本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式一般涉及用于半導(dǎo)體處理設(shè)備的上圓頂。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體基板經(jīng)處理以用于各式各樣的應(yīng)用，包括集成器件與微器件的制造。處理基板的一種方法包括將材料(如介電材料或?qū)щ娊饘?沉積在基板的上表面上。例如，外延(epitaxy)是一種在基板的表面上生長(zhǎng)通常是硅或鍺的薄的、超純的層的沉積工藝。所述材料可通過(guò)以下方式在側(cè)向流動(dòng)腔室中被沉積：使處理氣體平行于定位在支撐件上的基板表面流動(dòng)，并將處理氣體熱分解而將來(lái)自所述氣體的材料沉積在基板表面上。

然而，除了基板與處理?xiàng)l件外，反應(yīng)器設(shè)計(jì)對(duì)于在使用精密氣體流動(dòng)與準(zhǔn)確溫度控制的組合的外延生長(zhǎng)中的膜品質(zhì)是必要的。流動(dòng)控制、腔室空間與腔室加熱依賴于影響外延沉積均勻性的上與下圓頂?shù)脑O(shè)計(jì)。先前技術(shù)的上圓頂設(shè)計(jì)中，基板上方截面區(qū)域的大幅變化而限制了工藝均勻性，基板上方截面區(qū)域的大幅變化負(fù)面影響了流動(dòng)均勻性、引起紊流(turbulence)并影響了基板上沉積氣體濃度的整體均勻性。同樣地，先前技術(shù)的下圓頂設(shè)計(jì)中，基板下方截面區(qū)域的大幅變化而限制了工藝均勻性，基板下方截面區(qū)域的大幅變化負(fù)面影響溫度均勻性并使燈頭遠(yuǎn)離基板移動(dòng)，這導(dǎo)致了不良的整體熱均勻性和最小區(qū)域控制。這進(jìn)而限制了工藝均勻性和整體腔室的工藝可維持性(tenability)。

因此，對(duì)于提供跨越基板的均勻熱場(chǎng)的沉積設(shè)備是有其需求的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文所述的實(shí)施方式關(guān)于用于半導(dǎo)體處理腔室的圓頂組件。圓頂組件包括上圓頂與周邊凸緣，上圓頂包含中央窗，周邊凸緣嚙合中央窗并與中央窗的外周緣連接，其中中央窗相對(duì)于基板支撐件是凸起的，且周邊凸緣相對(duì)于由周邊凸緣的平坦上表面界定的平面成約10凸至約30凸的角度。

在一個(gè)實(shí)施方式中，上圓頂可以包括凸形中央窗部分和周邊凸緣；凸形中央窗部分具有寬度、窗口曲率，窗口曲率由至少10:1的曲率半徑與寬度的比例所界定；周邊凸緣具有平坦上表面、平坦下表面、以及傾斜凸緣表面，周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分，傾斜凸緣表面具有第一表面，第一表面帶有從平坦上表面測(cè)量的小于35度的第一角度。

在另一個(gè)實(shí)施方式中，用于熱處理腔室中的圓頂組件可以包括上圓頂和與上圓頂相對(duì)的下圓頂；上圓頂包含水平表面、具有寬度與窗口曲率的中央窗部分、和具有傾斜凸緣表面的周邊凸緣；窗口曲率由曲率半徑與寬度的比例所界定，所述比例至少為10:1，周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分，傾斜凸緣表面在第一角度處具有第一表面，第一角度是從水平表面測(cè)量的小于35度的角度；下圓頂與上圓頂界定內(nèi)部區(qū)域。

在另一個(gè)實(shí)施方式中，上圓頂可以包括水平平面、中央窗部分以及周邊凸緣；中央窗部分具有窗口曲率和在周緣處的平面邊界，窗口曲率由至少50:1的曲率半徑與寬度的比例所界定；周邊凸緣具有平坦水平上表面、平坦水平下表面和傾斜凸緣表面，傾斜凸緣表面帶有第一表面以及介于中央窗周緣與第一表面之間的第二表面，第一表面帶有從平坦水平上表面測(cè)量的小于35度的第一角度，第二表面具有從平坦水平上表面測(cè)量小于15度的第二角度，其中周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分。

附圖說(shuō)明

作為上述本公開(kāi)內(nèi)容的特征可以被詳細(xì)理解的方式，可以通過(guò)參考實(shí)施方式而獲得上面簡(jiǎn)要概述的本公開(kāi)內(nèi)容的更詳細(xì)的描述，這些實(shí)施方式中的一些在所附附圖中繪示。然而，值得注意的是，所附附圖只繪示了本發(fā)明的典型實(shí)施方式，并不應(yīng)被視為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他等效的實(shí)施方式。

圖1根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式繪示了具有襯墊組件的背側(cè)加熱處理腔室的示意截面圖。

圖2A根據(jù)一些實(shí)施方式繪示了上圓頂?shù)氖疽鈭D。

圖2B是根據(jù)一些實(shí)施方式的上圓頂?shù)膫?cè)視圖。

圖2C根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式繪示了周邊凸緣與中央窗部分206之間的連接的近視圖。

為便于理解，在可能的情況下，使用相同的數(shù)字編號(hào)指定附圖附圖中共同的相同器件。此外，一個(gè)實(shí)施方式的器件可有利地適用于本說(shuō)明書所述的其它實(shí)施方式中。

具體實(shí)施方式

本文公開(kāi)的實(shí)施方式描述用于半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的包括凸形上圓頂?shù)膱A頂組件。上圓頂具有中央窗與周邊凸緣，周邊凸緣嚙合中央窗并連接中央窗的外周緣，其中中央窗相對(duì)于基板支撐件是凸起的，且周邊凸緣在相對(duì)于由周邊凸緣的上表面界定的平面約10°至約30°的角度處。中央窗朝向基板彎曲，以用于減少處理空間并允許熱處理期間快速加熱和冷卻基板。周邊凸緣具有多個(gè)曲率，以允許中央窗熱膨脹而不破裂或破碎。下面參照附圖對(duì)本文公開(kāi)的實(shí)施方式進(jìn)行更清楚地描述。

圖1根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式繪示帶有圓頂組件160的背側(cè)加熱處理腔室100的示意截面圖?？蛇m于受益于本文所述的實(shí)施方式的處理腔室的一個(gè)示例為Epi處理腔室，其可從位于加州圣塔克拉拉的應(yīng)用材料公司取得?？梢灶A(yù)期，包含來(lái)自其他制造商的其他處理腔室可適于實(shí)施本實(shí)施方式。

處理腔室100可用于處理一個(gè)或多個(gè)基板，包含將材料沉積在基板108的上表面上。處理腔室100可以包括處理腔室加熱裝置，例如輻射加熱燈102的陣列，其用于加熱設(shè)置于處理腔室100內(nèi)的基板支撐件106的背側(cè)104或基板108的背側(cè)等組件?；逯渭?06可以是如圖所示的碟狀(disk-like)基板支撐件106，或可以是從基板邊緣支撐基板的環(huán)狀基板支撐件(未圖示)，或可以是通過(guò)最小的接觸支柱或銷從底部支撐基板的銷型(pin-type)支撐件。

在此實(shí)施方式中，基板支撐件106被繪示為位于上圓頂114與下圓頂112之間的處理腔室100內(nèi)。圓頂組件160包括上圓頂114與下圓頂112。上圓頂114與下圓頂112以及設(shè)置于上圓頂114與下圓頂112之間的基環(huán)118界定出處理腔室100的內(nèi)部區(qū)域?；?08可以通過(guò)裝載端口而被帶入處理腔室100中并定位在基板支撐件106上，裝載端口在圖1中不可見(jiàn)。參考圖2A-2C更詳細(xì)的討論上圓頂114。

基環(huán)118一般可以包括裝載端口、處理氣體入口136與氣體出口142?；h(huán)118可具有與裝載端口103一樣長(zhǎng)的任意的所需形狀，處理氣體入口136與氣體出口142相對(duì)與彼此和裝載端口成大約90度角偏置。例如，裝載端口103可位于處理氣體入口136與氣體出口142之間的一側(cè)，而處理氣體入口136與氣體出口142設(shè)置在基環(huán)118的相對(duì)的兩端。在各種實(shí)施方式中，裝載端口、處理氣體入口136與氣體出口142彼此對(duì)齊且設(shè)置在實(shí)質(zhì)相同的水平。

基板支撐件106被表示為處于上升處理位置，但可通過(guò)致動(dòng)器(未圖示)而垂直橫移至處理位置下的裝載位置以允許升舉銷105穿過(guò)基板支撐件106的孔與中央軸116而接觸下圓頂112，并將基板108從基板支撐件106舉起。機(jī)械人(未圖示)可接著進(jìn)入處理腔室100以通過(guò)裝載端口而嚙合基板108并將基板108從處理腔室100移除?；逯渭?06接著可被致動(dòng)向上至處理位置而將基板108放置于基板支撐件106的前側(cè)110上，其中基板108的裝置側(cè)117是朝上的。

當(dāng)基板支撐件106位于處理位置時(shí)，基板支撐件106將處理腔室100的內(nèi)部空間分割為在基板上方的處理區(qū)域120和在基板支撐件106下方的凈化氣體區(qū)域122。基板支撐件106可以在處理期間被中央軸116旋轉(zhuǎn)以最小化處理腔室100中熱與處理氣體流動(dòng)空間異常的影響并因此促進(jìn)基板108的均勻處理。基板支撐件106由中央軸116支撐，在基板108的裝載與卸載以及(在某些實(shí)例中)處理期間，中央軸116在上下方向上移動(dòng)基板108?；逯渭?06可由碳化硅或以碳化硅涂層的石墨形成以吸收來(lái)自燈的輻射能量并將輻射能量傳導(dǎo)至基板108。

一般來(lái)說(shuō)，上圓頂114的中央窗部分與下圓頂112的底部由光學(xué)透明材料形成，如石英。上圓頂114的厚度與彎曲程度可被構(gòu)造以在處理腔室中操縱流場(chǎng)的均勻性。參考圖2A與圖2B對(duì)上圓頂114進(jìn)行更詳盡的描述。

燈102可圍繞中央軸116以指定方式鄰近下圓頂112并在下圓頂112的下方設(shè)置，以當(dāng)處理氣體通過(guò)時(shí)，獨(dú)立控制基板108各個(gè)區(qū)域的溫度，從而促進(jìn)了材料沉積在基板108的上表面上。燈102可經(jīng)構(gòu)造而將基板108加熱到約攝氏200度至約攝氏1600度的范圍內(nèi)的溫度。雖然本文沒(méi)有詳盡討論，但是沉積的材料可包括硅、摻雜的硅、鍺、摻雜的鍺、硅鍺、摻雜的硅鍺、砷化鎵、氮化鎵或氮化鋁鎵。

從處理氣體供應(yīng)源134供應(yīng)的處理氣體通過(guò)在基環(huán)118的側(cè)壁中形成的處理氣體入口136而被引入處理區(qū)域120。處理氣體入口136通過(guò)多個(gè)穿過(guò)襯墊組件150而形成的氣體通道154連接至處理氣體區(qū)域。處理氣體入口136、襯墊組件150或上述的組合經(jīng)構(gòu)造而可以在大致徑向向內(nèi)的方向上引導(dǎo)處理氣體。在膜形成工藝期間，基板支撐件106位于處理位置，處理位置可以鄰近處理氣體入口136且在與處理氣體入口136大約相同的高度處，而允許處理氣體向上流動(dòng)且沿著流動(dòng)路徑138旋轉(zhuǎn)流動(dòng)，流動(dòng)路徑138跨越基板108的上表面。處理氣體通過(guò)氣體出口142離開(kāi)處理區(qū)域120(沿著流動(dòng)路徑140)，氣體出口142位于處理腔室100的與處理氣體入口136相對(duì)的一側(cè)?？赏ㄟ^(guò)與氣體出口142耦接的真空泵144來(lái)促進(jìn)處理氣體通過(guò)氣體出口142的移除。

從凈化氣體源124供應(yīng)的凈化氣體通過(guò)在基環(huán)118的側(cè)壁中形成的凈化氣體入口126而被引至凈化氣體區(qū)域122。凈化氣體入口126通過(guò)襯墊組件150連接至處理氣體區(qū)域。凈化氣體入口126設(shè)置于處理氣體入口136下方的高度。如果使用圓形屏蔽152，圓形屏蔽152可設(shè)置在處理氣體入口136與凈化氣體入口126之間。在這兩種情況中，凈化氣體入口126經(jīng)構(gòu)造而在大致徑向向內(nèi)的方向上引導(dǎo)凈化氣體。如果需要的話，凈化氣體入口126可經(jīng)構(gòu)造而在向上的方向上引導(dǎo)凈化氣體。

在膜形成工藝期間，基板支撐件106位于使得凈化氣體向下流動(dòng)并沿著路徑128旋轉(zhuǎn)流動(dòng)的位置上，流動(dòng)路徑128跨基板支撐件106的背側(cè)104。不受限于任何特定理論，相信凈化氣體的流動(dòng)會(huì)防止或?qū)嵸|(zhì)避免處理氣體流進(jìn)入凈化氣體區(qū)域122，或減少進(jìn)入凈化氣體區(qū)域122(即基板支撐件106下方的區(qū)域)的處理氣體的擴(kuò)散。凈化氣體離開(kāi)凈化氣體區(qū)域122(沿流動(dòng)路徑130)并經(jīng)由氣體出口142而從處理腔室排出，氣體出口142位于處理腔室100的與相對(duì)凈化氣體入口126的一側(cè)上。

圖2A與圖2B圖是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的可用于熱處理腔室中的上圓頂200的示意圖。圖2A繪示了上圓頂200的頂面透視圖。圖2B繪示了上圓頂200的截面圖。上圓頂200具有實(shí)質(zhì)圓形形狀(圖2A)以及具有略凹的外側(cè)表面202與略凸的內(nèi)側(cè)表面204(圖2B)。如將在下面詳細(xì)討論的，凹形外側(cè)表面202足夠彎曲以在基板處理期間抵抗外部大氣壓力對(duì)處理腔室中減少的內(nèi)部壓力的壓縮力，同時(shí)也足夠平坦以促進(jìn)處理氣體的有序流動(dòng)以及反應(yīng)材料的均勻沉積。

上圓頂200一般包括對(duì)紅外線輻射實(shí)質(zhì)透明的中央窗部分206，以及用于支撐中央窗部分206的周邊凸緣208。中央窗部分206被表示為具有一般的圓形周邊。周邊凸緣208沿著支撐界面210在中央窗部分206的周緣處且繞著所述周緣嚙合中央窗部分206。中央窗部分206可具有相對(duì)于周邊凸緣的水平平面214的凸曲率。

上圓頂200的中央窗部分206可由諸如透明石英的材料形成，所述材料對(duì)來(lái)自燈的直接輻射通常是光學(xué)透明的，且不顯著吸收所需波長(zhǎng)的輻射。或者，中央窗部分206可由具有窄帶濾波能力的材料形成。一些從加熱的基板與基板支撐件再輻射(re-radiate)的熱輻射的可穿過(guò)進(jìn)入中央窗部分206，并被中央窗部分206大幅吸收。這些再輻射(re-radiation)在中央窗部分206內(nèi)產(chǎn)生熱，而產(chǎn)生熱膨脹力。

此處中央窗部分206被表示為在長(zhǎng)度與寬度方向上是圓形的，并帶有用于形成中央窗部分206與周邊凸緣208之間的邊界的周緣。然而，中央窗部分可具有使用者所需的其他形狀。

周邊凸緣208可由不透明石英或其他不透明材料制成?？梢员恢瞥刹煌该鞯闹苓呁咕?08保持比中央窗部分206相對(duì)更冷，從而導(dǎo)致中央窗部分206超過(guò)其在初始室溫下的弧度(bow)向外彎曲。如此一來(lái)，中央窗部分206內(nèi)的熱膨脹表示為熱補(bǔ)償彎曲。當(dāng)處理腔室的溫度增加時(shí)，中央窗部分206的熱補(bǔ)償彎曲增加。中央窗部分206作得薄且具有充分柔性以適應(yīng)此彎曲，而周邊凸緣208是厚的且具有足夠剛性(rigidness)以限制中央窗部分206。

在一個(gè)實(shí)施方式中，上圓頂200以以下方式構(gòu)建：中央窗部分206是帶有比例的弧，該比例是中央窗部分206的曲率半徑對(duì)寬度“W”的比例，且至少為5:1。在一個(gè)示例中，曲率半徑對(duì)寬度“W”的比例大于10:1，例如介于約10:1至50:1之間。在另一個(gè)實(shí)施方式中，曲率半徑對(duì)寬度“W”的比例大于50:1，例如介于約50:1至約100:1之間。寬度“W”是通過(guò)中央窗部分206的中心所測(cè)量的由周邊凸緣208設(shè)定的邊界之間的中央窗部分206的寬度。以上比例在文中的大于或小于指增加或減少前者(即曲率半徑)比上后者(即寬度“W”)的值。

在圖2B中所示的另一個(gè)實(shí)施方式中，上圓頂200以以下方式構(gòu)建：中央窗部分206是帶有比例的弧，該比例是中央窗部分206的寬度“W”與高度“H”的比例，且至少為5:1。在一個(gè)示例中，寬度“W”與高度“H”的比例大于10:1，例如介于約10:1至50:1之間。在另一個(gè)實(shí)施方式中，寬度“W”對(duì)高度“H”的比例大于50:1，例如介于約50:1至約100:1之間。高度“H”是由第一邊界線240與第二邊界線242設(shè)定的邊界之間的中央窗部分206的高度。第一邊界線240與中央窗部分206中的面向處理區(qū)域120的彎曲部分的峰值點(diǎn)(peak point)相切。第二邊界線242與支撐界面210的距離處理區(qū)域120最遠(yuǎn)的點(diǎn)相交。

上圓頂200可具有約200mm至約500mm的總外徑，如約240mm至約330mm，例如約295mm。中央窗部分206可具有約2mm至約10mm的固定厚度，例如約2mm至約4mm，約4mm至約6mm，約6mm至約8mm，約8mm至約10mm。在某些示例中，中央窗部分206為約3.5mm至6.0mm厚。在一個(gè)示例中，中央窗部分206為約4mm厚。

更薄的中央窗部分206提供較小的熱質(zhì)量，而使上圓頂200能夠快速加熱與冷卻。中央窗部分206可具有約130mm至約250mm的外徑，例如約160mm至約210mm。在一個(gè)示例中，中央窗部分206的直徑為約190mm。

周邊凸緣208可具有約25mm至約125mm的厚度，例如約45mm至約90mm。周邊凸緣208的厚度通常定義為平坦上表面216與平坦底表面220之間的厚度。在一個(gè)示例中，周邊凸緣208為約70mm厚。周邊凸緣208可具有約5mm至90mm的寬度，例如約12mm至約60mm，寬度可與半徑一起改變。在一個(gè)示例中，周邊凸緣208為約30mm厚。如果襯墊組件未使用在處理腔室中，則周邊凸緣208的寬度可增加約50mm至約60mm且中央窗部分206的寬度可減少相同的量。

中央窗部分206具有5mm至8mm之間的厚度，例如6mm厚。上圓頂200的中央窗部分206的厚度在如上討論的范圍內(nèi)選擇以確保解決周邊凸緣208與中央窗部分206之間的界面處產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。在一個(gè)實(shí)施方式中，更薄的石英壁(即中央窗部分206)是更有效率的熱傳遞媒介使得更少的能量被石英吸收。所以上圓頂保持相對(duì)更冷。更薄的壁圓頂亦會(huì)更快地穩(wěn)定溫度且更快地相應(yīng)對(duì)流冷卻，這是因?yàn)楦倌芰勘粌?chǔ)存且到外側(cè)表面的傳導(dǎo)路徑更短。因此，上圓頂200的溫度可以更緊密地保持在所需的設(shè)定點(diǎn)以提供跨越中央窗部分206更好的熱均勻性。此外，當(dāng)中央窗部分206徑向傳導(dǎo)至周邊凸緣208時(shí)，更薄的圓頂壁導(dǎo)致基板上的改良的溫度均勻性。也有以下好處，不會(huì)在徑向方向上過(guò)度冷卻中央窗部分206，而使得導(dǎo)致不必要的溫度梯度，該不必要的溫度梯度會(huì)反應(yīng)在正被處理的基板表面上且使得膜均勻性受損。

圖2C根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式繪示了周邊凸緣208與中央窗部分206之間的連接的近視示意圖。周邊凸緣208具有傾斜凸緣表面212，傾斜凸緣表面212具有由表面線(surface line)218指示的至少第一表面217。第一表面217是在相對(duì)于由周邊凸緣208的平坦上表面216界定的平面約20的至約30的的角度處。第一表面217的角度可以與平坦上表面216或水平平面214一起被界定。平坦上表面216是水平的。水平平面214平行于周邊凸緣208的平坦上表面216。

第一角度232可以更特定地界定為周邊凸緣208(或水平平面214)的平坦上表面216與表面線218之間的角度，表面線218是在穿過(guò)中央窗部分206與周邊凸緣208的交叉點(diǎn)的中央窗部分206的凸形內(nèi)側(cè)表面204上。在各種實(shí)施方式中，水平平面214與水平面218之間的第一角度232通常小于352。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一角度232是約6約至約202，例如介于約6介至約8約之間，約8間至約10，之間，約10，至約12，之間，約12，至約14，之間，約14，至約16，之間，約16，至約18，之間，約18，至約20，之間。在一個(gè)示例中，第一角度232為約102。在另一個(gè)示例中，第一角度232為約302。帶有約20有的第一角度232的傾斜凸緣表面212為由周邊凸緣208支撐的中央窗部分206提供結(jié)構(gòu)支撐。

在另一個(gè)實(shí)施方式中，傾斜凸緣表面212可以具有一個(gè)或多個(gè)額外角度，如此處被繪示為從第二表面219形成的第二角度230，如表面線221所示。傾斜凸緣表面212的第二角度230是周邊凸緣208的支撐角度234與第一角度232之間的角度。支撐角度234是切線表面222與水平平面214之間的角度，切線表面222是從在支撐界面210處的凸形內(nèi)側(cè)表面214形成。例如，如果支撐角度234是33且第一角度232是302，則第二角度230介于3于至300之間。第二角度230通過(guò)利用兩個(gè)連續(xù)重定向(sequential redirections)而將力重新定向以提供額外的應(yīng)力減少，而不是用于進(jìn)一步擴(kuò)散膨脹與壓力產(chǎn)生的力的單一重定向。

支撐角度234、第一角度232與第二角度230可具有產(chǎn)生端表面之間流體過(guò)渡(fluid transition)的角度，這些端表面介于第一表面217、第二表面219與切線表面222之間。在一個(gè)示例中，切線表面222具有與第二表面219的端表面具由流體過(guò)渡的端表面。在另一個(gè)示例中，第二表面219具有與第一表面217的端表面具有流體過(guò)渡的端表面。本文所用的端表面是形成于第一表面217、第二表面219或切線表面222的任意之間的假想間隔處。端表面之間的流體過(guò)渡是不形成可見(jiàn)邊緣而連接的表面之間的過(guò)渡。

可以相信，傾斜凸緣表面212的角度允許上圓頂200的熱膨脹，同時(shí)減少處理區(qū)域120中的處理空間。不受限于理論，用于熱處理的現(xiàn)有上圓頂?shù)目s放(scaling)將增加處理空間，因此浪費(fèi)反應(yīng)氣體、減少產(chǎn)量、減少沉積均勻性和增加成本。傾斜凸緣表面212允許膨脹應(yīng)力被吸收而不改變以上所述的比例。通過(guò)增加傾斜凸緣表面212，可以增加前述中央窗部分206曲率半徑與寬度的比例。通過(guò)增加前述比例，中央窗部分206的曲率變得更為平坦而允許較小的腔室空間。

本文公開(kāi)了上圓頂?shù)膶?shí)施方式。上圓頂包括至少凸形中央窗和具有多個(gè)角度的周邊凸緣。凸形中央窗減少處理區(qū)域中的空間且基板可以在熱處理期間被更有效率地加熱和冷卻。周邊凸緣具有與中央窗連接并遠(yuǎn)離處理區(qū)域而形成的多個(gè)角度。所述多個(gè)角度在加熱與冷卻步驟期間為中央窗提供應(yīng)力釋放。此外，周邊凸緣的角度允許更薄的凸緣與更薄的中央窗以進(jìn)一步減少空間。通過(guò)減少處理空間與器件大小，可以減少生產(chǎn)與處理成本而不損害成品的品質(zhì)或圓頂組件的生命周期。

雖然前述內(nèi)容是針對(duì)公開(kāi)的裝置、方法與系統(tǒng)的實(shí)施方式，但在不背離本發(fā)明的基本保護(hù)范圍的前提下，可設(shè)計(jì)所公開(kāi)裝置、方法與系統(tǒng)的其他與進(jìn)一步的實(shí)施方式，且本發(fā)明的范圍由以下的權(quán)利要求書決定。