背景技術：

光伏(pv)電池(常被稱為太陽能電池)是熟知的用于將太陽輻射轉換為電能的裝置。一般來講，照射在太陽能電池基板表面上并進入基板內(nèi)的太陽輻射在基板主體中形成電子和空穴對。電子和空穴對遷移至基板中的p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū)，從而在摻雜區(qū)之間形成電壓差。將摻雜區(qū)連接到太陽能電池上的導電區(qū)，以將電流從電池引導至外部電路。將pv電池組合在諸如pv模塊的陣列中時，從所有的pv電池收集的電能可以按串聯(lián)布置方式和并聯(lián)布置方式加以組合，以提供具有某一電壓和電流的電源。

效率是太陽能電池的重要特性，因為其直接關系到太陽能電池的發(fā)電能力。因此，通常需要用于改進太陽能電池的制造工藝、降低其制造成本以及提高其效率的技術。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)一些實施例的制造太陽能電池的方法的流程示意圖。

圖2至圖7示出了根據(jù)一些實施例的太陽能電池在各種工序的剖視圖。

具體實施方式

以下具體實施方式在本質上只是說明性的，而并非意圖限制本申請的主題的實施例或此類實施例的用途。如本文所用，詞語“示例性”意指“用作實例、例子或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其他實施優(yōu)選的或有利的。此外，并不意圖受前述技術領域、背景技術、

技術實現(xiàn)要素：
或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。

本說明書包括提及“一個實施例”或“實施例”。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現(xiàn)不一定是指同一實施例。特定的特征、結構或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。

術語。以下段落提供存在于本公開(包括所附權利要求書)中的術語的定義和/或語境：

“包括”。該術語是開放式的。如在所附權利要求書中所用，該術語并不排除其他結構或步驟。

“被構造成”。各個單元或部件可被描述或聲明成“被構造成”執(zhí)行一項或多項任務。在這樣的語境下，“被構造成”用于通過指示該單元/部件包括在操作期間執(zhí)行一項或多項那些任務的結構而暗示結構。因此，即使當指定的單元/部件目前不在操作(例如，未開啟/激活)時，也可將該單元/部件說成是被構造成執(zhí)行任務。詳述某一單元/電路/部件“被構造成”執(zhí)行一項或多項任務明確地意在對該單元/部件而言不援用35u.s.c.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用的這些術語用作其之后的名詞的標記，而并不暗示任何類型的順序(例如，空間、時間和邏輯等)。例如，提及“第一”蝕刻工藝并不一定暗示該蝕刻工藝為某一序列中的第一個蝕刻工藝；而是術語“第一”用于區(qū)分此蝕刻工藝與另一個蝕刻工藝(例如，“第二”蝕刻工藝)。

“基于”。如本文所用，該術語用于描述影響確定結果的一個或多個因素。該術語并不排除可影響確定結果的另外因素。也就是說，確定結果可以僅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考慮短語“基于b確定a”。盡管b可以是影響a的確定結果的因素，但這樣的短語并不排除a的確定結果還基于c。在其他實例中，a可以僅基于b來確定。

“耦接”—以下描述是指元件或節(jié)點或結構特征被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明確指明，否則“耦接”意指一個元件/節(jié)點/特征直接或間接連接至另一個元件/節(jié)點/特征(或直接或間接與其連通)，并且不一定是機械連接。

“阻止”—如本文所用，阻止用于描述減小影響或使影響降至最低。當組件或特征被描述為阻止行為、運動或條件時，它可以完全防止某種結果或后果或未來的狀態(tài)。另外，“阻止”還可以指減少或減小可能會發(fā)生的某種后果、表現(xiàn)和/或效應。因此，當組件、元件或特征被稱為阻止結果或狀態(tài)時，它不一定完全防止或消除該結果或狀態(tài)。

此外，以下描述中還僅為了參考的目的使用了某些術語，因此這些術語并非意圖進行限制。例如，諸如“上部”、“下部”、“上方”或“下方”之類的術語是指附圖中提供參考的方向。諸如“正面”、“背面”、“后面”、“側面”、“外側”和“內(nèi)側”之類的術語描述部件的某些部分在一致但任意的參照系內(nèi)的取向和/或位置，通過參考描述所討論的部件的文字和相關的附圖可以清楚地了解所述取向和/或位置。這樣的術語可包括上面具體提及的詞語、它們的衍生詞語以及類似意義的詞語。

在以下描述中，給出了許多具體細節(jié)，諸如具體的操作，以便提供對本公開的實施例的透徹理解。對本領域的技術人員將顯而易見的是，可在沒有這些具體細節(jié)的情況下實施本公開的實施例。在其他實例中，沒有詳細地描述熟知的技術，以避免不必要地使本公開的實施例難以理解。

本說明書描述了制造太陽能電池的示例性方法，該方法包括用于形成p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū)的改進的蝕刻工藝，然后更詳細地說明了用于太陽能電池制造的蝕刻工藝的各種實施例。本文通篇提供了各種例子。

現(xiàn)在轉到圖1，該圖示出了根據(jù)一些實施例的用于制造太陽能電池的方法的流程圖。在各種實施例中，圖1的方法可包括與圖示相比更多(或更少)的框。例如，在一些實施例中，無需執(zhí)行第二蝕刻工藝(框116)。

在100處，可在硅基板上方形成硅區(qū)。在一個實施例中，硅區(qū)可為非晶硅和/或多晶硅。在一些實施例中，硅區(qū)可在熱工藝中(例如，在烘箱或熱處理室中)沉積或生長。在一個實施例中，可在形成硅區(qū)之前，在硅基板上方形成電介質區(qū)。在一些實施例中，電介質區(qū)可以為氧化物或隧道型氧化物。在一些實施例中，無需形成硅區(qū)。在此類實施例中，如本文所述，可將摻雜劑驅動到硅基板本身中。

在102處，可在硅基板上方形成第一摻雜劑區(qū)。在一個實施例中，第一摻雜劑區(qū)可在硅區(qū)上形成。在一些實施例中，第一摻雜劑區(qū)可在硅基板上形成。在一個實施例中，第一摻雜劑區(qū)可通過化學氣相沉積工藝(cvd)和/或等離子體增強化學氣相沉積工藝(pecvd)沉積。在一個實施例中，第一摻雜劑區(qū)可包括p型摻雜劑，例如硼。

在104處，可在第一摻雜劑區(qū)上形成氧化物區(qū)。在一個實施例中，氧化物區(qū)可以是無摻雜氧化物區(qū)。在一個實施例中，氧化物區(qū)可具有在1000至2500埃范圍內(nèi)的厚度。在一個實施例中，氧化物區(qū)可通過化學氣相沉積工藝(cvd)和/或等離子體增強化學氣相沉積工藝(pecvd)沉積。在一些實施例中，氧化物區(qū)可在與第一摻雜劑區(qū)相同的工序(框102)中形成，例如，框102和104可在相同工藝中形成(或者同時進行，或者只是在相同工藝中但不同時進行)。

在106處，可在硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)可在硅區(qū)上形成。在一些實施例中，第二摻雜劑區(qū)可在硅基板上形成。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)可在第一摻雜劑區(qū)上方形成。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)可通過化學氣相沉積工藝(cvd)和/或等離子體增強化學氣相沉積工藝(pecvd)沉積。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)可生長(例如，在熱烘箱中或通過熱工藝)。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)可包括n型摻雜劑，例如磷。在一個實施例中，可在第二摻雜劑區(qū)上形成氧化物區(qū)。

在108處，可形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)可在硅區(qū)中形成。在一些實施例中，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)可在硅基板中形成。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)可分別為p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)可通過將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動到硅區(qū)、硅基板或硅區(qū)和硅基板兩者中來形成。在一個實例中，可將太陽能電池加熱，以將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動到硅區(qū)，形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。在一些實施例中，形成第二摻雜劑區(qū)以及將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動以形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，可在單個熱烘箱和/或熱工藝中執(zhí)行(或者同時進行，或者只是在相同工藝中但不同時進行)。如下文更詳細地描述，圖2示出了形成電介質區(qū)、第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)、第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)，以及氧化物區(qū)之后的示例性太陽能電池。

在110處，可在第二摻雜劑區(qū)上形成掩模。在一個實施例中，掩?？稍诘诙诫s劑區(qū)的第一部分上方形成。在一些實施例中，掩?？蔀榭刮g劑或墨水。在一個實施例中，掩?？赏ㄟ^絲網(wǎng)印刷工藝或噴墨工藝形成。如下文更詳細地描述，圖3示出了在第二摻雜劑區(qū)的第一部分上形成掩模232之后的示例性硅基板。

在112處，可執(zhí)行第一蝕刻工藝。在一個實施例中，第一蝕刻工藝可包括部分地移除氧化物區(qū)。在一個實例中，氧化物區(qū)可充當蝕刻阻擋物和/或掩模，用以在第一蝕刻工藝中阻止蝕刻第一摻雜劑區(qū)。將氧化物區(qū)用作蝕刻阻擋物和/或掩模的好處可包括減少或消除對蝕刻工藝通常需要的抗蝕劑的需求，這可使得需要的材料更少(例如，更少的抗蝕劑或墨水)，因此降低制造成本。

作為氧化物區(qū)充當蝕刻阻擋物或掩模的一個實例，氧化物區(qū)的頂部可保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝。在一個實施例中，氧化物區(qū)的頂部可在第一蝕刻工藝期間被移除。在一些實施例中，第一蝕刻工藝可蝕刻和/或移除55％至90％的氧化物區(qū)。在一個實施例中，在執(zhí)行第一蝕刻工藝之后，氧化物區(qū)的剩余部分可留在第一摻雜劑區(qū)上。在一個實施例中，氧化物區(qū)的剩余部分可具有200至900埃的厚度。在一個實施例中，可在第一蝕刻工藝之后蝕刻掉氧化物區(qū)的頂部。在一些實施例中，蝕刻掉的區(qū)(例如，頂部)可以為600至1900埃厚。在一個實施例中，可將頂部和剩余部分分別稱為氧化物區(qū)的第一部分和第二部分。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝可包括暴露硅基板的一部分。在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝可包括暴露硅區(qū)的一部分。在一個實施例中，第一蝕刻工藝可移除第二摻雜劑區(qū)的暴露區(qū)a。例如，圖4示出了執(zhí)行第一蝕刻工藝之后的硅基板，其中硅區(qū)的一部分227被暴露。

在一些實施例中，掩模(來自框110)可在第一蝕刻工藝期間保護第二摻雜劑區(qū)的第一部分。在一個實施例中，可在時間上控制第一蝕刻工藝，例如使用稀氫氟酸或緩沖氧化物蝕刻溶液進行定時氧化物蝕刻，以暴露硅基板的一部分。在一個實施例中，使用氫氟酸和/或硝酸的蝕刻工藝可用于暴露硅基板的一部分。在一些實施例中，第一蝕刻工藝可移除在第二摻雜劑區(qū)上方形成的任何氧化物，并且可部分地移除在第一摻雜劑區(qū)上方形成的氧化物。

在114處，可從第二摻雜劑區(qū)移除掩模(來自框110)。在一個實施例中，掩?？蔀榭刮g劑或墨水。在一個實施例中，可執(zhí)行墨水剝離工藝來移除掩模。

在116處，可執(zhí)行第二蝕刻工藝。在一個實施例中，執(zhí)行第二蝕刻工藝可包括形成溝槽區(qū)以隔離第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)(框108)。圖5示出了形成溝槽區(qū)240之后的太陽能電池。在一個實施例中，溝槽區(qū)可將第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)電隔離。在一個實施例中，溝槽區(qū)可暴露硅基板的一部分。參見圖5，在一個實施例中，氧化物區(qū)的剩余部分231可保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第二蝕刻工藝。在一個實施例中，可使用堿性蝕刻劑(例如，氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨)來蝕刻硅基板并形成溝槽區(qū)。在一個實施例中，可在時間上控制第二蝕刻工藝，例如執(zhí)行定時氧化物蝕刻，以暴露硅基板的一部分。在一些實施例中，諸如第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)在硅基板中形成的情況下，無需執(zhí)行第二蝕刻工藝和/或形成溝槽區(qū)。

在118處，可執(zhí)行紋理化工藝。在一個實施例中，紋理化工藝可在硅基板的暴露區(qū)上形成紋理化區(qū)。例如，圖6示出了在硅基板的暴露區(qū)(例如，在正面)和溝槽區(qū)上紋理化并形成紋理化表面之后的硅基板。在一個實施例中，可使用氫氧化鉀在硅基板的溝槽區(qū)和暴露區(qū)上形成紋理化表面。

在120處，可在硅基板上執(zhí)行第三蝕刻工藝。在一個實施例中，執(zhí)行第三蝕刻工藝可包括移除第一摻雜劑區(qū)、第二摻雜劑區(qū)和氧化物區(qū)的剩余部分。在一個實施例中，第三蝕刻工藝可包括使用氫氟酸、臭氧溶液、硝酸、磷酸或者其組合進行蝕刻。在一個實施例中，第三蝕刻工藝可包括執(zhí)行緩沖氧化物蝕刻。例如，圖7示出了執(zhí)行第三蝕刻工藝去除第一摻雜劑區(qū)、第二摻雜劑區(qū)和氧化物區(qū)的剩余部分之后的硅基板。在一個實施例中，第三蝕刻工藝可包括執(zhí)行金屬清洗工藝，以從硅基板去除污染物并移除氧化物區(qū)。在一個實施例中，金屬清洗工藝還可在處理期間蝕刻掉氧化物區(qū)的第二部分并且從太陽能電池去除污染物。在一些實施例中，第三蝕刻工藝允許執(zhí)行金屬清洗工藝，例如去除污染物，以及在單個浴中移除氧化物區(qū)。在一個實施例中，執(zhí)行第三蝕刻工藝可包括使用濃度在0.1至1.5重量百分比(％)范圍內(nèi)的氫氟酸進行蝕刻。

在一個實施例中，太陽能電池可被干燥。例如，可執(zhí)行干燥工藝以從太陽能電池去除任何剩余的水分。在一個實施例中，干燥工藝可包括將太陽能電池放置在某個位置以等待所有水分干燥。在一些實施例中，干燥工藝可包括將空氣吹到太陽能電池上以去除任何剩余的水分。在一個實施例中，干燥工藝可包括從熱水、稀氫氟酸或氫氟酸和臭氧溶液的混合物中緩慢地取出太陽能電池。

在122處，可在第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)上形成金屬觸點區(qū)。在一個實施例中，可執(zhí)行退火工藝、電鍍工藝和/或任何類型的金屬成型工藝，以在第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)上形成金屬觸點區(qū)。在一個實施例中，金屬觸點區(qū)可允許電流從太陽能電池傳導到外部電路。

圖2至圖7示出了根據(jù)一些實施例的制造硅太陽能電池的剖視圖。

參見圖2，其示出了在已經(jīng)執(zhí)行框100至框110中的一個或多個之后的太陽能電池。在一個實施例中，太陽能電池200可具有在正常工作期間朝向太陽的正面204和與正面204相背對的背面202。在一個實施例中，太陽能電池200可包括硅基板210。在一個實施例中，太陽能電池200還可包括第一摻雜劑區(qū)223、第二摻雜劑區(qū)224、在第一摻雜劑區(qū)223上形成的氧化物區(qū)222。在一個實施例中，第一摻雜劑區(qū)223和第二摻雜劑區(qū)224可分別包括p型摻雜劑和n型摻雜劑。在一些實施例中，第一摻雜劑區(qū)223可摻有硼，第二摻雜劑區(qū)224可摻有磷。在一個實施例中，第二摻雜劑區(qū)224可在第一摻雜劑區(qū)223、氧化物區(qū)222和硅基板210上方形成。在一個實施例中，氧化物區(qū)222可以是無摻雜氧化物區(qū)。在一個實施例中，氧化物區(qū)222可具有在1000至2500埃范圍內(nèi)的厚度。在一些實施例中，還可在第二摻雜劑區(qū)224上形成氧化物區(qū)。

在一個實施例中，太陽能電池200可包括具有第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228的硅區(qū)221。在一些實施例中，太陽能電池200可包括在硅區(qū)221和硅基板210之間形成的電介質區(qū)230。在一個實施例中，電介質區(qū)230可以是氧化物或隧道型氧化物。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228可分別為p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)。在另一個實施例中，不需要硅區(qū)221，而是第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228可在硅基板210中形成。

圖3示出了在第二摻雜劑區(qū)上形成掩模之后的圖2的太陽能電池。在一個實施例中，掩模232可為抗蝕劑或墨水。在一些實施例中，掩模232可通過絲網(wǎng)印刷工藝或噴墨工藝形成。掩模232可放置在第二摻雜劑區(qū)的第一部分224上，其中第二摻雜劑區(qū)的第二部分225可被暴露。在一個實施例中，可執(zhí)行第一蝕刻工藝(圖1，112)以暴露硅區(qū)221的一部分。在一個實施例中，第一蝕刻工藝可移除第一摻雜劑區(qū)222的頂部229以及第二摻雜劑區(qū)的第二部分225(例如，暴露部分)。在一些實施例中，第一蝕刻工藝可蝕刻和/或移除55％至90％的氧化物區(qū)222(例如，氧化物區(qū)的頂部229可占氧化物區(qū)222的55％至90％)。在一個實施例中，頂部229可被稱為氧化物區(qū)222的第一部分。在一些實施例中，頂部229可以為600至1900埃厚。在一個實施例中，第一蝕刻工藝還可暴露硅基板210的一部分。在一個實施例中，可執(zhí)行使用氫氟酸和/或硝酸的蝕刻工藝以暴露硅區(qū)221的一部分、硅基板210的一部分和/或硅區(qū)221和硅基板210兩者的一部分。隨后的掩模移除工藝(圖1，114)可移除掩模232。

參見圖4，示出了在執(zhí)行第一蝕刻工藝和掩模移除工藝(圖1，框112和框114)之后的圖3的太陽能電池。圖4的太陽能電池200可包括氧化物區(qū)的剩余部分231、硅區(qū)221的暴露部分227以及第二摻雜劑區(qū)的一部分224(圖3的第一部分)。在一個實施例中，在執(zhí)行第一蝕刻工藝之后，氧化物區(qū)的剩余部分231可具有200至900埃的厚度。在一個實施例中，剩余部分231可被稱為氧化物區(qū)的第二部分。在一個實施例中，可執(zhí)行第二蝕刻工藝(圖1，116)以在暴露部分227處形成溝槽區(qū)，從而將第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228隔離開。在一個實施例中，可使用堿性蝕刻劑(例如，氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨)來蝕刻硅基板并形成溝槽區(qū)。在一些實施例中，可使用其他技術(例如，激光燒蝕)形成溝槽區(qū)。

圖5示出了執(zhí)行第二蝕刻工藝(圖1，框116)來形成溝槽區(qū)之后的圖4的太陽能電池。在一個實施例中，溝槽區(qū)240可將第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228電隔離。在一個實施例中，溝槽區(qū)240可暴露硅基板210的一部分。在一些實施例中，例如在第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228在硅基板210中形成的情況下，無需執(zhí)行第二蝕刻工藝和/或形成溝槽區(qū)240。

參見圖6，其示出了執(zhí)行紋理化工藝(圖1，118)之后的圖5的太陽能電池。在一個實施例中，可執(zhí)行紋理化工藝以在硅基板210的暴露區(qū)(例如，溝槽區(qū)240和正面204)上形成紋理化區(qū)242和紋理化區(qū)244。

在一個實施例中，可執(zhí)行第三蝕刻工藝(圖1，120)以移除氧化物區(qū)222的剩余部分231、第一摻雜劑區(qū)223和第二摻雜劑區(qū)224的剩余部分。在一個實施例中，第三蝕刻工藝可包括金屬清洗工藝，該金屬清洗工藝可從太陽能電池200去除污染物并移除氧化物區(qū)222的剩余部分231、第一摻雜劑區(qū)223和第二摻雜劑區(qū)224。在一個實施例中，第三蝕刻工藝可包括使用氫氟酸、臭氧和/或鹽酸的混合物或者其組合進行蝕刻。結合金屬清洗和移除氧化物區(qū)可提供若干好處，諸如減少蝕刻步驟數(shù)量和縮短處理時間。隨后，可在第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228上形成金屬觸點區(qū)和電介質區(qū)。

圖7示出了執(zhí)行本文所述的工序之后得到的示例性太陽能電池。在一個實施例中，太陽能電池200可具有在正常工作期間面朝太陽的正面204和與正面204相對的背面202。在一個實施例中，太陽能電池200可具有硅基板210。太陽能電池200還可具有第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228可分別為p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)。在一個實施例中，第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228可以是第一摻雜多晶硅區(qū)和第二摻雜多晶硅區(qū)。在一個實施例中，電介質區(qū)230可在第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228與硅基板210之間形成。金屬區(qū)250和電介質區(qū)252可在第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228上形成。在一個實施例中，金屬區(qū)250可包括銅、鋁、錫以及其他導電材料，包括非金屬。在一些實施例中，電介質區(qū)252可以是氮化硅?？尚纬蓽喜蹍^(qū)240以將第一摻雜區(qū)226和第二摻雜區(qū)228隔離開。在一個實施例中，無需形成溝槽區(qū)230。在一個實施例中，溝槽區(qū)240可具有紋理化區(qū)242，并且太陽能電池200的正面204也可具有紋理化區(qū)244。

盡管上面已經(jīng)描述了具體實施例，但即使相對于特定的特征僅描述了單個實施例，這些實施例也并非旨在限制本公開的范圍。在本公開中所提供的特征的例子旨在為說明性的而非限制性的，除非另有說明。以上描述旨在涵蓋將對本領域的技術人員顯而易見的具有本公開的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。

本公開的范圍包括本文所(明示或暗示)公開的任何特征或特征組合，或其任何概括，不管其是否減輕本文所解決的任何或全部問題。因此，可以在本申請(或對其要求優(yōu)先權的申請)的審查過程期間對任何此類特征組合提出新的權利要求。具體地講，參考所附權利要求書，來自從屬權利要求的特征可與獨立權利要求的那些特征相結合，來自相應的獨立權利要求的特征可以按任何適當?shù)姆绞浇M合，而并非只是以所附權利要求中枚舉的特定形式組合。

在一個實施例中，一種制造太陽能電池的方法包括：在硅基板上方形成第一摻雜劑區(qū)；在第一摻雜劑區(qū)上方形成氧化物區(qū)，其中該氧化物區(qū)保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝；在硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)；在第二摻雜劑區(qū)的第一部分上方形成掩模，其中該掩模保護第二摻雜劑區(qū)的第一部分免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝；以及執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅基板的多個部分。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅基板的多個部分包括執(zhí)行定時氧化物蝕刻。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅基板的多個部分包括使用氫氟酸或硝酸中的至少一種進行蝕刻。

在一個實施例中，形成氧化物區(qū)包括在第一摻雜劑區(qū)上形成無摻雜氧化物區(qū)。

在一個實施例中，在硅基板上方形成第一摻雜劑包括在該硅基板上方形成硼。

在一個實施例中，該方法還包括在執(zhí)行第一蝕刻工藝之前，將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動，以在硅基板中或在其上方形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。

在一個實施例中，該方法還包括在驅動摻雜劑之前，在硅基板上方形成電介質區(qū)，以及在該電介質區(qū)上方形成硅區(qū)，其中驅動摻雜劑包括在硅區(qū)中形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。

在一個實施例中，在電介質區(qū)上方形成硅區(qū)包括在電介質區(qū)上方形成非晶硅區(qū)。

在一個實施例中，在硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)包括在第一摻雜劑區(qū)、氧化物區(qū)和硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)。

在一個實施例中，一種制造太陽能電池的方法包括：在硅基板上方形成硅區(qū)；在硅區(qū)上形成第一摻雜劑區(qū)；在第一摻雜劑區(qū)上形成氧化物區(qū)，其中氧化物區(qū)的第一部分保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝，并且氧化物區(qū)的第二部分保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第二蝕刻工藝；在硅區(qū)上形成第二摻雜劑區(qū)；將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動到硅區(qū)，其中該驅動在硅區(qū)中形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；在第二摻雜劑區(qū)的第一部分上形成掩模，其中該掩模保護第二摻雜劑區(qū)的第一部分免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝；執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅區(qū)的多個部分；以及執(zhí)行第二蝕刻工藝以形成隔離第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的溝槽區(qū)。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅區(qū)的多個部分包括執(zhí)行定時氧化物蝕刻。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅區(qū)的多個部分包括使用氫氟酸或硝酸中的至少一種進行蝕刻。

在一個實施例中，在硅基板上方形成第一摻雜劑區(qū)包括在該硅基板上方形成硼。

在一個實施例中，該方法還包括執(zhí)行第三蝕刻工藝來移除氧化物區(qū)。

在一個實施例中，執(zhí)行第三蝕刻工藝來移除氧化物區(qū)包括執(zhí)行金屬清洗工藝。

在一個實施例中，執(zhí)行第三蝕刻工藝包括使用氫氟酸、臭氧或鹽酸中的至少一種進行蝕刻。

在一個實施例中，一種制造太陽能電池的方法包括：在硅基板上方形成硅區(qū)；在硅區(qū)上形成第一摻雜劑區(qū)；在第一摻雜劑區(qū)上形成氧化物區(qū)，其中氧化物區(qū)的第一部分保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝，并且氧化物區(qū)的第二部分保護第一摻雜劑區(qū)免于經(jīng)歷第二蝕刻工藝；在硅區(qū)上形成第二摻雜劑區(qū)；將摻雜劑從第一摻雜劑區(qū)和第二摻雜劑區(qū)驅動到硅區(qū)，其中該驅動在硅區(qū)中形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；在第二摻雜劑區(qū)的第一部分上形成掩模，其中該掩模保護第二摻雜劑區(qū)的第一部分免于經(jīng)歷第一蝕刻工藝；執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅區(qū)的多個部分并移除氧化物區(qū)的第一部分和掩模；執(zhí)行第二蝕刻工藝以形成隔離第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的溝槽區(qū)；執(zhí)行紋理化工藝以在硅基板的暴露區(qū)上形成紋理化區(qū)；執(zhí)行第三蝕刻工藝以從硅基板移除氧化物區(qū)和污染物；以及對硅基板執(zhí)行干燥工藝。

在一個實施例中，執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露硅基板的多個部分包括使用氫氟酸和硝酸中的至少一種進行蝕刻。

在一個實施例中，執(zhí)行第三蝕刻工藝包括使用氫氟酸、臭氧或鹽酸中的至少一種進行蝕刻。

在一個實施例中，在硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)包括在第一摻雜劑區(qū)、氧化物區(qū)和硅基板上方形成第二摻雜劑區(qū)。