本發(fā)明涉及一種靜電卡盤(pán)裝置。本申請(qǐng)主張基于2014年9月30日在日本申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)2014-201304號(hào)的優(yōu)先權(quán)，并將該內(nèi)容引用于本說(shuō)明書(shū)中。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，在半導(dǎo)體制造工藝中，隨著元件的高集成化和高性能化，要求進(jìn)一步提高顯微加工技術(shù)。在半導(dǎo)體制造工藝中，蝕刻技術(shù)也是顯微加工技術(shù)的重要技術(shù)之一，近年來(lái)，能夠高效且大面積地進(jìn)行顯微加工的等離子體蝕刻技術(shù)在蝕刻技術(shù)中也已成為主流。以往，在等離子體蝕刻裝置等利用等離子體的半導(dǎo)體制造裝置中，靜電卡盤(pán)裝置作為在試樣臺(tái)上簡(jiǎn)單地安裝、固定晶片并且將晶片維持在所希望的溫度的裝置而使用。作為靜電卡盤(pán)裝置，已知有在載置板狀試樣的載置面設(shè)置有多個(gè)突起部的裝置(專(zhuān)利文獻(xiàn)1～4)。這種靜電卡盤(pán)裝置具有將冷卻氣體導(dǎo)入被突起部支承的板狀試樣的下表面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)。板狀試樣靜電吸附于靜電卡盤(pán)的載置面，并且通過(guò)冷卻氣體的流動(dòng)而維持一定的溫度。以往技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2005-191561號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2003-86664號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2002-329776號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2014-27207號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的技術(shù)課題靜電卡盤(pán)裝置由于反復(fù)進(jìn)行板狀試樣的吸附和脫離，因此使接觸并支承板狀試樣的突起部磨損。以往的突起部由于朝向頂點(diǎn)傾斜，因此與板狀試樣的接觸面積因磨損而增大，導(dǎo)致突起部與板狀試樣的接觸面積增加。由此，以往的靜電卡盤(pán)裝置存在如下問(wèn)題：突起部與板狀試樣之間的導(dǎo)熱隨著磨損而逐漸發(fā)生改變，在相同的氣體壓力下，無(wú)法將板狀試樣控制在規(guī)定的溫度。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種靜電卡盤(pán)裝置，其能夠抑制突起部與板狀試樣之間的接觸面積因突起部的磨損而增加，能夠使導(dǎo)熱特性隨時(shí)間發(fā)生的變動(dòng)較少。用于解決技術(shù)課題的手段本發(fā)明如下。(1)一種靜電卡盤(pán)裝置，其通過(guò)靜電吸附用電極吸附板狀試樣，并且對(duì)所述板狀試樣進(jìn)行冷卻，所述靜電卡盤(pán)裝置具有靜電卡盤(pán)部，所述靜電卡盤(pán)部以陶瓷燒結(jié)體為形成材料，所述靜電卡盤(pán)部的一個(gè)主面是載置所述板狀試樣的載置面，在所述載置面設(shè)置有支承所述板狀試樣的多個(gè)突起部，所述突起部在頂面與所述板狀試樣接觸并支承所述板狀試樣，并且截面積從所述頂面的高度位置向下方遞增，所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離0.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為110％以下。(2)根據(jù)(1)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離2.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為120％以下。(3)根據(jù)(1)或(2)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，所述突起部的高度為6μm以上且50μm以下，所述突起部的1/2高度位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為140％以下。(4)根據(jù)(1)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，所述突起部的所述頂面是所述突起部的從頂點(diǎn)到下方的0.4μm距離為止的區(qū)域。(5)根據(jù)(1)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，所述載置面包括氧化鋁-碳化硅復(fù)合燒結(jié)體、氧化鋁燒結(jié)體、氮化鋁燒結(jié)體或氧化釔燒結(jié)體。(6)根據(jù)(1)至(5)中任一項(xiàng)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，所述突起部的所述頂面的表面粗糙度Ra為0.1μm以下，所述載置面中的未形成有所述突起部的底面的表面粗糙度Ra為1.0μm以下。(7)根據(jù)(1)至(6)中任一項(xiàng)所述的靜電卡盤(pán)裝置，其中，將多個(gè)所述頂面的下端的截面積的總和相對(duì)于俯視觀(guān)察所述載置面的面積所占的比率設(shè)為0.1％以上且20％以下。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置，能夠抑制突起部與板狀試樣之間的接觸面積因突起部的磨損而增加，能夠使導(dǎo)熱特性隨時(shí)間發(fā)生的變動(dòng)減少，從而能夠穩(wěn)定地進(jìn)行板狀試樣的溫度控制。附圖說(shuō)明圖1是表示實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的剖視圖。圖2是表示實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的俯視圖。圖3A表示設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部30的俯視圖。圖3B是支承板狀試樣的設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部30的側(cè)視圖。圖4是表示設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部磨損之后的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖5A表示在設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部的形成方法中形成掩模之后的狀態(tài)。圖5B表示在設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部的形成方法中噴砂工序之后的狀態(tài)。圖5C表示在設(shè)置于實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置的突起部的形成方法中去除掩模而進(jìn)行拋光之后的狀態(tài)。圖6是表示實(shí)施例與比較例的突起部的形狀的測(cè)定結(jié)果的圖表。具體實(shí)施方式以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于這些例子。在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)的附加、省略、取代以及其他變更。本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置通過(guò)靜電吸附用電極吸附板狀試樣，并且對(duì)所述板狀試樣進(jìn)行冷卻，所述靜電卡盤(pán)裝置具有靜電卡盤(pán)部，所述靜電卡盤(pán)部以陶瓷燒結(jié)體為形成材料，所述靜電卡盤(pán)部的一個(gè)主面是載置所述板狀試樣的載置面，在所述載置面設(shè)置有支承所述板狀試樣的多個(gè)突起部，所述突起部在頂面與所述板狀試樣接觸并支承所述板狀試樣，并且截面積從所述頂面的高度位置向下方遞增，所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離0.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為110％以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，從頂面向下方距離0.6μm的高度位置的截面積相對(duì)于突起部的頂面的下端的截面積為110％以下。由此，即使在突起部的高度磨損0.6μm左右的情況下，也能夠抑制突起部與板狀試樣的接觸面積(即，頂面的面積)增加。由此，即使在突起部進(jìn)一步磨損的情況下，突起部與板狀試樣的接觸面積也不會(huì)大幅增加，能夠抑制導(dǎo)熱特性發(fā)生改變。并且，上述靜電卡盤(pán)裝置也可以是，所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離2.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為120％以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，從頂面向下方距離0.6μm的高度位置的截面積相對(duì)于突起部的頂面的下端的截面積為120％以下。一般來(lái)講，在突起部磨損而高度減少1μm～3μm左右的情況下，擔(dān)憂(yōu)基于冷卻氣體的冷卻效果的狀態(tài)發(fā)生變化，并更換靜電卡盤(pán)部或靜電卡盤(pán)裝置本身。由此，通過(guò)將從頂面向下方距離2.6μm的高度位置的截面積設(shè)為120％以下，能夠充分抑制接觸面積增加直至更換。并且，上述靜電卡盤(pán)裝置也可以是，所述突起部的高度為6μm以上且50μm以下，所述突起部的1/2高度位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為140％以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，突起部的高度的1/2位置的截面積相對(duì)于突起部的頂面的下端的截面積為140％以下。由此，即使在突起部的高度的一半磨損的情況下，也能夠抑制突起部與板狀試樣的接觸面積(即，頂面的面積)增加。由此，即使在突起部進(jìn)一步磨損的情況下，也能夠抑制突起部與板狀試樣的導(dǎo)熱特性發(fā)生改變。并且，上述靜電卡盤(pán)裝置也可以是，所述突起部的所述頂面是所述突起部的從頂點(diǎn)到下方的0.4μm距離為止的區(qū)域。頂面是突起部的頂端中與板狀試樣接觸的區(qū)域。突起部的頂面由平緩的曲面形成，板狀試樣沿著頂面變形而被支承。板狀試樣的變形程度取決于靜電卡盤(pán)裝置的吸附力或冷卻氣體的導(dǎo)入壓力等，因此突起部與板狀試樣的接觸面積也隨之發(fā)生變化。通過(guò)調(diào)整靜電卡盤(pán)裝置的吸附力以及冷卻氣體的導(dǎo)入壓力，能夠?qū)㈨斆嬖O(shè)為從頂點(diǎn)到下方的0.4μm距離為止的區(qū)域，通過(guò)這樣設(shè)定頂面，能夠?qū)鍫钤嚇优c突起部的接觸面積設(shè)為適當(dāng)?shù)拇笮?。并且，上述靜電卡盤(pán)裝置也可以是，所述突起部的所述頂面的表面粗糙度Ra為0.03μm以下，所述載置面中的未形成有所述突起部的底面的表面粗糙度Ra為1.0μm以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)將突起部的頂面的表面粗糙度Ra設(shè)為0.03μm以下，突起部與板狀試樣平滑地接觸。板狀試樣與突起部的摩擦變小，在使板狀試樣被靜電卡盤(pán)吸附或脫離時(shí)，突起部不易進(jìn)一步磨損。由此，不僅能夠使突起部的高度不易變低，而且還能夠抑制產(chǎn)生微粒。此外，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)載置面的底面的表面粗糙度Ra為1.0μm以下，即使在板狀試樣因板狀試樣的局部變形等而與底面接觸的情況下，也能夠抑制產(chǎn)生微粒。并且，上述靜電卡盤(pán)裝置也可以是，將多個(gè)所述頂面的下端的截面積的總和相對(duì)于俯視觀(guān)察所述載置面的面積所占的比率設(shè)為0.1％以上且20％以下。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，將突起部的頂面的下端的截面積相對(duì)于載置面整體所占的比例設(shè)為20％以下。通過(guò)與突起部的導(dǎo)熱以及基于冷卻氣體的熱傳遞進(jìn)行板狀試樣的溫度控制。通過(guò)將突起部的頂面的下端的截面積所占的比例設(shè)為20％以下，減小板狀試樣與突起部的導(dǎo)熱的影響，相對(duì)增大冷卻氣體的熱傳遞的影響。由此，能夠減小在進(jìn)一步磨損的情況下突起部與板狀試樣的接觸面積的變化的影響。并且，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，將突起部的頂面的下端的截面積相對(duì)于載置面整體所占的比例設(shè)為0.1％以上。由此，能夠確保不會(huì)使板狀試樣過(guò)度變形的充分的接觸面積，并通過(guò)突起部支承板狀試樣。以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置1進(jìn)行說(shuō)明。出于強(qiáng)調(diào)特征部分的目的，在以下說(shuō)明中使用的附圖有時(shí)為方便起見(jiàn)放大表示特征部分，各構(gòu)成要素的尺寸比率等不一定與實(shí)際相同。并且，以相同的目的有時(shí)省略非特征部分而圖示。＜靜電卡盤(pán)裝置＞圖1是靜電卡盤(pán)裝置1的剖視圖，圖2是靜電卡盤(pán)裝置1的俯視圖。如圖1所示，靜電卡盤(pán)裝置1具有：圓板狀的靜電卡盤(pán)部2；將靜電卡盤(pán)部2調(diào)整為所希望的溫度且具有厚度的圓板狀的冷卻基部3；粘接于靜電卡盤(pán)部2的下表面(另一主面)且具有規(guī)定的圖案的粘接材料4；粘接于粘接材料4的下表面且圖案形狀與所述粘接材料4相同的加熱元件5；借助粘接材料6粘接于冷卻基部3的上表面的絕緣部件7；以及在使靜電卡盤(pán)部2的下表面的加熱元件5與冷卻基部3上的絕緣部件7相向的狀態(tài)下，將這些部件粘接而成為一體的包括有機(jī)系粘接劑等的樹(shù)脂層8。靜電卡盤(pán)裝置1具有向圖1的+Z方向(高度方向)依次層疊冷卻基部3、樹(shù)脂層8、靜電卡盤(pán)部2而成的結(jié)構(gòu)。在靜電卡盤(pán)裝置1形成有靜電卡盤(pán)部2、樹(shù)脂層8、絕緣部件7、粘接材料6以及貫通冷卻基部3的冷卻氣體導(dǎo)入孔18。從冷卻氣體導(dǎo)入孔18供給氦(He)等冷卻氣體。冷卻氣體在靜電卡盤(pán)部2的載置面19與板狀試樣W的下表面的間隙流動(dòng)，起到降低板狀試樣W的溫度的作用。靜電卡盤(pán)部2具有：上表面(一個(gè)主面)是載置半導(dǎo)體晶片等板狀試樣W的載置面19的載置板11；與載置板11成為一體而支承所述載置板11的支承板12；設(shè)置于這些載置板11與支承板12之間的靜電吸附用內(nèi)部電極13以及對(duì)靜電吸附用內(nèi)部電極13的周?chē)M(jìn)行絕緣的絕緣材料層14；以及以貫通支承板12的方式設(shè)置并向靜電吸附用內(nèi)部電極13施加直流電壓的供電用端子15。如圖1、圖2所示，在靜電卡盤(pán)部2的載置面19形成有多個(gè)突起部30，該突起部30的直徑小于板狀試樣W的厚度。靜電卡盤(pán)裝置1呈多個(gè)突起部30支承板狀試樣W的結(jié)構(gòu)。關(guān)于突起部30的形狀，在后段進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。并且，在載置面19的周緣形成有周緣壁17。周緣壁17形成于與突起部30相同的高度，與突起部30一同支承板狀試樣W。周緣壁17為了抑制導(dǎo)入載置面19與板狀試樣W之間的冷卻氣體漏出而設(shè)置。載置板11以及支承板12呈重疊面的形狀相同的圓板狀，包括具有機(jī)械強(qiáng)度且具有相對(duì)于腐蝕性氣體及其等離子體的耐久性的絕緣性的陶瓷燒結(jié)體，陶瓷燒結(jié)體可以舉出氧化鋁-碳化硅(Al2O3-SiC)復(fù)合燒結(jié)體、氧化鋁(Al2O3)燒結(jié)體、氮化鋁(AlN)燒結(jié)體、氧化釔(Y2O3)燒結(jié)體等。陶瓷燒結(jié)體中的陶瓷粒子的平均粒徑優(yōu)選10μm以下，更優(yōu)選2μm以下。在設(shè)置于靜電卡盤(pán)部2的載置面19的突起部30的形成過(guò)程中，進(jìn)行噴砂加工。由于噴砂工序是破壞載置面19的表面而進(jìn)行挖取的工序，因此突起部30的內(nèi)部殘留龜裂。通過(guò)在噴砂工序之后進(jìn)行的拋光，事先強(qiáng)行去除龜裂。龜裂形成于陶瓷燒結(jié)體中的陶瓷粒子的粒界。由此，在陶瓷粒子的粒徑大的情況下，經(jīng)過(guò)拋光，角部沿粒界被大幅去除。陶瓷粒子的粒徑變得越大，突起部30越成為更帶倒圓角的形狀。如后述，由于本實(shí)施方式的突起部30優(yōu)選截面積在高度方向上不發(fā)生變化，因此優(yōu)選突起部30不帶倒圓角。通過(guò)將陶瓷粒子的平均粒徑設(shè)為10μm以下(更優(yōu)選2μm以下)，能夠在載置面19形成抑制了截面積沿高度方向發(fā)生變化的突起部30。載置板11、支承板12、靜電吸附用內(nèi)部電極13以及絕緣材料層14的總厚度、即靜電卡盤(pán)部2的厚度優(yōu)選0.5mm以上且5.0mm以下。若靜電卡盤(pán)部2的厚度低于0.5mm，則無(wú)法確保靜電卡盤(pán)部2的機(jī)械強(qiáng)度。另一方面，若靜電卡盤(pán)部2的厚度高于5.0mm，則靜電卡盤(pán)部2的熱容變得過(guò)大，被載置的板狀試樣W的熱響應(yīng)性劣化，進(jìn)而由于靜電卡盤(pán)部2的橫向的導(dǎo)熱增加，很難將板狀試樣W的面內(nèi)溫度維持在所希望的溫度模式。尤其優(yōu)選載置板11的厚度為0.3mm以上且2.0mm以下。若載置板11的厚度低于0.3mm，則通過(guò)施加于靜電吸附用內(nèi)部電極13的電壓放電的危險(xiǎn)性增高。另一方面，若超過(guò)2.0mm，則無(wú)法充分吸附固定板狀試樣W，由此很難充分加熱板狀試樣W。靜電吸附用內(nèi)部電極13用作靜電卡盤(pán)用電極，該靜電卡盤(pán)用電極用于產(chǎn)生電荷并利用靜電吸附力固定板狀試樣W，能夠根據(jù)其用途適當(dāng)?shù)卣{(diào)整該電極的形狀和大小。靜電吸附用內(nèi)部電極13由導(dǎo)電性陶瓷或者高熔點(diǎn)金屬形成，導(dǎo)電性陶瓷可以舉出氧化鋁-碳化鉭(Al2O3-Ta4C5)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體、氧化鋁-鎢(Al2O3-W)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體、氧化鋁-碳化硅(Al2O3-SiC)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體、氮化鋁-鎢(AlN-W)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體、氮化鋁-鉭(AlN-Ta)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體、氧化釔-鉬(Y2O3-Mo)導(dǎo)電性復(fù)合燒結(jié)體等，高熔點(diǎn)金屬可以舉出鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等。靜電吸附用內(nèi)部電極13的厚度并無(wú)特別限定，優(yōu)選0.1μm以上且100μm以下，尤其優(yōu)選5μm以上且20μm以下。若厚度低于0.1μm，則無(wú)法確保充分的導(dǎo)電性。另一方面，若厚度超過(guò)100μm，則容易因靜電吸附用內(nèi)部電極13與載置板11以及支承板12之間的熱膨脹率差而在靜電吸附用內(nèi)部電極13與載置板11以及支承板12的接合界面產(chǎn)生龜裂。這種厚度的靜電吸附用內(nèi)部電極13能夠通過(guò)濺射法或蒸鍍法等成膜法或者網(wǎng)版印刷法等涂布法易于形成。絕緣材料層14包圍靜電吸附用內(nèi)部電極13而保護(hù)靜電吸附用內(nèi)部電極13不受腐蝕性氣體及其等離子體的影響。并且，絕緣材料層14使載置板11與支承板12的邊界部、即除了靜電吸附用內(nèi)部電極13以外的外周部區(qū)域接合而成為一體。絕緣材料層14由與構(gòu)成載置板11以及支承板12的材料相同的組成或主要成分相同的絕緣材料構(gòu)成。供電用端子15為了向靜電吸附用內(nèi)部電極13施加直流電壓而設(shè)置，呈棒狀，作為供電用端子15的材料，只要是耐熱性?xún)?yōu)異的導(dǎo)電性材料，則無(wú)特別限制。供電用端子15的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選近似于靜電吸附用內(nèi)部電極13以及支承板12的熱膨脹系數(shù)，例如優(yōu)選使用構(gòu)成靜電吸附用內(nèi)部電極13的導(dǎo)電性陶瓷或者鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、可伐合金等金屬材料。供電用端子15通過(guò)具有絕緣性的絕緣子23相對(duì)于冷卻基部3絕緣。供電用端子15與支承板12接合而成為一體，進(jìn)而載置板11與支承板12通過(guò)靜電吸附用內(nèi)部電極13以及絕緣材料層14接合而成為一體而構(gòu)成了靜電卡盤(pán)部2。冷卻基部3為具有厚度的圓板狀，將靜電卡盤(pán)部2調(diào)整為所希望的溫度。作為冷卻基部3，例如優(yōu)選在內(nèi)部形成有使水循環(huán)的流路(省略圖示)的水冷底座等。作為構(gòu)成冷卻基部3的材料，只要是導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性?xún)?yōu)異的金屬或含有這些金屬的復(fù)合材料，則無(wú)特別限制，例如優(yōu)選使用鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不銹鋼(SUS)等。優(yōu)選對(duì)冷卻基部3的至少暴露于等離子體的面實(shí)施氧化鋁膜處理，或者成膜氧化鋁等絕緣膜。粘接材料4是聚酰亞胺樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等具有耐熱性以及絕緣性且圖案形狀與后述的加熱元件5相同的片狀或膜狀的粘接性樹(shù)脂，厚度優(yōu)選為5μm～100μm，更優(yōu)選為10μm～50μm。粘接材料4的面內(nèi)厚度的偏差優(yōu)選在10μm以?xún)?nèi)。若粘接材料4的面內(nèi)厚度的偏差超過(guò)10μm，則靜電卡盤(pán)部2與加熱元件5的面內(nèi)間隔產(chǎn)生超過(guò)10μm的偏差。其結(jié)果，從加熱元件5向靜電卡盤(pán)部2傳遞的熱的面內(nèi)均勻性下降，靜電卡盤(pán)部2的載置面19中的面內(nèi)溫度變得不均勻，因此不優(yōu)選。加熱元件5通過(guò)粘接材料4粘接固定于支承板12的下表面。加熱元件5是使寬度較窄的帶狀的金屬材料蜿蜒的一個(gè)連續(xù)的帶狀的加熱器圖案。在帶狀的加熱元件5的兩端部連接圖1所示的供電用端子22，供電用端子22通過(guò)具有絕緣性的絕緣子23相對(duì)于冷卻基部3絕緣。加熱元件5的加熱器圖案可以由一個(gè)加熱器圖案構(gòu)成，也可以由相互獨(dú)立的2個(gè)以上的加熱器圖案構(gòu)成。通過(guò)分別控制相互獨(dú)立的多個(gè)加熱器圖案，能夠自由控制處理中的板狀試樣W的溫度。利用光蝕刻法，將厚度為0.2mm以下、優(yōu)選具有0.1mm以下的一定厚度的非磁性金屬薄板、例如鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等蝕刻加工成所希望的加熱器圖案，由此形成加熱元件5。將加熱元件5的厚度設(shè)為0.2mm以下的理由是，若厚度超過(guò)0.2mm，則加熱元件5的圖案形狀作為板狀試樣W的溫度分布反映，很難將板狀試樣W的面內(nèi)溫度維持在所希望的溫度模式。并且，若由非磁性金屬形成加熱元件5，則即使在高頻氣氛中使用靜電卡盤(pán)裝置1，加熱元件5也不會(huì)因高頻而自發(fā)熱，由此容易將板狀試樣W的面內(nèi)溫度維持在所希望的恒定溫度或恒定溫度模式，因此優(yōu)選。并且，通過(guò)利用一定厚度的非磁性金屬薄板形成加熱元件5，使加熱元件5的厚度在加熱面整個(gè)區(qū)域固定。由此，能夠使加熱元件5的發(fā)熱量在加熱面整個(gè)區(qū)域固定，從而能夠使靜電卡盤(pán)部2的載置面19中的溫度分布變得均勻。粘接材料6將絕緣部件7粘接于冷卻基部3的上表面，與粘接材料4相同地為聚酰亞胺樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等具有耐熱性以及絕緣性的片狀或膜狀的粘接性樹(shù)脂，厚度優(yōu)選為5μm～100μm，更優(yōu)選為10μm～50μm。粘接材料6的面內(nèi)厚度的偏差優(yōu)選在10μm以?xún)?nèi)。若粘接材料6的面內(nèi)厚度的偏差超過(guò)10μm，則冷卻基部3與絕緣部件7的間隔產(chǎn)生超過(guò)10μm的偏差。其結(jié)果，通過(guò)冷卻基部3控制靜電卡盤(pán)部2的溫度的面內(nèi)均勻性下降，靜電卡盤(pán)部2的載置面19中的面內(nèi)溫度變得不均勻，因此不優(yōu)選。絕緣部件7是聚酰亞胺樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等具有絕緣性以及耐電壓性的膜狀或片狀的樹(shù)脂，絕緣部件7的面內(nèi)厚度的偏差優(yōu)選在10μm以?xún)?nèi)。若絕緣部件7的面內(nèi)厚度的偏差超過(guò)10μm，則因厚度的大小而使溫度分布產(chǎn)生高低差。其結(jié)果，對(duì)通過(guò)調(diào)整絕緣部件7的厚度而進(jìn)行的溫度控制帶來(lái)不良影響，因此不優(yōu)選。絕緣部件7的導(dǎo)熱率優(yōu)選0.05W/mk以上且0.5W/mk以下，更優(yōu)選0.1W/mk以上且0.25W/mk以下。若導(dǎo)熱率小于0.1W/mk，則不易發(fā)生從靜電卡盤(pán)部2經(jīng)由絕緣部件7向冷卻基部3的導(dǎo)熱，導(dǎo)致冷卻速度下降，因此不優(yōu)選。另一方面，若導(dǎo)熱率超過(guò)1W/mk，則從加熱器部經(jīng)由絕緣部件7向冷卻基部3的導(dǎo)熱增加，導(dǎo)致升溫速度下降，因此不優(yōu)選。樹(shù)脂層8存在于靜電卡盤(pán)部2的下表面與冷卻基部3的上表面之間。樹(shù)脂層8使粘接有加熱元件5的靜電卡盤(pán)部2與冷卻基部3粘接而成為一體，并且具有熱應(yīng)力的緩和作用。樹(shù)脂層8優(yōu)選其內(nèi)部或樹(shù)脂層8與靜電卡盤(pán)部2的下表面、加熱元件5的下表面以及冷卻基部3的上表面的界面的空隙或缺陷較少。若形成空隙或缺陷，則導(dǎo)熱性下降，有可能阻礙板狀試樣W的均熱性。樹(shù)脂層8例如由將硅酮類(lèi)樹(shù)脂組合物加熱固化而成的固化體或丙烯酸樹(shù)脂形成。樹(shù)脂層8優(yōu)選通過(guò)將具有流動(dòng)性的樹(shù)脂組合物填充到靜電卡盤(pán)部2與冷卻基部3之間之后加熱固化而形成。在靜電卡盤(pán)部2的下表面設(shè)置有加熱元件5，由此形成凹凸。并且，冷卻基部3的上表面以及靜電卡盤(pán)部2的下表面不必一定平坦。通過(guò)將流動(dòng)性的樹(shù)脂組合物填充到冷卻基部3與靜電卡盤(pán)部2之間后，使其固化而形成樹(shù)脂層8，能夠抑制由于靜電卡盤(pán)部2和冷卻基部3的凹凸而在樹(shù)脂層8產(chǎn)生空隙。由此，能夠使樹(shù)脂層8的導(dǎo)熱特性在面內(nèi)均勻，能夠提高靜電卡盤(pán)部2的均熱性。＜突起部＞圖3A是突起部30的俯視圖，圖3B是支承板狀試樣W的突起部30的側(cè)視圖。出于強(qiáng)調(diào)特征部分的目的，圖3A、圖3B以與實(shí)際形狀不同的尺寸比率圖示。在載置板11的作為上表面的載置面19設(shè)置有多個(gè)突起部30，該突起部30從載置面19的底面19a向上方突出而形成。突起部30具有大致圓錐臺(tái)形狀，沿底面19a的截面為圓形狀。突起部30的形狀并不限定于圓錐臺(tái)形狀。并且，突起部30的截面形狀并不限于圓形狀，可以是矩形狀、三角形狀。突起部30的高度H(即，從底面19a到頂點(diǎn)41的距離)優(yōu)選形成為6μm以上且50μm以下，更優(yōu)選形成為6μm以上且20μm以下。突起部30具有：位于頂端的頂端部31；截面直徑以大致一定的傾斜度朝向頂端側(cè)變小的柱部32；以及以平緩的曲率連接柱部32與底面19a的裙部34。頂端部31以平緩的曲面隆起，頂點(diǎn)41位于頂端部31的最頂端。頂端部31的表面包括：在頂端部31的周緣平滑地與柱部32連接的角曲面31a；以及位于角曲面31a的內(nèi)側(cè)的緩曲面31b。角曲面31a的曲率半徑優(yōu)選小于1μm，更優(yōu)選0.5μm以下。并且，緩曲面31b的曲率半徑越大，越優(yōu)選，最優(yōu)選為非曲面的平坦面。頂端部31與板狀試樣W抵接。板狀試樣W在頂端部31中呈隨著平緩的曲面變形的狀態(tài)。將板狀試樣W與突起部30在頂端部31接觸的區(qū)域設(shè)為頂面40。頂面40是突起部30中的從頂點(diǎn)41到下方的h1距離為止的一定區(qū)域。頂面40的大小根據(jù)板狀試樣W的變形程度而發(fā)生變化。板狀試樣W的變形程度根據(jù)靜電卡盤(pán)裝置1的吸附力與在板狀試樣W的下表面和底面19a之間流動(dòng)的冷卻氣體的壓力的平衡而發(fā)生變化。在靜電卡盤(pán)裝置1的吸附力大的情況下，或者在冷卻氣體的壓力高的情況下，板狀試樣W更加下沉。由此，頂面40的大小取決于靜電卡盤(pán)裝置1的吸附力和冷卻氣體的導(dǎo)入壓力。作為一個(gè)例子，頂面40是將突起部30的從頂點(diǎn)41到下方的距離h1設(shè)為0.4μm的區(qū)域。頂面40根據(jù)吸附力或氣體壓力存在只形成于頂端部31的緩曲面31b的情況和以覆蓋緩曲面31b整體和角曲面31a的一部分的方式形成的情況。頂面40的表面粗糙度Ra優(yōu)選設(shè)為0μm以上且0.1μm以下，更優(yōu)選設(shè)為0μm以上且0.05μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為0μm以上且0.03μm以下，更進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為0μm以上且0.015μm以下。通過(guò)將頂面40的表面粗糙度Ra設(shè)為0μm以上且0.1μm以下(更優(yōu)選0μm以上且0.05μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選0μm以上且0.03μm以下，更進(jìn)一步優(yōu)選0μm以上且0.015μm以下)，能夠抑制突起部30與板狀試樣W的摩擦。由此，防止通過(guò)與板狀試樣W的接觸而損傷板狀試樣W。并且，在使板狀試樣W被靜電卡盤(pán)吸附或脫離時(shí)，突起部30不易進(jìn)一步磨損，能夠抑制因磨損而產(chǎn)生微粒。表面粗糙度Ra是指，從粗糙度曲線(xiàn)沿著其平均線(xiàn)的方向抽取基準(zhǔn)長(zhǎng)度l，在該抽取部分的平均線(xiàn)的方向取x軸，在縱方向取y軸，用y＝f(x)表示粗糙度曲線(xiàn)時(shí)，用微米(μm)表示通過(guò)下式求出的值。[數(shù)學(xué)式1]在頂面40的面積小的情況下，有時(shí)無(wú)法充分確保用于測(cè)定表面粗糙度Ra的測(cè)定長(zhǎng)度。在該情況下，通過(guò)測(cè)定在與突起部30同等的條件下形成的另一部位，能夠推斷頂面40的表面粗糙度Ra。具體而言，通過(guò)測(cè)定設(shè)置于載置面19的周緣的周緣壁17(參照?qǐng)D1、圖2)的上表面，能夠推斷頂面40的表面粗糙度Ra。本實(shí)施方式的突起部30在頂面40的下端40a(即，突起部30與板狀試樣W的接觸區(qū)域的邊界)中的截面形狀為圓形。頂面40的下端40a中的截面的直徑d1優(yōu)選100μm以上且3000μm以下，更優(yōu)選200μm以上且2000μm以下。頂面40的下端40a中的截面積使用直徑d1，截面積表示為π×(d1/2)2。由此，頂面40的下端40a中的截面積優(yōu)選為7.9×10-3mm2以上且7.1mm2以下，更優(yōu)選為3.1×10-2mm2以上且3.1mm2。柱部32以截面積從底面19a側(cè)朝向頂端部31遞減的方式形成。柱部32的截面積的變化率、即柱部32的周面的傾斜度可以沿高度方向一定，也可以使變化率(傾斜度)沿高度方向發(fā)生變化。裙部34平緩地連接底面19a與柱部32。通過(guò)加大裙部34(即，加大側(cè)視圖(圖3B)的視角中的裙部34的曲率半徑)，能夠使突起部30與載置板11的熱移動(dòng)量更多。由此，通過(guò)加大裙部34，突起部30的熱響應(yīng)性變高，能夠高速地進(jìn)行板狀試樣W的溫度控制。并且，通過(guò)加大裙部34，因突起部30的磨損等產(chǎn)生的微粒不易滯留在底面19a與柱部32之間，因此能夠提高微粒的去除性。載置面19的底面19a位于未設(shè)置有突起部30的區(qū)域。底面19a的表面粗糙度Ra優(yōu)選設(shè)為0μm以上且1.0μm以下，更優(yōu)選設(shè)為0μm以上且0.8μm以下。由此，即使在板狀試樣W因板狀試樣W的局部變形等而與底面19a接觸的情況下，也能夠抑制產(chǎn)生微粒。突起部30由于靜電卡盤(pán)裝置1反復(fù)進(jìn)行板狀試樣W的吸附和脫離而磨損。圖4是表示磨損之后的突起部130的圖。在圖4中，用虛線(xiàn)表示磨損之前的突起部30。在磨損之后的突起部130形成有相較于磨損之前新的頂端部131。磨損之后的頂端部131的形狀通過(guò)磨損而變得平坦，與磨損之前的頂端部31的形狀相比，存在曲率半徑變大的情況或曲率半徑幾乎不變的情況等。磨損之后的突起部130通過(guò)頂端部131支承板狀試樣W。頂端部131包括作為與板狀試樣W的接觸區(qū)域的新的頂面140。磨損之后的突起部130的頂面140位于比磨損之前的突起部30的頂面40更靠下方的位置。由于突起部30具有截面積向下方遞增的圓錐臺(tái)形狀，因此磨損之后的頂面140的表面積比磨損之前的頂面40的表面積變大。即，磨損之后的突起部130與板狀試樣W的接觸面積相較于磨損之前變大。突起部30的從頂面40的下端40a的高度方向的距離h2為0.6μm位置的截面積相對(duì)于下端40a的截面積優(yōu)選設(shè)為100％以上且110％以下，更優(yōu)選設(shè)為100％以上且105％以下。由此，高度磨損0.6μm左右之后的突起部130能夠抑制磨損之前的突起部30與板狀試樣W的接觸面積的增加。由此，即使在進(jìn)一步磨損之后，突起部130與板狀試樣W的接觸面積也不會(huì)大幅增加，能夠抑制導(dǎo)熱特性在磨損前后的變化。本實(shí)施方式的突起部30中的從頂面40的下端40a向下方距離0.6μm的位置的截面積使用從頂面40的下端40a向下方距離0.6μm的位置的直徑d2，表示為π×(d2/2)2。而且，突起部30的從頂面40的下端40a的高度方向的距離h3為2.6μm位置的截面積相對(duì)于下端40a的截面積優(yōu)選設(shè)為100％以上且120％以下，更優(yōu)選設(shè)為100％以上且110％以下。一般來(lái)講，在突起部30磨損而高度減少1μm～3μm左右的情況下，擔(dān)憂(yōu)基于冷卻氣體的冷卻效果的狀態(tài)發(fā)生變化，并更換靜電卡盤(pán)部2或靜電卡盤(pán)裝置1本身。由此，通過(guò)將從頂面40向下方距離2.6μm的高度位置的截面積設(shè)為100％以上且120％以下，更優(yōu)選設(shè)為100％以上且110％以下，能夠充分抑制接觸面積增加直至更換。本實(shí)施方式的突起部30中的從頂面40的下端40a向下方距離2.6μm的位置的截面積使用從頂面40的下端40a向下方距離2.6μm的位置的直徑d3，表示為π×(d3/2)2。此外，突起部30在突起部30的高度H的一半(H/2)位置的截面積相對(duì)于頂面40的下端40a的截面積優(yōu)選設(shè)為100％以上且140％以下，更優(yōu)選設(shè)為100％以上且110％以下。由此，即使在突起部30的高度H的一半磨損的情況下，也能夠抑制突起部30與板狀試樣W的接觸面積增加。本實(shí)施方式的突起部30中的在突起部30的高度H的一半(H/2)位置的截面積使用突起部30的高度H的一半(H/2)的位置的直徑d4，表示為π×(d4/2)2。構(gòu)成頂面40的頂端部31具有緩曲面31b以及角曲面31a。緩曲面31b以及角曲面31a的曲率半徑充分大于頂面40的下端40a的直徑。由此，能夠使頂面40的表面積(即，突起部30與板狀試樣W的接觸面積)近似于頂面40的下端40a的截面積。并且，在突起部30與板狀試樣W之間傳熱的每單位時(shí)間的熱量與接觸面積成比例。由此，圖4所示的磨損前后的頂面40、140的下端40a、140a的截面積的變化與在磨損前后的突起部30、130與板狀試樣W之間每單位時(shí)間傳遞的熱量的變化成比例。磨損之后的突起部130中的頂面140的下端140a的截面積相對(duì)于磨損之前的突起部30的頂面40的下端40a的截面積優(yōu)選為140％以下，更優(yōu)選為120％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為110％以下。由此，能夠?qū)⒃谀p之后的突起部130與板狀試樣W之間傳遞的熱量相較于磨損之前的突起部30與板狀試樣W之間傳遞的熱量分別設(shè)為140％以下、120％以下、110％以下。只要磨損前后每單位時(shí)間傳遞的熱量的變化為140％以下，就能夠通過(guò)調(diào)整冷卻氣體的導(dǎo)入壓力抑制板狀試樣W的溫度的變化。即，能夠通過(guò)冷卻氣體與板狀試樣W的熱傳遞來(lái)補(bǔ)償、調(diào)整突起部30與板狀試樣W的導(dǎo)熱的變化。由此，即使在發(fā)生磨損之后，也能夠進(jìn)行與開(kāi)始相同的溫度控制。并且，在磨損前后每單位時(shí)間傳遞的熱量的變化為120％以下的情況下，能夠容許對(duì)板狀試樣W的溫度的影響充分小。由此，無(wú)需調(diào)整冷卻氣體的導(dǎo)入壓力，就能夠進(jìn)行與磨損之前相同的溫度控制。而且，在磨損前后每單位時(shí)間傳遞的熱量的變化為110％以下的情況下，能夠幾乎忽略對(duì)板狀試樣W的溫度的影響。在載置面19設(shè)置有多個(gè)突起部30，多個(gè)頂面40與各突起部30相應(yīng)地存在。多個(gè)頂面40的下端40a的截面積的總和相對(duì)于俯視觀(guān)察載置面19的面積優(yōu)選設(shè)為0.1％以上且20％以下，更優(yōu)選設(shè)為0.1％以上且10％以下。通過(guò)與突起部30的導(dǎo)熱以及基于冷卻氣體的熱傳遞而進(jìn)行板狀試樣W的溫度控制。通過(guò)將突起部30的頂面40的下端40a的截面積所占的比例設(shè)為20％以下(更優(yōu)選10％以下)，能夠減小板狀試樣W與突起部30的導(dǎo)熱的影響，相對(duì)增大冷卻氣體的熱傳遞的影響。由此，能夠減小在進(jìn)一步磨損的情況下突起部30與板狀試樣W的接觸面積的變化的影響。并且，在多個(gè)頂面40的下端40a的截面積的總和過(guò)小的情況下，因接觸面積不足而有可能使與突起部30接觸的板狀試樣W過(guò)度變形。通過(guò)將突起部30的頂面40的下端40a的截面積所占的比例設(shè)為0.1％以上，能夠確保不會(huì)使板狀試樣W過(guò)度變形的充分的接觸面積，并通過(guò)突起部30支承板狀試樣W。接著，根據(jù)圖5A～圖5C對(duì)在載置板11的載置面19形成突起部30的方法進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于突起部30，例如能夠利用砂輪加工、激光雕刻等機(jī)械加工或者噴砂加工等進(jìn)行。并且，作為精加工的研磨能夠通過(guò)使用微小磨粒和拋光材料的拋光或者使用微小磨粒和超聲波的超聲波研磨有效地進(jìn)行。并且，在形成突起部30的工序中，通過(guò)對(duì)載置面19的周緣實(shí)施相同的工序，能夠同時(shí)形成周緣壁17(參照?qǐng)D1、圖2)。在本實(shí)施方式中，對(duì)進(jìn)行噴砂加工之后作為研磨工序進(jìn)行拋光的情況進(jìn)行說(shuō)明。首先，將載置板11的作為上表面的載置面19研磨加工為平坦面，再進(jìn)行清洗。關(guān)于清洗，例如用丙酮、異丙醇、甲苯等有機(jī)溶劑進(jìn)行脫脂，之后例如用溫水清洗。接下來(lái)，如圖5A所示，在載置面19形成規(guī)定的圖案形狀的掩模51。使掩模51的圖案形狀與俯視觀(guān)察圖2所示的突起部30以及周緣壁17時(shí)的圖案相同。作為掩模51，優(yōu)選使用感光性樹(shù)脂或板狀掩模。接下來(lái)，如圖5B所示，進(jìn)行噴砂加工，在未被掩模51覆蓋的部分形成凹部52。其結(jié)果，剩下被掩模51覆蓋的部分而成為凸部53。在凸部53之間、即凹部52的底部形成底面19a。接下來(lái)，去除掩模51。在掩模51包括感光性樹(shù)脂的情況下，例如能夠使用二氯甲烷等剝離液去除掩模51。接下來(lái)，對(duì)載置面19整體進(jìn)行使用微小磨粒和拋光材料的拋光。并且，在進(jìn)行拋光之后，清洗載置面19。清洗例如用丙酮等有機(jī)溶劑進(jìn)行，并進(jìn)行脫脂。在脫脂之后，例如用溫水清洗。經(jīng)拋光工序，載置面19的凸部53成為如圖5C所示的突起部30。作為前工序的噴砂工序是破壞載置面19的表面而以挖取的方式去除未形成掩模51的部分的工序。由此，在通過(guò)噴砂工序形成的凸部53的尤其角部53a附近殘留有從表層部朝向內(nèi)部的表層龜裂。由于表層龜裂以較小的應(yīng)力進(jìn)展而成為剝離的起點(diǎn)，因此成為產(chǎn)生微粒的原因。通過(guò)進(jìn)行拋光，強(qiáng)行剝離在噴砂工序中形成的表層龜裂，從而能夠去除表層龜裂。通過(guò)剝離以表層龜裂為起點(diǎn)進(jìn)展，凸部53的上表面53b以及角部53a呈倒圓角形，如圖5C所示，形成緩曲面31b以及角曲面31a。并且，通過(guò)對(duì)載置面19整體進(jìn)行拋光，能夠同時(shí)研磨包括頂面40的突起部30整體以及載置面19的底面19a。由此，能夠?qū)㈨斆?0的表面粗糙度Ra設(shè)為0.03μm以下(更優(yōu)選0.015μm以下)，并且能夠?qū)⑼黄鸩?0的柱部32以及裙部34的周面以及底面19a設(shè)為以頂面40的表面粗糙度為基準(zhǔn)的表面粗糙度。在拋光工序中，拋光材料均勻地接觸頂面40，但是底面19a存在拋光材料不易到達(dá)的部分，因此有時(shí)導(dǎo)致表面性狀局部粗糙。通過(guò)拋光工序，能夠?qū)ㄟ@樣的部分在內(nèi)的底面19a的表面粗糙度Ra設(shè)為0.1μm以下。對(duì)噴砂加工的條件以及拋光的條件進(jìn)行說(shuō)明。作為在噴砂加工中使用的介質(zhì)，優(yōu)選氧化鋁、碳化硅、玻璃珠等，介質(zhì)的粒徑優(yōu)選設(shè)為400目以下(通過(guò)300目的介質(zhì))。噴砂加工中的介質(zhì)的吐出壓力例如優(yōu)選設(shè)為0.1MPa以下，更優(yōu)選設(shè)為0.05MPa以下。在以往的噴砂工序中，考慮加工效率，將介質(zhì)的粒徑設(shè)為170目以下，將介質(zhì)的吐出壓力設(shè)為0.2MPa左右。本實(shí)施方式優(yōu)選相較于以往的噴砂工序減小介質(zhì)的粒徑并抑制吐出壓力來(lái)進(jìn)行。通過(guò)減小介質(zhì)的粒徑，并且將介質(zhì)的吐出壓力設(shè)為0.1MPa以下(更優(yōu)選0.05MPa以下)，能夠抑制產(chǎn)生表層龜裂。通過(guò)拋光工序可以去除表層龜裂，但是在認(rèn)為產(chǎn)生了大量表層龜裂的情況下，需要仔細(xì)進(jìn)行拋光工序，有可能使柱部32的傾斜度變大，使沿高度方向的截面積的變化增大。通過(guò)減小介質(zhì)的粒徑，并且將介質(zhì)的吐出壓力設(shè)為0.1MPa以下(更優(yōu)選0.05MPa以下)，能夠抑制產(chǎn)生表層龜裂并簡(jiǎn)化拋光工序。由此，拋光中的突起部30的研磨量變少。由此，能夠減小柱部32的傾斜度。即，能夠減小突起部30的截面積從頂面40向下方的增加率。作為用于拋光的微小磨粒，優(yōu)選使用粒徑為0.125μm以下的磨粒。由此，能夠在更加柔軟的條件下進(jìn)行研磨工序，減小突起部30的截面積從頂面40向下方的增加率。并且，作為所述拋光材料，并無(wú)特別限定，例如能夠使用樹(shù)脂制成的拋光材料。在進(jìn)行拋光時(shí)，優(yōu)選每一步驟利用更微小的磨粒分成多個(gè)步驟進(jìn)行研磨。例如，優(yōu)選以800目的微小磨粒、1000目的微小磨粒、1500目的微小磨粒的順序進(jìn)行拋光等分成多個(gè)步驟進(jìn)行研磨。根據(jù)實(shí)施方式的靜電卡盤(pán)裝置1，即使在突起部30因磨損而高度H變低的情況下，也能夠抑制突起部30與板狀試樣W之間的接觸面積的增加。由此，能夠使磨損前后的突起部30與板狀試樣W的導(dǎo)熱特性的變動(dòng)減少，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行板狀試樣W的溫度控制。實(shí)施例以下，示出實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。首先，利用以往的方法制作了在載置面19未形成有突起部30的靜電卡盤(pán)部2。靜電卡盤(pán)部2在內(nèi)部埋設(shè)有厚度為約10μm的靜電吸附用內(nèi)部電極13。并且，靜電卡盤(pán)部2的載置板11是含有7.8質(zhì)量％的碳化硅的氧化鋁-碳化硅復(fù)合燒結(jié)體，呈直徑為298mm、厚度為0.5mm的圓板狀。并且，與載置板11相同，支承板12也是含有7.8質(zhì)量％的碳化硅的氧化鋁-碳化硅復(fù)合燒結(jié)體，呈直徑為298mm、厚度為2mm的圓板狀。通過(guò)使這些載置板11以及支承板12接合而成為一體，靜電卡盤(pán)部2整體的厚度成為2.5mm。接著，將載置板11的作為上表面的載置面19研磨加工為平坦面，再進(jìn)行清洗。接下來(lái)，在載置面19形成與突起部30以及周緣壁17的形狀對(duì)應(yīng)的掩模51(參照?qǐng)D5A)。接下來(lái)，進(jìn)行噴砂加工，形成凸部53以及凹部52(參考圖5B)。接下來(lái)，去除掩模51。接下來(lái)，對(duì)載置面19整體進(jìn)行利用微小磨粒和拋光材料的拋光。接下來(lái)，清洗載置面19。經(jīng)以上工序，在載置面19形成約1萬(wàn)個(gè)突起部30。在經(jīng)這些工序形成的靜電卡盤(pán)部2中，制作了改變噴砂工序和拋光工序的條件的實(shí)施例1～4和比較例。比較例是利用以往通常進(jìn)行的噴砂工序以及拋光工序制作的樣品。將各工序的條件示于表1。在表1中，以比較例的各條件為100％來(lái)記載實(shí)施例的條件。[表1]作為預(yù)備實(shí)驗(yàn)，利用實(shí)施例1的靜電卡盤(pán)部2構(gòu)成靜電卡盤(pán)裝置1，在作為板狀試樣W吸附硅晶片的狀態(tài)下，使冷卻氣體流過(guò)。確認(rèn)該狀態(tài)下的突起部30與板狀試樣W的接觸面積。由此，確認(rèn)到突起部30的頂端部31中的從頂點(diǎn)41到下方的0.4μm距離的區(qū)域?yàn)橹篂榻佑|區(qū)域(即，頂面40)。在以下試驗(yàn)結(jié)果中，考察突起部30的頂面40為突起部30的從頂點(diǎn)41到下方的0.4μm距離為止的區(qū)域。將測(cè)定實(shí)施例1～4和比較例的突起部30的形狀的結(jié)果示于表2以及圖6。關(guān)于形狀的測(cè)定，對(duì)形成于載置面19上的規(guī)定位置的突起部30從中心朝向外周測(cè)定多個(gè)點(diǎn)。在圖6中，橫軸表示突起部30的高度方向的值，縱軸表示突起部30的徑向的值。[表2]如表2以及圖6所示，可以確認(rèn)比較例的突起部30的截面積從頂面40的下端40a朝向下方大幅增加。與此相比，可以確認(rèn)實(shí)施例1～4的突起部30的截面積的增加變少。接著，對(duì)實(shí)施例1～3的樣品測(cè)定與突起部30的頂面40對(duì)應(yīng)的周緣壁17的上表面。進(jìn)行周緣壁17的4個(gè)部位的測(cè)定，取這些測(cè)定結(jié)果的平均。以與突起部30相同的制造順序形成周緣壁17，周緣壁17的上表面的表面粗糙度的測(cè)定結(jié)果能夠代替突起部30的頂面40的表面粗糙度。[表3]表面粗糙度Ra(μm)實(shí)施例10.010實(shí)施例20.009實(shí)施例30.008如表3所示，實(shí)施例1～3的周緣壁17的上表面的表面粗糙度Ra為0.010μm以下。由該結(jié)果可以推斷，實(shí)施例1～3的突起部30的頂面40也是相同的表面粗糙度Ra。雖然在本次測(cè)定中省略了實(shí)施例4的測(cè)定，但是可以預(yù)測(cè)為相同的表面粗糙度。如上所示，可以確認(rèn)作為實(shí)施例1～4能夠制作與實(shí)施方式對(duì)應(yīng)的靜電卡盤(pán)裝置1的靜電卡盤(pán)部2。以上，對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是各實(shí)施方式中的各構(gòu)成以及它們的組合等只是一個(gè)例子，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行構(gòu)成的附加、省略、取代以及其他變更。并且，本發(fā)明并不限定于實(shí)施方式。產(chǎn)業(yè)上的可利用性能夠提供能夠使導(dǎo)熱特性隨時(shí)間發(fā)生的變動(dòng)更少的靜電卡盤(pán)裝置。符號(hào)說(shuō)明1-靜電卡盤(pán)裝置，2-靜電卡盤(pán)部，3-冷卻基部，4、6-粘接材料，5-加熱元件，7-絕緣部件，8-樹(shù)脂層，11-載置板，12-支承板，13-靜電吸附用內(nèi)部電極，14-絕緣材料層，15、22-供電用端子，17-周緣壁，18-冷卻氣體導(dǎo)入孔，19-載置面，19a-底面，23-絕緣子，30、130-突起部，31、131-頂端部，31a-角曲面，31b-緩曲面，32-柱部，34-裙部，40、140-頂面，40a、140a-下端，41-頂點(diǎn)，51-掩模，52-凹部，53-凸部，53a-角部，53b-上表面，W-板狀試樣。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3