1.一種超級電容器，包括：
襯底；
至少兩個多孔電極集成在襯底內(nèi)；和
在所述至少兩個多孔電極之間延伸的電解質(zhì)，所述電解質(zhì)與所述襯底一體化，所述電解質(zhì)在所述襯底內(nèi)，
所述至少兩個多孔電極和電解質(zhì)配置成作為超級電容器存儲電荷。
2.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，其中，所述襯底在三個方向上具有最大尺寸，所述至少兩個電極完全位于所述襯底的最大尺寸內(nèi)。
3.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，還包括覆蓋所述至少兩個多孔電極的集電器。
4.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，其中，所述至少兩個多孔電極間隔開并且實質(zhì)上彼此平行。
5.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，其中所述襯底包括硅。
6.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，其中，所述至少兩個多孔電極和電解質(zhì)在所述襯底內(nèi)形成非直線路徑。
7.根據(jù)權利要求6所述的超級電容器，其中，所述至少兩個多孔電極和電解質(zhì)在所述襯底內(nèi)形成蛇形路徑。
8.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，包括形成在襯底上和/或襯底中的MEMS結(jié)構，所述MEMS結(jié)構與所述至少兩個多孔電極電耦合，所述至少兩個多孔電極和電解質(zhì)與MEMS結(jié)構。
9.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，其中所述至少兩個多孔電極包括石墨烯。
10.根據(jù)權利要求1所述的超級電容器，還包括形成在所述襯底上和/或襯底中的有源電路，所述有源電路與所述至少兩個多孔電極電耦合。
11.一種能量存儲裝置，包括：
襯底；
集成在襯底內(nèi)的至少兩個電極；和
在所述至少兩個電極之間延伸的電解質(zhì)，所述電解質(zhì)與所述基底一體化，所述電解質(zhì)在所述基底內(nèi)，
所述至少兩個電極和電解質(zhì)配置成存儲電荷。
12.根據(jù)權利要求11所述的能量存儲裝置，其中所述至少兩個電極和電解質(zhì)被配置為將電荷作為電池存儲。
13.根據(jù)權利要求11所述的能量存儲裝置，其中所述襯底包括硅。
14.根據(jù)權利要求11所述的能量存儲裝置，其中所述至少兩個電極和電解質(zhì)在所述襯底內(nèi)形成非直線路徑。
15.根據(jù)權利要求11所述的能量存儲裝置，還包括在所述電極之一和所述電解質(zhì)之間的分離器。
16.根據(jù)權利要求11所述的能量存儲裝置，還包括MEMS設備和襯底上和/或襯底中的有源電路中的一個或兩個。
17.一種形成超級電容器的方法，所述方法包括：
提供具有初始外表面的襯底；
在所述襯底內(nèi)形成至少兩個多孔電極，所述至少兩個多孔電極實質(zhì)上形成為不延伸超過所述襯底的初始外表面；
形成電解質(zhì)區(qū)域以接收電解質(zhì)，所述電解質(zhì)區(qū)域在所述至少兩個電極之間；
將電解質(zhì)添加到電解質(zhì)區(qū)域，電解質(zhì)基本上形成為不延伸超過襯底的初始外表面；和
形成至少兩個集電器，每個電極與一個集電器電連通。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中形成電解質(zhì)區(qū)域包括：
在所述至少兩個電極之間形成多個側(cè)壁；和
氧化側(cè)壁；和
去除所述氧化側(cè)壁以在所述至少兩個電極之間形成開放室。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，形成兩個多孔電極包括在所述襯底中形成第一阱和第二阱，所述第一阱和所述第二阱彼此間隔開并且大體上彼此平行，所述第一阱和所述第二阱不直行。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中添加電解質(zhì)包括：
向電解質(zhì)區(qū)域中加入液態(tài)電解質(zhì)；和
對液態(tài)電解質(zhì)進行真空滲透。