技術(shù)總結(jié)
根據(jù)本公開的一些示例的一種半導(dǎo)體封裝可包括：在一側(cè)上具有第一重分布層(150)的基底(110)、在與第一重分布層相對側(cè)上附連到該基底的第一(120)和第二(130)并排管芯、附連到第一和第二管芯的有源側(cè)以在第一和第二管芯之間提供互連的中介體(140)、從第一和第二管芯延伸到該封裝的與第一重分布層相對的表面上的第二重分布層(170)的多個管芯通孔(180，181)、以及在第一和第二重分布層之間延伸穿過該封裝的多個封裝通孔(182)。

技術(shù)研發(fā)人員：D·W·金;J·S·李;H·B·蔚;Y·K·宋;C-K·金;K-P·黃;S·顧
受保護的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
文檔號碼：201580048017
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.25
技術(shù)公布日：2017.05.17