第二管芯。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層包括數(shù)個電介質(zhì)層。在一些實現(xiàn)中，第一管芯通過第一組互連耦合至重分布金屬層。在一些實現(xiàn)中，第二管芯通過一組互連和一組焊球耦合至第一管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括數(shù)個穿透基板通孔(TSV)。在一些實現(xiàn)中，第二管芯通過第一組互連、TSV、第二組互連和該組焊球耦合至重分布金屬層。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括封裝第一管芯和第二管芯的封裝材料。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括耦合至電介質(zhì)層的第一表面的第三管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯是處理器，并且第二管芯是存儲器管芯。

包括堆疊管芯的示例性集成器件

圖2概念性地解說包括堆疊管芯的集成器件(例如，半導體器件、集成封裝、晶片級集成封裝器件)的側(cè)視圖的示例。具體地，圖2解說了集成器件200(例如，集成封裝)，其包括電介質(zhì)層202、第一組焊球204(例如，204a-204d)、第一管芯206、第二管芯208、第三管芯210、以及封裝材料220。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料220。例如，封裝材料220可以包括至少模塑料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯206、第二管芯208、第三管芯210)可以表示不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。以下參照圖3-4進一步詳細描述管芯。

電介質(zhì)層202可包括一個電介質(zhì)層或數(shù)個電介質(zhì)層。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層202是絕緣層。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層202的總厚度為100微米(μm)或更小。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于電介質(zhì)層202。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層202可以包括至少聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物中的一者。

圖2解說了電介質(zhì)層202包括一組金屬層。具體地，電介質(zhì)層202包括第一組重分布互連230、第一凸塊下(UBM)層232、第二組重分布互連240、第二凸塊下(UBM)層242、第三組重分布互連250、第三凸塊下(UBM)層252、第四組重分布互連260、以及第四凸塊下(UBM)層262。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四重分布互連230、240、250和260是重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，1個、2個或更多個金屬層)。

第一管芯206通過第一組互連216耦合至電介質(zhì)層202的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連216是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯206通過第一組互連216、第一組重分布互連230、第一UBM層232、第二組重分布互連240、和/或第二UBM層242電耦合至該組焊球204中的至少一個焊球。在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布互連(例如，重分布互連230、240、250、260)。

第二管芯208通過第二組互連218耦合至電介質(zhì)層202的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連218是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯208通過第二組互連218、第三組重分布互連250、和/或第三UBM層252電耦合至該組焊球204中的至少一個焊球。在一些實現(xiàn)中，第一管芯206可通過電介質(zhì)層202中的一組重分布互連電耦合至第二管芯208。

第三管芯210通過第三組互連212和一組焊球214耦合至第二管芯208。在一些實現(xiàn)中，第三組互連212和該組焊球214形成一組互連凸塊。

如圖2中所示，第二管芯208包括一組穿透基板通孔(TSV)219。TSV 219可穿過第二管芯208的一部分或者可穿過整個第二管芯208。在一些實現(xiàn)中，第三管芯210通過第三組互連212、該組焊球214、TSV 219、第二組互連218、第四組重分布互連260、和/或第四UBM層262電耦合至焊球204中的至少一個焊球。

圖3概念性地解說了管芯300(其為集成器件的一種形式)的示例。出于清楚的目的，圖3解說了管芯的概括。由此，圖3中未必示出管芯的全部組件。在一些實現(xiàn)中，管芯300可對應于圖2的管芯206、208和/或210中的至少一者。在一些實現(xiàn)中，管芯300是晶片級管芯。在一些實現(xiàn)中，管芯300是管芯封裝。如圖3中所示，管芯300(例如，集成器件)包括基板301、數(shù)個下級金屬層和電介質(zhì)層302、一組互連311-316(例如，凸塊、柱互連)、以及封裝材料320(例如，模塑料、樹脂、聚合物填料)。在一些實現(xiàn)中，封裝材料320可以是任選的。管芯300包括有源區(qū)域(例如，前側(cè))和背側(cè)區(qū)域。

在一些實現(xiàn)中，管芯300還可包括焊盤、鈍化層、第一絕緣層、和/或第一焊盤層。在此類實例中，焊盤可以被耦合到下級金屬層和電介質(zhì)層302。鈍化層可以被定位于下級金屬層和電介質(zhì)層302與封裝材料320之間。第一焊盤層可以被耦合至焊盤以及互連311-316之一。

在一些實現(xiàn)中，管芯還可包括一個或多個穿透基板通孔(TSV)。圖3概念性地解說了包括至少一個TSV的管芯400(其為集成器件的一種形式)的示例。出于清楚的目的，圖4解說了管芯的概括。由此，圖4中未必示出管芯的全部組件。在一些實現(xiàn)中，管芯400可對應于圖2的管芯206、208和/或210中的至少一者。在一些實現(xiàn)中，管芯400是晶片級管芯。在一些實現(xiàn)中，管芯400是管芯封裝。如圖4中所示，管芯400(例如，集成器件)包括基板401、數(shù)個下級金屬層和電介質(zhì)層402、一組互連411-416(例如，凸塊、柱互連、焊盤)、以及封裝材料420(例如，模塑料、樹脂、聚合物填料、有機電介質(zhì))。在一些實現(xiàn)中，封裝材料420可以是任選的。管芯400包括有源區(qū)域(例如，前側(cè))和背側(cè)區(qū)域。

如圖4中所示，管芯400包括第一穿透基板通孔(TSV)421、第二TSV 422、第三TSV 423和第四TSV 424。第一TSV 421和第二TSV 422穿過基板401以及下級金屬層和電介質(zhì)層402。第三TSV 433和第四TSV 434穿過基板401。

在一些實現(xiàn)中，管芯400還可包括焊盤、鈍化層、第一絕緣層、第一凸塊下金屬化(UBM)層、和第二凸塊下金屬化(UBM)層。在此類實例中，焊盤可以被耦合到下級金屬層和電介質(zhì)層402。鈍化層可以被定位于下級金屬層和電介質(zhì)層402與封裝材料420之間。第一凸塊層可以被耦合至焊盤以及互連411-416之一。

集成器件的不同實現(xiàn)可以具有管芯的不同組合和/或配置。圖5-6概念性地解說了其他集成器件。

具體地，圖5解說了集成器件500(例如，集成封裝)，其包括電介質(zhì)層502、第一組焊球504(例如，504a-504d)、第一管芯506、第二管芯508、第三管芯510、以及封裝材料520。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料520。例如，封裝材料520可以包括至少模塑料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯506、第二管芯508、第三管芯510)可以表示不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。已參照圖3-4詳細描述了管芯。

電介質(zhì)層502可包括一個電介質(zhì)層或數(shù)個電介質(zhì)層。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層502是絕緣層。圖5解說了電介質(zhì)層502包括一組金屬層。具體地，電介質(zhì)層502包括第一組重分布互連530、第一凸塊下(UBM)層532、第二組重分布互連540、第二凸塊下(UBM)層542、第三組重分布互連550、第三凸塊下(UBM)層552、第四組重分布互連560、以及第四凸塊下(UBM)層562。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四重分布互連530、540、550和560是重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，1個、2個或更多個金屬層)。

第一管芯506通過第一組互連516耦合至電介質(zhì)層502的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連516是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯506通過第一組互連516、第一組重分布互連530、第一UBM層532、第二組重分布互連540、和/或第二UBM層542電耦合至該組焊球504中的至少一個焊球。

第二管芯508通過第二組互連518耦合至電介質(zhì)層502的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連518是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯508通過第二組互連518、第三組重分布互連550、和/或第三UBM層552電耦合至該組焊球504中的至少一個焊球。

如圖5中所示，第一組互連516長于第二組互連518。在一些實現(xiàn)中，這樣做是為了使得第一管芯506的高度基本上類似于第二管芯508和第三管芯510的組合高度。第一組互連516的長度對于不同實現(xiàn)而言可以是不同的。

第三管芯510通過第三組互連512和一組焊球514耦合至第二管芯508。在一些實現(xiàn)中，第三組互連512和該組焊球514形成一組互連凸塊。

如圖5中所示，第二管芯508包括一組穿透基板通孔(TSV)519。TSV 519可穿過第二管芯508的一部分或者可穿過整個第二管芯508。在一些實現(xiàn)中，第三管芯510通過第三組互連512、該組焊球514、TSV 519、第二組互連518、第四組重分布互連560、和/或第四UBM層562電耦合至焊球504中的至少一個焊球。在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布互連。

圖6解說了集成器件600(例如，集成封裝)，其包括電介質(zhì)層602、第一組焊球604(例如，604a-604d)、第一管芯606、第二管芯608、第三管芯610、第四管芯611、以及封裝材料620。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料620。例如，封裝材料620可以包括至少模塑料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯606、第二管芯608、第三管芯610、第四管芯611)可以表示不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。已參照圖3-4詳細描述了管芯。

電介質(zhì)層602可包括一個電介質(zhì)層或數(shù)個電介質(zhì)層。在一些實現(xiàn)中，電介質(zhì)層602是絕緣層。圖6解說了電介質(zhì)層602包括一組金屬層。具體地，電介質(zhì)層602包括第一組重分布互連630、第一凸塊下(UBM)層632、第二組重分布互連640、第二凸塊下(UBM)層642、第三組重分布互連650、第三凸塊下(UBM)層652、第四組重分布互連660、以及第四凸塊下(UBM)層662。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四重分布互連630、640、650和660是重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，1個、2個或更多個金屬層)。該組焊球604耦合至UBM層632、642、652和/或662。然而，在一些實現(xiàn)中，UBM層632、642、652和/或662是可任選的。在此類實例中，該組焊球604可耦合至該組重分布互連630、640、650、和/或660。

第一管芯606通過第一組互連616耦合至電介質(zhì)層602的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連616是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯606通過第一組互連616、第一組重分布互連630、和/或第一UBM層632電耦合至該組焊球604中的至少一個焊球。

第四管芯611通過第四組互連622和一組焊球624耦合至第一管芯606。在一些實現(xiàn)中，第四組互連622和該組焊球624形成一組互連凸塊。

如圖6中所示，第一管芯606包括一組穿透基板通孔(TSV)629。TSV 629可穿過第一管芯606的一部分或者可穿過整個第一管芯606。在一些實現(xiàn)中，第四管芯611通過第四組互連622、該組焊球624、TSV 629、第一組互連616、第二組重分布互連640、和/或第二UBM層642電耦合至焊球604中的至少一個焊球。

第二管芯608通過第二組互連618耦合至電介質(zhì)層602的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連618是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯608通過第二組互連618、第三組重分布互連650、和/或第三UBM層652電耦合至該組焊球604中的至少一個焊球。

第三管芯610通過第三組互連612和一組焊球614耦合至第二管芯608。在一些實現(xiàn)中，第三組互連612和該組焊球614形成一組互連凸塊。

如圖6中所示，第二管芯608包括一組穿透基板通孔(TSV)619。TSV 619可穿過第二管芯608的一部分或者可穿過整個第二管芯608。在一些實現(xiàn)中，第三管芯610通過第三組互連612、該組焊球614、TSV 619、第二組重分布互連618、第四組重分布互連660、和/或第四UBM層662電耦合至焊球604中的至少一個焊球。

已描述了若干集成器件，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的工序。

用于制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供包括堆疊管芯的集成器件(例如，集成封裝、晶片級集成封裝器件)包括數(shù)個工藝。圖7A-7C解說了用于提供(例如，制造、生產(chǎn))集成器件的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖7A-7C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)圖2和/或5-6的集成器件和/或本公開中所描述的其他集成器件。

還應當注意，圖7A-7C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)還包括電路元件的集成器件。進一步應當注意，圖7A-7C的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括堆疊管芯的集成器件的工序。

如圖7A的階段1中所示，提供載體(例如，載體700)和粘合層(例如，粘合層701)。粘合層701耦合至載體700的表面。在一些實現(xiàn)中，粘合層701是膠水材料。在一些實現(xiàn)中，載體700是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于載體700(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。

在階段2，在載體700的粘合層701上提供數(shù)個管芯。如階段2中所示，在粘合層701上提供第一管芯706和第二管芯710。具體地，第一管芯706的背側(cè)和第二管芯710的背側(cè)耦合至粘合層701。第一管芯706包括第一組互連716。第二管芯710包括第二組互連712和一組焊球714。在一些實現(xiàn)中，這些管芯(例如，管芯706和/或710)是晶片級管芯。第一組互連716可包括至少焊盤、重分布部分、和/或柱(例如，銅柱)中的一者。第二組互連712可包括至少焊盤、重分布部分、和/或柱(例如，銅柱)中的一者。在圖3-4中描述了管芯的示例。

在階段3，第三管芯708耦合至第二管芯710。第三管芯708包括第三組互連718和一組穿透基板通孔(TSV)719。在一些實現(xiàn)中，第三管芯708可以是晶片級管芯。在圖3-4中描述了管芯的示例。第三管芯708耦合至第二管芯710，以使得第三管芯708的背側(cè)耦合至第二管芯710的前側(cè)(有源側(cè))。在一些實現(xiàn)中，第二組互連712和該組焊球714電耦合至該組TSV 719。該組TSV 719電耦合至第三組互連718。

在階段4，提供封裝層720。封裝層720基本上或者完全圍繞或封裝第一管芯706、第二管芯710和第三管芯708。在一些實現(xiàn)中，一些互連(例如，互連716、718)可被暴露。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝層720。例如，封裝材料可以包括至少模塑料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物中的一者。

在一些實現(xiàn)中，封裝層720還可封裝/覆蓋所有互連(例如，互連716、718)。在此類實例中，可以移除(例如，拋光、研磨)封裝層720的諸部分。在一示例中，移除封裝層720的諸部分直至封裝層720的表面與互連716和/或互連718的表面對齊。在一些實現(xiàn)中，還可移除(例如，拋光、研磨)互連716和718的諸部分以與封裝層720的表面對齊。

在階段5，如圖7B中所示，在第一管芯706的有源側(cè)(例如，前側(cè))和第三管芯708的有源側(cè)(例如，前側(cè))上提供第一電介質(zhì)層730和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連731-734)。具體地，在第一組互連716和第三組互連718上提供數(shù)個互連。在一些實現(xiàn)中，在第一重分布金屬層上形成重分布互連731-734。在一些實現(xiàn)中，重分布互連731-734可包括至少一個通孔。

在階段6，在第一電介質(zhì)層730和重分布互連731-734上提供第二電介質(zhì)層740和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連741-744)。在一些實現(xiàn)中，在第二重分布金屬層上形成重分布互連741-744。在一些實現(xiàn)中，重分布互連741-744可包括至少一個通孔。

在階段7，在第二電介質(zhì)層730和重分布互連741-744上提供第三電介質(zhì)層750和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連751-754)。在一些實現(xiàn)中，在第三重分布金屬層上形成重分布互連751-754。在一些實現(xiàn)中，重分布互連751-754可包括至少一個通孔。

在階段8，如圖7C中所示，可任選地提供至少一個凸塊下金屬化(UBM)層。具體地，提供第一凸塊下金屬化(UBM)層761、第二UBM層762、第三UBM層763以及第四UBM層764。階段8解說了該組電介質(zhì)層760。在一些實現(xiàn)中，該組電介質(zhì)層760包括電介質(zhì)層730、740和750。

在階段9，在UBM層上提供至少一個焊球。具體地，第一焊球771耦合至第一UBM層761，第二焊球772耦合至第二UBM層762，第三焊球773耦合至第三UBM層763，并且第四焊球774耦合至第四UBM層764。如以上所描述的，在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布互連。

在階段10，移除(例如，拋光、研磨)集成器件的表面。具體地，移除(例如，拋光、研磨)載體700和/或粘合層701。在一些實現(xiàn)中，可能留下粘合層701的殘余層。在一些實現(xiàn)中，可移除第一管芯706和第二管芯710的一部分。即，可移除第一管芯706的背側(cè)和第二管芯710的背側(cè)的一部分。在一些實現(xiàn)中，這意味著可移除第一管芯706的基板的一部分和/或第二管芯710的基板的一部分。

已經(jīng)描述了用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的工序，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件、晶片級集成封裝器件)的方法。

用于制造集成器件的示例性方法

圖8解說了用于提供(例如，制造、生產(chǎn))集成器件(例如，集成封裝)的示例性方法。在一些實現(xiàn)中，圖8的方法可被用于提供/制造/生產(chǎn)圖2和/或5-6的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件(例如，管芯封裝)。

該方法提供(在805)載體(例如，載體700)和粘合層(例如，粘合層701)。粘合層耦合至載體的表面。在一些實現(xiàn)中，粘合層是膠水材料。在一些實現(xiàn)中，載體是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該載體(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。在一些實現(xiàn)中，提供載體和粘合層包括形成和/或制造載體、制造粘合層、以及將粘合層耦合至載體。

該方法隨后在基板中和/或上提供(在810)至少一個集成器件(例如，管芯)。在一些實現(xiàn)中，提供(在810)至少一個集成器件包括在載體和/或粘合層上提供第一管芯以及在第一管芯上提供第二管芯。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個集成器件還包括在載體和/或粘合層上提供第三管芯以及在第三管芯上提供第四管芯。提供至少一個管芯的示例在圖7A中示出(例如參見階段2-3)。在一些實現(xiàn)中，所提供的管芯是晶片級管芯。在一些實現(xiàn)中，提供管芯包括制造管芯以及在粘合層或另一管芯上耦合(例如，放置)管芯。在一些實現(xiàn)中，管芯的背側(cè)被耦合(例如，放置)在粘合層或管芯的有源側(cè)(例如，前側(cè))上。

該方法提供(在815)封裝層。在一些實現(xiàn)中，封裝層基本上或者完全圍繞或封裝管芯(例如，第一管芯706、第二管芯710和第三管芯708)。在一些實現(xiàn)中，管芯的一些互連(例如，互連716、718)可被暴露。不同實現(xiàn)可將不同材料用于封裝層。在一些實現(xiàn)中，封裝層是至少模塑料、填料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物中的一者。

該方法進一步提供(820)至少一個電介質(zhì)層(例如，電介質(zhì)層730、740、750、760)。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于這些電介質(zhì)層。例如，第一和第二絕緣層(其為電介質(zhì)層的一種形式)可以是聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物層。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個電介質(zhì)層包括形成和/或沉積至少一個電介質(zhì)層。

該方法還提供(在825)數(shù)個金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，提供數(shù)個重分布層包括提供數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連731-734)和/或通孔。應當注意，在一些實現(xiàn)中，提供(在820)至少一個電介質(zhì)層和提供(在825)金屬重分布層的方法可以來回順序執(zhí)行。即，在一些實現(xiàn)中，該方法可提供第一電介質(zhì)層、第一重分布層、第二電介質(zhì)層、第二重分布層以及等等，以此類推。在一些實現(xiàn)中，提供金屬重分布層包括形成和/或沉積數(shù)個金屬重分布層。

該方法隨后可任選地提供(在830)凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實現(xiàn)中，提供(在830)UBM層包括將UBM層耦合到金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，UBM層是銅層。在一些實現(xiàn)中，提供UBM層包括形成和/或沉積UBM層。

該方法進一步在UBM層上提供(在835)焊球。在一些實現(xiàn)中，提供焊球包括在UMB層上耦合(例如，沉積)焊球。在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布層。

該方法進一步移除(在840)集成器件的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的至少一部分包括拋光和/或研磨集成器件的第一表面。例如，包括封裝層的表面的一部分可通過拋光和/或研磨來移除。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的至少一部分包括移除載體和/或粘合層的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，可能留下粘合層的殘余層。在一些實現(xiàn)中，可移除管芯的一部分。即，可移除管芯的背側(cè)的一部分。在一些實現(xiàn)中，這意味著可移除管芯的基板的一部分。圖7C的階段10解說了移除載體、粘合層、和/或封裝層的示例。

用于制造包括堆疊管芯的集成器件的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供包括堆疊管芯的集成器件(例如，集成封裝、晶片級集成封裝器件)包括數(shù)個工藝。圖9A-9C解說了用于提供(例如，制造、生產(chǎn))集成器件的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖9A-9C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)圖2和/或5-6的集成器件和/或本公開中所描述的其他集成器件。

還應當注意，圖9A-9C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)還包括電路元件的集成器件。進一步應當注意，圖9A-9C的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括堆疊管芯的集成器件的工序。

如圖9A的階段1中所示，提供載體(例如，載體900)和粘合層(例如，粘合層901)。粘合層901耦合至載體900的表面。在一些實現(xiàn)中，粘合層901是膠水材料。在一些實現(xiàn)中，載體900是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于載體900(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。

在階段2，在載體900的粘合層901上提供數(shù)個管芯。如階段2中所示，在粘合層901上提供第一管芯906和第二管芯908。具體地，第一管芯906的有源側(cè)(例如，前側(cè))和第二管芯908的有源側(cè)(例如，前側(cè))耦合至粘合層901。第一管芯906包括第一組互連916。第二管芯908包括第二組互連918和一組穿透基板通孔(TSV)919。在一些實現(xiàn)中，這些管芯(例如，管芯906和/或908)是晶片級管芯。第一組互連916可包括至少焊盤、重分布部分、和/或柱(例如，銅柱)中的一者。第二組互連918可包括至少焊盤、重分布部分、和/或柱(例如，銅柱)中的一者。在圖3-4中描述了管芯的示例。.

在階段3，第三管芯910耦合至第二管芯908。第三管芯910包括第三組互連918和一組焊球914。在一些實現(xiàn)中，第三管芯910可以是晶片級管芯。在圖3-4中描述了管芯的示例。第三管芯910耦合至第二管芯908，以使得第三管芯908的前側(cè)(有源側(cè))耦合至第二管芯908的背側(cè)。在一些實現(xiàn)中，第三組互連912和該組焊球914電耦合至該組TSV 919。該組TSV 919電耦合至第二組互連918。

在階段4，提供封裝層920。封裝層920基本上或者完全圍繞或封裝第一管芯906、第二管芯908和第三管芯910。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝層920。例如，封裝材料可以包括至少模塑料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物中的一者。

在一些實現(xiàn)中，封裝層920可大于第一管芯906和/或第三管芯910。在此類實例中，可以移除(例如，拋光、研磨)封裝層920的諸部分。在一示例中，移除封裝層920的諸部分直至封裝層920的表面與第一管芯906和/或第三管芯910的表面對齊。在一些實現(xiàn)中，還可移除(例如，拋光、研磨)第一管芯906和第三管芯910的諸部分以與封裝層920的表面對齊。

在階段5，如圖9B中所示，移除(例如，拋光、研磨)集成器件的表面。具體地，移除(例如，拋光、研磨)載體900和/或粘合層901。在一些實現(xiàn)中，可能留下粘合層901的殘余層。在一些實現(xiàn)中，可移除第一管芯906和第二管芯908的一部分。即，可移除第一管芯906的有源側(cè)(例如，前側(cè))和第二管芯908的有源側(cè)(例如，前側(cè))的一部分。在一些實現(xiàn)中，這意味著可移除第一互連916和第二互連918的一部分。

在階段6，集成器件被上下倒置，以使得可在模塑料720和管芯上形成重分布部分/基底部分。

在階段7，在第一管芯906的有源側(cè)(例如，前側(cè))和第二管芯908的有源側(cè)(例如，前側(cè))上提供第一電介質(zhì)層930和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連931-934)。具體地，在第一組互連916和第二組互連918上提供數(shù)個互連。在一些實現(xiàn)中，在第一重分布金屬層上形成重分布互連931-934。在一些實現(xiàn)中，重分布互連931-934可包括至少一個通孔。

在階段8，在第一電介質(zhì)層930和重分布互連931-934上提供第二電介質(zhì)層940和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連941-944)。在一些實現(xiàn)中，在第二重分布金屬層上形成重分布互連941-944。在一些實現(xiàn)中，重分布互連941-944可包括至少一個通孔。

在階段9，如圖9C中所示，在第二電介質(zhì)層940和重分布互連941-944上提供第三電介質(zhì)層950和數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連951-954)。在一些實現(xiàn)中，在第三重分布金屬層上形成重分布互連951-954。在一些實現(xiàn)中，重分布互連951-954可包括至少一個通孔。

在階段10，提供至少一個凸塊下金屬化(UBM)層。具體地，提供第一凸塊下金屬化(UBM)層961、第二UBM層962、第三UBM層963以及第四UBM層964。階段10解說了該組電介質(zhì)層960。在一些實現(xiàn)中，該組電介質(zhì)層960包括電介質(zhì)層930、940和950。

在階段11，在UBM層上提供至少一個焊球。具體地，第一焊球971耦合至第一UBM層961，第二焊球972耦合至第二UBM層962，第三焊球973耦合至第三UBM層963，并且第四焊球974耦合至第四UBM層964。

已經(jīng)描述了用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的工序，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件、晶片級集成封裝器件)的方法。

用于制造集成器件的示例性方法

圖10解說了用于提供(例如，制造、生產(chǎn))集成器件(例如，集成封裝)的示例性方法。在一些實現(xiàn)中，圖10的方法可被用于提供/制造/生產(chǎn)圖2和/或5-6的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件(例如，管芯封裝)。

該方法提供(在1005)載體(例如，載體900)和粘合層(例如，粘合層901)。粘合層耦合至載體的表面。在一些實現(xiàn)中，粘合層是膠水材料。在一些實現(xiàn)中，載體是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該載體(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。在一些實現(xiàn)中，提供載體和粘合層包括形成和/或制造載體、制造粘合層、以及將粘合層耦合至載體。

該方法隨后在基板中和/或上提供(在1010)至少一個集成器件(例如，管芯)。在一些實現(xiàn)中，提供(在1010)至少一個集成器件包括在載體和/或粘合層上提供第一管芯以及在第一管芯上提供第二管芯。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個集成器件還包括在載體和/或粘合層上提供第三管芯以及在第三管芯上提供第四管芯。提供至少一個管芯的示例在圖9A中示出(例如參見階段2-3)。在一些實現(xiàn)中，所提供的管芯是晶片級管芯。在一些實現(xiàn)中，提供管芯包括制造管芯以及在粘合層或另一管芯上耦合(例如，放置)管芯。在一些實現(xiàn)中，管芯的前側(cè)(例如，有源側(cè))被耦合(例如，放置)在粘合層或管芯的背側(cè)上。

該方法提供(在1015)封裝層。在一些實現(xiàn)中，封裝層基本上或者完全圍繞或封裝管芯(例如，第一管芯906、第二管芯908和第三管芯910)。不同實現(xiàn)可將不同材料用于封裝層。在一些實現(xiàn)中，封裝層是至少模塑料、填料、環(huán)氧樹脂和/或聚合物中的一者。

該方法進一步移除(在1020)集成器件的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的至少一部分包括拋光和/或研磨集成器件的第一表面。例如，包括封裝層的表面的一部分可通過拋光和/或研磨來移除。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的至少一部分包括移除載體和/或粘合層的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，可能留下粘合層的殘余層。在一些實現(xiàn)中，可移除管芯的一部分。即，可移除管芯的前側(cè)(例如，有源側(cè))的一部分。在一些實現(xiàn)中，這意味著可移除互連(例如，互連916和918)的一部分。圖9B的階段5解說了移除載體、粘合層、和/或封裝層的示例。

該方法進一步提供(1025)至少一個電介質(zhì)層(例如，電介質(zhì)層930、940、950、960)。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于這些電介質(zhì)層。例如，第一和第二絕緣層(其為電介質(zhì)層的一種形式)可以是聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物層。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個電介質(zhì)層包括形成和/或沉積至少一個電介質(zhì)層。在一些實現(xiàn)中，在倒置集成器件之后提供電介質(zhì)層(如例如圖9B的階段6中所示)。

該方法還提供(在1030)數(shù)個金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，提供數(shù)個重分布層包括提供數(shù)個重分布互連(例如，重分布互連931-934)和/或通孔。應當注意，在一些實現(xiàn)中，提供(在1025)至少一個電介質(zhì)層和提供(在1030)金屬重分布層的方法可以來回順序執(zhí)行。即，在一些實現(xiàn)中，該方法可提供第一電介質(zhì)層、第一重分布層、第二電介質(zhì)層、第二重分布層以及等等，以此類推。在一些實現(xiàn)中，提供金屬重分布層包括形成和/或沉積數(shù)個金屬重分布層。

該方法隨后可任選地提供(在1035)凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實現(xiàn)中，提供(在1035)UBM層包括將UBM層耦合到金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，UBM層是銅層。在一些實現(xiàn)中，提供UBM層包括形成和/或沉積UBM層。

該方法進一步在UBM層上提供(在1040)焊球。在一些實現(xiàn)中，提供焊球包括在UMB層上耦合(例如，沉積)焊球。在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布層。

用于制造重分布層的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供(例如，制造、生產(chǎn))包括重分布層的集成器件包括數(shù)個工藝。圖11A-11C解說了用于提供包括數(shù)個重分布層的集成器件的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖11A-11C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)圖2-6的集成器件和/或本公開中描述的其他集成器件(例如，管芯、集成器件)。

還應當注意，圖11A-11C的工序可被用于提供/制造/生產(chǎn)還包括電路元件的集成器件。進一步應當注意，圖11A-11C的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括重分布層的集成器件的工序。圖11A-11C描述了用于提供一個或多個重分布層的較具體過程。

如圖11A的階段1中所示，提供基底部分1102?；撞糠?102可表示管芯(例如，晶片級管芯)或者由封裝層封裝的一個或多個管芯。此外，在階段1，在基底部分1102上提供至少一個焊盤(例如，焊盤1104、1125、1129)。在一些實現(xiàn)中，基底部分1102包括管芯(例如，管芯300或400)的下級金屬層和電介質(zhì)層(例如，層302或402)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1104被耦合至管芯的下級金屬層之一(例如，頂部的下級金屬層，即M7金屬層)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1104是鋁焊盤。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于焊盤1104。在一些實現(xiàn)中，焊盤可以被電耦合至管芯的下級金屬層和電介質(zhì)層。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于提供焊盤。例如，在一些實現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于提供焊盤1004。

另外，在階段1，在基底部分1102上提供鈍化層(例如，鈍化層1106)。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于鈍化層1106。在一些實現(xiàn)中，鈍化層是電介質(zhì)、模塑料、聚合物、和/或環(huán)氧樹脂中的至少一者。如階段4中所示，在基底部分1102上提供鈍化層1106，從而暴露焊盤1104的至少一部分。

在階段2，在鈍化層1106和焊盤1104、1125和1129上提供第一絕緣層(例如，第一絕緣層1108)。在一些實現(xiàn)中，第一絕緣層1108是電介質(zhì)層。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一絕緣層1108。例如，第一絕緣層1108可以是聚苯并噁唑(PbO)層或者聚合物層。

在階段2，還在第一絕緣層1108中提供/創(chuàng)建數(shù)個腔(例如，腔1029、溝槽)。如階段3中進一步示出的，在焊盤1104上創(chuàng)建腔1109。類似地，在焊盤1125上創(chuàng)建腔1111，并且在焊盤1129上創(chuàng)建腔1113。不同實現(xiàn)可以不同地創(chuàng)建腔(例如，腔1009)。例如，可以通過蝕刻第一絕緣層1108來提供/創(chuàng)建腔1109。

在階段3，提供第一金屬重分布層。具體而言，在焊盤1104和第一絕緣層1108上提供第一金屬重分布層1110。如階段3中所示，第一金屬重分布層1110被耦合至焊盤1104。第一金屬重分布層1110還包括第一金屬層1130和第二金屬層1132。即，在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1130和第二金屬層1132與第一金屬重分布層1110在相同的層上。在一些實現(xiàn)中，第一和第二金屬層1130和1132是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一金屬重分布層1110是銅層。

在圖11B的階段4，提供數(shù)個絕緣層和數(shù)個重分布層。具體地，提供第二絕緣層1114和第三絕緣層1116。此外，提供第二金屬重分布層1120。另外，提供數(shù)個金屬層(1140、1150、1142、1152)。在一些實現(xiàn)中，金屬層是重分布層的一部分。在一些實現(xiàn)中，一些金屬層包括通孔。例如，在一些實現(xiàn)中，金屬層1142和1152是通孔并且金屬層1140和1150是跡線。

在階段5，在絕緣層1116中提供腔1117。絕緣層1116中的腔1127在互連1120的一部分上方。

在圖11C的階段6，可任選地提供凸塊下金屬化(UBM)層。具體地，在絕緣層1116的腔1117中提供凸塊下金屬化(UBM)層1170。在一些實現(xiàn)中，UBM層1170是銅層。

在階段7，在UBM層上提供焊球。具體而言，焊球1180被耦合至UBM層1170。在一些實現(xiàn)中，UBM層是可任選的。在此類實例中，焊球可耦合至該組重分布層。

示例性電子設備

圖12解說了可集成有前述半導體器件、集成電路、管芯、中介體或封裝中的任一者的各種電子設備。例如，移動電話1202、膝上型計算機1204以及固定位置終端1206可包括如本文所述的集成電路(IC)1200。IC 1200可以是例如本文所述的集成電路、管芯或封裝件中的任何一種。圖12中所解說的設備1202、1204、1206僅是示例性的。其它電子設備也可以IC 1200為特征，包括但不限于移動設備、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)字助理)、啟用GPS的設備、導航設備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設備、智能電話、平板計算機、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它設備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7A-7C、8、9A-9C、10、11A-11C、和/或12中解說的組件、步驟、特征和/或功能中的一者或多者可以被重新安排和/或組合成單個組件、步驟、特征或功能，或可以實施在若干組件、步驟、或功能中。也可添加附加的元件、組件、步驟、和/或功能而不會脫離本發(fā)明。還應當注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7A-7C、8、9A-9C、10、11A-11C、和/或12及其相應描述不限于管芯和/或IC。在一些實現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7A-7C、8、9A-9C、10、11A-11C、和/或12及其相應描述可被用于制作、制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯封裝、集成電路(IC)、集成封裝器件、晶片、和/或半導體器件。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點或操作模式。術(shù)語“耦合”在本文中被用于指兩個對象之間的直接或間接耦合。例如，如果對象A物理地接觸對象B，且對象B接觸對象C，則對象A和C可仍被認為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

還應注意，這些實施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可被重新安排。過程在其操作完成時終止。

本文所述的本發(fā)明的各種特征可實現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不脫離本發(fā)明。應注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應被解釋成限定本發(fā)明。對本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導可以現(xiàn)成地應用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。