相關申請的交叉參考本申請要求于2014年5月13日提交的日本在先專利申請jp2014-099816和2015年1月6日提交的日本在先專利申請jp2015-000695的優(yōu)先權權益，每個申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。本公開涉及光電轉換膜、光電轉換元件和電子設備。
背景技術：
：近來，已經(jīng)提出了一種具有由有機材料制成的光電轉換膜層疊起來的多層結構的固態(tài)圖像傳感器。例如，專利文獻1披露了一種用于吸收藍色光、綠色光和紅色光的有機光電轉換膜順次層疊的固態(tài)圖像傳感器。在專利文獻1所披露的固態(tài)圖像傳感器中，各顏色的信號通過在各有機光電轉換膜中對與該顏色對應的光進行光電轉換而被提取。此外，專利文獻2披露了一種用于吸收綠色光的有機光電轉換膜和硅光電二極管順次層疊的固態(tài)圖像傳感器。在專利文獻2所披露的固態(tài)圖像傳感器中，綠色光的信號利用有機光電轉換膜而被提取，并且提取利用硅光電二極管的光穿透深度的差異而分離的藍色光和紅色光的信號。另一方面，在太陽能電池領域中，為了實現(xiàn)高的光電轉換效率，提出了將兩種類型的有機材料混合而使得至少一種材料變?yōu)榻Y晶微粒并且光電轉換膜形成為本體異質混合膜的技術。具體地，如在專利文獻3中所披露的，提出了將p型光電轉換材料和n型光電轉換材料共沉積而使得光電轉換膜形成為本體異質混合膜的技術。引用文獻列表專利文獻[ptl1]jp2003-234460a[ptl2]jp2005-303266a[ptl3]jp2002-76391a技術實現(xiàn)要素：技術問題這里，因為利用兩種類型的有機材料而形成為本體異質混合膜的光電轉換膜的光譜特性受到混合的兩種類型的有機材料的光譜特性的影響，所以被吸收的光的波段可能變寬。因此，在形成為本體異質混合膜的光電轉換膜中，難于選擇性地吸收特定波長范圍的光，并且難于具有作為固態(tài)圖像傳感器的光電轉換膜的適宜光譜特性。因此，使用這樣的有機光電轉換膜難于增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度。鑒于上述問題，本公開提供了能夠增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度的改進的新型光電轉換膜、包括該光電轉換膜的固態(tài)圖像傳感器和包括該固態(tài)圖像傳感器的電子設備。解決問題的技術方案根據(jù)本公開的一個實施方案，提供了一種包含由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由通式(2)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜。[化學式1]在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺酰基、烷基磺?；被?、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r1～r10中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。[化學式2]在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基，其中x選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基，并且其中r11～r16中的至少一個表示氟。根據(jù)本公開的另一個實施方案，提供了一種包含不吸收可見光且由以下通式(3)和通式(4)中的至少一個表示的透明化合物的光電轉換膜。[化學式3]在通式(3)中，r21～r32每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；?、烷基磺?；被?、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r21～r32中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r41～r48中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且其中ar1～ar4每一個獨立地是取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基中的一個。此外，根據(jù)本公開的另一個實施方案，提供了一種光電轉換元件，其包括：光電轉換膜；配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間；和配置在所述光電轉換膜和一個電極之間的空穴阻擋層，其中所述空穴阻擋層的電離電位與所述的一個電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev。根據(jù)本公開的另一個實施方案，因為光電轉換膜可以選擇性地吸收特定波段的光，所以可以獲得針對固態(tài)圖像傳感器的適宜光譜特性。發(fā)明的有益效果如上所述，根據(jù)本公開的一個或多個實施方案，提供了能夠增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度的光電轉換膜、包括該光電轉換膜的固態(tài)圖像傳感器和包括該固態(tài)圖像傳感器的電子設備。需要注意的是，上述效果不一定是限制性的，并且連同或代替這些效果，可以表現(xiàn)出期望引入到本說明書中的任何效果或能夠從本說明書預期的其他效果。附圖說明圖1示出了分別圖示包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器(a)和根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器(b)的說明圖。圖2是示出了根據(jù)本公開實施方案的示例性光電轉換元件的示意圖。圖3a示出了實施例4的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3b示出了比較例7的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3c示出了比較例8的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3d示出了比較例9的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3e示出了參考例的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖4示出了實施例8和比較例19的ipce測量結果的圖形。圖5示出了btb化合物的光譜特性的圖形。圖6是示出了根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件適用的固態(tài)圖像傳感器的結構的示意圖。圖7是示出了根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件適用的固態(tài)圖像傳感器中的單位像素的概要的截面圖。圖8是示出了根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件適用的電子設備的構成的框圖。具體實施方式以下，將參照附圖詳細地說明本公開的優(yōu)選實施方案。需要注意的是，在本說明書和附圖中，使用相同的附圖標記表示具有大體相同的功能和結構的構成要素，并且省略對這些構成要素的重復說明。以下，將按照以下順序進行說明。1.根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的概要2.第一實施方案2.1.根據(jù)第一實施方案的光電轉換膜的構成2.2.根據(jù)第一實施方案的光電轉換元件的構成2.3.根據(jù)第一實施方案的實施例3.第二實施方案3.1.根據(jù)第二實施方案的光電轉換膜的構成3.2.根據(jù)第二實施方案的光電轉換元件的構成3.3.根據(jù)第二實施方案的實施例4.第三實施方案4.1.根據(jù)第三實施方案的光電轉換元件的構成4.2根據(jù)第三實施方案的實施例5.根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的應用例5.1.固態(tài)圖像傳感器的構成5.2.電子設備的構成6.總結1.根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的概要將參照圖1說明根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的概要。圖1中的(a)是示出了包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的說明圖。圖1中的(b)是示出了根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器的說明圖。以下，在本說明書中，當描述“某一波長的光被吸收”時，它指的是該波長的光的約70％以上被吸收。此外，相反地，當描述“某一波長的光透過”或“某一波長的光未被吸收”時，它指的是該波長的光的約70％以上透過且該光的約30％以下被吸收。首先，將說明根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器。如圖1中的(b)所示，根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器5包括光電二極管7r、7g和7b以及形成在光電二極管7r、7g和7b上的濾光片6r、6g和6b。濾光片6r、6g和6b是選擇性地使特定波長的光透過的膜。例如，濾光片6r是選擇性地使波長大于或等于600nm的紅色光2r透過的膜。濾光片6g是選擇性地使波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光2g透過的膜。濾光片6b是選擇性地使波長大于或等于400nm且小于450nm的藍色光2b透過的膜。此外，光電二極管7r、7g和7b是用于吸收寬波段(例如，硅光電二極管的吸收波長是190nm～1100nm)的光的光電檢測器。為此，當使用光電二極管7r、7g和7b中的各者時，難于單獨地提取諸如紅色、綠色和藍色等各顏色的信號。因此，在根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器中，對應于各顏色的光以外的光都被濾光片6r、6g和6b吸收，只有對應于各顏色的光選擇性地透過，從而使顏色分離，并且各顏色的信號被光電二極管7r、7g和7b提取。因此，在根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器5中，因為大部分光被濾光片6r、6g和6b吸收，所以光電二極管7r、7g和7b可能基本上只使用了1/3的入射光用于光電轉換。因此，在根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器5中，難于增大各顏色的檢測敏感度。接下來，將說明包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器1。如圖1中的(a)所示，包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器1具有如下的構成：被構造成吸收綠色光2g的綠色光電轉換元件3g、被構造成吸收藍色光2b的藍色光電轉換元件3b和被構造成吸收紅色光2r的紅色光電轉換元件3r順次層疊。例如，綠色光電轉換元件3g是選擇性地吸收波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光的有機光電轉換元件。藍色光電轉換元件3b是選擇性地吸收波長大于或等于400nm且小于450nm的藍色光的有機光電轉換元件。紅色光電轉換元件3r是選擇性地吸收波長大于或等于600nm的紅色光的有機光電轉換元件。因此，在根據(jù)本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，各光電轉換元件可以選擇性地吸收對應于紅色、綠色或藍色的特定波段的光。為此，在根據(jù)本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，不需要設置用來使入射光分離為各顏色的濾光片，并且全部的入射光可以被用于光電轉換。因此，由于根據(jù)本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1可以使用于光電轉換的光增加至根據(jù)比較例的固態(tài)圖像傳感器5的大約3倍，所以可以進一步增大各顏色的檢測敏感度。此外，在根據(jù)本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1中，藍色光電轉換元件3b和紅色光電轉換元件3r可以是對寬波段(具體地，例如，190nm～1100nm)的光進行光電轉換的硅光電二極管。在這種情況下，藍色光電轉換元件3b和紅色光電轉換元件3r利用相對于固態(tài)圖像傳感器1的各波長的光的穿透深度的差異而使顏色分離為藍色光2b和紅色光2r。具體地，因為紅色光2r具有較長波長且比藍色光2b更不容易散射，所以紅色光2r穿透至遠離入射表面的深度。另一方面，因為藍色光2b具有較短波長且比紅色光2r更容易散射，所以藍色光2b只穿透至接近入射表面的深度。因此，當紅色光電轉換元件3r配置在遠離固態(tài)圖像傳感器1的入射表面的位置時，可以單獨地檢測到紅色光2r與藍色光2b。因此，即使當硅光電二極管被用作藍色光電轉換元件3b和紅色光電轉換元件3r時，也可以利用光的穿透深度的差異而使藍色光2b和紅色光2r分離，并且可以提取各顏色的信號。因此，在根據(jù)本公開實施方案的固態(tài)圖像傳感器1所包含的光電轉換元件3g、3b和3r中，有必要選擇性地吸收對應于紅色、綠色或藍色的特定波段的光并且使具有吸收波長以外的波長的光透過。特別地，最接近入射面的綠色光電轉換元件3g具有在綠色帶(例如，450nm～600nm的波段)中顯示出陡峭峰的吸收光譜，有必要減少小于450nm的帶和大于600nm的帶中的吸收。鑒于上述情形，本公開的發(fā)明人廣泛地研究了適于固態(tài)圖像傳感器的光電轉換膜，并且完成了根據(jù)本公開的技術。當根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜包括將在下列實施方案中說明的化合物時，可以選擇性地吸收特定波段的光并且具有作為固態(tài)圖像傳感器的光電轉換膜的適宜光譜特性。因此，當使用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜時，可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度和分辨率。以下，將說明根據(jù)本公開第一實施方案和第二實施方案的光電轉換膜。此外，將說明具有作為固態(tài)圖像傳感器的光電轉換元件的適宜構成的根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件。2.第一實施方案(2.1.根據(jù)第一實施方案的光電轉換膜的構成)首先，將說明根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜。根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜是包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示并且吸收綠色光的亞酞菁衍生物的光電轉換膜。[化學式4]在上面的通式(1)中，r1～r10每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r1～r10中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。[化學式5]在上面的通式(2)中，r11～r16每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；被⑼榘被?、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，x表示選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，并且r11～r16中的至少一個表示氟。這里，根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜可以形成為本體異質混合膜。在這種情況下，因為由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物用作p型光電轉換材料并且由通式(2)表示的亞酞菁衍生物用作n型光電轉換材料，所以本體異質結是由這些衍生物形成的。例如，本體異質混合膜是具有如下微細結構的膜：在微細結構中，形成膜的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料中的一者處于結晶微粒狀態(tài)且另一者處于非晶狀態(tài)，并且非晶層均勻地覆蓋結晶微粒的表面。在這樣的本體異質混合膜中，因為誘使電荷分離的pn結的面積被微細結構增大，所以可以更有效地誘使電荷分離并且增大光電轉換效率?？蛇x擇地，本體異質混合膜可以是具有如下微細結構的膜：在微細結構中，形成膜的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料這二者都處于微細結晶狀態(tài)并且混合。另一方面，這樣的本體異質混合膜的光譜特性受到將要混合的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的光譜特性的影響。為此，當形成本體異質混合膜的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的光譜特性不匹配時，本體異質混合膜的光的吸收波長可能變寬。因此，形成為本體異質混合膜的光電轉換膜可能不會獲得作為固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換膜的適宜光譜特性。當根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜包含喹吖啶酮衍生物和光譜特性與喹吖啶酮衍生物匹配的亞酞菁衍生物時，可以具有作為固態(tài)圖像傳感器中的綠色光的光電轉換膜的適宜光譜特性。具體地，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜所包含的亞酞菁衍生物中，r11～r16中的至少一個是氟，因此光譜特性與喹吖啶酮衍生物匹配。具體地，r11～r16中的至少一個是氟的亞酞菁衍生物使吸收波長的最大值減小到較短波長，因此能夠減少波長大于或等于600nm的光的吸收。因此，由于根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜具有在綠色帶(450nm～600nm的波段)中顯示出陡峭峰的吸收光譜，所以可以實現(xiàn)作為固態(tài)圖像傳感器中的綠色光的光電轉換膜的適宜光譜特性。此外，在制作光電轉換元件和固態(tài)圖像傳感器的過程中，可以進行伴隨加熱的處理(例如，退火處理)。當光電轉換膜中所包含的光電轉換材料具有低耐熱性時，由于在這種加熱處理中的熱量的原因，光電轉換材料遷移并且光譜特性可能會改變。特別地，因為一般的亞酞菁衍生物具有低的耐熱性，所以當對包含一般的亞酞菁衍生物的光電轉換膜進行伴隨加熱的處理時，吸光度顯著下降。在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜所包含的亞酞菁衍生物中，因為r11～r16中的至少一個是氟，所以耐熱性顯著增大。因此，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜中，因為所包含的光電轉換材料具有高的耐熱性，所以可以在加熱處理中抑制光譜特性的變化。因此，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜中，可以增大在制作光電轉換元件和固態(tài)圖像傳感器的過程中的自由度。此外，在由通式(2)表示的亞酞菁衍生物中，可以用氟取代r11～r16而具有對稱性(線對稱或點對稱)，或者可以用氟取代r11～r16而不具有對稱性。此外，在由通式(2)表示的亞酞菁衍生物中，x可以是任意取代基，只要該取代基能夠與硼結合。然而，更優(yōu)選的是，x選自鹵素、羥基、取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的芳氧基。這里，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜所包含的亞酞菁衍生物中，優(yōu)選地，r11～r16全部是氟。具體地，如將在以下實施例中證明的，在r11～r16全部是氟的亞酞菁衍生物中，可以使吸收波長的最大值進一步減小到較短波長。因此，由于由通式(2)表示的亞酞菁衍生物可以進一步減少大于或等于600nm的吸收，所以可以更加選擇性地吸收綠色光。此外，在由通式(2)表示的亞酞菁衍生物中，優(yōu)選地，最高占據(jù)分子軌道(homo)和最低未占據(jù)分子軌道(lumo)的能級是可以對喹吖啶酮衍生物順利地進行光電轉換機制的能級。具體地，當由通式(2)表示的亞酞菁衍生物用作n型光電轉換材料并且由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物用作p型光電轉換材料時，優(yōu)選地，亞酞菁衍生物的lumo能級比喹吖啶酮衍生物的lumo能級深。換言之，優(yōu)選地，亞酞菁衍生物的lumo能級的絕對值大于喹吖啶酮衍生物的lumo能級的絕對值。這里，作為根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜的光電轉換機制，考慮以下兩種機制。一種光電轉換機制是其中用作p型光電轉換材料的喹吖啶酮衍生物由于光而被激發(fā)并且受激電子從喹吖啶酮衍生物移動至用作n型光電轉換材料的亞酞菁衍生物的機制。在這種情況下，優(yōu)選的是，亞酞菁衍生物的lumo能級是喹吖啶酮衍生物中被激發(fā)的受激電子可以順利地移動至亞酞菁衍生物的能級。具體地，優(yōu)選的是，由通式(2)表示的亞酞菁衍生物的lumo能級與由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。更具體地，優(yōu)選地，亞酞菁衍生物的lumo能級大于或等于-4.8ev且小于或等于-3.5ev，更優(yōu)選地，大于或等于-4.5ev且小于或等于-3.8ev。此外，另一種光電轉換機制是其中用作n型光電轉換材料的亞酞菁衍生物由于光而被激發(fā)并且受激電子移動至亞酞菁衍生物的lumo能級的機制。因此，空穴可以從用作p型光電轉換材料的喹吖啶酮衍生物移動至亞酞菁衍生物。在這種情況下，優(yōu)選地，亞酞菁衍生物的homo能級是空穴可以從喹吖啶酮衍生物順利地移動至亞酞菁衍生物的能級。具體地，優(yōu)選地，亞酞菁衍生物的homo能級大于或等于-7.0ev且小于或等于-5.5ev，更優(yōu)選地，大于或等于-6.7ev且小于或等于-5.8ev。此外，當光電轉換膜的目的是例如在太陽能電池中提取電動勢時，為了增大開放端電壓，有必要通過減小p型光電轉換材料的homo能級和增大n型光電轉換材料的lumo能級而使差增大。另一方面，其中使用根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜的固態(tài)圖像傳感器的目的是提取特定波長的光的信號。為此，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜中，優(yōu)選地，根據(jù)與喹吖啶酮衍生物(p型光電轉換材料)的lumo能級而不是homo能級的關系來設定亞酞菁衍生物(n型光電轉換材料)的lumo能級。具體地，如上所述，優(yōu)選的是，亞酞菁衍生物的lumo能級與喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。這里，由通式(2)表示的亞酞菁衍生物的具體例由以下化合物1～9表示。然而，根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜中所包含的亞酞菁衍生物不限于以下化合物。[化學式6]如上所述，因為根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由通式(2)表示的亞酞菁衍生物，所以可以選擇性地吸收綠色光(例如，波長大于或等于450nm且小于600nm的光)。此外，在根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜中，因為所包含的喹吖啶酮衍生物和亞酞菁衍生物具有高的耐熱性，所以可以在制作光電轉換元件和固態(tài)圖像傳感器的過程中抑制光譜特性的變化。因此，由于根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜可以適宜地用于固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度。(2.2.根據(jù)第一實施方案的光電轉換元件的構成)接下來，將參照圖2說明根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件。圖2是示出了根據(jù)本公開第一實施方案的示例性光電轉換元件的示意圖。如圖2所示，根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100包括基板102、設置在基板102之上的下電極104、設置在下電極104之上的電子阻擋層106、設置在電子阻擋層106之上的光電轉換層108、設置在光電轉換層108之上的空穴阻擋層110和設置在空穴阻擋層110之上的上電極112。然而，圖2中所示的光電轉換元件100的結構只是一個例子。根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100的結構不限于圖2中所示的結構。例如，可以不設置電子阻擋層106和空穴阻擋層110中的一者或兩者?；?02是其中形成光電轉換元件100的各層層疊配置的支撐體。作為基板102，可以使用一般的光電轉換元件中使用的基板。例如，基板102可以是各種類型的玻璃基板(例如，高應變點玻璃基板、鈉玻璃基板和硼硅酸鹽玻璃基板)、石英基板、半導體基板和塑料基板(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚酰亞胺或聚碳酸酯基板)。此外，當入射光透過且透過的入射光在另一個光電轉換元件中再次被接收時，優(yōu)選地，基板102由透明材料制成。下電極104和上電極112由導電材料制成，并且其中的至少一個由透明的導電材料制成。具體地，下電極104和上電極112可以由銦錫氧化物(in2o3-sno2：ito)、銦鋅氧化物(in2o3-zno：izo)等制成。此外，當入射光透過且透過的入射光在另一個光電轉換元件中再次被接收時，優(yōu)選地，下電極104和上電極112由諸如ito等透明的導電材料制成。這里，向下電極104和上電極112施加偏置電壓。例如，施加偏置電壓以設定極性，使得在光電轉換層108中產(chǎn)生的電荷之中的電子向上電極112移動并且空穴向下電極104移動。此外，不必說施加偏置電壓以設定極性，使得在光電轉換層108中產(chǎn)生的電荷之中的空穴向上電極112移動并且電子向下電極104移動。在這種情況下，在圖2所示的光電轉換元件100中，電子阻擋層106和空穴阻擋層110的位置可以切換。電子阻擋層106是抑制由于當施加偏置電壓時電子從下電極104注入至光電轉換層108而造成的暗電流增加的層。具體地，電子阻擋層106可以由給電子材料制成，例如芳基胺、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、二苯乙烯、聚芳基烷、卟啉、蒽、芴酮和肼。例如，電子阻擋層106可以由n,n’-雙(3-甲基苯基)-(1,1’-聯(lián)苯基)-4,4’-二胺(tpd)、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺(α-npd)、4,4’,4”-三(n-(3-甲基苯基)n-苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、四苯基卟啉銅、酞菁或銅酞菁制成。光電轉換層108是選擇性地吸收特定波長的光并且對吸收的光進行光電轉換的層。具體地，光電轉換層108由上面(2.1.根據(jù)第一實施方案的光電轉換膜的構成)已經(jīng)說明的光電轉換膜形成。因此，光電轉換層108可以選擇性地吸收綠色光(例如，波長大于或等于450nm且小于600nm的光)?？昭ㄗ钃鯇?10是可以抑制由于當施加偏置電壓時空穴從上電極112注入至光電轉換層108而造成的暗電流增加的層。具體地，空穴阻擋層110可以由受電子材料制成，例如，富勒烯、碳納米管、噁二唑、三唑化合物、蒽醌二甲烷、二苯基醌、聯(lián)苯乙烯和噻咯化合物。例如，空穴阻擋層110可以由1,3-雙(4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑基)苯撐(oxd-7)、浴銅靈、紅菲咯啉或三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)制成。此外，在圖2所示的光電轉換元件100的結構中，形成除了光電轉換層108以外的各層的材料沒有特別限制，也可以使用用于光電轉換元件的已知材料。這里，上述的根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100中的各層可以通過根據(jù)材料選擇的適宜成膜法而形成，例如，沉積法、濺射法和各種涂布法。例如，在形成根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100的各層中，下電極104和上電極112可以通過包括電子束沉積法、熱絲沉積法和真空沉積法的沉積法、濺射法、化學氣相沉積法(cvd法)、離子鍍法和蝕刻法的組合、諸如絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法和金屬掩模印刷法等各種類型的印刷法、鍍法(電鍍法和化學鍍法)等而形成。此外，在形成根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100的各層中，例如，諸如電子阻擋層106、光電轉換層108和空穴阻擋層110等有機層可以通過諸如真空沉積法等沉積法、諸如絲網(wǎng)印刷法和噴墨印刷法等印刷法、激光轉印法或諸如旋涂法等涂布法而形成。以上，已經(jīng)說明了根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件100的示例性構成。(2.3.根據(jù)第一實施方案的實施例)以下，將參照實施例和比較例詳細地說明根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜和光電轉換元件。然而，以下實施例只是例子，并且根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜和光電轉換元件不限于以下例子。(模擬分析)首先，通過模擬分析評價根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的光譜特性。具體地，對由以下結構式表示的亞酞菁衍生物進行模擬分析，并且計算homo和lumo能級以及最大吸收波長λmax。這里，“f6-subpc-cl”、“f3(c3)-subpc-cl”和“f3(c1)-subpc-cl”是根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物(實施例1～3)?！癰ay-f6-subpc-cl”、“f12-subpc-cl”、“cl6-subpc-cl”、“bay-cl6-subpc-cl”和“cl12-subpc-cl”是未包括在本公開第一實施方案中的亞酞菁衍生物(比較例1～5)。[化學式7]此外，在模擬分析中，根據(jù)密度泛函理論(dft)進行計算，使用gaussian09作為計算程序，并且在“b3lyp/6-31+g**”的水平下進行計算。表1中示出了通過模擬分析計算出的各亞酞菁衍生物的homo和lumo能級以及最大吸收波長λmax。此外，由于表1中示出的亞酞菁衍生物的homo和lumo能級以及最大吸收波長λmax是單分子中的模擬分析結果，所以絕對值與將要說明的薄膜的實際測量值并不嚴格匹配。[表1]homo(ev)lumo(ev)λmax(nm)實施例1f6-subpc-cl-6.18-3.44492.76實施例2f3-cl-subpc-cl-5.89-3.19497.38實施例3f3-c3-subpc-cl-5.89-3.22491.27比較例1bay-f6-subpc-cl-5.99-3.14520.39比較例2f12-subpc-cl-6.51-3.9513.96比較例3cl6-subpc-cl-6.15-3.49510.02比較例4bay-c16-subpc-cl-5.98-3.39525.73比較例5cl12-subpc-cl-6.33-3.76533.21如表1所示，可以理解的是，根據(jù)實施例1～3的亞酞菁衍生物的最大吸收波長λmax比根據(jù)比較例1～5的亞酞菁衍生物的最大吸收波長λmax短。具體地，在根據(jù)實施例1～3的亞酞菁衍生物中，用氟取代了亞酞菁骨架的至少任一個β位(r11～r16)。因此，最大吸收波長λmax變成較短波長。此外，在根據(jù)實施例1的亞酞菁衍生物中，可以理解的是，因為亞酞菁骨架的β位(r11～r16)全部被氟取代，所以最大吸收波長λmax變成比其中β位被氟部分地取代的根據(jù)實施例2和3的亞酞菁衍生物的最大吸收波長λmax短的波長。另一方面，在根據(jù)比較例1和2的亞酞菁衍生物中，因為亞酞菁骨架的α位被氟取代，所以與根據(jù)實施例1～3的亞酞菁衍生物相比，最大吸收波長λmax變長。此外，在根據(jù)比較例2的亞酞菁衍生物中，亞酞菁骨架的β位(r11～r16)全部被氟取代，但是α位也被氟取代。因此，與根據(jù)實施例1～3的亞酞菁衍生物相比，最大吸收波長λmax變長。根據(jù)取代基的位置的光譜特性的變化被認為由影響亞酞菁的光譜特性的homo能級和lumo能級的分子軌道存在于亞酞菁骨架的α位和β位所造成。因此，在根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物中，亞酞菁骨架的α位全部是氫并且至少任一個β位(r11～r16)用氟取代被認為是重要的。此外，在根據(jù)比較例3～5的亞酞菁衍生物中，亞酞菁骨架的α位或β位被氯取代。因此，與根據(jù)實施例1～3的亞酞菁衍生物相比，最大吸收波長λmax變長。因此，在根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物中，用于取代亞酞菁骨架的取代基是氟被認為是重要的。(亞酞菁衍生物的合成)接下來，將說明根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的合成方法。具體地，上述的化合物2(f6-subpc-cl)和化合物9(f6-subpc-oc6f5)通過以下合成方法來合成。使用核磁共振(1hnmr)和場解吸-質譜(fd-ms)鑒定合成的亞酞菁衍生物。然而，下面將要說明的合成方法只是例子，并且根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的合成方法不限于以下例子。f6-subpc-cl的合成用作根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的f6-subpc-cl通過以下反應式1合成。[化學式8]反應式(1)將二氟酞腈(30g，183mmol)添加到溶解有bcl3(14g，120mmol)的1-氯萘(150ml)中，在氮氣氣氛下將混合物加熱至回流。冷卻后，通過硅層析分離和純化混合物，然后通過升華提純使產(chǎn)物純化，獲得f6-subpc-cl(11g，產(chǎn)率34％)。f6-subpc-oc6f5的合成用作根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的f6-subpc-oc6f5通過以下反應式2合成。[化學式9]反應式(2)將五氟苯酚(13g，10mmol)添加到溶解有通過上述合成方法合成的f6-subpc-cl(10g，2.3mmol)的氯苯(100ml)中，將混合物加熱至回流。冷卻后，通過硅層析分離和純化混合物，然后通過升華提純使產(chǎn)物純化，獲得f6-subpc-oc6f5(5.9g，產(chǎn)率60％)。(光譜特性的評價)隨后，評價根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的光譜特性。具體地，制造包含根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的評價樣品，并且測量退火前后光譜特性的變化。(實施例4)首先，利用uv/臭氧處理清洗具有ito電極的玻璃基板。此外，玻璃基板中ito膜的膜厚是50nm。接下來，將玻璃基板放入到有機沉積裝置中，并且在小于或等于1×10-5pa的真空中，在使基板固持器旋轉的同時，通過電阻加熱法以0.1nm/sec的沉積速率沉積合成的f6-subpc-cl。沉積的f6-subpc-cl的膜厚是50nm。此外，為了覆蓋有機層，通過濺射法形成膜厚為50nm的ito膜，從而制造光譜特性評價樣品。(比較例6)通過與實施例4相同的方法制造光譜特性評價樣品，除了使用將在以下合成方法中說明的f12-subpc-cl來代替實施例4中使用的f6-subpc-cl。此外，比較例6中使用的f12-subpc-cl通過以下反應式3合成。此外，使用nmr和fd-ms鑒別合成的f12-subpc-cl。[化學式10]反應式(3)將四氟酞腈(37g，183mmol)添加到溶解有bcl3(14g，120mmol)的1-氯萘(150ml)中，在氮氣氣氛下將混合物加熱至回流。冷卻后，通過硅層析分離和純化混合物，然后通過升華提純使產(chǎn)物純化，獲得f12-subpc-cl(5.3g，產(chǎn)率64％)。(比較例7)通過與實施例4相同的方法制造光譜特性評價樣品，除了使用將在以下合成方法中說明的subpc-oc6f5來代替實施例4中使用的f6-subpc-cl。此外，比較例7中使用的subpc-oc6f5通過以下反應式4合成。此外，使用nmr和fd-ms鑒別合成的subpc-oc6f5。[化學式11]反應式(4)將五氟苯酚(13g，10mmol)添加到溶解有升華提純后的亞酞菁(由tokyochemicalindustryco.,ltd.制造)(10g，2.3mmol)的1,2-氯苯(100ml)中，將混合物加熱至回流。冷卻后，通過硅膠柱層析分離和純化混合物，然后通過升華提純使產(chǎn)物純化，獲得subpc-oc6f5(6.5g，產(chǎn)率65％)。(比較例8)通過與實施例4相同的方法制造光譜特性評價樣品，除了使用由以下結構式表示的亞酞菁氯化物(subpc-cl)來代替實施例4中使用的f6-subpc-cl。此外，作為亞酞菁氯化物，使用從tokyochemicalindustryco.,ltd.購買的升華提純后的產(chǎn)品。[化學式12](參考例)通過與實施例4相同的方法制造光譜特性評價樣品，除了使用由以下結構式表示的喹吖啶酮(qd)來代替實施例4中使用的f6-subpc-cl。此外，作為喹吖啶酮，使用從tokyochemicalindustryco.,ltd.購買的升華提純后的產(chǎn)品。[化學式13]使用紫外可見分光光度計，針對制造的實施例4、比較例7～9和參考例的光譜特性評價樣品來評價退火前后的光譜特性的變化。具體地，在退火前、在160℃下退火60分鐘之后和在160℃下退火210分鐘之后，測量實施例4、比較例7～9和參考例的光譜特性。圖3a～圖3e中示出了光譜特性變化的評價結果。這里，圖3a示出了實施例4(f6-subpc-cl)的光譜特性變化的評價結果的圖形。此外，圖3b示出了比較例7(f12-subpc-cl)的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3c示出了比較例8(subpc-oc6f5)的光譜特性變化的評價結果的圖形。圖3d示出了比較例9(subpc-cl)的光譜特性變化的評價結果的圖形。此外，圖3e示出了參考例(qd)的光譜特性變化的評價結果的圖形。參照圖3a，在實施例4中可以理解的是，波長大于或等于600nm的紅色光的吸收低并且可以選擇性地吸收綠色光。此外，在實施例4中可以理解的是，吸光系數(shù)在退火前后幾乎沒有變化且耐熱性高。另一方面，如圖3c～圖3e所示，在比較例7(f12-subpc-cl)、比較例8(subpc-oc6f5)和比較例9(subpc-cl)中可以理解的是，波長大于或等于600nm的紅色光的吸收高并且可以吸收紅色光。此外，在比較例7～9中可以理解的是，吸光系數(shù)在退火前后發(fā)生很大變化且耐熱性還低。此外，可以理解的是，實施例4具有與圖3e中所示的參考例(喹吖啶酮)的光譜特性相似的光譜特性。因此，可以理解的是，當根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物與喹吖啶酮衍生物一起形成本體異質混合膜時，將被吸收的光的波段不會變寬，并且可以形成在綠色帶中具有陡峭的吸收峰的光電轉換膜。基于上述結果，可以理解的是，因為根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物可以選擇性地吸收綠色光，所以其適于作為固態(tài)圖像傳感器的綠色光電轉換膜的材料。(光電轉換元件的評價)此外，通過以下制造方法制作根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件。然而，下面將要說明的光電轉換元件的結構和制造方法只是例子。根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件的結構和制造方法不限于以下例子。這里，在以下實施例中，通過上述方法合成、升華提純f6-subpc-cl、f6-subpc-oc6f5、f12-subpc-cl和subpc-oc6f5，并且使用。此外，作為subpc-cl、喹吖啶酮和n,n’-二甲基喹吖啶酮，使用從tokyochemicalindustryco.,ltd.購買的升華提純后的產(chǎn)品。(實施例5)首先，利用uv/臭氧處理清洗具有ito電極的玻璃基板。此外，玻璃基板中的對應于下電極的ito膜的膜厚是50nm。接下來，將玻璃基板放入到有機沉積裝置中，將壓力減小到小于或等于1×10-5pa，并且在使基板固持器旋轉的同時，通過電阻加熱法沉積f6-subpc-cl和喹吖啶酮。此外，在0.1nm/sec的沉積速率下進行沉積，使得f6-subpc-cl和喹吖啶酮的比例變?yōu)?：1，并且形成總計100nm的膜以形成光電轉換層。此外，通過沉積方法在光電轉換層之上形成膜厚為100nm的alsicu膜以形成上電極。利用上述制造方法，制作出光電轉換面積為1mm×1mm的光電轉換元件。(實施例6)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用f6-subpc-oc6f5來代替實施例5中使用的f6-subpc-cl。(實施例7)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的n,n’-二甲基喹吖啶酮(dmqd)來代替實施例5中使用的喹吖啶酮。[化學式14](比較例10)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用subpc-cl來代替實施例5中使用的f6-subpc-cl。(比較例11)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用subpc-oc6f5來代替實施例5中使用的f6-subpc-cl。(比較例12)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用f12-subpc-cl來代替實施例5中使用的f6-subpc-cl。(比較例13)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用n,n’-二甲基喹吖啶酮和subpc-cl來代替實施例5中使用的喹吖啶酮和f6-subpc-cl。(比較例14)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用n,n’-二甲基喹吖啶酮和subpc-oc6f5來代替實施例5中使用的喹吖啶酮和f6-subpc-cl。(比較例15)通過與實施例5相同的方法制作光電轉換元件，除了使用subpc-cl來代替實施例5中使用的喹吖啶酮。(評價結果)首先，針對如上所述制造的根據(jù)實施例5～7和比較例10～15的光電轉換元件評價光電轉換效率和光譜特性。通過使用半導體參數(shù)分析儀測量外部量子效率來評價光電轉換效率。具體地，強度為1.62μw/cm2的光從光源穿過濾光片照射到光電轉換元件，并且當施加在電極之間的偏置電壓被設定成-1v時，從亮電流值和暗電流值計算外部量子效率。測量在160℃下退火210分鐘前后的外部量子效率，并且用退火后的外部量子效率除以退火前的外部量子效率以計算退火耐性。此外，使用紫外可見分光光度計評價光譜特性。用600nm下的吸光系數(shù)除以最大吸收波長λmax下的吸光系數(shù)以計算600nm下的吸光比。下表2中示出了上述評價的結果。在表2中，“qd”表示喹吖啶酮，“dmqd”表示n,n’-二甲基喹吖啶酮。[表2]如表2中的結果所示，可以理解的是，包括根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換元件的實施例5～7具有比比較例10～15低的在600nm下的吸光比和高的退火耐性。此外，可以理解的是，實施例5～7具有比比較例10～15通常高的退火后的外部量子效率。具體地，可以理解的是，實施例5～7包含根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物和喹吖啶酮衍生物，因此實施例5～7具有比比較例11～15低的在600nm下的吸光比和高的退火耐性。此外，由于比較例10具有高的退火耐性，但是在600nm下的吸光比也高，所以比較例10不是優(yōu)選的。隨后，在實施例5～7和比較例10～15中，測量光電轉換層中使用的亞酞菁衍生物和喹吖啶酮衍生物的homo能級和lumo能級。此外，為了測量homo能級，使用其中在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的硅基板上通過沉積方法將各有機材料形成為20nm膜的樣品。使用紫外光電子能譜(ups)法計算其中將各有機材料形成為膜的樣品的homo能級。此外，為了測量lumo能級，使用在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的石英基板上通過沉積方法將各有機材料形成為50nm膜的樣品。首先，利用分光光度計(jascov-570)測量樣品的透射率和反射率，并且計算相對于波長的吸光系數(shù)α。接下來，計算所計算出的吸光系數(shù)α的可見光區(qū)域的吸收端作為homo-lumo能隙，并且從homo能級減去homo-lumo能隙以計算lumo能級。下表3中示出了測量的亞酞菁衍生物和喹吖啶酮衍生物的homo能級、lumo能級和最大吸收波長λmax。在表3中，“qd”表示喹吖啶酮，“dmqd”表示n,n’-二甲基喹吖啶酮。[表3]homo(ev)lumo(ev)λmax(nm)f6-subpc-cl-6.3-4.2566subpc-cl-5.7-3.7587subpc-oc6f5-5.7-3.7577f12-subpc-cl-6.6-4.6584qd-5.55-3.55561dmqd-5.5-3.3532如表3中的結果所示，可以理解的是，用作根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的“f6-subpc-cl”即使是在薄膜中也具有比用作根據(jù)比較例的亞酞菁衍生物的“subpc-cl”、“subpc-oc6f5”和“f12-subpc-cl”短的最大吸收波長λmax。此外，可以理解的是，在用作根據(jù)本公開第一實施方案的亞酞菁衍生物的“f6-subpc-cl”中，形成實施例5或7中的本體異質混合膜的“qd”和“dmqd”之間的lumo能級差包括在本公開第一實施方案的優(yōu)選范圍內(nèi)(大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev)。如可以從上述結果理解的那樣，當根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由通式(2)表示的亞酞菁衍生物時，可以增大耐熱性且可以選擇性地吸收綠色光。因此，由于根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜可以適宜地用作固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換膜，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度。3.第二實施方案(3.1.根據(jù)第二實施方案的光電轉換膜的構成)接下來，將說明根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜。根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜是包含由以下通式(3)或(4)表示并且不吸收可見光的透明化合物的光電轉換膜。[化學式15]在上面的通式(3)中，r21～r32每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；被?、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r21～r32中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。在上面的通式(4)中，r41～r48每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r41～r48中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且ar1～ar4每一個獨立地表示取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜芳基。這里，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜還可以包含有機染料化合物，并且類似于第一實施方案，可以形成為本體異質混合膜。在這種情況下，例如，因為有機染料化合物用作p型光電轉換材料且由通式(3)或(4)表示的透明化合物用作n型光電轉換材料，所以其間形成本體異質結。這里，如本公開第一實施方案所說明的那樣，在本體異質混合膜中，光譜特性受到混合的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的光譜特性兩者的影響。因此，當p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的光譜特性不匹配時，形成為本體異質混合膜的光電轉換膜具有將被吸收的光的寬波段，并且可能不會獲得作為固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換膜的適宜光譜特性。在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜中，當使用作為不吸收可見光的透明化合物并且由通式(3)或(4)表示的透明化合物時，可以防止光電轉換膜將要在光電轉換膜中吸收的光的波段變寬。具體地，在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜中，因為由通式(3)或(4)表示的透明化合物不吸收可見光，所以可以具有其中反映出所包含的有機染料化合物的光譜特性的光譜特性。作為根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜所包含的有機染料化合物，可以使用任意的。例如，作為有機染料化合物，優(yōu)選使用花青染料、苯乙烯基染料、半菁染料、部花青染料(包括零次甲基部花青和簡單部花青)、三核部花青染料、四核部花青染料、若丹菁染料、復合花青染料、復合部花青染料、異極性染料、氧雜菁染料、半氧雜菁染料、芳酸菁染料、克酮酸染料、氮雜次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、甲亞胺染料、螺環(huán)化合物、茂金屬染料、芴酮染料、俘精酸酐染料、二萘嵌苯染料、吡呤酮染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、二苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩噁嗪染料、酞二萘嵌苯染料、吡咯并吡咯二酮染料、二噁烷染料、卟啉染料、葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡合物染料或縮合的芳香碳環(huán)系染料(例如，萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物和熒蒽衍生物)。此外，在本公開的第二實施方案中，作為有機染料化合物，更優(yōu)選使用喹吖啶酮衍生物。例如，當根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜包含由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物時，可以具有其中反映出由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物的光譜特性的光譜特性。在這種情況下，因為類似于由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜可以選擇性地吸收綠色光，所以可以實現(xiàn)作為固態(tài)圖像傳感器中的綠色光的光電轉換膜的適宜光譜特性。此外，由通式(3)或(4)表示的透明化合物可以形成包括尺寸適于與由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物電荷分離的結晶微粒的本體異質混合層。因此，在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜中，喹吖啶酮衍生物吸收光時產(chǎn)生的激子的電荷分離可以在各界面處快速進行。特別地，因為由通式(3)或(4)表示的透明化合物具有電子接受能力且具有高的電子遷移率，所以可以高效率地在本體異質混合膜上進行電荷分離，并且可以增大光電轉換膜的光電轉換效率。在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜中，由通式(3)或(4)表示的透明化合物和有機染料化合物的混合比可以是任意比值，但是，例如，透明化合物：有機染料化合物＝10：90或90：10(體積比)是優(yōu)選的，20：80至50：50(體積比)是更優(yōu)選的。另一方面，當光電轉換膜中包含的有機染料化合物的絕對量太小時，因為可能存在染料對入射光的不充分吸收，所以不優(yōu)選。此外，當光電轉換膜中包含的透明化合物的絕對量太小時，因為沒有形成所產(chǎn)生的載流子(即，電子和空穴)順利地移動到對應電極所需的透明化合物與有機染料化合物之間的導電路徑，所以不優(yōu)選。這里，在通式(3)中，r21～r32是氫或任意取代基，優(yōu)選地，r21、r24、r25、r28、r29和r32可以全部是氫。例如，作為由通式(3)表示的透明化合物的具體例，可以例舉出的有由以下結構式表示的化合物。然而，根據(jù)本公開第二實施方案的由通式(3)表示的透明化合物不限于以下示例性化合物。[化學式16]此外，在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地表示氫或任意取代基，并且ar1～ar4每一個獨立地表示取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜芳基。作為可以由ar1～ar4獲得的芳基，例舉出的有苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基和茚基。此外，作為可以由ar1～ar4獲得的雜芳基，例舉出的有噻吩基、呋喃基、吡咯基、噻唑基、噻二唑基、咪唑基、噁唑基、噁二唑基、吡啶基和嘧啶基。此外，ar1～ar4可以是具有取代基的芳基或雜芳基。作為ar1～ar4的取代基，例舉出的有鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基和烷氧羰基。在通式(4)中，優(yōu)選地，ar1～ar4的取代基和r41～r48中的至少一個是吸電子基團。換言之，優(yōu)選地，由通式(4)表示的透明化合物具有至少一個吸電子基團作為取代基。在這種情況下，在由通式(4)表示的透明化合物中，因為lumo能級變深(絕對值增大)且變成可以有效地進行與有機染料化合物的電荷分離的lumo能級，所以可以增大光電轉換效率。此外，為了將由通式(4)表示的透明化合物的lumo能級設定成更適宜值，優(yōu)選地，由通式(4)表示的透明化合物包括多個吸電子基團，并且優(yōu)選地，所包括的取代基具有更高的吸電子能力。此外，當ar1～ar4包括作為取代基的吸電子基團時，吸電子基團的取代位置優(yōu)選是相對于ar1～ar4和三嗪環(huán)的結合位置的對位的位置。在這種情況下，因為由通式(4)表示的透明化合物具有可以更有效地進行與有機染料化合物的電荷分離的lumo能級，所以可以增大光電轉換膜的光電轉換效率。在上述說明中，吸電子基團可以是例如鹵素、氰基、硝基、磺?；?、芳基磺?；?、烷基磺?；?、?；?、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基。作為由通式(4)表示的透明化合物的優(yōu)選具體例，可以例舉出的有由以下結構式表示的化合物。然而，根據(jù)本公開第二實施方案的由通式(4)表示的透明化合物不限于以下示例性化合物。此外，參照以下示例性化合物，可以理解的是，當ar1～ar4是用作電子供體的雜芳基時，r41～r48優(yōu)選是用作電子受體的吸電子基團。[化學式17]此外，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的透明化合物的homo和lumo能級是可以順利地對有機染料化合物進行光電轉換機制的能級。具體地，為了由通式(3)或(4)表示的透明化合物可以用作n型光電轉換材料且有機染料化合物可以用作p型光電轉換材料，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的透明化合物的lumo能級低于有機染料化合物的lumo能級。這里，作為根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜的光電轉換機制，具體地可以考慮以下機制。即，當用作p型光電轉換材料的有機染料化合物吸收光而被激發(fā)且受激電子移動至用作n型光電轉換材料且由通式(3)或(4)表示的透明化合物時，進行電荷分離。在這種情況下，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的透明化合物的lumo能級是有機染料化合物中的受激電子可以順利地移動至由通式(3)或(4)表示的透明化合物的能級。具體地，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的透明化合物的lumo能級與由通式(1)表示的有機染料化合物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。例如，當由以上通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物被用作有機染料化合物時，考慮到喹吖啶酮衍生物的lumo能級，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的透明化合物的lumo能級大于或等于-4.8ev且小于或等于-3.5ev，更優(yōu)選地，大于或等于-4.5ev且小于或等于-3.8ev。此外，優(yōu)選地，由通式(3)或(4)表示的的透明化合物的homo能級例如大于或等于-7.8ev且小于或等于-6.5ev，更優(yōu)選地，大于或等于-7.5ev且小于或等于-6.8ev。這里，作為具有與由通式(3)表示的透明化合物相同的六氮雜苯并菲骨架的化合物，例如，可以例舉出的有由以下結構式表示的六氮雜苯并菲-六甲腈(hat-cn)。[化學式18]例如，hat-cn是被用作有機電致發(fā)光元件中的電荷傳輸材料的化合物。然而，因為hat-cn的lumo能級大約是-5.58ev，所以它與形成光電轉換膜中的本體異質混合膜的有機染料化合物的lumo能級有很大差別。因此，在光電轉換膜中，當hat-cn被用作n型光電轉換材料時，難于在hat-cn與有機染料化合物之間的界面處順利地移動受激電子。因此，在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜所包含的透明化合物中，在具有由通式(3)或(4)表示的結構的化合物之中，具有相對接近于形成本體異質混合膜的有機染料化合物的lumo能級的化合物是優(yōu)選的。具體地，優(yōu)選的是，由通式(3)或(4)表示的透明化合物具有與有機染料化合物的lumo能級的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev的結構。如上所述，當根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜包含有機染料化合物和由通式(3)或(4)表示的透明化合物時，可以選擇性地對被有機染料化合物吸收的光進行光電轉換。例如，當由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物被用作有機染料化合物時，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜可以選擇性地對綠色光(例如，波長大于或等于450nm且小于600nm的光)進行光電轉換。此外，由于由通式(3)或(4)表示的透明化合物具有高的電子遷移率且可以與有機染料化合物一起形成具有高的電荷分離效率的本體異質混合膜，所以可以增大光電轉換膜的光電轉換效率。因此，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜可以適宜地用于固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換膜，并且可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度。(3.2.根據(jù)第二實施方案的光電轉換元件的構成)因為根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件的構成與在本公開第一實施方案中說明的構成基本上相同，所以將省略它們的詳細說明。即，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件與第一實施方案的不同之處在于，光電轉換層108被構造為包含由通式(3)或(4)表示的透明化合物的光電轉換膜。(3.3.根據(jù)第二實施方案的實施例)以下，將參照實施例和比較例詳細地說明根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件。然而，以下實施例只是例子，并且根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件不限于以下例子。(光電轉換元件的制作)此外，通過以下制造方法制作根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件。然而，下面將要說明的光電轉換元件的結構和制造方法只是例子。根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件的結構和制造方法不限于以下例子。(實施例8)首先，利用uv/臭氧處理清洗具有ito電極的玻璃基板。此外，玻璃基板中的對應于下電極的ito膜的膜厚是50nm。接下來，將玻璃基板放入到有機沉積裝置中，將壓力減小到小于或等于1×10-4pa，并且在使基板固持器旋轉的同時，通過電阻加熱法沉積由以下結構式表示的5,6,11,12,17,18-六氮雜三萘撐(hatna)和喹吖啶酮。此外，在0.1nm/sec的沉積速率下進行沉積，使得hatna和喹吖啶酮的比變?yōu)?：1，并且形成總計100nm的膜以形成光電轉換層。hatna是具有由通式(3)表示的結構的透明化合物。此外，利用沉積方法在光電轉換層之上形成膜厚為100nm的alsicu膜以形成上電極。利用上述制造方法，制造出光電轉換面積為1mm×1mm的光電轉換元件。[化學式19](實施例9)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的2,3,8,9,14,15-六氯-5,6,11,12,17,18-六氮雜三萘撐(cl6-hatna)來代替實施例8中使用的hatna。cl6-hatna是具有由通式(3)表示的結構的透明化合物。[化學式20](實施例10)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的4,4’-雙(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)聯(lián)苯(btb)來代替實施例8中使用的hatna。btb是具有由通式(4)表示的結構的透明化合物。[化學式21](比較例16)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了只使用喹吖啶酮來代替在實施例8中使用的hatna和喹吖啶酮而形成膜厚為100nm的光電轉換層。(比較例17)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的4,6-雙(3,5-二(吡啶-4-基)苯基)-2-甲基嘧啶(b4pympm)來代替在實施例8中使用的hatna。此外，b4pympm是lumo能級的值接近于hatna的lumo能級的透明化合物。[化學式22](比較例18)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了只使用由以下結構式表示的亞酞菁氯化物(subpc-cl)來代替在實施例8中使用的hatna和喹吖啶酮而形成膜厚為100nm的光電轉換層。此外，subpc-cl是lumo能級的值接近于hatna的lumo能級但是吸收可見光帶的光的透明化合物。[化學式23](比較例19)通過與實施例8相同的方法制作光電轉換元件，除了使用subpc-cl來代替在實施例8中使用的hatna。此外，在上述實施例中，作為喹吖啶酮和subpc-cl，使用從tokyochemicalindustryco.,ltd.購買的升華提純后的產(chǎn)品。此外，作為hatna、cl6-hatna和btb，使用從lumteccorp.(臺灣)購買的升華提純后的產(chǎn)品。(光學轉換特性的評價)首先，將針對上面制造的根據(jù)實施例8～10和比較例16～19的光電轉換元件評價光電轉換效率和光譜特性。這里，通過使用半導體參數(shù)分析儀測量外部量子效率來評價光電轉換效率。具體地，強度為1.62μw/cm2、波長為565nm的光從光源穿過濾光片照射到光電轉換元件，并且當施加在電極之間的偏置電壓被設定成-1v時，從明電流值和暗電流值計算外部量子效率。此外，使用入射光子與電流的轉換效率(ipce)測量裝置評價光譜特性，從而測量外部量子效率相對于波長的變化率并且計算峰的半極大全寬度。具體地，1.62μw/cm2的光從光源穿過濾光片照射到光電轉換元件，并且當施加在電極之間的偏置電壓被設定成-1v時，從明電流值和暗電流值計算外部量子效率。此外，針對各波長計算上述的外部量子效率，并且計算峰的半極大全寬度。下表4中示出了上述評價結果。此外，圖4中示出了實施例8和比較例19的ipce測量結果。在表4中，“qd”表示喹吖啶酮，“-”表示沒有添加相應的材料。圖4示出了實施例8和比較例19的ipce測量結果的圖形，實線表示實施例8，虛線表示比較例19。[表4]如表4中的結果所示，可以理解的是，用作根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件的實施例8～10具有比較例16～18高很多的外部量子效率。這里，類似于實施例8～10，比較例19具有高的外部量子效率，但是吸收可見光的subpc-cl被用作n型光電轉換材料。為此，因為比較例19中根據(jù)ipce測量的峰的半極大全寬度比實施例8～10的寬，所以這不是優(yōu)選的。具體地，如圖4所示，因為比較例19中外部量子效率的分布峰相對于波長比實施例8的峰寬，并且可以還可以吸收波長大于或等于600nm的紅色光或波長小于450nm的藍色光，所以這不是優(yōu)選的。另一方面，如圖4所示，可以理解的是，實施例8的外部量子效率的分布峰相對于波長比比較例19陡峭，并且可以更選擇性地吸收波長大于或等于450nm且小于600nm的綠色光且可以進行光電轉換。因此，可以理解的是，因為實施例8具有比比較例19高的被吸收光的波長的選擇性，所以實施例8適于固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換元件。隨后，在實施例8～10和比較例16～19中，測量在光電轉換層中使用的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的homo能級和lumo能級。此外，為了測量homo能級，使用在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的硅基板上通過沉積方法將各有機材料形成為20nm膜的樣品。針對其中使用ups法將各有機材料形成為膜的樣品計算homo能級。此外，為了測量lumo能級，使用在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的石英基板上通過沉積方法將各有機材料形成為50nm膜的樣品。首先，測量樣品的透射率和反射率，并且計算相對于波長的吸光系數(shù)α。然后，計算所計算的吸光系數(shù)α的可見光區(qū)域的吸收端作為homo-lumo能隙，并且從homo能級中減去homo-lumo能隙而計算lumo能級。下表5中示出了測量的p型光電轉換材料和n型光電轉換材料的homo能級和lumo能級。在表5中，“qd”表示喹吖啶酮。[表5]homo(ev)lumo(ev)hatna-6.9-3.8cl6-hatna-7.8-5.1btb-6.9-3.6b4pympm-7.6-4.05subpc-cl-5.7-3.7qd-5.55-3.55如表5中的結果所示，實施例8中使用的“hatna”與“qd”之間的lumo能級差是0.25ev。實施例9中使用的“cl6-hatna”與“qd”之間的lumo能級差是1.55ev。實施例10中使用的“btb”與“qd”之間的lumo能級差是0.05ev。如表4中的結果所示，可以理解的是，實施例8具有包括在本公開第二實施方案的優(yōu)選范圍內(nèi)(大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev)的lumo能級差，并且實施例8的外部量子效率比lumo能級差在優(yōu)選范圍之外的實施例9和10的外部量子效率高。此外，比較例17中使用的“b4pympm”是lumo能級接近于用作根據(jù)本公開第二實施方案的透明材料的“hatna”的lumo能級的透明化合物。然而，比較例17具有比實施例8～10低很多的外部量子效率。因此，可以理解的是，在根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜中，為了增大外部量子效率，重要的是，透明化合物具有由通式(3)或(4)表示的結構。具體地，當由通式(3)或(4)表示的透明化合物與有機染料化合物一起形成本體異質混合膜時，可以形成尺寸適于電荷分離的結晶微粒。因此，外部量子效率被認為在使用由通式(3)或(4)表示的透明化合物的光電轉換膜中增大。另一方面，因為不具有由通式(3)或(4)表示的結構的“b4pympm”不能形成尺寸適于電荷分離的結晶微粒，所以被認為難于增大外部量子效率。(由通式(4)表示的透明化合物的詳細檢查)以下，將檢查由通式(4)表示的透明化合物的更優(yōu)選結構。(由通式(4)表示的透明化合物的合成)首先，將說明作為由通式(4)表示的透明化合物且由以下結構表示的btb-1～btb-6的合成方法。使用高效液相色譜法(hplc)檢查合成的btb-1～btb-6的純度，并且1hnmr和基質輔助激光解吸電離-飛行時間質譜(maldi-tofms)用于鑒別。然而，將要說明的以下合成方法只是例子，并且由通式(4)表示的透明化合物的合成方法不限于以下例子。[化學式24]btb-1的合成btb-1通過以下反應式5合成。[化學式25]反應式(5)在氬氣(ar)氣氛下將聯(lián)苯二碳酰氯(28.8g，103mmol)、亞硫酰氯(socl2)(8.43g，70.9mmol)、鄰二氯苯(405ml)、氯化鋁(30.6g，230mmol)和苯甲腈(61.1g，444mmol)添加到四頸燒瓶中。充分地攪拌該混合物，然后在150℃下加熱攪拌30分鐘。隨后，把溫度降到120℃，添加氯化銨(23.1g，432mmol)，加熱混合物并在170℃下再次攪拌4小時。在將溫度冷卻到室溫之后，將反應溶液與其中混合有28％的氨水(400ml)和甲醇(3l)的溶液混合在一起，過濾提取析出的固體。用純水(1l)使析出的固體懸浮并洗滌，用甲醇(1l)再次懸浮和洗滌，獲得灰色固體。此外，將獲得的灰色固體升華提純兩次，獲得作為目標化合物的btb-1(11.4g，產(chǎn)率18％)。btb-2的合成通過與上面的反應式5相同的方法合成btb-2，除了使用4-氟-苯甲腈來代替苯甲腈。btb-3的合成通過與上面的反應式5相同的方法合成btb-3，除了使用4-三氟甲基苯甲腈來代替苯甲腈。btb-4的合成通過與上面的反應式5相同的方法合成btb-4，除了使用4-氯-苯甲腈來代替苯甲腈。btb-5的合成通過與上面的反應式5相同的方法合成btb-5，除了使用四氟二苯基碳酰氯來代替二苯基碳酰氯。btb-6的合成通過與上面的反應式5相同的方法合成btb-6，除了使用四氟二苯基碳酰氯來代替二苯基碳酰氯且使用4-氯-苯甲腈來代替苯甲腈。(由通式(4)表示的透明化合物的光譜特性的評價)接下來，制作由通式(4)表示的透明化合物的單層膜樣品，并且鑒別由通式(4)表示的透明化合物的光譜特性。具體地，制造在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的石英基板上通過沉積方法以0.05nm/sec的沉積速率將各有機材料(btb-1～btb-6)形成為50nm膜的樣品。然后，利用分光光度計(jascov-570)測量制作的樣品的透射率和反射率，并且計算相對于波長的吸光系數(shù)α。圖5中示出了吸光系數(shù)α的測量結果。圖5示出了btb-1～btb-6在300nm～800nm的帶中的吸光系數(shù)α的圖形。如圖5所示，可以理解的是，由通式(4)表示的透明化合物中的全部btb-1～btb-6在400nm～800nm的波段內(nèi)具有低的吸光系數(shù)。換言之，可以理解的是，由通式(4)表示的透明化合物中的btb-1～btb-6是不吸收可見光帶的光的透明化合物。(由通式(4)表示的透明化合物的電氣特性的評價)隨后，使用由通式(4)表示的透明化合物來制作光電轉換元件，并且評價該光電轉換元件的電氣特性。(實施例11)首先，利用uv/臭氧處理清洗具有ito電極的玻璃基板。此外，玻璃基板中的對應于下電極的ito膜的膜厚是50nm。接下來，將玻璃基板放入到有機沉積裝置中，將壓力減小到小于或等于1×10-5pa，并且在使基板固持器旋轉的同時，通過電阻加熱法沉積上面合成的btb-1和喹吖啶酮(由tokyochemicalindustryco.,ltd.制造的升華提純后的產(chǎn)品)。此外，沉積分別在0.03nm/sec和0.07nm/sec的沉積速率下進行，這樣btb-1和喹吖啶酮的比值變?yōu)?：7，并且形成總計120nm的膜以形成光電轉換層。隨后，在光電轉換層上以0.002nm/sec沉積并形成0.5nm的lif膜，并且通過沉積方法進一步形成膜厚為100nm的alsicu膜而形成上電極。利用上述方法，制造出包括1mm×1mm的光電轉換面積的光電轉換元件。(實施例12～16)通過與實施例11相同的方法制作光電轉換元件，除了使用btb-2～btb-6來代替實施例11中使用的btb-1。(比較例20)通過與實施例11相同的方法制作光電轉換元件，除了使用喹吖啶酮來代替實施例11中使用的btb-1并且只使用喹吖啶酮形成光電轉換層。針對上面制造的根據(jù)實施例11～16和比較例20的光電轉換元件評價光電轉換效率。這里，通過使用半導體參數(shù)分析儀測量外部量子效率來評價光電轉換效率。具體地，強度為1.62μw/cm2的光從光源穿過濾光片照射到光電轉換元件，并且當施加在電極之間的偏置電壓被設定成-1v時，從明電流值和暗電流值計算外部量子效率。下表6中示出了評價結果。在表6中，“qd”表示喹吖啶酮，“-”表示沒有添加相應的材料。此外，評價在退火處理前后的外部量子效率。通過在手套箱中使用熱板加熱光電轉換元件來進行退火處理。這里，加熱溫度是160℃，加熱時間是210分鐘。[表6]如表6中的結果所示，可以理解的是，實施例11～16具有比比較例20高的外部量子效率。此外，可以理解的是，因為實施例11～16的外部量子效率在退火前后沒有顯著減小，所以由通式(4)表示的透明化合物中的btb-1～btb-6具有高的耐熱性。此外，比較實施例11與實施例12～16，可以理解的是，使用包括吸電子基團作為取代基的btb-2～btb-6的實施例12～16具有比使用不包括吸電子基團作為取代基的btb-1的實施例11高的外部量子效率。因此，可以理解的是，由通式(4)表示的透明化合物優(yōu)選包括作為取代基的吸電子基團。具體地，在通式(4)中，可以理解的是，ar1～ar4的取代基和r41～r48中的至少一個優(yōu)選是吸電子基團。如可以從上述結果理解的那樣，當根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件包含由通式(3)或(4)表示的透明化合物時，可以在選擇性地吸收特定波長的光的同時增大光電轉換效率。因此，由于根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換元件可以適用作固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換元件，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度。4.第三實施方案(4.1.根據(jù)第三實施方案的光電轉換元件的構成)接下來，將說明根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件。根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件是包括空穴阻擋層并且空穴阻擋層的電離電位與鄰近該空穴阻擋層的電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev的光電轉換元件。具體地，與本公開的第一實施方案相同，根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件包括基板102、設置在基板102之上的下電極104、設置在下電極104之上的電子阻擋層106、設置在電子阻擋層106之上的光電轉換層108、設置在光電轉換層108之上的空穴阻擋層110和設置在空穴阻擋層110之上的上電極112。此外，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，空穴阻擋層110的電離電位與上電極112的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev。此外，空穴阻擋層110的電離電位對應于形成空穴阻擋層110的化合物的homo能級的能量的絕對值。通常，在固態(tài)圖像傳感器使用的光電轉換元件中，在許多情況下，為了增大敏感度，從外部施加電壓以增大光電轉換效率和響應速度。然而，當從外部向光電轉換元件施加電壓時，因為由于外電場而導致的從電極注入的空穴和電子的數(shù)量增加，所以不管光的入射如何，流動的暗電流都會增大。在固態(tài)圖像傳感器使用的光電轉換元件中，為了提取作為信號的當沒有光入射時的暗電流與當光入射時的明電流之間的差，當暗電流增大時，s/n比可能減小。特別地，當使用環(huán)境的溫度高(例如，大于或等于50℃)時，因為在光電轉換元件中流動的暗電流隨著溫度上升而增大，所以有必要抑制暗電流。在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，通過使用電離電位與相鄰電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev的空穴阻擋層，可以抑制暗電流。特別地，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，即使在高溫環(huán)境(例如，大于或等于50℃)中，也可以抑制暗電流增大。此外，優(yōu)選地，空穴阻擋層110的電離電位(即，形成空穴阻擋層110的化合物的homo能級的絕對值)與相鄰電極的功函數(shù)之間的能量差更高。因此，空穴阻擋層110的電離電位與相鄰電極的功函數(shù)之間的能量差的上限沒有特別限制，但是可以是例如小于或等于3.0ev。例如，當鄰近空穴阻擋層110的上電極112由作為透明導電材料的銦錫氧化物(ito)形成時，因為銦錫氧化物的功函數(shù)是4.8ev，所以優(yōu)選地，形成空穴阻擋層110的化合物的homo能級小于或等于-6.8ev，更優(yōu)選地，小于或等于-7.1ev。此外，鄰近空穴阻擋層110的上電極112可以由導電材料形成，但是形成上電極112的材料不限于上面的銦錫氧化物。例如，上電極112可以由透明導電材料形成，并且可以由銦鋅氧化物(izo)、石墨烯透明電極等形成。此外，優(yōu)選地，形成空穴阻擋層110的化合物的lumo能級與相鄰光電轉換層108的n型光電轉換材料的lumo能級相同或更淺(絕對值更小)。在這種情況下，空穴阻擋層110可以有效地使由于光電轉換而在光電轉換層108中產(chǎn)生的電子移動至上電極112。此外，為了更有效地使在光電轉換層108中產(chǎn)生的電子移動至上電極112，優(yōu)選的是，形成空穴阻擋層110的化合物的lumo能級與相鄰光電轉換層108的n型光電轉換材料的lumo能級之間的差更小。例如，當光電轉換層108中包含的n型光電轉換材料是亞酞菁衍生物時，優(yōu)選地，形成空穴阻擋層110的化合物的lumo能級大于或等于-5.5ev且小于或等于-3.3ev，更優(yōu)選地，大于或等于-5.0ev且小于或等于-3.5ev。此外，優(yōu)選地，空穴阻擋層110的膜厚大于或等于1nm且小于或等于50nm，更優(yōu)選地，大于或等于2nm且小于或等于30nm，最優(yōu)選地，大于或等于5nm且小于或等于10nm。當空穴阻擋層110的膜厚在上述范圍內(nèi)時，空穴阻擋層110可以在抑制從上電極112注入空穴的同時，有效地使電子從光電轉換層108移動至上電極112。這里，優(yōu)選的是，空穴阻擋層110包含由以下通式(5)表示的化合物。[化學式26]在上面的通式(5)中，r50表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺酰基、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，并且ar5～ar8表示取代或未取代的雜芳基。由上面的通式(5)表示的化合物具有深的homo能級(homo能級的能量的絕對值高)和高的電離電位。因此，在由通式(5)表示的化合物中，可以將空穴阻擋層110的電離電位與相鄰上電極112的功函數(shù)之間的差設定成大于或等于2.3ev。因此，空穴阻擋層110可以抑制由于外電場而從上電極112注入空穴，并且即使在高溫環(huán)境中也可以抑制暗電流。此外，在通式(5)中，優(yōu)選的是，ar5～ar8的取代基和r50中的至少一個取代基是吸電子基團。換言之，由通式(5)表示的化合物優(yōu)選具有至少一個吸電子基團作為取代基。在這種情況下，在由通式(5)表示的化合物中，因為homo能級變深(絕對值增大)且電離電位增大，所以與相鄰上電極112的功函數(shù)的差會變大。因為包含由通式(5)表示的化合物的空穴阻擋層110可以進一步抑制從上電極112注入空穴，所以可以進一步抑制暗電流。此外，為了將由通式(5)表示的化合物的homo能級設定成更深的值，所以優(yōu)選地，由通式(5)表示的化合物包括更多的吸電子基團，并且優(yōu)選地，所包括的取代基的吸電子能力被設定為更高。在這種情況下，因為由通式(5)表示的化合物可以進一步抑制從上電極112注入空穴，所以可以進一步抑制暗電流。在上述說明中，例如，吸電子基團可以是鹵素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；Ⅴ；?、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基。作為由上面的通式(5)表示的化合物的優(yōu)選具體例，可以例舉出的有由以下結構式表示的化合物。然而，根據(jù)本公開第三實施方案的由通式(5)表示的化合物不限于以下示例性化合物。[化學式27]此外，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，因為基板102、下電極104、電子阻擋層106、光電轉換層108和上電極112的構成與第一實施方案的構成基本上相同，所以將省略它們的詳細說明。然而，優(yōu)選地，光電轉換層108形成在根據(jù)第一實施方案和第二實施方案的上述光電轉換膜中。如上所述，當使用電離電位與相鄰電極的功函數(shù)的差大于或等于2.3ev的空穴阻擋層時，根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件可以抑制暗電流。特別地，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，即使在高溫環(huán)境(例如，大于或等于50℃)中，也可以抑制暗電流增大。此外，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，當由通式(5)表示的化合物用在空穴阻擋層中時，可以將空穴阻擋層的電離電位與相鄰電極的功函數(shù)之間的能量差設定成大于或等于2.3ev。因此，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，可以在保持高的光電轉換效率的同時抑制暗電流。(4.2.根據(jù)第三實施方案的實施例)以下，將參照實施例和比較例詳細地說明根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件。然而，以下實施例只是例子，并且根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件不限于以下例子。(由通式(5)表示的化合物的合成)首先，將說明由通式(5)表示的化合物的合成方法。具體地，合成由以下結構式表示的b4pympm和b3pympm。使用1hnmr和fd-ms來鑒別合成的b4pympm和b3pympm。然而，下面將要說明的合成方法只是例子，并且由通式(5)表示的化合物的合成方法不限于以下例子。[化學式28]b4pympm的合成b4pympm通過以下的反應式6和7合成。[化學式29]反應式(6)反應式(7)首先，在氮氣氣氛下將4,6-二氯-2-甲基-嘧啶(5.0g，30.7mmol)、3,5-二氯苯基硼酸(12.9g，67.7mmol)、二氯雙(三苯基膦)鈀(ii)(pdcl2(pph3)2)(1.07g，0.96mmol)和碳酸鈉水溶液(1.0mol/l，150ml)添加到三頸燒瓶中，在乙腈(500ml)溶劑中將混合物攪拌10分鐘。將反應溶液與水混合，過濾提取析出的固體。用純水使析出的固體懸浮并洗滌，獲得白色固體。此外，使獲得的白色固體重結晶，獲得中間化合物a(11.8g，產(chǎn)率72％)。接下來，在氮氣氣氛下將中間化合物a(4.6g，11.9mmol)、4-吡啶硼酸頻哪醇酯(10.8g，52.6mmol)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(pd2(dba)3)(0.43g，0.48mmol)、三環(huán)己基膦(pcy3)(0.322g，1.15mmol)和磷酸鉀水溶液(1.35mol/l，138ml)添加到三頸燒瓶中，在二噁烷(440ml)溶劑中將混合物攪拌24小時。將反應溶液與水混合，過濾提取析出的固體。用純水使析出的固體懸浮并洗滌，獲得白色固體。此外，使獲得的白色固體升華提純，獲得作為目標化合物的b4pympm(6.67g，產(chǎn)率77％)。b3pympm的合成在反應式7中，通過與反應式6或7相同的方法合成b3pympm，除了使用3-吡啶硼酸頻哪醇酯來代替4-吡啶硼酸頻哪醇酯。(光電轉換元件的評價)此外，通過以下制造方法制作根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件。然而，下面將要說明的光電轉換元件的結構和制造方法只是例子。根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件的結構和制造方法不限于以下例子。(實施例17)首先，利用uv/臭氧處理清洗具有ito電極的si基板。此外，si基板中的對應于下電極的ito膜的膜厚是100nm。接下來，將si基板放入到有機沉積裝置中，將壓力減小到小于或等于1×10-5pa，并且在使基板固持器旋轉的同時，通過電阻加熱法沉積f6-subpc-cl(由tokyochemicalindustryco.,ltd.制造的升華提純后的產(chǎn)品)和叔丁基喹吖啶酮(由tokyochemicalindustryco.,ltd.制造的升華提純后的產(chǎn)品)。此外，沉積在0.05nm/sec的沉積速率下進行，這樣f6-subpc-cl和叔丁基喹吖啶酮(bqd)的比值變?yōu)?：1，并且形成總計120nm的膜以形成光電轉換層。接下來，通過電阻加熱法在光電轉換層之上沉積上面合成的b4pympm。沉積速率是0.05nm/sec，并且形成5nm膜以形成空穴阻擋層。隨后，通過濺射法在空穴阻擋層之上沉積膜厚為50nm的ito膜，從而形成上電極。此外，下電極和上電極形成為具有0.5mm×0.5mm的光電轉換面積。此外，形成上電極的元件的熱處理在用氮氣置換的手套箱中的熱板上在160℃下進行3.5小時以制作光電轉換元件。以下，將示出光電轉換層中使用的f6-subpc-cl和叔丁基喹吖啶酮(bqd)的結構式。[化學式30](實施例18)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了將空穴阻擋層形成為10nm的膜。(實施例19)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了將空穴阻擋層形成為20nm的膜。(實施例20)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了使用b3pympm代替b4pympm來形成空穴阻擋層。(比較例21)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的hatna代替b4pympm來形成空穴阻擋層。(比較例22)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了使用由以下結構式表示的me6-hatna代替b4pympm來形成空穴阻擋層。[化學式31](比較例23)通過與實施例17相同的方法制作光電轉換元件，除了未形成空穴阻擋層。(評價結果)首先，測量根據(jù)實施例17～20和比較例21～23的光電轉換元件中的各層使用的化合物(b4pympm、b3pympm、hatna、me6-hatna、f6-subpc-cl和bqd)的homo能級和lumo能級。此外，為了測量homo能級，使用在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的硅基板上通過沉積方法將各化合物形成為20nm膜的樣品。使用ups法計算將各化合物形成為膜的樣品的homo能級。此外，為了測量lumo能級，使用在已經(jīng)利用uv/臭氧處理過的石英基板上通過沉積方法將各有機材料形成為50nm膜的樣品。首先，測量樣品的透射率和反射率，并且計算相對于波長的吸光系數(shù)α。然后，計算所計算的吸光系數(shù)α的可見光區(qū)域的吸收端作為homo-lumo能隙，并且從homo能級減去homo-lumo能隙以計算lumo能級。下表7中示出了各化合物的測量的homo能級和lumo能級。此外，上電極中使用的ito的功函數(shù)是4.8ev。[表7](表7)如表7中的結果所示，可以理解的是，實施例17～19的空穴阻擋層中使用的b4pympm的電離電位(homo能級的絕對值)與上電極(ito)的功函數(shù)之間的差值是2.8ev，并且包括在本公開第三實施方案的優(yōu)選范圍內(nèi)。此外，可以理解的是，實施例20的空穴阻擋層中使用的b3pympm的電離電位與上電極的功函數(shù)之間的差值是2.4ev，并且包括在本公開第三實施方案的優(yōu)選范圍內(nèi)。另一方面，可以理解的是，比較例21的空穴阻擋層中使用的hatna的電離電位與上電極的功函數(shù)之間的差值是2.1ev，并且在本公開第三實施方案的優(yōu)選范圍之外。此外，可以理解的是，比較例22的空穴阻擋層中使用的me6-hatna的電離電位與上電極的功函數(shù)之間的差值是1.5ev，并且在本公開第三實施方案的優(yōu)選范圍之外。此外，針對上面制造的根據(jù)實施例17～20和比較例21～23的光電轉換元件評價光電轉換效率。此外，在60℃的高溫環(huán)境下進行根據(jù)實施例17～20和比較例21～23的光電轉換元件的全部評價。通過使用半導體參數(shù)分析儀測量外部量子效率來評價光電轉換效率。具體地，強度為1.62μw/cm2、波長為565nm的光從光源穿過濾光片照射到光電轉換元件，并且當施加在電極之間的偏置電壓被設定成-1v或-5v時，從明電流值和暗電流值計算外部量子效率。這里，施加在電極之間的偏置電壓被設定成-5v的條件可以增大外部量子效率，還可以增大暗電流。下表8中示出了上面的評價結果。在表8中，“-”表示沒有形成相應的層。此外，“能量差”表示空穴阻擋層的電離電位與上電極的功函數(shù)之間的能量差，并且通過獲得形成空穴阻擋層的各化合物的homo能級的絕對值與由ito形成的上電極(ito)的功函數(shù)(4.8ev)之間的差而計算出來。[表8]如表7和表8中的結果所示，可以理解的是，在根據(jù)本公開第三實施方案的實施例17～20中，與未設置空穴阻擋層的比較例23相比，可以在偏置電壓-1v和-5v下減小暗電流。此外，可以理解的是，實施例17～20可以在偏置電壓-1v和-5v下將外部量子效率增大至與比較例23相同的程度或更大的程度。然而，空穴阻擋層被形成為20nm膜的實施例19可以使暗電流減小的比實施例17和18多，但是具有與未設置空穴阻擋層的比較例23相同的外部量子效率。因此，可以理解的是，可以減小暗電流且增大外部量子效率的空穴阻擋層的優(yōu)選膜厚是小于或等于20nm。此外，可以理解的是，在比較例21和22中，因為空穴阻擋層的電離電位與上電極的功函數(shù)之間的能量差在根據(jù)本公開第三實施方案的優(yōu)選范圍之外，所以與實施例17～20相比，在偏置電壓-5v下的暗電流增大，因此這不是優(yōu)選的。此外，比較實施例17和實施例20，可以理解的是，實施例17可以增大外部量子效率。實施例17的空穴阻擋層中使用的b4pympm的lumo能級被認為比實施例20的空穴阻擋層中使用的b3pympm的lumo能級更優(yōu)選。具體地，因為b4pympm的lumo能級(-4.05ev)比b3pympm的lumo能級(-3.65ev)更接近于用作光電轉換層的n型光電轉換材料的f6-subpc-cl的lumo能級(-4.2ev)，所以通過光電轉換產(chǎn)生的電子被認為可以更有效地移動至電極。因此，應當理解的是，空穴阻擋層中使用的化合物的lumo能級比光電轉換層的n型光電轉換材料的lumo能級淺(絕對值小)，并且優(yōu)選地，空穴阻擋層中使用的化合物的lumo能級與n型光電轉換材料的lumo能級的差很小。如可以從上述結果理解的那樣，在根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件中，當設置有電離電位與相鄰電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev的空穴阻擋層時，可以抑制暗電流。特別地，根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件可以在高溫(例如，大于或等于50℃)的條件和高偏置電壓的條件下抑制暗電流增大。5.根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的應用例以下，將參照圖6～圖8說明包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜的光電轉換元件的應用例。(5.1.固態(tài)圖像傳感器的構成)首先，將參照圖6和圖7說明應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的構成。圖6是示出了應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的結構的示意圖。這里，在圖6中，像素區(qū)域201、211和231是設置有包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜的光電轉換元件的區(qū)域。此外，控制電路202、212和242是被構造成控制固態(tài)圖像傳感器中的各部件的運算處理電路。邏輯電路203、223和243是被構造成對通過像素區(qū)域中的光電轉換元件的光電轉換而獲得的信號進行處理的信號處理電路。例如，如圖6中的(a)所示，在應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器中，像素區(qū)域201、控制電路202和邏輯電路203可以形成在一個半導體芯片200內(nèi)。此外，如圖6中的(b)所示，應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器可以是像素區(qū)域211和控制電路212形成在第一半導體芯片210內(nèi)且邏輯電路223形成在第二半導體芯片220內(nèi)的層疊型固態(tài)圖像傳感器。此外，如圖6中的(c)所示，應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器可以是像素區(qū)域231形成在第一半導體芯片230內(nèi)且控制電路242和邏輯電路243形成在第二半導體芯片240內(nèi)的層疊型固態(tài)圖像傳感器。在圖6中的(b)和(c)所示的固態(tài)圖像傳感器中，控制電路和邏輯電路中的至少一個被形成在與形成有像素區(qū)域的半導體芯片分開的半導體芯片內(nèi)。因此，由于圖6中的(b)和(c)所示的固態(tài)圖像傳感器可以使像素區(qū)域延伸地比圖6中的(a)所示的固態(tài)圖像傳感器多，所以像素區(qū)域中容納的像素數(shù)量增加。因此，可以增大平面分辨率。為此，更優(yōu)選的是，應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器是圖6中的(b)和(c)所示的層疊型固態(tài)圖像傳感器。隨后，將參照圖7說明應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器的具體結構。圖7是示出了應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器中的單位像素的概要的截面圖。此外，圖7中所示的固態(tài)圖像傳感器300是光從與形成有像素晶體管等的面相對的面入射的背面照射型固態(tài)圖像傳感器。此外，在圖7中，相對于該圖，上側是光接收面，下側是形成有像素晶體管和周邊電路的電路形成面。如圖7所示，固態(tài)圖像傳感器300具有如下的構成：在光電轉換區(qū)域320中，在光的入射方向上層疊有包括形成在半導體基板330中的第一光電二極管pd1的光電轉換元件、包括形成在半導體基板330中的第二光電二極管pd2的光電轉換元件和包括形成在半導體基板330的背面?zhèn)鹊挠袡C光電轉換膜310的光電轉換元件。第一光電二極管pd1和第二光電二極管pd2形成在作為由硅制成的半導體基板330的第一導電型(例如，p型)半導體區(qū)域的阱區(qū)域331中。第一光電二極管pd1包括取決于形成在半導體基板330的光接收面?zhèn)鹊牡诙щ娦?例如，n型)雜質的n型半導體區(qū)域332和通過延伸一部分以到達半導體基板330的表面?zhèn)榷纬傻难由觳?32a。延伸部332a的表面上形成有用作電荷累積層的高濃度p型半導體區(qū)域334。此外，延伸部332a被形成為用于將在第一光電二極管pd1的n型半導體區(qū)域332中累積的信號電荷提取至半導體基板330的表面?zhèn)鹊奶崛印５诙怆姸O管pd2包括形成在半導體基板330的光接收面?zhèn)鹊膎型半導體區(qū)域336和形成在半導體基板330的表面?zhèn)惹矣米麟姾衫鄯e層的高濃度p型半導體區(qū)域338。在第一光電二極管pd1和第二光電二極管pd2中，當半導體基板330的界面處形成有p型半導體區(qū)域時，可以抑制在半導體基板330的界面處產(chǎn)生的暗電流。這里，例如，形成在離光接收面最遠的區(qū)域中的第二光電二極管pd2是吸收紅色光且進行光電轉換的紅色光電轉換元件。此外，例如，形成在比第二光電二極管pd2更接近光接收面?zhèn)鹊牡谝还怆姸O管pd1是吸收藍色光且進行光電轉換的藍色光電轉換元件。經(jīng)由防反射膜302和絕緣膜306在半導體基板330的背面上形成有機光電轉換膜310。此外，有機光電轉換膜310夾設在上電極312和下電極308之間而形成光電轉換元件。這里，例如，有機光電轉換膜310是吸收綠色光且進行光電轉換的有機膜，并且被形成為上述的根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜。此外，例如，上電極312和下電極308由諸如銦錫氧化物和銦鋅氧化物等透明導電材料制成。此外，下電極308被連接至經(jīng)由貫通防反射膜302的接觸插頭304而從半導體基板330的背面?zhèn)刃纬芍帘砻鎮(zhèn)鹊拇怪眰鬏斅窂?48。垂直傳輸路徑348被形成為具有其中連接部340、勢壘層342、電荷累積層344和p型半導體區(qū)域346從半導體基板330的背面?zhèn)葘盈B的結構。連接部340包括形成在半導體基板330的背面?zhèn)鹊母唠s質濃度的n型雜質區(qū)域且形成為與接觸插頭304歐姆接觸。勢壘層342包括低濃度的p型雜質區(qū)域且形成連接部340與電荷累積層344之間的勢壘。電荷累積層344累積從有機光電轉換膜310傳輸?shù)男盘栯姾?，并且形成在濃度比連接部340低的n型雜質區(qū)域中。此外，高濃度的p型半導體區(qū)域346形成在半導體基板330的表面上。利用p型半導體區(qū)域346，可以抑制在半導體基板330的界面處產(chǎn)生的暗電流。這里，在半導體基板330的表面?zhèn)龋?jīng)由層間絕緣層351形成有包括層疊在多層中的配線358的多層配線層350。此外，在半導體基板330的表面附近，形成有對應于第一光電二極管pd1、第二光電二極管pd2和有機光電轉換膜310的讀取電路352、354和356。讀取電路352、354和356讀取從各光電轉換元件輸出的信號且將信號傳輸至邏輯電路(未圖示)。此外，多層配線層350的表面上形成有支撐基板360。另一方面，在上電極312的光接收面?zhèn)?，遮光?16被形成為遮擋第一光電二極管pd1的延伸部332a和垂直傳輸路徑348。這里，遮光膜316之間的間隔區(qū)域是光電轉換區(qū)域320。此外，經(jīng)由平坦化膜314在遮光膜316之上形成有片上透鏡318。上面已經(jīng)說明了應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器300。此外，在應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的固態(tài)圖像傳感器300中，因為在縱向方向上對單位像素進行色分離，所以不用設置濾光片等。(5.2.電子設備的構成)接下來，將參照圖8說明應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備的構成。圖8是示出了應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備的構成的框圖。如圖8所示，電子設備400包括光學系統(tǒng)402、固態(tài)圖像傳感器404、數(shù)字信號處理器(dsp)電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416、記錄單元418和電源單元420。這里，dsp電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416、記錄單元418和電源單元420經(jīng)由總線410彼此連接。光學系統(tǒng)402獲得來自被寫體的入射光且在固態(tài)圖像傳感器404的成像面上形成圖像。此外，固態(tài)圖像傳感器404包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件，將通過光學系統(tǒng)402而聚焦在成像面上的入射光的強度轉換成以像素為單位的電信號，并且作為像素信號輸出結果。dsp電路406對從固態(tài)圖像傳感器404傳輸?shù)南袼匦盘栠M行處理且將結果輸出至輸出單元412、幀存儲器416、記錄單元418等。此外，例如，控制單元408包括運算處理電路，并且控制電子設備400中的各部件的操作。例如，輸出單元412是諸如液晶顯示器和有機電致發(fā)光顯示器等面板型顯示裝置，并且顯示利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻或靜止圖像。這里，輸出單元412還可以包括諸如揚聲器和頭戴式耳機等聲音輸出裝置。這里，例如，輸入單元414是諸如觸摸面板和按鈕等用于輸入用戶的操作的裝置，并且根據(jù)用戶的操作而發(fā)出針對電子設備400的各種功能的操作指令。幀存儲器416臨時地存儲利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻、靜止圖像等。此外，記錄單元418將利用固態(tài)圖像傳感器404成像的視頻、靜止圖像等存儲在諸如磁盤、光盤、磁光盤和半導體存儲器等可移動存儲介質中。電源單元420將用作dsp電路406、控制單元408、輸出單元412、輸入單元414、幀存儲器416和記錄單元418的操作電源的各種類型的電力適宜地供給這些供給對象。上面已經(jīng)說明了應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備400。例如，應用根據(jù)本公開實施方案的光電轉換元件的電子設備400可以是成像裝置。6.總結如上所述，當根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜包含上述化合物時，可以選擇性地吸收特定波段的光。因此，由于包括根據(jù)本公開實施方案的光電轉換膜的光電轉換元件具有作為固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換元件的適宜光譜特性，所以可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度和分辨率。根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜包含由以上通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以上通式(2)表示的亞酞菁衍生物。由以上通式(2)表示的亞酞菁衍生物具有高的耐熱性、選擇性地吸收綠色光并且具有與喹吖啶酮衍生物匹配的光譜特性。因此，根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜具有吸收綠色光的陡峭的光譜特性。因此，由于根據(jù)本公開第一實施方案的光電轉換膜可以選擇性地吸收綠色光，所以適于固態(tài)圖像傳感器中的綠色光電轉換元件。因此，可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度和分辨率。此外，根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜包含由以上通式(3)或(4)表示的不吸收可見光的透明化合物。因為由以上通式(3)或(4)表示的不吸收可見光的透明化合物不具有可見光的吸收帶，所以對光電轉換膜的光譜特性沒有影響。因此，形成為包含由通式(3)或(4)表示的透明化合物和有機染料化合物的光電轉換膜可以具有與有機染料化合物相同的光譜特性。因此，由于根據(jù)本公開第二實施方案的光電轉換膜可以選擇性地吸收由有機染料化合物所吸收的光，所以適于固態(tài)圖像傳感器中的光電轉換元件。因此，可以增大固態(tài)圖像傳感器的敏感度和分辨率。此外，根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件包括電離電位與相鄰電極的功函數(shù)之間的差值大于或等于2.3ev的空穴阻擋層。因為這樣的空穴阻擋層可以抑制空穴由于外電場而從電極注入，所以可以減小暗電流。因此，由于根據(jù)本公開第三實施方案的光電轉換元件可以抑制暗電流，所以適于固態(tài)圖像傳感器?？梢栽龃蠊虘B(tài)圖像傳感器的敏感度和分辨率。本領域的技術人員應當理解的是，可以根據(jù)設計要求和其他因素而存在各種各樣的變形、組合、子組合和改變，只要它們在所附權利要求及其等同物的范圍內(nèi)。此外，本說明書中記載的效果僅僅是說明性和例示性的，而不是限制性的。換言之，連同或代替基于本說明書的效果，根據(jù)本公開的技術可以表現(xiàn)出對本領域技術人員顯而易見的其他效果。此外，本公開還可以如下構成。(1)一種光電轉換膜，其包含：由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物；和由以下通式(2)表示的亞酞菁衍生物，[化學式32]其中，在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺酰基、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r1～r10中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和[化學式33]在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，x表示選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，并且r11～r16中的至少一個表示氟。(2)根據(jù)(1)所述的光電轉換膜，其中，r11～r16表示氟。(3)根據(jù)(1)或(2)所述的光電轉換膜，其中x表示選自鹵素、羥基、取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的芳氧基的任意取代基。(4)根據(jù)(1)～(3)中任一項所述的光電轉換膜，其中所述亞酞菁衍生物的最低未占據(jù)分子軌道(lumo)能級比所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級深，并且所述亞酞菁衍生物的lumo能級與所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。(5)根據(jù)(1)～(4)中任一項所述的光電轉換膜，其中，所述喹吖啶酮衍生物和所述亞酞菁衍生物形成本體異質膜。(6)一種光電轉換膜，其包含：不吸收可見光且由通式(3)或(4)表示的透明化合物，[化學式34]其中，在通式(3)中，r21～r32每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；被?、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r21～r32中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r41～r48中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且ar1～ar4每一個獨立地表示取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜芳基。(7)根據(jù)(6)所述的光電轉換膜，其中，通式(3)中的r21、r24、r25、r28、r29和r32表示氫。(8)根據(jù)(6)所述的光電轉換膜，其中，通式(4)中的ar1～ar4的取代基和r41～r48中的至少一個是吸電子基團。(9)根據(jù)(8)所述的光電轉換膜，其中，所述吸電子基團是選自鹵素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺?；⑼榛酋；Ⅴ；?、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基的任意取代基。(10)根據(jù)(6)～(9)中任一項所述的光電轉換膜，其還包含：有機染料化合物，所述有機染料化合物和由通式(3)或通式(4)表示的化合物形成本體異質膜。(11)根據(jù)(10)所述的光電轉換膜，其中，所述有機染料化合物是吸收波段大于或等于約450nm且小于或等于約600nm的綠色光的化合物。(12)根據(jù)(10)或(11)所述的光電轉換膜，其中，所述有機染料化合物由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物，[化學式35]其中，在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r1～r10中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。(13)根據(jù)(12)所述的光電轉換膜，其中，由通式(3)或(4)表示的化合物的lumo能級比所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級深，并且由通式(3)或(4)表示的化合物的lumo能級與所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。(14)一種光電轉換元件，其包括：光電轉換膜；配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間；和配置在所述光電轉換膜和一個電極之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層的電離電位與鄰近所述空穴阻擋層的一個電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev。(15)根據(jù)(14)所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層包含由以下通式(5)表示的化合物，[化學式36]其中，在通式(5)中，r50表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，并且ar5～ar8表示取代或未取代的雜芳基。(16)根據(jù)(15)所述的光電轉換元件，其中，ar5～ar8的取代基和r50中的至少一個是吸電子基團。(17)根據(jù)(16)所述的光電轉換元件，其中，所述吸電子基團是選自鹵素、氰基、硝基、磺?；⒎蓟酋；?、烷基磺酰基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基的任意取代基。(18)根據(jù)(15)所述的光電轉換元件，其中，由通式(5)表示的化合物是由以下結構式中任一個表示的化合物。[化學式37](19)根據(jù)(14)～(18)中任一項所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層的厚度大于或等于5nm且小于或等于20nm。(20)根據(jù)(14)～(19)中任一項所述的光電轉換元件，其中，所述鄰近的一個電極是透明電極。(21)根據(jù)(20)所述的光電轉換元件，其中，所述鄰近的一個電極包含銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的至少一種。(22)一種固態(tài)圖像傳感器，其包括光電轉換膜，所述光電轉換膜包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亞酞菁衍生物，[化學式38]在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；?、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r1～r10中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和[化學式39]在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，x表示選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，并且r11～r16中的至少一個表示氟。(23)一種固態(tài)圖像傳感器，其包括光電轉換膜，所述光電轉換膜包含由以下通式(3)或(4)表示且不吸收可見光的透明化合物，[化學式40]在通式(3)中，r21～r32每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r21～r32中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r41～r48中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且ar1～ar4每一個獨立地表示取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜芳基。(24)一種固態(tài)圖像傳感器，其包括：光電轉換元件，所述光電轉換元件包括，光電轉換膜，配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間，和配置在所述光電轉換膜和一個電極之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層的電離電位與鄰近的一個電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev。(25)根據(jù)(22)～(24)中任一項所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述光電轉換膜包含吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的綠色光的有機染料化合物并且對吸收的綠色光進行光電轉換。(26)根據(jù)(22)～(24)中任一項所述的固態(tài)圖像傳感器，其被構造為層疊型固態(tài)圖像傳感器，包括形成有光電轉換膜的第一芯片和形成有被構造成對由所述光電轉換膜的光電轉換而獲得的信號進行處理的信號處理電路且層疊在第一芯片上的第二芯片。(27)一種電子設備，其包括：固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括具有由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亞酞菁衍生物的光電轉換膜；被構造成將入射光引導到所述固態(tài)圖像傳感器的光學系統(tǒng)；和被構造成對從所述固態(tài)圖像傳感器輸出的信號進行運算處理的運算處理電路，[化學式41]在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r1～r10中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和[化學式42]在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基，x表示選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，并且r11～r16中的至少一個表示氟。(28)一種電子設備，它包括：固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括包含由以下通式(3)或(4)表示且不吸收可見光的透明化合物的光電轉換膜；被構造成將入射光引導到所述固態(tài)圖像傳感器的光學系統(tǒng)；和被構造成對從所述固態(tài)圖像傳感器輸出的信號進行運算處理的運算處理電路，[化學式43]在通式(3)中，r21～r32每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；⒎蓟酋；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r21～r32中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地表示選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基的任意取代基或者通過使r41～r48中的任何相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且ar1～ar4每一個獨立地表示取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜芳基。(29)一種電子設備，其包括：固態(tài)圖像傳感器，所述固態(tài)圖像傳感器包括光電轉換元件，所述光電轉換元件包括：光電轉換膜；配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間；和配置在所述光電轉換膜和一個電極之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層的電離電位與鄰近的一個電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev；被構造成將入射光引導到所述固態(tài)圖像傳感器的光學系統(tǒng)；和被構造成對從所述固態(tài)圖像傳感器輸出的信號進行運算處理的運算處理電路。(30)一種光電轉換膜，其包含：由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：[化學式44]和由通式(2)表示的亞酞菁衍生物：[化學式45]其中，在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺?；?、烷基磺?；被?、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r1～r10中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，其中，在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；⒎蓟酋；?、烷基磺?；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基，其中，x選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基，并且其中，r11～r16中的至少一個表示氟。(31)根據(jù)(30)所述的光電轉換膜，其中，r11～r16每一個都是氟。(32)根據(jù)(30)或(31)所述的光電轉換膜，其中x選自鹵素、羥基、取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的芳氧基。(33)根據(jù)(30)～(32)中任一項所述的光電轉換膜，其中所述亞酞菁衍生物的最低未占據(jù)分子軌道(lumo)能級比所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級深，并且所述亞酞菁衍生物的lumo能級與所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。(34)根據(jù)(30)～(33)中任一項所述的光電轉換膜，其中，所述喹吖啶酮衍生物和所述亞酞菁衍生物是本體異質膜。(35)一種光電轉換膜，其包含：不吸收可見光且由通式(3)和通式(4)中的至少一個表示的透明化合物：[化學式46]其中，在通式(3)中，r21～r32每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；⒎蓟酋；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r21～r32中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，和其中，在通式(4)中，r41～r48每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；被?、烷氨基、芳氨基、?；Ⅴ０被?、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r41～r48中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基，并且其中，ar1～ar4每一個獨立地是取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基中的一個。(36)根據(jù)(35)所述的光電轉換膜，其中，所述透明化合物至少由通式(3)表示，并且通式(3)中的r21、r24、r25、r28、r29和r32均是氫。(37)根據(jù)(35)或(36)所述的光電轉換膜，其中，所述透明化合物至少由通式(4)表示，并且通式(4)中的ar1～ar4和r41～r48中的至少一個是吸電子基團。(38)根據(jù)(35)～(37)中任一項所述的光電轉換膜，其中，所述吸電子基團選自鹵素、氰基、硝基、磺?；⒎蓟酋；⑼榛酋；?、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基。(39)根據(jù)(35)～(38)中任一項所述的光電轉換膜，其還包含：有機染料化合物，其中所述有機染料化合物和由通式(3)和通式(4)中的至少一個表示的化合物是本體異質膜。(40)根據(jù)(35)～(39)中任一項所述的光電轉換膜，其中，所述有機染料化合物吸收波段大于或等于約450nm且小于或等于約600nm的綠色光。(41)根據(jù)(35)～(40)中任一項所述的光電轉換膜，其中，所述有機染料化合物是由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：[化學式47]其中，在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；⒎蓟酋；?、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r1～r10中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基。(42)根據(jù)(35)～(41)中任一項所述的光電轉換膜，其中，通式(3)和通式(4)中的至少一個的lumo能級比所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級深，并且通式(3)和通式(4)中的至少一個的lumo能級與所述喹吖啶酮衍生物的lumo能級之間的差大于或等于0.1ev且小于或等于1.0ev。(43)一種光電轉換元件，其包括：光電轉換膜；配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間；和配置在所述光電轉換膜和一個電極之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層的電離電位與所述的一個電極的功函數(shù)之間的差大于或等于2.3ev。(44)根據(jù)(43)所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層包含由通式(5)表示的化合物：[化學式48]其中，在通式(5)中，r50選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；⒎蓟酋；⑼榛酋；?、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基，并且其中，ar5～ar8每一個表示取代或未取代的雜芳基。(45)根據(jù)(43)或(44)所述的光電轉換元件，其中，ar5～ar8和r50中的至少一個是吸電子基團。(46)根據(jù)(43)～(45)中任一項所述的光電轉換元件，其中，所述吸電子基團選自鹵素、氰基、硝基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；?、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基。(47)根據(jù)(43)～(46)中任一項所述的光電轉換元件，其中，通式(5)是以下結構式中的任一個：[化學式49](48)根據(jù)(43)～(47)中任一項所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層的厚度大于或等于約5nm且小于或等于約20nm。(49)一種電子設備，其包括：光電轉換膜，所述光電轉換膜包含：由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：[化學式50]和由通式(2)表示的亞酞菁衍生物：[化學式51]其中，在通式(1)中，r1～r10每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺?；被?、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基和通過使r1～r10中的彼此相鄰的至少兩個縮合而形成的芳基或雜芳基；其中，在通式(2)中，r11～r16每一個獨立地選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺?；?、芳基磺?；⑼榛酋；被?、烷氨基、芳氨基、?；?、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基；其中，x選自鹵素、羥基、巰基、酰亞氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基；并且其中，r11～r16中的至少一個表示氟。附圖標記列表100光電轉換元件102基板104下電極106電子阻擋層108光電轉換層110空穴阻擋層112上電極當前第1頁12