1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
2D玻璃上無源器件(POG)結(jié)構(gòu)，其具有形成在玻璃基板的正面上的無源組件和第一組一個或多個封裝焊盤；
層壓基板，其具有形成在所述層壓基板的正面上的第二組一個或多個封裝焊盤；以及
焊球，其被配置成使所述第一組一個或多個封裝焊盤與所述第二組一個或多個封裝焊盤接觸，其中所述2D POG結(jié)構(gòu)被正面朝上置于所述層壓基板的正面上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括印刷電路板(PCB)，其中所述PCB耦合至所述層壓基板的底側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述PCB通過形成在所述層壓基板的底側(cè)上的面柵陣列(LGA)封裝焊盤耦合至所述層壓基板的底側(cè)。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述無源組件通過所述層壓基板和所述玻璃基板與所述PCB的接地平面分隔開。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述層壓基板的底側(cè)上的所述LGA封裝焊盤通過通孔耦合至形成在所述層壓基板的正面上的所述第二組一個或多個封裝焊盤。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述無源組件上的模塑，其中所述模塑被配置成保護(hù)所述無源組件以及啟用激光標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述無源組件為電感器。
8.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
第一基板，其包括形成在所述第一基板的正面上的第一組一個或多個封裝焊盤；
第二基板，其具有形成在所述第二基板的正面上的第二組一個或多個封裝焊盤；以及
焊球，其被配置成使所述第一組一個或多個封裝焊盤與所述第二組一個或多個封裝焊盤接觸，其中所述第一基板被正面朝上置于所述第二基板的正面上。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括印刷電路板(PCB)，其中所述PCB耦合至所述第二基板的底側(cè)。
10.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：
形成具有集成在玻璃基板的正面上的無源組件的2D玻璃上無源器件(POG)結(jié)構(gòu)；
在玻璃基板的正面上形成第一組一個或多個封裝焊盤；
形成層壓基板，所述層壓基板的正面上具有第二組一個或多個封裝焊盤；
將所述2D POG結(jié)構(gòu)正面朝上置于所述層壓基板上；以及
用焊球使所述第一組一個或多個封裝焊盤與所述第二組一個或多個封裝焊盤接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過所述層壓基板的底側(cè)上的面柵陣列(LGA)封裝焊盤將印刷電路板(PCB)附連至所述層壓基板的底側(cè)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過通孔將所述層壓基板的底側(cè)上的所述LGA封裝焊盤連接到形成在所述層壓基板的正面上的所述第二組一個或多個封裝焊盤。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述無源組件上形成模塑以用于保護(hù)所述無源組件以及啟用激光標(biāo)記。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述無源組件為電感器。
15.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
第一基板，其包括形成在所述第一基板的正面上的第一組一個或多個封裝焊盤；
第二基板，其具有形成在所述第二基板的正面上的第二組一個或多個封裝焊盤；以及
用于使所述第一組一個或多個封裝焊盤與所述第二組一個或多個封裝焊盤接觸的裝置，其中所述第一基板被正面朝上置于所述第二基板的正面上。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一基板包括用于將無源組件集成到所述第一基板的正面上的裝置。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括用于將印刷電路板(PCB)耦合至所述第二基板的底側(cè)的裝置。