技術(shù)特征：

1.一種有機電致發(fā)光晶體管，其包含：至少一個介電層；至少一個控制電極；至少一個空穴電極；至少一個電子電極；和包含發(fā)射雙極通道的組裝件，其中：

該介電層布置在該控制電極和該組裝件之間；

該發(fā)射雙極通道包含至少一個n型半導(dǎo)體材料層、至少一個p型半導(dǎo)體材料層和至少一個布置在該p型半導(dǎo)體材料層與該n型半導(dǎo)體材料層之間的發(fā)射材料層；

該n型半導(dǎo)體材料包含由式(N-1)表示的電子傳輸化合物：

其中：

X選自由O、S和Se所組成的組；

Ar和Ar'在每次出現(xiàn)時獨立地為相同或不同的單環(huán)芳基或雜芳基；

R¹和R²獨立地為相同或不同的吸電子基團，其選自由-CN、R^a、-C(O)R^b和-C(O)OR^b所組成的組；其中R^a為以至少一個氟或氰基取代的C_1-20烷基、C_2-20烯基或C_2-20炔基；和R^b選自由H、C_1-20烷基、C_2-20烯基和C_2-20炔基所組成的組，其中該C_1-20烷基、該C_2-20烯基和該C_2-20炔基各自任選以一或多個氟和/或氰基取代；和

m和m'獨立地為1或2。

2.如權(quán)利要求1的晶體管，其中該電子傳輸化合物由式(N-2)表示：

3.如權(quán)利要求1的晶體管，其中該電子傳輸化合物由式(N-3)表示：

其中n為1至12(包括端點)范圍內(nèi)的整數(shù)。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項的晶體管，其中Ar和Ar'在每次出現(xiàn)時獨立地選自由以下所述組成的組：苯基、噻吩基、噻唑基、異噻唑基、噻二唑基、呋喃基、惡唑基、異惡唑基、惡二唑基、吡咯基、三唑基、四唑基、吡唑基、咪唑基、吡啶基、嘧啶基、噠嗪基和吡嗪基。

5.如權(quán)利要求4的晶體管，其中該電子傳輸化合物由式(N-4)表示：

6.如權(quán)利要求5的晶體管，其中該電子傳輸化合物為2,5-雙(4-(全氟辛基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩(N-F2-6)：

或

2,5-雙(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩(N-F2-6-CF3)：

7.如權(quán)利要求1至6中任一項的晶體管，其中該p型半導(dǎo)體材料包含選自由低聚噻吩、并苯和稠合雜芳烴組成的組的空穴傳輸化合物。

8.如權(quán)利要求1至6中任一項的晶體管，其中該p型半導(dǎo)體材料包含選自由以下所述組成的組的空穴傳輸化合物：二噻吩、四噻吩、噻吩并噻吩、苯并噻吩、萘并噻吩、苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩和二萘并[2,3-b:2',3'-f]噻吩并[3,2-b]噻吩，其各自可任選以烴基α-取代和/或ω-取代。

9.如權(quán)利要求1至6中任一項的晶體管，其中該p型半導(dǎo)體材料包含由式(P-1)、(P-2)、(P-3)、(P-4)、(P-5)或(P-6)表示的空穴傳輸化合物：

其中R³及R⁴獨立地為H、或相同或不同的C_1-20烷基。

10.如權(quán)利要求9的晶體管，其中該p型半導(dǎo)體材料包含選自由以下所述組成的組的空穴傳輸化合物：

11.如權(quán)利要求10的晶體管，其中該發(fā)射材料發(fā)射藍(lán)光。

12.如權(quán)利要求11的晶體管，其中該發(fā)射材料包含式(H-1)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-1)的藍(lán)光發(fā)射體的摻合物：

式(H-2)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-1)的藍(lán)光發(fā)射體的摻合物：

式(H-3)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-1)的藍(lán)光發(fā)射體的摻合物：

13.如權(quán)利要求10的晶體管，其中該發(fā)射材料發(fā)射綠光。

14.如權(quán)利要求13的晶體管，其中該發(fā)射材料包含式(H-1)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-2)的綠光發(fā)射體的摻合物：

式(H-2)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-2)的綠光發(fā)射體的摻合物：

式(H-3)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-2)的綠光發(fā)射體的摻合物：

15.如權(quán)利要求10的晶體管，其中該發(fā)射材料發(fā)射紅光。

16.如權(quán)利要求15的晶體管，其中該發(fā)射材料包含式(H-1)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-3)的紅光發(fā)射體的摻合物：

式(H-2)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-3)的紅光發(fā)射體的摻合物：

式(H-3)的芳胺基質(zhì)化合物和式(G-3)的紅光發(fā)射體的摻合物：

17.如權(quán)利要求1至16中任一項的晶體管，其中該電子電極、該空穴電極和該柵極電極各自獨立地包含金屬或透明導(dǎo)電氧化物。

18.如權(quán)利要求27的晶體管，其中該電子電極、該空穴電極和該柵極電極各自獨立地包含選自由以下所述組成的組的金屬或透明導(dǎo)電氧化物：金、銀、鉬、銅、鈦、鉻、錫摻雜的氧化銦及其組合。

19.如權(quán)利要求18的晶體管，其中該電子電極和該空穴電極由不同金屬構(gòu)成。

20.如權(quán)利要求1至19中任一項的晶體管，其中該介電層包含選自由以下所述組成的組的電絕緣材料：無機氧化物或氮化物、分子電介質(zhì)、聚合電介質(zhì)及其組合。

21.如權(quán)利要求20的晶體管，其中該無機氧化物或氮化物選自由以下所述組成的組：SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、ZrO_x、Al摻雜的ZrO_x、和HfO_x。

22.如權(quán)利要求20的晶體管，其中該分子電介質(zhì)為自組裝納米電介質(zhì)。

23.如權(quán)利要求20的晶體管，其中該聚合電介質(zhì)選自由以下所述組成的組：聚烯烴、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚酯和氟聚合物。

24.如權(quán)利要求1至23中任一項的晶體管，其進一步包含沉積在該至少一個n型半導(dǎo)體材料層與該電子電極之間的電子注入子層。

25.如權(quán)利要求24的晶體管，其進一步包含沉積在該至少一個p型半導(dǎo)體材料層與該空穴電極之間的空穴注入子層。

26.如權(quán)利要求25的晶體管，其進一步包含覆蓋該發(fā)射雙極通道的頂表面的鈍化層。

27.一種用于產(chǎn)生圖像的光電裝置，該光電裝置包含多個相同或不同的如權(quán)利要求1至26中任一項的有機電致發(fā)光晶體管，其彼此互連和沉積在基板上。