本發(fā)明涉及包括導(dǎo)熱主體的照明器件。

背景技術(shù)：

包括發(fā)光二極管（LED）、諧振腔發(fā)光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件在當(dāng)前可得到的最高效的光源內(nèi)。當(dāng)前在能夠跨越可見光譜操作的高亮度發(fā)光器件的制造中所感興趣的材料系包括第III-V族半導(dǎo)體，特別是也被稱為III-氮化物材料的鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金。一般，通過使具有不同成分和摻雜劑濃度的半導(dǎo)體層的疊層在藍(lán)寶石、碳化硅、III-氮化物或其它適當(dāng)?shù)囊r底上通過金屬有機(jī)氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技術(shù)外延地生長(zhǎng)來制造III-氮化物發(fā)光器件。疊層常常包括摻雜有例如Si、在襯底之上形成的一個(gè)或多個(gè)n型層、在一個(gè)或多個(gè)n型層上形成的在有源區(qū)中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層以及摻雜有例如Mg的在有源區(qū)之上形成的一個(gè)或多個(gè)p型層。電觸頭在n和p型區(qū)上形成。

圖1示出用于將至少一個(gè)LED安裝到散熱器的金屬塊240，其在US 7625104中被更詳細(xì)描述。LED裸片244安裝在金屬塊的安裝部分248上。例如，金屬塊由導(dǎo)熱材料例如鋁、鋼或銅形成。金屬塊還包括支柱250。支柱250包括在支柱的遠(yuǎn)端處的螺紋部分252。螺紋螺母254被接納在支柱250的螺紋部分252上。

金屬塊240被顯示為安裝到散熱器270。散熱器270包括用于接納支柱250的開口272。導(dǎo)熱材料249布置在散熱器270的前表面274和金屬塊的安裝部分248之間。金屬塊240通過嚙合螺紋螺母154并使螺紋螺母254變緊而固定到散熱器270，因而使金屬塊的安裝部分248被促使與散熱器270的前表面274熱耦合。導(dǎo)體260和262經(jīng)過支柱250的螺紋部分252的端部延伸，并便于連接到用于向LED 244供應(yīng)操作電流的電流源。

散熱器270具有圓柱形罐形主體，其進(jìn)一步充當(dāng)用于收集并引導(dǎo)由LED裸片244產(chǎn)生的光的光反射器和/或光導(dǎo)。導(dǎo)體260和262可連接到在用于懸掛LED裝置的房間的天花板上的照明裝置（未示出）。在其它實(shí)施例中，散熱器270可以例如是板或具有冷卻鰭片的散熱器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供可在有或沒有單獨(dú)散熱器的情況下使用的照明器件。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，照明器件包括主體。主體包括具有多個(gè)導(dǎo)電焊盤的安裝區(qū)域和從安裝區(qū)域延伸的細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件。安裝區(qū)域和細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件由導(dǎo)熱電絕緣材料形成。導(dǎo)電焊盤嵌在導(dǎo)熱電絕緣材料中。器件還包括布置成與在安裝區(qū)域中的主體直接接觸的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，照明器件包括主體。主體包括導(dǎo)熱電絕緣材料。半導(dǎo)體發(fā)光器件安裝在主體上。主體配置成附接到板金屬而沒有散熱器。

附圖說明

圖1示出附接到安裝在散熱器上的金屬塊的LED。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的照明器件。

圖3示出半導(dǎo)體發(fā)光二極管的例子。

圖4是圖2所示的照明器件的主體的頂視圖。

圖5是圖2所示的照明器件的橫截面視圖。

圖6是包括電路例如驅(qū)動(dòng)器電路的照明器件的橫截面視圖。

圖7是在圖6中的橫截面中所示的接觸焊盤的頂視圖。

具體實(shí)施方式

在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，一個(gè)或多個(gè)LED 244使用螺紋支柱250附接到金屬塊。金屬塊必須接著被附接到散熱器，其可被成形為光導(dǎo)或反射器。換句話說，為了最有效地使用在圖1中示出的所安裝的LED，用戶或購(gòu)買者必須熟悉熱管理和光學(xué)器件，使得用戶或購(gòu)買者可選擇適當(dāng)?shù)纳崞骱?或反射器或光導(dǎo)來與圖1的所安裝的LED一起安裝。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，照明器件例如LED安裝在具有足夠好的熱性能的主體上，使得外部散熱器可以是不需要的。透鏡可在LED之上形成。相應(yīng)地，結(jié)構(gòu)的用戶或購(gòu)買者在熱管理或光學(xué)器件中不需要任何專門技術(shù)。所安裝的LED可附接到簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，例如板金屬。

圖2示出本發(fā)明的實(shí)施例。發(fā)光器件12（例如LED）附接到主體10。發(fā)光器件12附接到在主體的頂表面上的安裝區(qū)域11上的導(dǎo)電焊盤。在圖4中更詳細(xì)示出包括安裝區(qū)域的頂表面。透鏡14可在發(fā)光器件12之上形成，如圖5和6所示。

主體10包括從安裝區(qū)域11延伸的細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16。細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件可用于將主體10附接到另一結(jié)構(gòu)，例如具有用于容納細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的孔的板金屬。在一些實(shí)施例中，如圖2所示，細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16可具有螺紋表面17。螺紋表面17可容納用于將主體10緊固到另一結(jié)構(gòu)的螺母（未在圖2中示出）。雖然圖2所示的例子使用螺紋細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16和螺母來將主體附接到另一結(jié)構(gòu)，可使用用于將主體附接到另一結(jié)構(gòu)的任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，例如扭鎖布置、彈簧推進(jìn)布置、基于鉚釘?shù)牟贾没蛉魏纹渌m當(dāng)?shù)臋C(jī)械布置。

用于提供與主體10的安裝區(qū)域中的導(dǎo)電焊盤的電連接的結(jié)構(gòu)18布置在細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的端部處。電連接結(jié)構(gòu)可以是任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，包括電線、金屬扁平接線片、金屬支柱或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)18是絕緣位移連接器或IDC，其可在低成本下集成到主體10內(nèi)。

圖3示出可在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的III-氮化物L(fēng)ED的一個(gè)例子。可使用任何適當(dāng)?shù)陌l(fā)光器件12，且本發(fā)明不限于圖3所示的例子。雖然在圖3的例子中半導(dǎo)體發(fā)光器件是發(fā)射藍(lán)光或UV光的III-氮化物L(fēng)ED，可使用除了LED以外的半導(dǎo)體發(fā)光器件，例如激光二極管和由其它材料系（例如其它III-V材料、III-磷化物、III-砷化物、II-VI材料、ZnO或基于Si的材料）制成的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

通過使III-氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)22在生長(zhǎng)襯底20上生長(zhǎng)來形成圖3的器件，如在本領(lǐng)域中已知的。生長(zhǎng)襯底常常是藍(lán)寶石，但可以是任何適當(dāng)?shù)囊r底，例如SiC、Si、GaN或復(fù)合襯底。III-氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)于的生長(zhǎng)襯底的表面可在生長(zhǎng)之前被圖案化、粗糙化或紋理化，這可提高來自器件的光提取。生長(zhǎng)襯底的與生長(zhǎng)表面相對(duì)的表面（即在倒裝芯片配置中大部分光被提取所經(jīng)由的表面）可在生長(zhǎng)之前或之后被圖案化、粗糙化或紋理化，這可提高來自器件的光提取。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在n和p型區(qū)之間的發(fā)光或有源區(qū)。n型區(qū)24可首先生長(zhǎng)，并可包括多層不同的成分和摻雜劑濃度，包括例如預(yù)備層（例如緩沖層或成核層）和/或設(shè)計(jì)成便于生長(zhǎng)襯底的移除的層（其可以是n型或非有意摻雜的）以及針對(duì)特定的光、材料或電特性而設(shè)計(jì)的n或p型器件層，這些特性對(duì)使發(fā)光區(qū)有效地發(fā)射光來說是合乎需要的。發(fā)光或有源區(qū)26在n型區(qū)之上生長(zhǎng)。適當(dāng)?shù)陌l(fā)光區(qū)的例子包括單個(gè)厚或薄發(fā)光層或多個(gè)量子阱發(fā)光區(qū)（包括由阻擋層分離的多個(gè)薄或厚發(fā)光層）。P型區(qū)28可接著在發(fā)光區(qū)之上生長(zhǎng)。像n型區(qū)一樣，p型區(qū)可包括具有不同成分、厚度和摻雜劑濃度的多個(gè)層，包括非有意摻雜的層或n型層。

在生長(zhǎng)之后，p觸頭32在p型區(qū)28的表面上形成。P觸頭32常常包括多個(gè)導(dǎo)電層，例如可防止或減小反射金屬的電遷移的反射金屬和防護(hù)金屬。反射金屬常常是銀，但可使用任何適當(dāng)?shù)囊环N或多種材料。在形成p觸頭32之后，p觸頭32、p型區(qū)28和有源區(qū)26的一部分被移除以暴露n觸頭30被形成于的n型區(qū)24的一部分。n和p觸頭30和32通過間隙34彼此電隔離，間隙34可填充有電介質(zhì)，例如硅的氧化物或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧??？尚纬啥鄠€(gè)n觸頭通孔；n和p觸頭30和32不限于圖3所示的布置。n和p觸頭可與電介質(zhì)/金屬疊層重新分布在一起，如在本領(lǐng)域中已知的。

LED 19可附接到底座40。為了形成在LED 19和底座40之間的電連接，一個(gè)或多個(gè)互連37和38在n和p觸頭30和32上形成或電連接到n和p觸頭30和32?；ミB37電連接到圖3中的n觸頭30?；ミB38電連接到p觸頭32?；ミB37和38通過介質(zhì)層36和間隙35與n和p觸頭30和32電隔離并與彼此電隔離?；ミB37和38可以是例如焊料、凸塊焊點(diǎn)、金層或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。底座40可以是例如硅、陶瓷或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧?。電跡線可在底座40的表面上或底座40內(nèi)形成以將互連37和38電連接到在底座40的底部上的接觸焊盤（未在圖3中示出）。在底座40的底部上的接觸焊盤可連接到在如圖2所示和如下所述的主體10的安裝區(qū)域11中形成的接觸焊盤。

襯底20可被薄化或完全移除。在一些實(shí)施例中，通過薄化暴露的襯底20的表面被圖案化、紋理化或粗糙化以提高光提取。

在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)附接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（如果結(jié)構(gòu)20被移除的話），或附接到與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相對(duì)的襯底20的側(cè)面（如果襯底20存在的話）。該（多個(gè)）結(jié)構(gòu)可以是例如光學(xué)元件例如透鏡、濾波器或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件。

在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件42布置在襯底20之上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件42包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，其可以例如是常規(guī)磷光體、有機(jī)磷光體、量子點(diǎn)、有機(jī)半導(dǎo)體、II-VI或III-V半導(dǎo)體、II-VI或III-V半導(dǎo)體量子點(diǎn)或納米晶體、染料、聚合物或發(fā)冷光的其它材料。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料吸收由LED發(fā)射的光并發(fā)射一個(gè)或多個(gè)不同波長(zhǎng)的光。由LED發(fā)射的未轉(zhuǎn)換的光常常是從結(jié)構(gòu)提取的光的最終光譜的部分，雖然它不需要是。常見組合的例子包括與發(fā)黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)藍(lán)光的LED、與發(fā)綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)藍(lán)光的LED、與發(fā)藍(lán)光和黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)UV光的LED以及與發(fā)藍(lán)光、綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)UV光的LED?？商砑影l(fā)射其它顏色的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料以剪裁從結(jié)構(gòu)提取的光的光譜。

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件42可以是預(yù)先形成的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件，例如與透明基質(zhì)（例如玻璃或硅酮）組合、然后分割成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換陶瓷瓦或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。替代地，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件42可在LED 19上在原位形成。例如，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可與透明材料（例如硅酮、環(huán)氧樹脂或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧希┗旌?，然后被分配、用模板印刷、絲網(wǎng)印刷、電泳地沉積或以其它方式布置在LED 19之上。

在將ELD 19附接到底座40之前或之后以及在將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件42附接到LED 19之前或之后，很多單獨(dú)的LED在單個(gè)晶圓上形成，晶圓然后從器件的晶圓被切割。

可使用任何適當(dāng)?shù)陌l(fā)光設(shè)備。本發(fā)明不限于圖3所示的特定發(fā)光器件。發(fā)光器件在下面的附圖中由塊12表示。

返回到圖2，發(fā)光器件12安裝在主體的頂表面上的安裝區(qū)域11中的主體10上。在圖4中更詳細(xì)示出安裝區(qū)域11。如圖4所示，安裝區(qū)域11包括至少兩個(gè)導(dǎo)電焊盤50、52和熱焊盤54。導(dǎo)電焊盤50和52分別電連接到在底座40的底部上的焊盤（在圖3中示出），以提供與LED 19的電連接。導(dǎo)電焊盤50和52之一電連接到圖3所示的n觸頭30，而導(dǎo)電焊盤50和52中的另一個(gè)電連接到圖3所示的p觸頭32。與n觸頭30的連接可經(jīng)由焊盤37。與p觸頭32的連接可經(jīng)由焊盤38。焊盤50、52和54可嵌在形成主體10的電絕緣導(dǎo)熱材料中。在焊盤50和52之間的電隔離由主體10的材料提供。

安裝區(qū)域11可包括如圖4所示的第三焊盤54，其可以是導(dǎo)熱的。熱焊盤54的被暴露部分可與傳導(dǎo)熱遠(yuǎn)離LED 19的底座40上的結(jié)構(gòu)對(duì)齊。嵌在主體內(nèi)的熱焊盤54的一部分可具有足夠的尺寸以將由發(fā)光器件12產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)到導(dǎo)熱主體10內(nèi)。主體10還擴(kuò)散熱以增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的熱性能。

安裝區(qū)域11可以相對(duì)于主體10的頂表面的其余部分凹進(jìn)，雖然它不需要這樣。在一些實(shí)施例中，安裝區(qū)域11被成形為對(duì)應(yīng)于布置在發(fā)光器件12之上的透鏡或其它光學(xué)元件。例如在圖4中，安裝區(qū)域11被成形為對(duì)應(yīng)于如圖2所示的圓頂透鏡14。

在一些實(shí)施例中，在發(fā)光器件12附接到安裝區(qū)域11中的焊盤50、52和54之后以及在透鏡14（圖2所示）布置在安裝區(qū)域11之上之后，在發(fā)光器件12和透鏡之間的空間可被填充有材料。填充材料可保護(hù)發(fā)光器件12，和/或幫助從照明器件將光提取到透鏡。在一些實(shí)施例中，填充材料具有不大于發(fā)光器件12的折射率且不小于透鏡14的折射率的折射率。安裝區(qū)域11可包括端口56和58，其在填充材料的注入期間被使用。填充材料可被注入到端口56和58之一內(nèi)，而端口56和58中的另一個(gè)可用于將空氣從在發(fā)光器件和透鏡之間的空間排出，使得填充材料占據(jù)盡可能多的空間。

雖然安裝區(qū)域11實(shí)質(zhì)上是圓的且主體10的頂表面在圖4所示的實(shí)施例中是橢圓形的，這些特征可以是任何適當(dāng)?shù)男螤?。例如，安裝區(qū)域11和/或主體10的頂表面可以是圓形的、橢圓形的、六邊形的、八邊形的、正方形的或任何其它適當(dāng)?shù)男螤睢?/p>

圖5是圖2所示的器件的橫截面視圖。如圖5所示，照明器件12附接于的導(dǎo)電焊盤50和52嵌在主體10中。導(dǎo)電焊盤50和52由布置在主體10的細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16內(nèi)的導(dǎo)電線62和64連接到外部電連接結(jié)構(gòu)18。導(dǎo)電線62和64可以是例如金屬線。細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16可以被模制在導(dǎo)電線62和64周圍，使得導(dǎo)電線62和64嵌在細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16中。導(dǎo)電線62將導(dǎo)電焊盤50連接到外部連接器66。導(dǎo)電線64將導(dǎo)電焊盤52連接到外部連接器68。外部連接器66和68可以是彈簧連接器或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。

圖5還示出布置在安裝區(qū)域11中的照明器件12之上的透鏡14。幫助光的提取或保護(hù)發(fā)光器件12的材料可布置在照明器件12和透鏡14之間的空間60中?？墒褂迷趫D4中示出和上面所述的端口56和58將材料注入到空間60中。

在一些實(shí)施例中，安裝區(qū)域11和細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16是單個(gè)模制的集成主體10。單個(gè)模制的集成主體10可由導(dǎo)熱電絕緣材料形成。適當(dāng)材料的例子包括導(dǎo)熱聚合物，例如冷聚合物D3612或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧?。?dǎo)熱電絕緣材料在一些實(shí)施例中可具有至少6 W/mk的導(dǎo)熱率，而在一些實(shí)施例中不大于25 W/mK。

嵌在導(dǎo)熱電絕緣材料中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)例如焊盤50、52和54以及導(dǎo)電線62和64可以是具有良好導(dǎo)熱性的材料，以進(jìn)一步提高在器件中的熱耗散。適當(dāng)?shù)牟牧系睦影ń饘?，例如銅。

在一些實(shí)施例中，安裝在主體12上的發(fā)光器件12可具有小于10°C/W的熱阻。

圖6示出實(shí)施例，其中電路集成到緊固件內(nèi)，緊固件用于將主體10附接到外部結(jié)構(gòu)71，例如具有孔以容納細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的板金屬。緊固件包括圍住腔72的殼體70。螺母74或用于附接到主體10的其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)布置在腔72的頂部處。例如，螺母74可以被粘貼或以其它方式附接到殼體70的頂壁的底表面。在主體10包括具有螺紋表面17的細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的實(shí)施例中，螺母74接納螺紋表面17以將主體10附接到緊固件。在其它實(shí)施例中，螺母74可由在彈簧之上的板條代替，板條嚙合細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16并提供與外部結(jié)構(gòu)71的積極嚙合（即對(duì)抗外部結(jié)構(gòu)71的壓力）。

電路76布置在腔72內(nèi)。電路76可以是預(yù)先制造的芯片或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。電路76可包括例如驅(qū)動(dòng)器電路、功率調(diào)理電路、控制電路或服務(wù)于任何其它適當(dāng)?shù)哪康牡碾娐?。電?6可布置在殼體70的壁上。例如，芯片可被粘貼或以其它方式附接到殼體70的底部或側(cè)壁。

接觸焊盤78和80布置在殼體70的表面上。接觸焊盤78和80與從主體10的細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的底部延伸的彈簧連接器66和68對(duì)齊。當(dāng)通過繞著主體10旋轉(zhuǎn)緊固件直到螺母74與細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16的螺紋部分17嚙合為止而將緊固件連接到細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16時(shí)，彈簧連接器66觸摸接觸焊盤80，且彈簧連接器68觸摸接觸焊盤78。

圖7是在圖6中的橫截面中示出的接觸焊盤78和80的頂視圖。接觸焊盤80是圓焊盤，而接觸焊盤78是圍繞接觸焊盤80的同心環(huán)。接觸焊盤78和80由間隙82分離。當(dāng)緊固件在細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16周圍扭轉(zhuǎn)時(shí)，彈簧連接器66與接觸焊盤80接觸而在適當(dāng)?shù)牡胤叫D(zhuǎn)，同時(shí)彈簧連接器68與環(huán)形接觸焊盤78接觸而在接觸焊盤80周圍的圓中旋轉(zhuǎn)。

彈簧連接器66和68經(jīng)由布置在主體10的安裝區(qū)域11中的接觸焊盤電連接到發(fā)光器件12，接觸焊盤連接到布置在細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件16內(nèi)的導(dǎo)電線。在安裝區(qū)域11中的接觸焊盤和導(dǎo)電構(gòu)件沒有在圖6中示出，但在圖5和附隨的文本中示出和描述。

接觸焊盤78和80由一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電線84連接到電路76，導(dǎo)電線84可以是電線或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。導(dǎo)電線84一般布置在腔72內(nèi)，雖然它們不需要這樣。電路76連接到一個(gè)或多個(gè)外部連接器86，其提供到緊固件中的電路并從而到發(fā)光器件12的電連接。

上面所述的實(shí)施例可用于任何適當(dāng)?shù)哪康?，包括外部照明、器具和櫥柜照明、房間照明和聚光照明。所使用的LED常常是高功率器件，使得器件在一些實(shí)施例中提供例如至少100 lm，而在一些實(shí)施例中不大于600 lm。

上面所述的實(shí)施例可具有優(yōu)于常規(guī)LED封裝和底座的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，上面所述的實(shí)施例可以不需要散熱器或透鏡由最終用戶應(yīng)用，因此用戶不需要有熱管理或光學(xué)器件的任何知識(shí)。主體10在上面所述的實(shí)施例中可通過可用的高體積引線框制造來形成，且因此可能與其它封裝比較是廉價(jià)的。如上所述，IDC連接器可使用引線框制造技術(shù)來集成到主體10內(nèi)。IDC連接器是簡(jiǎn)單的、魯棒的、可靠的和廉價(jià)的連接器。簡(jiǎn)單的機(jī)械連接可由不熟練的用戶在現(xiàn)場(chǎng)更換。

詳細(xì)描述了本發(fā)明后，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，給出本公開，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改而不偏離本文所述的創(chuàng)造性概念的精神。因此，意圖并不是本發(fā)明的范圍被限制到所示和所述的特定實(shí)施例。