本發(fā)明涉及電荷傳輸性清漆，更詳細地說，涉及配合有通過使特定的烷氧基硅烷化合物水解縮合而得到的有機硅烷化合物的電荷傳輸性清漆。
背景技術：
：人們期待，有機電致發(fā)光(EL)元件在顯示器和照明領域中實現(xiàn)實用化，近年來，為了達到低電壓驅(qū)動、高亮度、長壽命等目的，人們進行了涉及材料和元件結構等各種各樣的開發(fā)。該有機EL元件中，從提高其性能的觀點考慮，使用許多種功能性薄膜，其中，空穴注入層和空穴傳輸層承擔著陽極與發(fā)光層之間的電荷的授受，發(fā)揮用于實現(xiàn)有機EL元件的低電壓驅(qū)動和高亮度的重要功能。該空穴注入層和空穴傳輸層的形成方法大致分為以蒸鍍法為代表的干式法以及以旋轉涂布法為代表的濕式法，對這些方法進行比較，濕式法可以高效率地制造大面積且平坦性優(yōu)良的薄膜，因此，特別是在顯示器的領域中，經(jīng)常采用濕式法。在要求提高有機EL元件性能的今天，人們往往要求對空穴注入層或空穴傳輸層用的濕式法材料加以改善，特別地，從能夠有助于提高有機EL元件的亮度特性和壽命特性方面考慮，對于用以形成平坦性優(yōu)良的電荷傳輸性薄膜的材料的需求日益提高?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：特開2003－045667號公報專利文獻2：特開2007－169593號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明就是鑒于上述情況而進行的研究，目的在于提供一類具有能夠形成優(yōu)良平坦性和高電荷傳輸性、在適用于有機EL元件時能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的亮度特性的薄膜的電荷傳輸性清漆。用于解決課題的手段本發(fā)明人等為了達到上述目的而反復進行了精心的研究，結果發(fā)現(xiàn)，含有電荷傳輸性物質(zhì)和有機溶劑、并且還含有特定的有機硅烷化合物的電荷傳輸清漆，能夠形成優(yōu)良平坦性和高電荷傳輸性的薄膜，同時還發(fā)現(xiàn)，當將該薄膜適用于有機EL元件時，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的亮度特性，至此完成了本發(fā)明。予以說明，曾有報導通過使含有聚苯乙烯磺酸或聚苯胺等導電性聚合物的組合物中含有環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷或特定的硅氧烷系物質(zhì)，可以提高具備由該組合物制得的薄膜的有機EL元件的亮度特性和壽命(參見專利文獻1、2)，但未見到有關本發(fā)明中使用的含有有機硅烷化合物的電荷傳輸性清漆的報導。即，本發(fā)明提供：1、電荷傳輸性清漆，其含有電荷傳輸性物質(zhì)、有機硅烷化合物、以及有機溶劑；其特征在于，上述有機硅烷化合物為預先將烷氧基硅烷化合物水解縮合來調(diào)制成的重均分子量為500～10000的聚合物，上述烷氧基硅烷化合物含有選自由式(1－1)及(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種：SiR1(OR2)3(1－1)SiR12(OR2)2(1－2)式中，R1各自獨立地表示被Z1取代的碳數(shù)1～20的烷基、或者被Z2取代的碳數(shù)6～20的芳基；R2各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z1表示鹵原子、氰基、硝基、被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷氧基、被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者被Z3取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z2表示鹵原子、氰基、硝基、或者被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z3表示鹵原子、氰基、或者硝基。2、1所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述烷氧基硅烷化合物含有選自由上述式(1－1)和式(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種、和選自由式(2－1)～(2－3)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種：Si(OR3)4(2－1)SiR42(OR3)2(2－2)SiR4(OR3)3(2－3)式中，R3各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；R4各自獨立地表示碳數(shù)1～20的烷基、可被Z4取代的碳數(shù)2～20的烯基、可被Z4取代的碳數(shù)2～20的炔基、碳數(shù)6～20的芳基、或者可被Z5取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z3表示與上述相同的含義；Z4表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、硫醇基、可被Z6取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者可被Z6取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z5表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、硫醇基、可被Z6取代的碳數(shù)1～20的烷基、可被Z6取代的碳數(shù)1～20的烯基、或者可被Z6取代的碳數(shù)1～20的炔基；Z6表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、或者硫醇基。3、1或2所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述烷氧基硅烷化合物含有由上述式(1－1)表示的烷氧基硅烷化合物、和由上述式(2－1)表示的烷氧基硅烷化合物；4、1～3的任1項所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述電荷傳輸性物質(zhì)為苯胺衍生物；5、電荷傳輸性薄膜，其是使用1～4的任1項所述的電荷傳輸性清漆制作的；6、有機電致發(fā)光元件，其具有5所述的電荷傳輸性薄膜；7、6所述的有機電致發(fā)光元件，其中，上述電荷傳輸性薄膜為空穴注入層或者空穴傳輸層；8、電荷傳輸性薄膜的制造方法，其特征在于，將1～4的任1項所述的電荷傳輸性清漆涂布到基材上，使溶劑蒸發(fā)；9、有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，使用5所述的電荷傳輸性薄膜；10、電荷傳輸性薄膜的離子化電勢深化(deepeningionizationpotential)方法，其為由含有電荷傳輸性物質(zhì)和有機溶劑的電荷傳輸性清漆得到的電荷傳輸性薄膜的離子化電勢深化方法；其特征在于，向上述電荷傳輸性清漆中，添加將含有選自由式(1－1)及(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種的烷氧基硅烷化合物水解縮合來調(diào)制成的重均分子量為500～10000的聚合物：SiR1(OR2)3(1－1)SiR12(OR2)2(1－2)式中，R1各自獨立地表示被Z1取代的碳數(shù)1～20的烷基、或者被Z2取代的碳數(shù)6～20的芳基；R2各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z1表示鹵原子、氰基、硝基、被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷氧基、被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者被Z3取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z2表示鹵原子、氰基、硝基、或者被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z3表示鹵原子、氰基、或者硝基。11、電荷傳輸性薄膜的離子化電勢深化方法，其為含有電荷傳輸性物質(zhì)的電荷傳輸性薄膜的離子化電勢深化方法；其特征在于，當制作上述電荷傳輸性薄膜時，使用將含有上述電荷傳輸性物質(zhì)以及選自由式(1－1)及(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種的烷氧基硅烷化合物水解縮合來調(diào)制成的重均分子量為500～10000的聚合物，將上述聚合物導入到上述電荷傳輸性薄膜內(nèi)：SiR1(OR2)3(1－1)SiR12(OR2)2(1－2)式中，R1各自獨立地表示被Z1取代的碳數(shù)1～20的烷基、或者被Z2取代的碳數(shù)6～20的芳基；R2各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z1表示鹵原子、氰基、硝基、被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷氧基、被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者被Z3取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z2表示鹵原子、氰基、硝基、或者被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z3表示鹵原子、氰基、或者硝基。發(fā)明的效果通過使用本發(fā)明的電荷傳輸性清漆，采用各種濕式法，可以再現(xiàn)性良好地獲得平坦性良好的電荷傳輸性薄膜。另外，本發(fā)明的電荷傳輸性清漆由于含有特定的有機硅烷化合物，因此，與使用不含該特定有機硅烷化合物的清漆的情況相比，所獲薄膜的離子化電勢變深，其結果，可以減少該薄膜和與其接觸的陰極側的功能性薄膜之間的電荷傳輸?shù)膭輭?barrier)。通過將該平坦性良好、具有適宜的離子化電勢的本發(fā)明電荷傳輸性薄膜適用于有機EL元件的空穴注入層或空穴傳輸層、優(yōu)選空穴傳輸層，可以謀求提高元件的亮度特性。另外，本發(fā)明的電荷傳輸性清漆即使在采用旋轉涂布法或狹縫涂布法等可大面積成膜的各種濕法工藝的情況下，也能夠再現(xiàn)性良好地制造電荷傳輸性優(yōu)良的薄膜，因此，能夠充分應對近年來在有機EL元件領域的進展。予以說明，也可以期待本發(fā)明的電荷傳輸性薄膜在電容器電極保護膜、抗靜電膜、有機薄膜太陽能電池的陽極緩沖層等方面的應用。具體實施方式下面更詳細地說明本發(fā)明。本發(fā)明所述的電荷傳輸性清漆含有電荷傳輸性物質(zhì)、包含通過預先將烷氧基硅烷化合物水解縮合來調(diào)制成的重均分子量為500～10000的聚合物的有機硅烷化合物、以及有機溶劑，上述烷氧基硅烷化合物含有選自由式(1－1)及(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種，從進一步提高聚合物的分子量考慮，優(yōu)選含有由式(1－1)表示的三烷氧基硅烷化合物。SiR1(OR2)3(1－1)SiR12(OR2)2(1－2)此處，R1各自獨立地表示被Z1取代的碳數(shù)1～20的烷基、或者被Z2取代的碳數(shù)6～20的芳基；R2各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z1表示鹵原子、氰基、硝基、被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷氧基、被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者被Z3取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z2表示鹵原子、氰基、硝基、或者被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；Z3表示鹵原子、氰基、或者硝基。作為鹵原子，可列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。作為碳數(shù)1～20的烷基，可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種，可列舉出例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳數(shù)1～20的直鏈或者支鏈狀烷基；環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)壬基、環(huán)癸基、雙環(huán)丁基、雙環(huán)戊基、雙環(huán)己基、雙環(huán)庚基、雙環(huán)辛基、雙環(huán)壬基、雙環(huán)癸基等碳數(shù)3～20的環(huán)狀烷基等。作為碳數(shù)1～20的烷氧基的具體例，可列舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等碳數(shù)1～20的直鏈或者支鏈狀烷基；環(huán)丙氧基、環(huán)丁氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基、環(huán)庚氧基、環(huán)辛氧基、環(huán)壬氧基、環(huán)癸氧基等碳數(shù)3～20的環(huán)狀烷基等。作為碳數(shù)6～20的芳基的具體例，可列舉出苯基、1－萘基、2－萘基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－菲基、2－菲基、3－菲基、4－菲基、9－菲基等。作為碳數(shù)2～20的雜芳基的具體例，可列舉出2－噻吩基、3－噻吩基、2－呋喃基、3－呋喃基、2－唑基、4－唑基、5－唑基、3－異唑基、4－異唑基、5－異唑基、2－噻唑基、4－噻唑基、5－噻唑基、3－異噻唑基、4－異噻唑基、5－異噻唑基、2－咪唑基、4－咪唑基、2－吡啶基、3－吡啶基、4－吡啶基等。R1和R2中，烷基的碳數(shù)優(yōu)選為10以下，更優(yōu)選為6以下，進一步優(yōu)選為4以下。另外，芳基和雜芳基的碳數(shù)優(yōu)選為14以下，更優(yōu)選為10以下，進一步優(yōu)選為6以下。作為Z1和Z2，優(yōu)選為鹵原子，以氟原子為最佳；作為Z3，在R2中，優(yōu)選不存在(即，非取代)，在Z1和Z2中，優(yōu)選為鹵原子，以氟原子為最佳。作為被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基，可列舉出在上述碳數(shù)1～20的烷基中至少1個氫原子被Z3取代而成的烷基，作為其具體例，可列舉出氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、2,2,2－三氯乙基、五氯乙基、2,2,2－三溴乙基、五溴乙基、2,2,2－三氟乙基、五氟乙基、3,3,3－三氯丙基、2,2,3,3－四氯丙基、2,2,3,3,3－五氯丙基、七氯丙基、七氯異丙基、3,3,3－三溴丙基、2,2,3,3－四溴丙基、2,2,3,3,3－五溴丙基、七溴丙基、七溴異丙基、3,3,3－三氟丙基、2,2,3,3－四氟丙基、2,2,3,3,3－五氟丙基、七氟丙基、七氟異丙基、2,2,2－三氯－1－(三氯甲基)乙基、2,2,2－三溴－1－(三溴甲基)乙基、2,2,2－三氟－1－(三氟甲基)乙基、4,4,4－三氯丁基、九氯丁基、4,4,4－三溴丁基、九溴丁基、4,4,4－三氟丁基、九氟丁基、2,2,3,3,4,4,5,5－八氯戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5－九氯戊基、十一氯戊基、2,2,3,3,4,4,5,5－八溴戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5－九溴戊基、十一溴戊基、2,2,3,3,4,4,5,5－八氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5－九氟戊基、十一氟戊基、3,3,4,4,5,5,6,6,6－九氯己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6－十氯己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6－十一氯己基、十三氯己基、3,3,4,4,5,5,6,6,6－九溴己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6－十溴己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6－十一溴己基、十三溴己基、3,3,4,4,5,5,6,6,6－九氟己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6－十氟己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6－十一氟己基、十三氟己基、十三氯－1,1,2,2－四氫辛基、全氯辛基、十三溴－1,1,2,2－四氫辛基、全溴辛基、十三氟－1,1,2,2－四氫辛基、全氟辛基、十七氯－1,1,2,2－四氫癸基、十七溴－1,1,2,2－四氫癸基、十七氟－1,1,2,2－四氫癸基等鹵代烷基；氰甲基、2－氰乙基、3－氰丙基、4－氰丁基等氰烷基；硝基甲基、2－硝基乙基、3－硝基丙基、4－硝基丁基等硝基烷基等，優(yōu)選為鹵代烷基，更優(yōu)選為氟代烷基。作為被Z1取代的碳數(shù)1～20的烷基，可列舉出在上述碳數(shù)1～20的烷基中的至少1個氫原子被Z1取代而成的烷基，作為其具體例，除了在上述被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基中所例示的基團以外，還可列舉出3－(七氟異丙氧基)丙基、4－三氟甲基苯基甲基等，該情況下，優(yōu)選為被具有鹵原子的烷氧基、芳基、或者雜芳基取代的烷基，更優(yōu)選為被具有氟原子的烷氧基、芳基、或者雜芳基取代的烷基。作為被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷氧基的具體例，可列舉出能夠從上述被Z3取代的具有碳數(shù)1～20的烷基的醇類中除去羥基上的氫原子的基團，可列舉出例如，氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、溴甲氧基、二溴甲氧基、三溴甲氧基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、2,2,2－三氯乙氧基、五氯乙氧基、2,2,2－三溴乙氧基、五溴乙氧基、2,2,2－三氟乙氧基、五氟乙氧基、3,3,3－三氯丙氧基、2,2,3,3－四氯丙氧基、2,2,3,3,3－五氯丙氧基、七氯丙氧基、七氯異丙氧基、3,3,3－三溴丙氧基、2,2,3,3－四溴丙氧基、2,2,3,3,3－五溴丙氧基、七溴丙氧基、七溴異丙氧基、3,3,3－三氟丙氧基、2,2,3,3－四氟丙氧基、2,2,3,3,3－五氟丙氧基、七氟丙氧基、七氟異丙氧基等，優(yōu)選為鹵代烷氧基，更優(yōu)選為氟代烷氧基。作為被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基，可列舉出在上述碳數(shù)6～20的芳基中的至少1個氫原子被Z3取代而成的芳基，作為其具體例，可列舉出4－氯苯基、4－溴苯基、4－氟苯基、2,4－二氯苯基、2,4－二溴苯基、2,4－二氟苯基、五氯苯基、五溴苯基、五氟苯基等鹵代芳基；4－氰基苯基、2,4－二氰基苯基、2,4,6－三氰基苯基等氰基芳基；4－硝基苯基、2,4－二硝基苯基、2,4,6－三硝基苯基等硝基芳基等，優(yōu)選為鹵代芳基，更優(yōu)選為氟代芳基。作為被Z2取代的碳數(shù)6～20的芳基，除了在上述被Z3取代的碳數(shù)6～20的芳基中所例示的基團以外，還可列舉出4－三氯甲基苯基、4－三溴甲基苯基、4－三氟甲基苯基等具有鹵代烷基的芳基等，優(yōu)選為具有氟代烷基的芳基。作為被Z3取代的碳數(shù)2～20的雜芳基，可列舉出在上述碳數(shù)2～20的雜芳基中的至少1個氫原子被Z3取代而成的雜芳基，作為其具體例，可列舉出5－氯－噻吩－2－基、5－溴－噻吩－2－基、5－氟－噻吩－2－基、5－氯－噻吩－3－基、5－溴－噻吩－3－基、5－氟－噻吩－3－基等鹵代噻吩基；5－氰基－噻吩－2－基、5－氰基－噻吩－3－基等氰基噻吩基；5－硝基－噻吩－2－基、5－硝基－噻吩－3－基等硝基噻吩基；5－氯－呋喃－2－基、5－溴－呋喃－2－基、5－氟－呋喃－2－基、5－氯－呋喃－3－基、5－溴－呋喃－3－基、5－氟－呋喃－3－基等鹵代呋喃基；5－氰基－呋喃－2－基、5－氰基－呋喃－3－基等氰基呋喃基；5－硝基－呋喃－2－基、5－硝基－呋喃－3－基等硝基呋喃基；6－氯－吡啶－2－基、6－溴－吡啶－2－基、6－氟－吡啶－2－基、6－氯－吡啶－3－基、6－溴－吡啶－3－基、6－氟－吡啶－3－基、6－氯－吡啶－4－基、6－溴－吡啶－4－基、6－氟－吡啶－4－基等鹵代吡啶基；6－氰基－吡啶－2－基、6－氰基－吡啶－3－基、6－氰基－吡啶－4－基等氰基吡啶基、6－硝基－吡啶－2－基、6－硝基－吡啶－3－基、6－硝基－吡啶－4－基等硝基吡啶基等。作為由上述式(1－1)表示的三烷氧基硅烷的具體例，可列舉出三乙氧基(4－(三氟甲基)苯基)硅烷、3,3,3－三氟丙基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、十三氟－1,1,2,2－四氫辛基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷、3－(七氟異丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、十七氟－1,1,2,2－四氫癸基三乙氧基硅烷等。作為由上述式(1－2)表示的二烷氧基硅烷的具體例，可列舉出3,3,3－三氟丙基甲基二甲氧基硅烷等。在調(diào)制本發(fā)明中使用的有機硅烷化合物(聚合物)的過程中，可以將上述式(1－1)和/或式(1－2)表示的烷氧基硅烷化合物與選自式(2－1)～(2－3)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種并用，特別地，如果從進一步提高所獲聚合物的分子量考慮，優(yōu)選將式(2－1)表示的四烷氧基硅烷化合物并用。Si(OR3)4(2－1)SiR42(OR3)2(2－2)SiR4(OR3)3(2－3)此處，R3各自獨立地表示可被Z3取代的碳數(shù)1～20的烷基；R4各自獨立地表示碳數(shù)1～20的烷基、可被Z4取代的碳數(shù)2～20的烯基、可被Z4取代的碳數(shù)2～20的炔基、碳數(shù)6～20的芳基、或者可被Z5取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z4表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、硫醇基、可被Z6取代的碳數(shù)6～20的芳基、或者可被Z6取代的碳數(shù)2～20的雜芳基；Z5表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、硫醇基、可被Z6取代的碳數(shù)1～20的烷基、可被Z6取代的碳數(shù)1～20的烯基、或者可被Z6取代的碳數(shù)1～20的炔基；Z6表示鹵原子、硝基、氰基、羥基、或者硫醇基。予以說明，Z3表示與上述相同的含義。作為碳數(shù)2～20的烯基的具體例，可列舉出乙烯基、正－1－丙烯基、正－2－丙烯基、1－甲基乙烯基、正－1－丁烯基、正－2－丁烯基、正－3－丁烯基、2－甲基－1－丙烯基、2－甲基－2－丙烯基、1－乙基乙烯基、1－甲基－1－丙烯基、1－甲基－2－丙烯基、正－1－戊烯基、正－1－癸烯基、正－1－二十碳烯基等。作為碳數(shù)2～20的炔基的具體例，可列舉出乙炔基、正－1－丙炔基、正－2－丙炔基、正－1－丁炔基、正－2－丁炔基、正－3－丁炔基、1－甲基－2－丙炔基、正－1－戊炔基、正－2－戊炔基、正－3－戊炔基、正－4－戊炔基、1－甲基－正－丁炔基、2－甲基－正－丁炔基、3－甲基－正－丁炔基、1，1－二甲基－正－丙炔基、正－1－己炔基、正－1－癸炔基、正－1－十五碳炔基、正－1－二十碳炔基等。此外，作為鹵原子、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)6～20的芳基、碳數(shù)2～20的雜芳基的具體例，可列舉出與上述相同的原子或基團。R3和R4中，烷基、烯基和炔基的碳數(shù)優(yōu)選為10以下，更優(yōu)選為6以下，進一步優(yōu)選為4以下。另外，芳基和雜芳基的碳數(shù)優(yōu)選為14以下，更優(yōu)選為10以下，進一步優(yōu)選為6以下。作為R3，優(yōu)選為碳數(shù)1～6的烷基，更優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷基，進一步優(yōu)選為甲基或者乙基。另外，作為R4，優(yōu)選為碳數(shù)1～20的烷基或者碳數(shù)6～20的芳基，更優(yōu)選為碳數(shù)1～10的烷基或者碳數(shù)6～14的芳基，進一步優(yōu)選為碳數(shù)1～6的烷基或者碳數(shù)6～10的芳基，更進一步優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷基或者苯基。予以說明，多個R3可以全部相同或不同，多個R4也可以全部相同或不同。作為Z3，優(yōu)選為鹵原子，更優(yōu)選為氟原子，以不存在(即，非取代)為最佳。另外，作為Z4，優(yōu)選為鹵原子、可被Z6取代的苯基、可被Z6取代的呋喃基，更優(yōu)選為鹵原子，進一步優(yōu)選為氟原子、或者不存在(即，非取代)。另外，作為Z5，優(yōu)選為鹵原子、可被Z6取代的碳數(shù)1～20的烷基、可被Z6取代的呋喃基，更優(yōu)選為鹵原子，進一步優(yōu)選為氟原子、或者不存在(即，非取代)。而且，作為Z6，優(yōu)選為鹵原子，更優(yōu)選為氟原子或者不存在(即，非取代)。作為由上述式(2－1)表示的四烷氧基硅烷化合物的具體例，可列舉出四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丙氧基硅烷等。作為由上述式(2－2)表示的二烷氧基硅烷化合物的具體例，可列舉出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二異丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷等。作為由上述式(2－3)表示的三烷氧基硅烷化合物的具體例，可列舉出甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、三乙氧基－2－噻吩基硅烷、3－(三乙氧基甲硅烷基)呋喃等。本發(fā)明的電荷傳輸性清漆中，相對于電荷傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量，有機硅烷化合物的含量通常為0.1～50質(zhì)量％左右，如果從抑制所獲薄膜的電荷傳輸性降低考慮，優(yōu)選為0.5～40質(zhì)量％左右，更優(yōu)選為0.8～30質(zhì)量％左右，進一步優(yōu)選為1～20質(zhì)量％左右。予以說明，有機硅烷化合物(聚合物)可以通過例如，使上述的烷氧基硅烷化合物的單一成分或者2種以上的混合物在水的存在下進行(部分)水解縮合而制得。作為水解的方法，沒有特殊限定，只要采用一般的方法即可。舉一個例子，可列舉出將烷氧基硅烷化合物在水系溶劑中、在20～100℃左右下處理1～24小時的方法。此時，也可以使用酸或堿作為催化劑。作為本發(fā)明中使用的電荷傳輸物質(zhì)，只要是以往在有機EL元件中使用的電荷傳輸性單體、電荷傳輸性低聚物或者聚合物即可，沒有其他限定，可列舉出例如，苯胺衍生物、噻吩衍生物、吡咯衍生物等各種空穴傳輸性物質(zhì)，其中，優(yōu)選為苯胺衍生物、噻吩衍生物，更優(yōu)選為苯胺衍生物。作為苯胺衍生物的具體例，可列舉出由下述式(3)表示的苯胺衍生物。[化1]式(3)中，X1表示－NY1－、－O－、－S－、－(CR11R12)L－、或者單鍵，當m或n為0時，表示－NY1－。Y1相互獨立地表示氫原子、可被Z7取代的、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)2～20的烯基或者碳數(shù)2～20的炔基、或者可被Z8取代的、碳數(shù)6～20的芳基或者碳數(shù)2～20的雜芳基。予以說明，作為烷基、烯基、炔基、芳基和雜芳基的具體例，可列舉出與上述相同的基團。R11和R12相互獨立地表示氫原子、鹵原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羥基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z7取代的、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)2～20的烯基或者碳數(shù)2～20的炔基、可被Z8取代的、碳數(shù)6～20的芳基或者碳數(shù)2～20的雜芳基、或者－NHY2、－NY3Y4、－C(O)Y5、－OY6、－SY7、－SO3Y8、－C(O)OY9、－OC(O)Y10、－C(O)NHY11或者C(O)NY12Y13基。Y2～Y13相互獨立地表示可被Z7取代的、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)2～20的烯基或者碳數(shù)2～20的炔基、或者可被Z8取代的、碳數(shù)6～20的芳基或者碳數(shù)2～20的雜芳基。Z7表示鹵原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羥基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z9取代的、碳數(shù)6～20的芳基或者碳數(shù)2～20的雜芳基。Z8表示鹵原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羥基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z9取代的、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)2～20的烯基或者碳數(shù)2～20的炔基。Z9為鹵原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羥基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基。另外，作為R11～R12和Y2～Y13的鹵原子、烷基、烯基、炔基、芳基以及雜芳基，可列舉出與上述相同的原子和基團。其中，作為R11和R12，優(yōu)選為氫原子或者可被Z7取代的碳數(shù)1～20的烷基，更優(yōu)選為氫原子或者可被Z7取代的甲基，以全部是氫原子為最佳。L表示由－(CR11R12)－表示的2價亞烷基的重復單元數(shù)，為1～20的整數(shù)，優(yōu)選為1～10，更優(yōu)選為1～5，進一步優(yōu)選為1～2，以1為最佳。予以說明，當L為2以上時，多個R11可以彼此相同或不同，多個R12也可以彼此相同或不同。特別地，作為X1，優(yōu)選為－NY1－或者單鍵。另外，作為Y1，優(yōu)選為氫原子或者可被Z7取代的碳數(shù)1～20的烷基，更優(yōu)選為氫原子或者可被Z7取代的甲基，以氫原子為最佳。R5～R8相互獨立地表示氫原子、鹵原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羥基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z7取代的、碳數(shù)1～20的烷基、碳數(shù)2～20的烯基或者碳數(shù)2～20的炔基、可被Z8取代的、碳數(shù)6～20的芳基或者碳數(shù)2～20的雜芳基、或者－NHY2、－NY3Y4、－C(O)Y5、－OY6、－SY7、－SO3Y8、－C(O)OY9、－OC(O)Y10、－C(O)NHY11或者C(O)NY12Y13(Y2～Y13表示與上述相同的含義)。作為這些鹵原子、烷基、烯基、炔基、芳基和雜芳基，可列舉出與上述相同的原子和基團。特別地，在式(3)中，作為R5～R8，優(yōu)選為氫原子、鹵原子、可被Z7取代的碳數(shù)1～10的烷基、或者可被Z8取代的碳數(shù)6～14的芳基，更優(yōu)選為氫原子、氟原子、或者可被氟原子取代的碳數(shù)1～10的烷基，以全部是氫原子為最佳。另外，作為R9和R10，優(yōu)選為氫原子、鹵原子、可被Z7取代的碳數(shù)1～10的烷基、可被Z8取代的碳數(shù)6～14的芳基、或者可被Z8取代的二苯基氨基(Y3和Y4為可被Z8取代的苯基的－NY3Y4基)，更優(yōu)選為氫原子、氟原子、或者可被氟原子取代的二苯基氨基，進一步優(yōu)選為同時是氫原子或者二苯基氨基。而且，其中優(yōu)選R5～R8為氫原子、氟原子、可被氟原子取代的碳數(shù)1～10的烷基、R9和R10為氫原子、氟原子、可被氟原子取代的二苯基氨基、X1為－NY1－或者單鍵、且Y1為氫原子或者甲基的組合，更優(yōu)選為R5～R8為氫原子、R9和R10同時為氫原子或者二苯基氨基、X1為－NH－或者單鍵的組合。式(3)中，m和n相互獨立地表示0以上的整數(shù)，滿足1≤m+n≤20，從所獲薄膜的電荷傳輸性與苯胺衍生物的溶解性的平衡考慮，優(yōu)選滿足2≤m+n≤8，更優(yōu)選滿足2≤m+n≤6，進一步優(yōu)選滿足2≤m+n≤4。特別地，在Y1～Y13和R5～R12中，取代基Z7優(yōu)選為鹵原子、或者可被Z9取代的碳數(shù)6～20的芳基，更優(yōu)選為鹵原子、或者可被Z9取代的苯基，以不存在(即，非取代)為最佳。另外，取代基Z8優(yōu)選為鹵原子、或者可被Z9取代的碳數(shù)1～20的烷基，更優(yōu)選為鹵原子、或者可被Z9取代的碳數(shù)1～4的烷基，以不存在(即，非取代)為最佳。而且，取代基Z9優(yōu)選為鹵原子，更優(yōu)選為氟，以不存在(即，非取代)為最佳。Y1～Y13和R5～R12中，烷基、烯基和炔基的碳數(shù)優(yōu)選為10以下，更優(yōu)選為6以下，進一步優(yōu)選為4以下。另外，芳基和雜芳基的碳數(shù)優(yōu)選為14以下，更優(yōu)選為10以下，進一步優(yōu)選為6以下。上述苯胺衍生物的分子量通常為300～5,000，從提高溶解性的觀點考慮，優(yōu)選為4,000以下，更優(yōu)選為3,000以下，進一步優(yōu)選為2,000以下。予以說明，作為上述苯胺衍生物的合成法，沒有特殊限定，可列舉出在BulletinofChemicalSocietyofJapan,67,pp.1749-1752,(1994)、SyntheticMetals,84,pp.119-120,(1997)、ThinSolidFilms,520(24),pp.7157-7163,(2012)、國際公開第2008/032617號、國際公開第2008/032616號、國際公開第2008/129947號、國際公開第2013/084664號等中記載的方法。作為由式(3)表示的苯胺衍生物的具體例，可列舉出苯基二苯胺、苯基三苯胺、苯基四苯胺、苯基五苯胺、四苯胺(苯胺4聚物)、八苯胺(苯胺8聚物)、十六苯胺(苯胺16聚物)、或是由下述式表示的苯胺衍生物，但不限定于這些苯胺衍生物。[化2](式中，Ph表示苯基；DPA表示二苯基氨基；TPA表示4－(二苯基氨基)苯基。)另外，作為電荷傳輸性物質(zhì)，也可以使用以往作為空穴傳輸性材料通用的各種化合物。作為空穴傳輸性低分子材料，可列舉出(三苯胺)二聚物衍生物、[(三苯胺)二聚物]螺二聚物、N,N’－雙(萘－1－基)－N,N’－雙(苯基)－聯(lián)苯胺(α－NPD)、N,N’－雙(萘－2－基)－N,N’－雙(苯基)－聯(lián)苯胺、N,N’－雙(3－甲基苯基)－N,N’－雙(苯基)－聯(lián)苯胺、N,N’－雙(3－甲基苯基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－螺聯(lián)芴、N,N’－雙(萘－1－基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－螺聯(lián)芴、N,N’－雙(3－甲基苯基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－二甲基－芴、N,N’－雙(萘－1－基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－二甲基－芴、N,N’－雙(3－甲基苯基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－二苯基－芴、N,N’－雙(萘－1－基)－N,N’－雙(苯基)－9,9－二苯基－芴、N,N’－雙(萘－1－基)－N,N’－雙(苯基)－2,2’－二甲基聯(lián)苯胺、2,2’,7,7’－四(N,N－二苯基氨基)－9,9－螺聯(lián)芴、9,9－雙[4－(N,N－雙－聯(lián)苯－4－基－氨基)苯基]－9H－芴、9,9－雙[4－(N,N－雙－萘－2－基－氨基)苯基]－9H－芴、9,9－雙[4－(N－萘－1－基－N－苯基氨基)－苯基]－9H－芴、2,2’,7,7’－四[N－萘基(苯基)－氨基]－9,9－螺聯(lián)芴、N,N’－雙(菲－9－基)－N,N’－雙(苯基)－聯(lián)苯胺、2,2’－雙[N,N－雙(聯(lián)苯－4－基)氨基]－9,9－螺聯(lián)芴、2,2’－雙(N,N－二苯基氨基)－9,9－螺聯(lián)芴、二－[4－(N,N－二(對－甲苯基)氨基)－苯基]環(huán)己烷、2,2’,7,7’－四(N,N－二(對－甲苯基))氨基－9,9－螺聯(lián)芴、N,N,N’,N’－四－萘－2－基－聯(lián)苯胺、N,N,N’,N’－四－(3－甲基苯基)－3,3’－二甲基聯(lián)苯胺、N,N’－二(萘基)－N,N’－二(萘－2－基)－聯(lián)苯胺、N,N,N’,N’－四(萘基)－聯(lián)苯胺、N,N’－二(萘－2－基)－N,N’－二苯基聯(lián)苯胺－1,4－二胺、N1,N4－二苯基－N1,N4－二(間甲苯基)苯－1,4－二胺、N2,N2,N6,N6－四苯基萘－2,6－二胺、三(4－(喹啉－8－基)苯基)胺、2,2’－雙(3－(N,N－二(對－甲苯基)氨基)苯基)聯(lián)苯、4,4’,4”－三[3－甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m－MTDATA)、4,4’,4”－三[1－萘基(苯基)氨基]三苯胺(1－TNATA)等三芳基胺類、5,5”－雙－{4－[雙(4－甲基苯基)氨基]苯基}－2,2’：5’,2”－三聯(lián)噻吩(BMA－3T)等低聚噻吩類等。作為空穴傳輸性高分子材料，可列舉出聚[(9,9－二己基芴基－2,7－二基)－co－(N,N’－雙{對－丁基苯基}－1,4－二氨基亞苯基)]、聚[(9,9－二辛基芴基－2,7－二基)－co－(N,N’－雙{對－丁基苯基}－1,1’－亞聯(lián)苯基－4,4－二胺)]、聚[(9,9－雙{1’－戊烯－5’－基}芴基－2,7－二基)－co－(N,N’－雙{對－丁基苯基}－1,4－二氨基亞苯基)]、聚[N,N’－雙(4－丁基苯基)－N,N’－雙(苯基)－聯(lián)苯胺]－以聚倍半硅氧烷封端、聚[(9,9－二二辛基芴基－2,7－二基)－co－(4,4’－(N－(對－丁基苯基))二苯基胺)]等。另外，也可以適宜使用國際公開第2015/050253號公開的苯胺衍生物。相對于清漆全體，本發(fā)明的清漆中的電荷傳輸性物質(zhì)的含量優(yōu)選為0.1～20質(zhì)量％左右。本發(fā)明的電荷傳輸性清漆中，也可以根據(jù)所獲薄膜的用途，含有用于提高其電荷傳輸性能等的摻雜劑物質(zhì)。作為摻雜劑物質(zhì)，只要是能夠溶解于在清漆中使用的至少一種溶劑中的，就沒有特殊限定，可以使用無機系摻雜劑物質(zhì)、有機系摻雜劑物質(zhì)中的任一種。作為無機系摻雜劑物質(zhì)，可列舉出磷鉬酸、硅鉬酸、磷鎢酸、磷鎢鉬酸、硅鎢酸等雜多酸；氯化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機強酸；氯化鋁(III)(AlCl3)、四氯化鈦(IV)(TiCl4)、三溴化硼(BBr3)、三氟化硼醚配合物(BF3·OEt2)、氯化鐵(III)(FeCl3)、氯化銅(II)(CuCl2)、五氯化銻(V)(SbCl5)、五氟化砷(V)(AsF5)、五氟化磷(PF5)等金屬鹵化物、Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF4等鹵素等。另外，作為有機系摻雜劑物質(zhì)，可列舉出7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)和2－氟－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷、2,5－二氟－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷等四氰基苯醌二甲烷類；四氟－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷(F4TCNQ)、四氯－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷、2－氟－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷、2－氯－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷、2,5－二氟－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷、2,5－二氯－7,7,8,8－四氰基苯醌二甲烷等鹵代四氰基苯醌二甲烷(鹵代TCNQ)類；四氯－1,4－苯醌(四氯苯醌)、2,3－二氯－5,6－二氰基－1,4－苯醌(DDQ)等苯醌衍生物；苯磺酸、甲苯磺酸、對苯乙烯磺酸、2－萘磺酸、4－羥基苯磺酸、5－磺基水楊酸、對十二烷基苯磺酸、二己基苯磺酸、2,5－二己基苯磺酸、二丁基萘磺酸、6，7－二丁基－2－萘磺酸、十二烷基萘磺酸、3－十二烷基－2－萘磺酸、己基萘磺酸、4－己基－1－萘磺酸、辛基萘磺酸、2－辛基－1－萘磺酸、己基萘磺酸、7－己基－1－萘磺酸、6－己基－2－萘磺酸、二壬基萘磺酸、2,7－二壬基－4－萘磺酸、二壬基萘二磺酸、2,7－二壬基－4,5－萘二磺酸、國際公開第2005/000832號記載的1,4－苯并二烷二磺酸衍生物、國際公開第2006/025342號記載的芳基磺酸衍生物、特開2005－108828號公報記載的二壬基萘磺酸衍生物等芳基磺酸化合物、以及聚苯乙烯磺酸等芳族磺酸化合物；10－樟腦磺酸等非芳族磺酸化合物等。這些無機系和有機系的摻雜劑物質(zhì)可以單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。作為調(diào)制電荷傳輸性清漆時使用的有機溶劑，只要是對清漆中所用各成分具有溶解能力的，就沒有特殊限定，例如，可以根據(jù)所用電荷傳輸性物質(zhì)的種類等適宜選擇使用下述化合物：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、氯苯等芳烴或者鹵代芳烴溶劑；正庚烷、正己烷、環(huán)己烷等脂烴類；乙醚、四氫呋喃、二烷、1,2－二甲氧基乙烷等醚系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸正己酯、乳酸乙酯、γ－丁內(nèi)酯等酯系溶劑；氯化甲烷(methylenechloride)、二氯甲烷(dichloromethane)、1,2－二氯乙烷、氯仿等鹵代烴溶劑；N,N－二甲基甲酰胺、N,N－二甲基乙酰胺、N－甲基－2－吡咯烷酮、1,3－二甲基－2－咪唑烷酮等酰胺系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、環(huán)己醇、二丙酮醇等醇系溶劑；乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇單甲醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇二乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇單乙基醚乙酸酯、二甘醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯等二醇醚系溶劑；乙二醇、丙二醇、己二醇1,3－辛二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、1,3－丁二醇、2,3－丁二醇、1,4－丁二醇等二醇系溶劑等。予以說明，這些有機溶劑可以各自單獨使用，或者也可以將2種以上混合使用。本發(fā)明的清漆的粘度可根據(jù)所需制作的薄膜的厚度等或固體成分濃度來適宜設定，通常在25℃為1～50mPa·s。另外，本發(fā)明的電荷傳輸性清漆的固體成分濃度，可根據(jù)清漆的粘度和表面張力等，以及所需制作的薄膜的厚度等來適宜設定，通常為0.1～10.0質(zhì)量％左右，從提高清漆的涂布性考慮，優(yōu)選為0.5～5.0質(zhì)量％左右，更優(yōu)選為1.0～3.0質(zhì)量％左右。予以說明，此處所說的固體成分是指本發(fā)明的電荷傳輸性清漆中所含的電荷傳輸性物質(zhì)和摻雜劑物質(zhì)。將以上說明的電荷傳輸性清漆涂布到基材上，通過烘烤，可以在基材上形成電荷傳輸性薄膜。作為清漆的涂布方法，沒有特殊限定，可列舉出浸涂法、旋轉涂布法、轉印法、輥涂法、刷涂法、噴墨法、噴涂法、狹縫涂布法等，優(yōu)選根據(jù)涂布方法調(diào)節(jié)清漆的粘度和表面張力。另外，當使用本發(fā)明的清漆時，對于烘烤氣氛沒有特殊限定，不僅在大氣氣氛中，而且在氮氣等惰性氣體或真空中，都能得到具有均勻成膜面和高電荷傳輸性的薄膜。從所獲薄膜的用途、向所獲薄膜賦予的電荷傳輸性的程度、溶劑的種類和沸點等考慮，烘烤溫度可在100～260℃左右的范圍內(nèi)適宜設定，當將所獲薄膜用作有機EL元件的空穴注入層時，優(yōu)選140～250℃左右，更優(yōu)選145～240℃左右。予以說明，烘烤時，為了使其發(fā)揮更高的均勻成膜性、或是為了使其在基材上進行反應，可以采用2階段以上的溫度變化。加熱操作只要使用例如，加熱板或烘箱等適當?shù)脑O備來進行即可。對電荷傳輸性薄膜的膜厚沒有特殊限定，當在有機EL元件內(nèi)用作空穴注入層或空穴傳輸層時，優(yōu)選5～200nm。作為使膜厚發(fā)生變化的方法，有改變清漆中的固體成分濃度、或是改變涂布時基板上的溶液量等的方法。本發(fā)明的電荷傳輸性清漆含有特定的有機硅烷化合物，結果使得，使用該清漆制得的薄膜也含有特定的有機硅烷化合物，因此，與使用不含該特定的有機硅烷化合物的清漆的情況相比，薄膜的離子化電勢變深。即，可以說，上述特定的硅烷化合物具有將含有電荷傳輸性物質(zhì)的電荷傳輸性薄膜的離子化電勢深化的作用。因此，通過將本發(fā)明的電荷傳輸性薄膜適用于有機EL元件的空穴注入層或空穴傳輸層、優(yōu)選空穴傳輸層，可以減小該薄膜與在其陰極側疊層的功能性薄膜之間的電荷傳輸?shù)膭輭荆瑥亩梢灾\求提高有機元件的亮度特性。當使用本發(fā)明的電荷傳輸性清漆制作OLED元件時，作為其使用材料和制作方法，可列舉出下述的材料和方法，但不限定于這些。對所使用的電極基板優(yōu)選預先用洗滌劑、酒精、純水等進行液體洗滌來凈化，例如，優(yōu)選在臨使用前對陽極基板進行UV臭氧處理、氧－等離子體處理等表面處理。但當陽極材料是以有機物作為主成分時，也可以不進行表面處理。具有包含由本發(fā)明的電荷傳輸性清漆制得的薄膜的空穴傳輸層的OLED元件，其制作方法的例子如下所述。采用上述的方法，在陽極基板上、或者根據(jù)需要在設置于陽極基板上的空穴注入層上涂布本發(fā)明的電荷傳輸性清漆并進行烘烤，在電極上制作空穴傳輸層。將其放入真空蒸鍍裝置內(nèi)，依次按發(fā)光層、電子傳輸層、電子傳輸層/空穴阻斷層、陰極金屬的順序進行蒸鍍，制得OLED元件。予以說明，也可以根據(jù)需要，在發(fā)光層與空穴傳輸層之間設置電子阻斷層。作為陽極材料，可舉出以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)為代表的透明電極、由以鋁為代表的金屬以及它們的合金等構成的金屬陽極，優(yōu)選事先進行平坦化處理。也可以使用具有高電荷傳輸性的聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。予以說明，作為構成金屬陽極的其他金屬，可列舉出鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、釔、鋯、鈮、鉬、釕、銠、鈀、鎘、銦、鈧、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鉿、鉈、鎢、錸、鋨、銥、鉑、金、鈦、鉛、鉍或它們的合金等，但不限定于這些。作為形成發(fā)光層的材料，可列舉出三(8－羥基喹啉)鋁(III)(Alq3)、雙(8－羥基喹啉)鋅(II)(Znq2)、雙(2－甲基－8－羥基喹啉)(對－苯基苯酚)鋁(III)(BAlq)、4,4’－雙(2,2－二苯基乙烯基)聯(lián)苯、9,10－二(萘－2－基)蒽、2－叔丁基－9,10－二(萘－2－基)蒽、2,7－雙[9,9－二(4－甲基苯基)－芴－2－基]－9,9－二(4－甲基苯基)芴、2－甲基－9,10－雙(萘－2－基)蒽、2－(9,9－螺聯(lián)芴－2－基)－9,9－螺聯(lián)芴、2,7－雙(9,9－螺聯(lián)芴－2－基)－9,9－螺聯(lián)芴、2－[9,9－二(4－甲基苯基)－芴－2－基]－9,9－二(4－甲基苯基)芴、2,2’－二芘基－9,9－螺聯(lián)芴、1,3,5－三(芘－1－基)苯、9,9－雙[4－(芘基)苯基]－9H－芴、2,2’－雙(9,10－二苯基蒽)、2,7－二芘基－9,9－螺聯(lián)芴、1,4－二(芘－1－基)苯、1,3－二(芘－1－基)苯、6,13－二(聯(lián)苯－4－基)并五苯、3,9－二(萘－2－基)苝、3,10－二(萘－2－基)苝、三[4－(芘基)－苯基]胺、10,10’－二(聯(lián)苯－4－基)－9,9’－聯(lián)蒽、N,N’－二(萘－1－基)－N,N’－二苯基－[1,1’:4’,1”:4”,1”’－四聯(lián)苯基]－4,4”’－二胺、4,4’－二[10－(萘－1－基)蒽－9－基]聯(lián)苯、二苯并{[f,f’]－4,4’,7,7’－四苯基}二茚并[1,2,3－cd:1’,2’,3’－lm]苝、1－(7－(9,9’－聯(lián)蒽－10－基)－9,9－二甲基－9H－芴－2－基)芘、1－(7－(9,9’－聯(lián)蒽－10－基)－9,9－二己基－9H－芴－2－基)芘、1,3－雙(咔唑－9－基)苯、1,3,5－三(咔唑－9－基)苯、4,4’,4”－三(咔唑－9－基)三苯胺、4,4’－雙(咔唑－9－基)聯(lián)苯(CBP)、4,4’－雙(咔唑－9－基)－2,2’－二甲基聯(lián)苯、2,7－雙(咔唑－9－基)－9,9－二甲基芴、2,2’,7,7’－四(咔唑－9－基)－9,9－螺聯(lián)芴、2,7－雙(咔唑－9－基)－9,9－二(對－甲苯基)芴、9,9－雙[4－(咔唑－9－基)－苯基]芴、2,7－雙(咔唑－9－基)－9,9－螺聯(lián)芴、1,4－雙(三苯基甲硅烷基)苯、1,3－雙(三苯基甲硅烷基)苯、雙(4－N,N－二乙基氨基－2－甲基苯基)－4－甲基苯基甲烷、2,7－雙(咔唑－9－基)－9,9－二辛基芴、4,4”－二(三苯基甲硅烷基)－對－三聯(lián)苯、4,4’－二(三苯基甲硅烷基)聯(lián)苯、9－(4－叔丁基苯基)－3,6－雙(三苯基甲硅烷基)－9H－咔唑、9－(4－叔丁基苯基)－3,6－二三苯甲基－9H－咔唑、9－(4－叔丁基苯基)－3,6－雙(9－(4－甲氧基苯基)－9H－芴－9－基)－9H－咔唑、2,6－雙(3－(9H－咔唑－9－基)苯基)吡啶、三苯基(4－(9－苯基－9H－芴－9－基)苯基)硅烷、9,9－二甲基－N,N－二苯基－7－(4－(1－苯基－1H－苯并[d]咪唑－2－基)苯基)－9H－芴－2－胺、3,5－雙(3－(9H－咔唑－9－基)苯基)吡啶、9,9－螺聯(lián)芴－2－基－二苯基－氧化膦、9,9’－(5－(三苯基甲硅烷基)－1,3－亞苯基)雙(9H－咔唑)、3－(2,7－雙(二苯基磷?；?－9－苯基－9H－芴－9－基)－9－苯基－9H－咔唑、4,4,8,8,12,12－六(對－甲苯基)－4H－8H－12H－12C－吖二苯并[cd,mn]芘、4，7－二(9H－咔唑－9－基)－1,10－菲咯啉、2,2’－雙(4－(咔唑－9－基)苯基)聯(lián)苯、2,8－雙(二苯基磷?；?二苯并[b,d]噻吩、雙(2－甲基苯基)二苯基硅烷、雙[3,5－二(9H－咔唑－9－基)苯基]二苯基硅烷、3,6－雙(咔唑－9－基)－9－(2－乙基－己基)－9H－咔唑、3－(二苯基磷?；?－9－(4－(二苯基磷?；?苯基)－9H－咔唑、3,6－雙[(3,5－二苯基)苯基]－9－苯基咔唑等，通過與發(fā)光性摻雜劑一起蒸鍍，可以形成發(fā)光層。作為發(fā)光性摻雜劑，可列舉出3－(2－苯并噻唑基)－7－(二乙基氨基)香豆素、2,3,6,7－四氫－1,1,7,7－四甲基－1H,5H,11H－10－(2－苯并噻唑基)喹嗪并[9,9a,1gh]香豆素、喹吖酮、N,N’－二甲基－喹吖酮、三(2－苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、雙(2－苯基吡啶)(乙酰丙酮)銥(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2－(對－甲苯基)吡啶]銥(III)(Ir(mppy)3)、9,10－雙[N,N－二(對－甲苯基)氨基]蒽、9,10－雙[苯基(間甲苯基)氨基]蒽、雙[2－(2－羥苯基)苯并噻唑]鋅(II)、N10,N10,N10',N10'－四(對－甲苯基)－9,9’－聯(lián)蒽－10,10’－二胺、N10,N10,N10',N10'－四苯基－9,9’－聯(lián)蒽－10,10’－二胺、N10,N10'－二苯基－N10,N10'－二萘基－9,9’－聯(lián)蒽－10,10’－二胺、4,4’－雙(9－乙基－3－咔唑1,2－亞乙烯基)－1,1’－聯(lián)苯、苝、2,5,8,11－四－叔丁基苝、1,4－雙[2－(3－N－乙基咔唑基)乙烯基]苯、4,4’－雙[4－（二－對甲苯基氨基）苯乙烯基］聯(lián)苯、4－（二－對甲苯基氨基）－4’－［（二－對甲苯基氨基）苯乙烯基］茋、雙［3,5－二氟－2－（2－吡啶基）苯基－（2－羧基吡啶基）］銥（III）、4,4’－雙［4－（二苯基氨基）苯乙烯基］聯(lián)苯、雙（2,4－二氟苯基吡啶）四（1－吡唑基）硼酸銥（III）、N,N’－雙（萘－2－基）－N,N’－雙（苯基）－三（9,9－二甲基亞芴基）、2,7－雙｛2－［苯基（間甲苯基）氨基］－9,9－二甲基－芴－7－基｝－9,9－二甲基－芴、N－（4－（（E）－2－（6（（E）－4－（二苯基氨基）苯乙烯基）萘－2－基）乙烯基）苯基）－N－苯基苯胺、fac－銥（III）三（1－苯基－3－甲基苯并咪唑啉－2－亞基－C,C2'）、mer－銥（III）三（1－苯基－3－甲基苯并咪唑啉－2－亞基－C,C2'）、2,7－雙［4－（二苯基氨基）苯乙烯基］－9,9－螺聯(lián)芴、6－甲基－2－（4－（9－（4－（6－甲基苯并［d］噻唑－2－基）苯基）蒽－10－基）苯基）苯并［d］噻唑、1,4－二［4－（N,N－二苯基）氨基］苯乙烯基苯、1,4－雙（4－（9H－咔唑－9－基）苯乙烯基）苯、（E）－6－（4－（二苯基氨基）苯乙烯基）－N,N－二苯基萘－2－胺、雙（2,4－二氟苯基吡啶）（5－（吡啶－2－基）－1H－四唑）銥（III）、雙（3－三氟甲基－5－（2－吡啶基）吡唑）（（2,4－二氟芐基）二苯基次膦酸）銥（III）、雙（3－三氟甲基－5－（2－吡啶基）吡唑）（芐基二苯基次膦酸）銥（III）、雙（1－（2,4－二氟芐基）－3－甲基苯并咪唑）（3－（三氟甲基）－5－（2－吡啶基）－1,2,4－三唑）銥（III）、雙（3－三氟甲基－5－（2－吡啶基）吡唑）（4’,6’－二氟苯基吡啶）銥（III）、雙（4’,6’－二氟苯基吡啶）（3,5－雙（三氟甲基）－2－（2’－吡啶基）吡咯）銥（III）、雙（4’,6’－二氟苯基吡啶）（3－（三氟甲基）－5－（2－吡啶基）－1,2,4－三唑）銥（III）、（Z）－6－基－N－（6－基喹啉－2（1H）－亞基）喹啉－2－胺－BF2、（E）－2－（2－（4－（二甲基氨基）苯乙烯基）－6－甲基－4H－吡喃－4－亞基）丙二腈、4－（二氰基亞甲基）－2－甲基－6－久洛里定基－9－烯基－4H－吡喃、4－（二氰基亞甲基）－2－甲基－6－（1,1,7,7－四甲基久洛里定基－9－烯基)－4H－吡喃、4－(二氰基亞甲基)－2－叔丁基－6－(1,1,7,7－四甲基久洛里定－4－基－乙烯基)－4H－吡喃、三(二苯甲?；淄?菲咯啉銪(III)、5,6,11,12－四苯基并四苯、雙(2－苯并[b]噻吩－2－基－吡啶)(乙酰丙酮)銥(III)、三(1－苯基異喹啉)銥(III)、雙(1－苯基異喹啉)(乙酰丙酮)銥(III)、雙[1－(9,9－二甲基－9H－芴－2－基)－異喹啉](乙酰丙酮)銥(III)、雙[2－(9,9－二甲基－9H－芴－2－基)喹啉](乙酰丙酮)銥(III)、三[4,4’－二叔丁基－(2,2’)－聯(lián)吡啶]釕(III)·雙(六氟磷酸鹽)、三(2－苯基喹啉)銥(III)、雙(2－苯基喹啉)(乙酰丙酮)銥(III)、2,8－二叔丁基－5,11－雙(4－叔丁基苯基)－6,12－二苯基并四苯、雙(2－苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)銥(III)、5,10,15,20－四苯基四苯并卟啉鉑、鋨(II)雙(3－三氟甲基－5－(2－吡啶)－吡唑)二甲基苯基膦、鋨(II)雙(3－(三氟甲基)－5－(4－叔丁基吡啶基)－1,2,4－三唑)二苯基甲基膦、鋨(II)雙(3－(三氟甲基)－5－(2－吡啶基)－1,2,4－三唑)二甲基苯基膦、鋨(II)雙(3－(三氟甲基)－5－(4－叔丁基吡啶基)－1,2,4－三唑)二甲基苯基膦、雙[2－(4－正己基苯基)喹啉](乙酰丙酮)銥(III)、三[2－(4－正己基苯基)喹啉]銥(III)、三[2－苯基－4－甲基喹啉]銥(III)、雙(2－苯基喹啉)(2－(3－甲基苯基)吡啶)銥(III)、雙(2－(9,9－二乙基－芴－2－基)－1－苯基－1H－苯并[d]咪唑)(乙酰丙酮)銥(III)、雙(2－苯基吡啶)(3－(吡啶－2－基)－2H－色烯－2－酯基)銥(III)、雙(2－苯基喹啉)(2,2,6,6－四甲基庚烷－3,5－二酯基)銥(III)、雙(苯基異喹啉)(2,2,6,6－四甲基庚烷－3,5－二酯基)銥(III)、雙(4－苯基噻吩并[3,2－c]吡啶－N,C2')乙酰丙酮銥(III)、(E)－2－(2－叔丁基－6－(2－(2,6,6－三甲基－2,4,5,6－四氫－1H－吡咯并[3,2,1－ij]喹啉－8－基)乙烯基)－4H－吡喃－4－亞基)丙二腈、雙(3－三氟甲基－5－(1－異喹啉基)吡唑)(甲基二苯基膦)釕、雙[(4－正己基苯基)異喹啉](乙酰丙酮)銥(III)、鉑(II)八乙基卟吩、雙(2－甲基二苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)銥(III)、三[(4－正己基苯基)氧喹啉]銥(III)等。作為形成電子傳輸層/空穴阻斷層的材料，可列舉出8－羥基羥基喹啉－鋰、2,2’,2”－(1,3,5－苯并甲苯基)－三(1－苯基－1－H－苯并咪唑)、2－(4－聯(lián)苯基)5－(4－叔丁基苯基)－1,3,4－二唑、2,9－二甲基－4,7－二苯基－1,10－菲咯啉、4,7－二苯基－1,10－菲咯啉、雙(2－甲基－8－羥基喹啉)－4－(苯基苯酚)鋁、1,3－雙[2－(2,2’－聯(lián)吡啶－6－基)－1,3,4－二唑－5－基]苯、6,6’－雙[5－(聯(lián)苯－4－基)－1,3,4－二唑－2－基]－2,2’－聯(lián)吡啶、3－(4－聯(lián)苯基)－4－苯基－5－叔丁基苯基－1,2,4－三唑、4－(萘－1－基)－3,5－二苯基－4H－1,2,4－三唑、2,9－雙(萘－2－基)－4,7－二苯基－1,10－菲咯啉、2,7－雙[2－(2,2’－聯(lián)吡啶－6－基)－1,3,4－二唑－5－基]－9,9－二甲基芴、1,3－雙[2－(4－叔丁基苯基)－1,3,4－二唑－5－基]苯、三(2,4,6－三甲基－3－(吡啶－3－基)苯基)硼烷、1－甲基－2－(4－(萘－2－基)苯基)－1H－咪唑并[4,5f][1,10]菲咯啉、2－(萘－2－基)－4,7－二苯基－1,10－菲咯啉、苯基－二芘基氧化膦、3,3’,5,5’－四[(間吡啶基)－葑－3－基]聯(lián)苯、1,3,5－三[(3－吡啶基)－葑－3－基]苯、4,4’－雙(4,6－二苯基－1,3,5－三嗪－2－基)聯(lián)苯、1,3－雙[3,5－二(吡啶－3－基)苯基]苯、雙(10－羥基苯并[h]喹啉)鈹、二苯基雙(4－(吡啶－3－基)苯基)硅烷、3,5－二(芘－1－基)吡啶等。作為形成電子注入層的材料，可列舉出氧化鋰(Li2O)、氧化鎂(MgO)、氧化鋁(Al2O3)、氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化鎂(MgF2)、氟化銫(CsF)、氟化鍶(SrF2)、三氧化鉬(MoO3)、鋁、Li(acac)、乙酸鋰、苯甲酸鋰等。作為陰極材料，可列舉出鋁、鎂－銀合金、鋁－鋰合金、鋰、鈉、鉀、銫等。作為形成電子阻斷層的材料，可列舉出三(苯基吡唑)銥等。予以說明，作為用于空穴傳輸層的電荷傳輸性物質(zhì)，可以使用在上述示例的電荷傳輸性物質(zhì)中、除了空穴傳輸性高分子材料以外的化合物。對于使用本發(fā)明電荷傳輸性清漆制作PLED元件的方法沒有特殊限定，可列舉出以下的方法。在上述OLED元件制作中，不進行發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的真空蒸鍍操作，而是形成發(fā)光性高分子層，這樣可以制作具有由本發(fā)明電荷傳輸性清漆形成的空穴傳輸性高分子層的PLED元件。具體而言，在陽極基板上或者根據(jù)需要在陽極基板上形成的空穴注入層上，涂布本發(fā)明的電荷傳輸性清漆，采用上述方法制作空穴傳輸層，再在其上依次形成發(fā)光性高分子層，進而蒸鍍陰極，制成PLED元件。作為所用的陰極和陽極材料，可以使用與制作上述OLED元件時同樣的材料，進行同樣的洗滌處理和表面處理。作為發(fā)光性高分子層的形成法，可列舉出將發(fā)光性高分子材料、或者其中已加入了摻雜劑物質(zhì)的材料加入溶劑中并使其溶解或均勻分散，將其涂布到空穴傳輸層上之后，通過分別烘烤來成膜的方法。作為發(fā)光性高分子材料，可列舉出聚(9,9－二烷基芴)(PDAF)等聚芴衍生物、聚(2－甲氧基－5－(2’－乙基己氧基)－1,4－亞苯基1,2－亞乙烯基)(MEH－PPV)等聚亞苯基1,2－亞乙烯基衍生物、聚(3－烷基噻吩)(PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。予以說明，作為用于空穴傳輸層中的電荷傳輸性物質(zhì)，可以使用上文示例的空穴傳輸性高分子材料。作為溶劑，可列舉出甲苯、二甲苯、氯仿等，作為溶解或者均勻分散法，可列舉出攪拌、加熱攪拌、超聲波分散等方法。對涂布方法沒有特殊限定，可列舉出噴墨法、噴涂法、浸涂法、旋轉涂布法、轉印法、輥涂法、刷涂法等。予以說明，涂布操作優(yōu)選在氮、氬等惰性氣體中進行。作為烘烤方法，可列舉出在惰性氣體中或者在真空中，用烘箱或者加熱板進行加熱的方法。實施例以下列舉出實施例和比較例，更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于下述的實施例。予以說明，所用的裝置如下。(1)分子量測定：昭和電工(株)制、常溫凝膠滲透色譜(GPC)裝置(GPC－101)和Shodex制柱(KD－803L)(測定條件)·柱溫：40℃·洗脫液：四氫呋喃(THF)，10ml/L·流速：1.0ml/分鐘·制作校正曲線用標準樣品：昭和電工(株)制、SL－105，標準聚苯乙烯(分子量約580，2970，7200，19900，52400)(2)1H－NMR測定：日本電子(株)制、JNM－ECP300FTNMRSYSTEM(3)基板洗滌：長州產(chǎn)業(yè)(株)制、基板洗滌裝置(減壓等離子體方式)(4)清漆的涂布：Mikasa(株)制、旋轉涂布機MS－A100(5)膜厚測定：(株)小坂研究所制、微細形狀測定機SuifcorderET－4000(6)EL元件的制作：長州產(chǎn)業(yè)(株)制、多功能蒸鍍裝置系統(tǒng)C－E2L1G1－N(7)EL元件的亮度等的測定：(有)TechWorld制、I－V－L測定系統(tǒng)(8)離子化電勢的測定：理研計器(株)制、大氣中光電子分光裝置AC－3[1]化合物的合成[合成例1]有機硅烷化合物的合成在裝有溫度計和回流管的200mL四口反應燒瓶中，混合己二醇18.4g、丁基溶纖劑6.1g、四乙氧基硅烷23.3g、以及3,3,3－三氟丙基三甲氧基硅烷10.5g，調(diào)制烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下，花30分鐘向該溶液中滴入預先通過混合己二醇9.2g、丁基溶纖劑3.1g、水8.6g以及作為催化劑的草酸0.7g而成的溶液，進而在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱，使其回流1小時后，放冷，得到SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。所獲聚硅氧烷的數(shù)均分子量為2,500，重均分子量為3,500。予以說明，將得到的聚硅氧烷溶液10.0g、己二醇42.0g、以及丁基溶纖劑14.0g混合，調(diào)制SiO2換算濃度為5質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液，將該聚硅氧烷溶液用于調(diào)制電荷傳輸性清漆。[2]電荷傳輸性清漆的調(diào)制[實施例1－1]在氮氣氛中，將作為電荷傳輸性聚合物的聚[(9,9－二己基芴基－2,7－二基)－co－(N,N’－雙{對丁基苯基}－1,4－二氨基亞苯基)](ADS250BE，AmericanDyeSource，Inc制、下同)0.05g、合成例1中得到的聚硅氧烷溶液0.0151g、以及甲苯10g充分混合，調(diào)制電荷傳輸性清漆。[實施例1－2]除了電荷傳輸性聚合物(ADS250BE)的使用量為0.0251g以外，其余按照與實施例1－1同樣的方法調(diào)制電荷傳輸性清漆。[比較例1]在氮氣氛中，將電荷傳輸性聚合物(ADS250BE)0.05g、甲苯10g充分混合，調(diào)制電荷傳輸性清漆。[3]有機EL元件的制造以及特性評價[實施例2－1]首先，在氮氣氛中，將按照國際公開第2013/084664號記載的方法合成的由式(A1)表示的苯胺衍生物0.165g、按照國際公開第2006/025342號記載的方法合成的由式(S1)表示的芳基磺酸0.325g溶解于1,3－二甲基－2－咪唑烷酮8.0g中。向其中加入環(huán)己醇12.0g和丙二醇4.0g并攪拌，進而向其中溶解3,3,3－三氟丙基三甲氧基硅烷0.016g以及苯基三甲氧基硅烷0.033g，攪拌，得到空穴注入層形成用清漆。[化3]使用旋轉涂布機將該清漆涂布到ITO基板上之后，在80℃下干燥1分鐘，進而在大氣氣氛中、230℃下烘烤15分鐘，在ITO基板上形成30nm的均勻薄膜(空穴注入層)。作為ITO基板，使用由氧化銦錫(ITO)在基板表面上按膜厚150nm形成了圖案的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板，在使用之前通過O2等離子體洗滌裝置(150W、30秒鐘)除去表面上的雜質(zhì)。接著，使用旋轉涂布機，將實施例1－1中得到的電荷傳輸性清漆涂布到在ITO基板上形成的薄膜之上，然后，在大氣氣氛中、150℃下烘烤10分鐘，形成30nm的均勻薄膜(空穴傳輸層)。使用蒸鍍裝置(真空度1.0×10-5Pa)，在其上將CBP和Ir(PPy)3進行共蒸鍍。共蒸鍍時控制蒸鍍速率，以便使Ir(PPy)3的濃度保持6％，進行40nm疊層。接著，依次疊層BAlq、氟化鋰和鋁的薄膜，得到有機EL元件。此時，在BAlq和鋁各自的蒸鍍速率均為0.2nm/秒的條件下進行，而對于氟化鋰則在蒸鍍速率為0.02nm/秒的條件下進行，膜厚分別為20nm、0.5nm和100nm。予以說明，為了防止由于空氣中的氧、水等的影響所導致的特性劣化，利用密封基板將有機EL元件密封后，評價其特性。密封按以下的順序進行。在氧濃度2ppm以下、露點－85℃以下的氮氣氛中，將有機EL元件置于密封基板之間，將密封基板用膠粘劑((株)制、MORESCOmoistureWB90US(P))貼合。此時，將干燥劑(Dynic(株)制、HD－071010W－40)與有機EL元件一起置于密封基板內(nèi)。向貼合了的密封基板照射UV光(波長365nm、照射量6,000mJ/cm2)后，在80℃下退火處理1小時，使膠粘劑固化。[實施例2－2、比較例2]分別使用實施例1－2、比較例1中制得的清漆代替實施例1－1中制得的清漆，除此之外，按照與實施例2－1同樣的方法制造有機EL元件。測定這些元件在驅(qū)動電壓10V時的電流密度、亮度和電流效率。結果示于表1。予以說明，各元件的發(fā)光面?zhèn)鹊拿娣e為2mm×2mm。[表1]如表1所示，可以看出，具備由本發(fā)明電荷傳輸性清漆制得的薄膜的有機EL元件，其亮度特性和電流效率優(yōu)良。[4]離子化電勢的測定[實施例3－1]將實施例1－1中制得的清漆涂布到由氧化銦錫(ITO)按膜厚150nm成膜的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板上，然后，在大氣氣氛中、150℃下烘烤10分鐘，形成30nm的均勻薄膜?；逶谑褂弥巴ㄟ^用O2等離子體洗滌裝置(150W、30秒鐘)除去表面上的雜質(zhì)。使用大氣中光電子分光裝置AC－3測定所獲薄膜的離子化電勢。下面示出具體的測定方法與離子化電勢的確定方法。首先，向裝置主體內(nèi)供給壓縮空氣(0.5～0.7MPa)和壓縮氮(純度：99.9％以上、壓力：0.5～0.6MPa)，將裝置預熱。然后，將主體與電腦連接，進行通信的確立、光量調(diào)節(jié)裝置的初始化、檢測器電壓設定。其次，將光量設定為20nW，測定4.8～7.0eV的光量校正系數(shù)。接著，插入樣品，采用測得的光量校正系數(shù)來測定4.8～7.0eV的光電子收率。測定結束后，按照橫軸為照射光的能量、縱軸為光電子收率實測值的平方根繪出曲線圖，由采用最小二乘法得到的外推直線與基線水平面的交點來確定離子化電勢。結果示于表2。[實施例3－2、比較例3]除了分別使用實施例1－2、比較例1中制得的清漆代替實施例1－1中制得的清漆以外，其余按照與實施例3－1同樣的方法測定離子化電勢。結果一并示于表2。離子化電勢(eV)比較例35.2實施例3-15.3實施例3-25.4如表2所示，可以看出，由含有有機硅烷化合物的本發(fā)明電荷傳輸性清漆制得的薄膜的離子化電勢，大于由不含有機硅烷化合物的比較例的電荷傳輸性清漆制得的薄膜的離子化電勢。當將表1的結果一起考察時，可以看出，如果離子化電勢的值高(深)，則亮度特性和電流效率提高。當前第1頁1 2 3