本發(fā)明涉及ESD保護(hù)裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

以往，作為ESD保護(hù)裝置，有WO2008/146514(專利文獻(xiàn)1)記載的裝置。該ESD保護(hù)裝置具有：由陶瓷構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體、設(shè)置于結(jié)構(gòu)體內(nèi)的第1放電電極、第2放電電極以及放電輔助電極。第1放電電極和第2放電電極隔著間隙對置。放電輔助電極設(shè)置于第1放電電極與第2放電電極之間的間隙。

專利文獻(xiàn)1:WO2008/146514

然而，在上述以往的ESD保護(hù)裝置中，若靜電在第1放電電極與第2放電電極之間放電，則伴隨著放電發(fā)熱。特別是，當(dāng)靜電經(jīng)由放電輔助電極放電時(shí)，放電輔助電極接受由放電形成的熱負(fù)荷。令人擔(dān)憂的是，放電輔助電極存在因由放電形成的熱負(fù)荷而出現(xiàn)劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的課題在于提供減少施加于放電輔助電極的熱負(fù)荷，從而能夠抑制放電輔助電極的劣化的ESD保護(hù)裝置及其制造方法。

為了解決上述課題，本發(fā)明的ESD保護(hù)裝置的特征在于，具備：

結(jié)構(gòu)體，其層疊多個(gè)陶瓷層而構(gòu)成；

第1放電電極和第2放電電極，它們設(shè)置于上述結(jié)構(gòu)體內(nèi)，并且具有間隙地對置；以及

放電輔助電極，其被設(shè)置為，從上述陶瓷層的層疊方向觀察，該放電輔助電極與上述間隙重疊，

上述結(jié)構(gòu)體具有空腔部，該空腔部相對于上述第1放電電極和上述第2放電電極設(shè)置于與上述放電輔助電極相反的一側(cè)并且與上述間隙相連，

上述空腔部的內(nèi)表面具有第1內(nèi)表面和第2內(nèi)表面，在包含上述層疊方向的截面中，上述第1內(nèi)表面和第2內(nèi)表面在上述層疊方向上排列配置并且相對于上述層疊方向傾斜。

此處，第1內(nèi)表面與第2內(nèi)表面包含平坦面、凹曲面、凸曲面。

根據(jù)本發(fā)明的ESD保護(hù)裝置，空腔部的內(nèi)表面具有：在包含陶瓷層的層疊方向的截面中，相對于陶瓷層的層疊方向傾斜的第1內(nèi)表面和第2內(nèi)表面，因此能夠增加空腔部的內(nèi)表面的表面積。因此，靜電的放電時(shí)產(chǎn)生的熱從空腔部的內(nèi)表面更好地釋放，其結(jié)果，施加于放電輔助電極的熱負(fù)荷減少，抑制放電輔助電極的劣化。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置中，上述第1內(nèi)表面和上述第2內(nèi)表面在上述層疊方向上朝向相同的方向地向相同的方向傾斜。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置中，上述第1內(nèi)表面和上述第2內(nèi)表面在上述層疊方向上朝向相反方向地向相反方向傾斜。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置中，上述第1內(nèi)表面的內(nèi)徑和上述第2內(nèi)表面的內(nèi)徑成為相同的大小。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置中，上述第1內(nèi)表面的內(nèi)徑和上述第2內(nèi)表面的內(nèi)徑成為不同大小。

本發(fā)明的ESD保護(hù)裝置的制造方法的特征在于，具備如下工序：

在第1陶瓷片上，形成包含相對于與上述第1陶瓷片的平面方向正交的方向傾斜的第1內(nèi)表面的第1孔部，準(zhǔn)備上述第1陶瓷片；

在第2陶瓷片上，形成包含相對于與上述第2陶瓷片的平面方向正交的方向傾斜的第2內(nèi)表面的第2孔部，準(zhǔn)備上述第2陶瓷片；

在基臺用陶瓷片之上設(shè)置放電輔助電極，在上述放電輔助電極之上設(shè)置上述第1放電電極和上述第2放電電極，并使第1放電電極與第2放電電極具有間隙地對置；

在上述第1放電電極和上述第2放電電極之上，依次層疊上述第1陶瓷片、上述第2陶瓷片以及覆蓋用陶瓷片，并使上述第1孔部和上述第2孔部與上述間隙重疊，形成層疊體；以及

燒制上述層疊體，由上述第1孔部和上述第2孔部形成與上述間隙相連的空腔部。

此處，第1內(nèi)表面與第2內(nèi)表面包含平坦面、凹曲面、凸曲面。

根據(jù)本發(fā)明的ESD保護(hù)裝置的制造方法，由第1孔部和第2孔部形成與間隙相連的空腔部，因此第1孔部的第1內(nèi)表面與第2孔部的第2內(nèi)表面相對于陶瓷片的層疊方向傾斜。因此，能夠增加空腔部的內(nèi)表面的表面積，靜電的放電時(shí)產(chǎn)生的熱從空腔部的內(nèi)表面更好地釋放。其結(jié)果，減少施加于放電輔助電極的熱負(fù)荷，從而能夠抑制放電輔助電極的劣化。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法中，上述第1孔部和上述第2孔部由激光形成。

根據(jù)上述實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法，第1孔部和第2孔部由激光形成，因此能夠容易地形成第1孔部和第2孔部。

另外，在一實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法中，

在準(zhǔn)備上述第1陶瓷片的工序中，在上述第1孔部中填充在燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏，

在準(zhǔn)備上述第2陶瓷片的工序中，在上述第2孔部填充中具有燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏。

根據(jù)上述實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法，在第1孔部和第2孔部中填充在燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏。由此，在形成層疊體的工序中，能夠抑制第1孔部、第2孔部被覆蓋用陶瓷片填埋。另外，抑制第1陶瓷片、第2陶瓷片的剛性的降低，從而能夠抑制在形成層疊體的工序中層疊體變形。

根據(jù)本發(fā)明的ESD保護(hù)裝置及其制造方法，減少施加于放電輔助電極的熱負(fù)荷，能夠抑制放電輔助電極的劣化。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的立體圖。

圖2是圖1的A-A剖視圖。

圖3是圖1的B-B剖視圖。

圖4是表示ESD保護(hù)裝置的制造方法的剖視圖。

圖5是表示形成第1陶瓷片的第1孔部的方法的俯視圖。

圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法的剖視圖。

圖7A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。

圖7B是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。

圖7C是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，通過圖示的實(shí)施方式對本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。

(第1實(shí)施方式)

圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的立體圖。圖2是圖1的A-A剖視圖。圖3是圖1的B-B剖視圖。如圖1、圖2、圖3所示，ESD(Electro-Static Discharge：靜電放電)保護(hù)裝置1具有：結(jié)構(gòu)體10、設(shè)置于結(jié)構(gòu)體10內(nèi)的第1放電電極21、第2放電電極22以及放電輔助電極30。ESD保護(hù)裝置1例如用于電子設(shè)備，使產(chǎn)生于電子設(shè)備的靜電放電，對因電子設(shè)備的靜電導(dǎo)致的破壞進(jìn)行抑制。

結(jié)構(gòu)體10將多個(gè)陶瓷層11～13、15～17層疊而構(gòu)成。具體而言，從下方開始，依次層疊基臺用陶瓷層15、電極用陶瓷層17、第1陶瓷層11、第2陶瓷層12、第3陶瓷層13以及覆蓋用陶瓷層16。

陶瓷層11～13、15～17例如由包含Ba、Al、Si為主成分的低溫共燒陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)構(gòu)成。陶瓷層11～13、15～17也可以包含堿金屬成分和硼組分中的至少一者。陶瓷層11～13、15～17也可以包含玻璃成分。

結(jié)構(gòu)體10形成為大致長方體狀。結(jié)構(gòu)體10的外表面具有：第1端面10a、位于與第1端面10a相反側(cè)的第2端面10b、以及位于第1端面10a與第2端面10b之間的圓周面10c。

此處，將連結(jié)第1端面10a與第2端面10b的方向設(shè)為X方向，將多個(gè)陶瓷層11～13、15～17的層疊方向設(shè)為Z方向，將與X方向和Z方向正交的方向設(shè)為Y方向。將Z方向上的靠覆蓋用陶瓷層16側(cè)設(shè)為上側(cè)，將Z方向上的靠基臺用陶瓷層15側(cè)設(shè)為下側(cè)。X方向相當(dāng)于ESD保護(hù)裝置1的長度方向，Y方向相當(dāng)于ESD保護(hù)裝置1的寬度方向，Z方向相當(dāng)于ESD保護(hù)裝置1的高度方向。

第1放電電極21與第2放電電極22設(shè)置在基臺用陶瓷層15上。第1放電電極21與第2放電電極22分別形成為沿X方向延伸的帶狀。第1放電電極21與第2放電電極22沿Y方向平行排列。第1放電電極21與第2放電電極22對置，具有間隙G。

第1放電電極21的長邊方向的第1端部211從結(jié)構(gòu)體10的第1端面10a暴露。第1放電電極21的長邊方向的第2端部212位于結(jié)構(gòu)體10內(nèi)。第2放電電極22的長邊方向的第1端部221從結(jié)構(gòu)體10的第2端面10b暴露。第2放電電極22的長邊方向的第2端部222位于結(jié)構(gòu)體10內(nèi)。第1放電電極21的第2端部212的Y方向的側(cè)表面212a與第2放電電極22的第2端部222的Y方向的側(cè)表面222a對置，并隔開間隙G。

第1放電電極21和第2放電電極22由例如Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、包括它們中的至少一種的合金等適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。

從Z方向觀察，放電輔助電極30設(shè)置于基臺用陶瓷層15的凹部15a，重疊于間隙G的下側(cè)。從Z方向觀察，放電輔助電極30形成為矩形狀。放電輔助電極30將第1放電電極21的第2端部212與第2放電電極22的第2端部222連接。

放電輔助電極30例如由導(dǎo)電材料與絕緣材料所形成的混合物構(gòu)成。導(dǎo)電材料例如也可以是Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、它們的組合。另外，作為導(dǎo)電材料，也可以使用SiC粉等半導(dǎo)體材料、電阻材料等比金屬材料導(dǎo)電性低的材料。半導(dǎo)體材料也可以是例如Si、Ge等金屬半導(dǎo)體、SiC、TiC、ZrC、WC等碳化物、TiN、ZrN、氮化鉻、VN、TaN等氮化物、硅化鈦、硅化鋯、硅化鎢、硅化鉬、硅化鉻等硅化物、硼化鈦、硼化鋯、硼化鉻、硼化鑭、硼化鉬、硼化鎢等硼化物、鈦酸鍶等氧化物。另外，也可以是適當(dāng)?shù)貙⑸鲜龅牟牧蟽煞N以上混合。另外，導(dǎo)電材料也可以由無機(jī)材料進(jìn)行涂層。只要是無機(jī)材料，沒有特別限定，也可以是Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂等無機(jī)材料、陶瓷基材的構(gòu)成材料的混合煅燒粉等。另一方面，絕緣材料也可以是例如Al₂O₃，SiO₂，ZrO₂，TiO₂等氧化物、Si₃N₄、AIN等氮化物、陶瓷基材的構(gòu)成材料的混合煅燒粉、玻璃體物質(zhì)、它們的組合。

放電輔助電極30具有使第1放電電極21與第2放電電極22之間的放電開始電壓降低的功能。靜電的放電中，除了空氣放電之外，還存在經(jīng)由放電輔助電極30的放電。經(jīng)由放電輔助電極30的放電存在沿著放電輔助電極30的表面的放電(沿面放電)、和經(jīng)由放電輔助電極30的內(nèi)部的放電。

通常，對于空氣放電、沿面放電、以及經(jīng)由放電輔助電極30的內(nèi)部的放電而言，經(jīng)由放電輔助電極30的內(nèi)部的放電的開始電壓最低。因此，通過設(shè)置放電輔助電極30，能夠降低第1放電電極21與第2放電電極22之間的放電開始電壓。因此，能夠抑制ESD保護(hù)裝置1的絕緣破壞。另外，通過設(shè)置放電輔助電極30能夠改善ESD保護(hù)裝置1的響應(yīng)性。

在結(jié)構(gòu)體10的第1端面10a設(shè)置有第1外部電極41。第1外部電極41覆蓋第1端面10a整體并且覆蓋圓周面10c的靠第1端面10a側(cè)的端部。第1外部電極41與第1外部電極21的第1端部211接觸。形成電連接。

在結(jié)構(gòu)體10的第2端面10b設(shè)置有第2外部電極42。第2外部電極42覆蓋第2端面10b整體并且覆蓋圓周面10c的靠第2端面10b側(cè)的端部。第2外部電極42與第2外部電極22的第1端部221接觸，形成電連接。

第1外部電極41和第2外部電極42例如由Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、包含它們中的至少一種的合金等適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。

結(jié)構(gòu)體10具有：相對于第1放電電極21、第2放電電極22設(shè)置于與放電輔助電極30相反側(cè)的空腔部100?？涨徊?00與間隙G的上側(cè)相連?？涨徊?00由第1陶瓷層11的第1孔部111、第2陶瓷層12的第2孔部121以及第3陶瓷層13的第3孔部131構(gòu)成。第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131在Z方向上以同心狀排列連通。

第1陶瓷層11層疊于第1放電電極21、第2放電電極22以及電極用陶瓷層17。電極用陶瓷層17配置在基臺用陶瓷層15上的第1放電電極21、第2放電電極22的四周。放電輔助電極30從電極用陶瓷層17暴露。電極用陶瓷層17的上表面與第1放電電極21、第2放電電極22的上表面大致共面。

第1陶瓷層11的第1孔部111形成為，在X方向上具有長徑、在Y方向上具有短徑的長圓形。在第1孔部111中，放電輔助電極30的X方向的整個(gè)長度部分暴露，第1放電電極21的第2端部212的側(cè)表面212a與第2放電電極22的第2端部222的側(cè)表面222a暴露。圖2中，示出第1孔部111，省略第2孔部121、第3孔部131，但第2孔部121與第3孔部131同第1孔部111對齊。從Z方向觀察，空腔部100的形狀與第1孔部111的形狀相同，是長圓形。

第1孔部111具有第1內(nèi)表面112。在包括Z方向的截面(圖3中YZ截面)中，第1內(nèi)表面112相對于Z方向傾斜。具體而言，第1內(nèi)表面112形成為錐狀，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑朝向Z方向(上側(cè))連續(xù)變小。第1內(nèi)表面112是平坦面，且為線形錐。

圖2中，用雙層假想線示出第1孔部111，但內(nèi)側(cè)的假想線示出第1內(nèi)表面112的最小直徑，外側(cè)的假想線示出第1內(nèi)表面112的最大直徑。第1內(nèi)表面112的X方向的最小直徑大于放電輔助電極30的X方向的長度，第1內(nèi)表面112的Y方向的最小直徑大于間隙G的Y方向的長度。

第2陶瓷層12的第2孔部121與第3陶瓷層13的第3孔部131，是與第1陶瓷層11的第1孔部111相同的結(jié)構(gòu)。換句話說，第2孔部121的第2內(nèi)表面122與第3孔部131的第3內(nèi)表面132，是與第1孔部111的第1內(nèi)表面112相同的結(jié)構(gòu)。

具體而言，第1內(nèi)表面112、第2內(nèi)表面122以及第3內(nèi)表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向傾斜。換句話說，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑、第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑以及第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑朝向Z方向變小。

第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑、第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑以及第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑成為相同的大小。換句話說，第1內(nèi)表面112的最小直徑、第2內(nèi)表面122的最小直徑以及第3內(nèi)表面132的最小直徑成為相同的大小。第1內(nèi)表面112的最大直徑、第2內(nèi)表面122的最大直徑以及第3內(nèi)表面132的最大直徑成為相同的大小。

覆蓋用陶瓷層16不具有孔部，從上方關(guān)閉第3陶瓷層13的第3孔部131。這樣，空腔部100的內(nèi)表面具有：第1內(nèi)表面112、第2內(nèi)表面122以及第3內(nèi)表面132，空腔部100被覆蓋用陶瓷層16覆蓋。

在空腔部100中，第1放電電極21的第2端部212的側(cè)表面212a與第2放電電極22的第2端部222的側(cè)表面222a暴露。在間隙G中，放電輔助電極30的表面暴露?？涨徊?00與間隙G連通。由此，靜電在間隙G、空腔部100的空氣中也放電。

此外，空腔部100(第1孔部111)的X方向的長度大于放電輔助電極30的X方向的長度。換句話說，放電輔助電極30的X方向的整個(gè)長度部分從空腔部100暴露。因此，減少放電輔助電極30的X方向的整個(gè)長度部分與結(jié)構(gòu)體10的重疊部分，從而能夠抑制有可能在該重疊部分產(chǎn)生短路。此外，空腔部100的X方向的長度也可以與放電輔助電極30的X方向的長度相同。

對ESD保護(hù)裝置1的制造方法進(jìn)行說明。

如圖4所示，在第1陶瓷片110形成第1孔部111，準(zhǔn)備第1陶瓷片110。此時(shí)，使第1孔部111的第1內(nèi)表面112相對于與第1陶瓷片110的平面方向(XY面方向)正交的方向傾斜。

此處，若圖5所示，第1孔部111由激光形成。具體而言，使激光沿著X方向照射于第1陶瓷片110的Z方向的下表面。而且，由激光形成的激光孔50沿著X方向排列有多個(gè)，構(gòu)成第1孔部111。

激光具有的能量從第1陶瓷片110的供激光入射的面(下表面)到第1陶瓷片110的供激光出射的面(上表面)衰減，因此第1孔部111的靠上表面?zhèn)鹊膬?nèi)徑小于第1孔部111的靠下表面?zhèn)鹊膬?nèi)徑。其結(jié)果，能夠使第1孔部111的第1內(nèi)表面112形成為錐狀。因此，能夠容易地形成第1孔部111。此外，通過激光的強(qiáng)度、指向角度的設(shè)定，能夠容易地變更孔的直徑、錐面的角度。

同樣，如圖4所示，在第2陶瓷片120形成第2孔部121，準(zhǔn)備第2陶瓷片120。此時(shí)，使第2孔部121的第2內(nèi)表面122相對于與第2陶瓷片120的平面方向(XY面方向)正交的方向傾斜。第2孔部121由激光形成。

同樣，在第3陶瓷片130形成第3孔部131，準(zhǔn)備第3陶瓷片130。此時(shí)，使第3孔部131的第3內(nèi)表面132相對于與第3陶瓷片130的平面方向(XY面方向)正交的方向傾斜。第3孔部131由激光形成。

另外，在基臺用陶瓷片150之上設(shè)置放電輔助電極30，在放電輔助電極30之上，設(shè)置第1放電電極21和第2放電電極22，第1放電電極21與第2放電電極22對置，并具有間隙G。

另外，在基臺用陶瓷片150之上設(shè)置電極用陶瓷片170。并且，在第1放電電極21和第2放電電極22之上，沿箭頭方向，依次層疊第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130以及覆蓋用陶瓷片160，使第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131與間隙G重疊，形成層疊體5。

其后，燒制層疊體5，如圖3所示，由第1～第3孔部111、121、131形成與間隙G相連的空腔部100。而且，如圖1所示，在結(jié)構(gòu)體10設(shè)置第1、第2外部電極41、42，制造ESD保護(hù)裝置1。

此外，在形成層疊體5的工序中，若在空腔部100內(nèi)預(yù)填充氬氣等不活潑氣體，則在燒制層疊體5時(shí)，能夠?qū)⒉换顫姎怏w用于燒制。換句話說，也可以在形成了層疊體5后，在層疊體5開孔，不填充不活潑氣體。另外，通過在空腔部100內(nèi)預(yù)填充惰性氣體，能夠容易在空腔部100內(nèi)產(chǎn)生空氣放電。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)裝置1，空腔部100的內(nèi)表面上具有：在包含Z方向的截面中，相對于Z方向傾斜的第1內(nèi)表面112、第2內(nèi)表面122以及第3內(nèi)表面132，因此，能夠增加空腔部100的內(nèi)表面的表面積，另外，能夠增加空腔部100內(nèi)的空間。假設(shè)，空腔部的內(nèi)表面是與Z方向平行的面，則空腔部的內(nèi)表面的表面積(另外空腔部內(nèi)的空間)最小。即使空腔部的內(nèi)表面的斜面數(shù)量為一個(gè)，空腔部的內(nèi)表面的表面積(另外空腔部內(nèi)的空間)依舊較小。

總之，本申請發(fā)明者著眼于與ESD保護(hù)裝置1的長度方向(X方向)和寬度方向(Y方向)相比，ESD保護(hù)裝置1的高度方向(Z方向)不易受到朝基板進(jìn)行安裝的制約，想到了在高度方向上擴(kuò)大空腔部100。進(jìn)而，本申請發(fā)明者從能夠在高度方向上擴(kuò)大空腔部100，想到在高度方向上設(shè)置多個(gè)空腔部100的內(nèi)表面的斜面112、122、132。

空腔部100的內(nèi)表面的表面積增加，因此靜電的放電時(shí)產(chǎn)生的熱，能從空腔部100的內(nèi)表面更好地釋放。因此，減少施加于放電輔助電極30的熱負(fù)荷，從而能夠抑制放電輔助電極30的劣化。例如，能夠抑制放電輔助電極30因熱而熔融的可能性。其結(jié)果，能夠抑制第1放電電極21和第2放電電極22因放電輔助電極30而短路的可能性。

空腔部100內(nèi)的空間增加，因此靜電的放電容易在空腔部100內(nèi)的空氣中產(chǎn)生，經(jīng)由放電輔助電極30的放電減少。另外，空腔部100內(nèi)的空間增加，因此使靜電的放電時(shí)產(chǎn)生的熱、光、沖擊等能量能夠被空腔部100的空間吸收。

因此，能夠減少靜電的放電時(shí)施加于放電輔助電極30的負(fù)載，因此抑制放電輔助電極30的劣化，即使產(chǎn)生反復(fù)放電也能夠?qū)崿F(xiàn)響應(yīng)性高的ESD保護(hù)裝置1。

另外，第1內(nèi)表面112、第2內(nèi)表面122以及第3內(nèi)表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向傾斜，因此能夠使第1～第3陶瓷層11～13的底和頂一致而層疊。

另外，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑、第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑以及第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑為相同的大小，因此能夠使用相同種類的第1～第3陶瓷層11～13。

另外，根據(jù)ESD保護(hù)裝置1的制造方法，由第1～第3孔部111、121、131形成與間隙G相連的空腔部100，因此第1孔部111的第1內(nèi)表面112、第2孔部121的第2內(nèi)表面122以及第3孔部131的第3內(nèi)表面132相對于陶瓷片110、120、130的層疊方向(Z方向)傾斜。因此，能夠增加空腔部100的內(nèi)表面的表面積，靜電的放電時(shí)產(chǎn)生的熱從空腔部100的內(nèi)表面更好地釋放。其結(jié)果，減少施加于放電輔助電極30的熱負(fù)荷，從而能夠抑制放電輔助電極30的劣化。

(第2實(shí)施方式)

圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的制造方法的剖視圖。第2實(shí)施方式與第1實(shí)施方式僅準(zhǔn)備第1～第3陶瓷片的工序不同。以下僅對該不同的工序進(jìn)行說明。此外，在第2實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記是與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖6所示，在準(zhǔn)備第1陶瓷片110的工序中，在第1孔部111填充在燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏60。在準(zhǔn)備第2陶瓷片120的工序中，在第2孔部121填充在燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏60。在準(zhǔn)備第3陶瓷片130的工序中，在第3孔部131填充在燒制時(shí)具有被燒光的性質(zhì)的膏60。

其后，與第1實(shí)施方式相同，在基臺用陶瓷片150之上，按箭頭方向依次層疊電極用陶瓷片170、第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130以及覆蓋用陶瓷片160，形成層疊體5A。其后，燒制層疊體5A而制造ESD保護(hù)裝置1。此時(shí)，膏60因燒制而被燒光。

根據(jù)第2實(shí)施方式，在第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131中填充有膏60，因此在形成層疊體5A的工序中，能夠抑制第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131被覆蓋用陶瓷片160填埋。另外，抑制第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130的剛性的降低，在形成層疊體5A的工序中，能夠抑制層疊體5A變形。

(第3實(shí)施方式)

圖7A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。第3實(shí)施方式與第1實(shí)施方式，僅孔部的形狀不同。以下僅對該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第3實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記是與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖7A所示，在ESD保護(hù)裝置1A的結(jié)構(gòu)體10A的空腔部100A中，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑與第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑成為相同的大小。第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑與第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑成為不同的大小，第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑小于第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑。換句話說，第2孔部121小于第1孔部111以及第3孔部131。

因此，第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑與第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑和第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑不同大小，因此能夠使用不同種類的第1～第3陶瓷層11～13。

(第4實(shí)施方式)

圖7B是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。第4實(shí)施方式與第1實(shí)施方式僅孔部的形狀不同。以下僅對該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第4實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記是與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖7B所示，在ESD保護(hù)裝置1B的結(jié)構(gòu)體10B的空腔部100B中，第1～第3內(nèi)表面112、122、132在Z方向上朝向與第1實(shí)施方式的第1～第3內(nèi)表面相反的方向地向相反方向傾斜。換句話說，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑、第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑以及第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑朝向Z方向變大。

因此，能夠使第1～第3陶瓷層11～13的底和頂與第1實(shí)施方式的第1～第3陶瓷層的底和頂反向地層疊。

(第5實(shí)施方式)

圖7C是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的ESD保護(hù)裝置的分解狀態(tài)的剖視圖。第5實(shí)施方式與第1實(shí)施方式，僅孔部的形狀不同。以下僅對該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第5實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記是與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖7C所示，在ESD保護(hù)裝置1C的結(jié)構(gòu)體10C的空腔部100C中，第1內(nèi)表面112與第3內(nèi)表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向傾斜。第1內(nèi)表面112與第2內(nèi)表面122在Z方向上朝向相反方向地向相反方向傾斜。換句話說，第1內(nèi)表面112的內(nèi)徑與第3內(nèi)表面132的內(nèi)徑朝向Z方向變大。第2內(nèi)表面122的內(nèi)徑朝向Z方向變小。

因此，第2內(nèi)表面122在Z方向上與第1內(nèi)表面112和第3內(nèi)表面132朝向相反方向地向相反方向傾斜，從而能夠使第1、第3陶瓷層11、13的底和頂與第2陶瓷層12的底和頂反向地層疊。

此外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠變更設(shè)計(jì)。例如，也可以將上述第1～上述第5實(shí)施方式的各個(gè)特征點(diǎn)多樣地組合。

在上述實(shí)施方式中，使空腔部的內(nèi)表面的傾斜面為第1～第3內(nèi)表面這三者，但也可以是兩個(gè)或者四個(gè)以上。

在上述實(shí)施方式中，使空腔部的第1～第3內(nèi)表面成為平坦面(線形錐)，但也可以是凹曲面、凸曲面(放物線錐)。

在上述實(shí)施方式中，由激光形成陶瓷片的第1～第3孔部，但也可以通過機(jī)械加工形成。

在上述實(shí)施方式中，使空腔部的從Z方向觀察的形狀成為長圓形，但也可以是橢圓形、矩形。

在上述實(shí)施方式中，層疊陶瓷片制造ESD保護(hù)裝置，但也可以通過印刷形成陶瓷層。

附圖標(biāo)記的說明

1、1A～1C...ESD保護(hù)裝置；5、5A...層疊體；10、10A～10C...結(jié)構(gòu)體；11...第1陶瓷層；12...第2陶瓷層；13...第3陶瓷層；21...第1放電電極；22...第2放電電極；30...放電輔助電極；41...第1外部電極；42...第2外部電極；60...膏；100、100A～100C...空腔部；110...第1陶瓷片；111...第1孔部；112...第1內(nèi)表面；120...第2陶瓷片；121...第2孔部；122...第2內(nèi)表面；130...第3陶瓷片；131...第3孔部；132...第3內(nèi)表面；G...第1放電電極與第2放電電極之間的間隙。