發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明提供了一種用于印刷具有一個(gè)或多個(gè)絕緣層的太陽(yáng)能電池裝置的正側(cè)面的厚膜糊料。該厚膜糊料包含導(dǎo)電金屬源、鉛-鎢基氧化物和有機(jī)介質(zhì)。技術(shù)背景常規(guī)的具有p型基材的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)具有通常在電池的正側(cè)面(光照側(cè))上的負(fù)電極和在背側(cè)面上的正電極。在半導(dǎo)體主體的p-n結(jié)上入射的適宜波長(zhǎng)的輻射充當(dāng)在該主體中產(chǎn)生空穴-電子對(duì)的外部能量源。由于p-n結(jié)處存在電勢(shì)差的結(jié)果，空穴和電子以相反的方向跨過(guò)該結(jié)移動(dòng)，并且從而產(chǎn)生能夠向外部電路輸送電力的電流的流動(dòng)。大部分太陽(yáng)能電池是呈已經(jīng)金屬化的硅晶片的形式，即提供有導(dǎo)電的金屬觸點(diǎn)。導(dǎo)電油墨通常用于形成導(dǎo)電網(wǎng)格或金屬觸點(diǎn)。導(dǎo)電油墨通常包含玻璃料、導(dǎo)電物質(zhì)(例如，銀顆粒)和有機(jī)介質(zhì)。為了形成金屬觸點(diǎn)，將導(dǎo)電油墨以網(wǎng)格線或其他圖案印刷到基底上并且然后燒制，在此期間在網(wǎng)格線與半導(dǎo)體基底之間形成電接觸。然而，結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池通常涂覆有減反射涂層例如氮化硅、氧化鈦或氧化硅以促進(jìn)光吸收，這增加電池的效率。此類減反射涂層還充當(dāng)絕緣體，該絕緣體削弱從基底到金屬觸點(diǎn)的電子流動(dòng)。為了克服此問(wèn)題，導(dǎo)電油墨應(yīng)當(dāng)在燒制過(guò)程中穿透減反射涂層以形成與半導(dǎo)體基底具有電接觸的金屬觸點(diǎn)。在金屬觸點(diǎn)與基底之間形成強(qiáng)效結(jié)合以及可焊性也是期望的。穿透減反射涂層并在燒制時(shí)形成與基底的強(qiáng)效結(jié)合的能力高度地取決于導(dǎo)電油墨的組成和燒制條件。效率(太陽(yáng)能電池性能的關(guān)鍵量度)也受到在燒制的導(dǎo)電油墨與基底之間形成的電接觸質(zhì)量的影響?？商娲兀哂衝型硅基材的反向太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)也是已知的。這種電池在正側(cè)面上具有帶正電極的正面p型硅表面(正面p型發(fā)射極)并且具有與電池的背側(cè)面接觸的負(fù)電極。由于n摻雜硅中的電子復(fù)合速度降低，與具有p型硅基材的太陽(yáng)能電池相比較，具有n型硅基材的太陽(yáng)能電池(n型硅太陽(yáng)能電池)理論上可產(chǎn)生更高的效率增益。為了提供具有良好效率的用于制造太陽(yáng)能電池的經(jīng)濟(jì)方法，需要可在低溫下燒制以穿透減反射涂層并提供與半導(dǎo)體基底之間的良好電接觸的厚膜糊料組合物。發(fā)明概述本發(fā)明提供了一種厚膜糊料組合物，包含：a)80-99.5wt％的導(dǎo)電金屬源；b)0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及c)有機(jī)介質(zhì)；其中該導(dǎo)電金屬源和該鉛-鎢基氧化物分散在該有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3，其中pbo、wo3和該一種或多種附加氧化物的wt％是基于該無(wú)釩無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。本發(fā)明還提供了一種無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物，該氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3，其中該wt％是基于該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種方法，該方法包括：(a)提供一種制品，該制品包括設(shè)置在半導(dǎo)體基底的至少一個(gè)表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣膜；(b)將厚膜糊料組合物施用到該一個(gè)或多個(gè)絕緣膜上以形成層狀結(jié)構(gòu)，該厚膜糊料組合物包含：(i)80-99.5wt％的導(dǎo)電金屬源；(ii)0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及(iii)有機(jī)介質(zhì)；其中該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物分散在該有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3，其中pbo、wo3和該一種或多種附加氧化物的wt％是基于該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量；并且(c)燒制該半導(dǎo)體基底、該一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和該厚膜糊料，其中該厚膜糊料的該有機(jī)介質(zhì)揮發(fā)，從而形成與該一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸并與該半導(dǎo)體基底電接觸的電極。另外，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括由厚膜糊料組合物形成的電極，該厚膜糊料組合物包含：(a)80-99.5wt％的導(dǎo)電金屬源；(b)0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及(c)有機(jī)介質(zhì)，其中該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物分散在該有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3，其中pbo、wo3和該一種或多種附加氧化物的wt％是基于該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，并且其中該厚膜糊料組合物已經(jīng)被燒制以除去該有機(jī)介質(zhì)并形成該電極。附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1a-1f示出了說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的制造的工藝流程圖。圖1a-1f中所示的參考號(hào)說(shuō)明如下。10：p型硅基底20：n型擴(kuò)散層30：絕緣膜40：p+層(背表面場(chǎng)，bsf)60：設(shè)置在背側(cè)面上的鋁糊料61：鋁背面電極(通過(guò)燒制背側(cè)面鋁糊料獲得)70：設(shè)置在背側(cè)面上的銀或銀/鋁糊料71：銀或銀/鋁背面電極(通過(guò)燒制背側(cè)面銀糊料獲得)500：設(shè)置在正側(cè)面上的本發(fā)明的厚膜糊料501：正面電極(通過(guò)燒制本發(fā)明的厚膜糊料形成)發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明如在此所用，“厚膜組合物”是指在基底上燒制時(shí)具有1至100微米的厚度的組合物。厚膜組合物含有導(dǎo)電材料，無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物組合物和有機(jī)介質(zhì)。厚膜組合物可包含附加組分。如在此所用，附加組分稱為“添加劑”。在此所述的組合物包含分散在有機(jī)介質(zhì)中的一種或多種電功能材料和一種或多種玻璃料。該組合物是厚膜糊料組合物。該組合物也可包含一種或多種添加劑。示例性添加劑包括金屬、金屬氧化物或在燒制時(shí)能夠生成這些金屬氧化物的任何化合物。在一個(gè)實(shí)施例中，電功能粉末可為導(dǎo)電粉末。在一個(gè)實(shí)施例中，該組合物用于半導(dǎo)體裝置中。在該實(shí)施例的一個(gè)方面，該半導(dǎo)體裝置可為太陽(yáng)能電池或光電二極管。在該實(shí)施例的另一個(gè)方面，該半導(dǎo)體裝置可為廣泛范圍的半導(dǎo)體裝置中的一種。導(dǎo)電金屬厚膜組合物包括賦予該組合物適當(dāng)?shù)碾姽δ芴匦缘墓δ芙M分。電功能組分是導(dǎo)電金屬。導(dǎo)電金屬源可以呈薄片形式、球形形式、顆粒形式、結(jié)晶形式、粉末、或其他不規(guī)則的形式以及它們的混合物。導(dǎo)電金屬能夠以膠態(tài)懸浮液的形式提供。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬源是從約80至約99.5wt％，其中重量百分比(wt％)是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在另一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬源是從約90至約99wt％，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。該導(dǎo)電金屬選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：ag、cu、au、pd、pt、sn、al、ni以及其混合物。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電粉末可以包括銀(ag)。在另一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電顆?？砂ㄣy(ag)和鋁(a1)。在另一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電顆?？梢岳绨ㄒ韵轮械囊环N或多種：ag、cu、au、pd、pt、al、ni、ag-pd和pt-au。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電顆?？梢园ㄒ韵轮械囊环N或多種：(1)al、cu、au、ag、pd和pt；(2)al、cu、au、ag、pd和pt的合金；以及(3)它們的混合物。當(dāng)導(dǎo)電金屬為銀時(shí)，其可以是呈銀金屬、銀衍生物或其混合物的形式。銀也可以是呈氧化銀(ag2o)，銀鹽如agcl、agno3、agoocch3(乙酸銀)、agoocf3(三氟乙酸銀)、正磷酸銀(ag3po4)或其混合物的形式。也可使用與其他厚膜糊料組分相容的其他形式的銀。在一個(gè)實(shí)施例中，該組合物的功能相可以是涂覆的或未涂覆的導(dǎo)電銀顆粒。在其中銀顆粒是涂覆的實(shí)施例中，它們至少部分地涂覆有表面活性劑。在一個(gè)實(shí)施例中，該表面活性劑可包括下列非限制性表面活性劑中的一種或多種：硬脂酸、棕櫚酸、硬脂酸鹽、棕櫚酸鹽、月桂酸、棕櫚酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆蔻酸和亞油酸、以及它們的混合物。抗衡離子可為但不限于氫、銨、鈉、鉀以及它們的混合物。銀的粒度不受任何特定限制。在一個(gè)實(shí)施例中，平均粒度可小于10微米，并且在另一個(gè)實(shí)施例中，不超過(guò)5微米。在一方面，例如，平均粒度可為0.1至5微米。如在此所用，“粒度”意思是指“平均粒度”；“平均粒度”是指50％體積分布尺寸。50％體積分布尺寸可表示為d50。體積分布尺寸可通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的許多方法來(lái)確定，包括但不限于使用microtrac粒度分析儀的激光衍射和分散方法。在一個(gè)實(shí)施例中，銀可為總糊料組合物的60-90wt％。在另一個(gè)實(shí)施例中，銀可為總糊料組合物的70-85wt％。在另一個(gè)實(shí)施例中，銀可為總糊料組合物的75-85wt％。在一個(gè)實(shí)施例中，銀是從約80至約99.5wt％，其中wt％是基于銀和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在另一個(gè)實(shí)施例中，銀是從約90至約99wt％，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物的銀部分包含約80至約90wt％的球形銀顆粒，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物的固體部分包含約80至約90wt％的銀顆粒和約1至約9.5wt％的銀薄片，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物包含導(dǎo)電的涂覆銀顆粒。合適的涂層包括磷和表面活性劑。合適的表面活性劑包括聚環(huán)氧乙烷、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亞油酸、硬脂酸、棕櫚酸、硬脂酸鹽、棕櫚酸鹽、以及它們的混合物。鹽抗衡離子可為銨、鈉、鉀、以及它們的混合物。無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物組合物本發(fā)明涉及無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物(pb-w-o)組合物。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o由氧化鉛和氧化鎢組成，即75-88wt％pbo和12-25wt％wo3。在另一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o可以含有一種或多種附加氧化物。因此，pb-w-o包含氧化鉛、氧化鎢和附加氧化物，即55-88wt％pbo、12-25wt％wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3。所有wt％都是基于pb-w-o的總重量并且代表氧化物的起始混合物。如在此所用，“無(wú)釩、無(wú)碲”是指不將釩或碲有意添加到鉛-鎢基氧化物中。存在的任何釩或碲僅作為厚膜糊料的組分之一中的雜質(zhì)引入。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o的鉛可以來(lái)自鉛氧化物、鉛鹽、金屬鉛或有機(jī)金屬鉛。在另一個(gè)實(shí)施例中，鉛氧化物可以是pbo、pbo2、pb3o4、pb2o3、pb12o19、或類似物。在還另一個(gè)實(shí)施例中，鉛氧化物可以例如由二氧化硅或sio2涂覆。在另一個(gè)實(shí)施例中，鉛鹽可以是鹵化鉛如pbcl2或pbbr2或氟化鉛如pbf2。在另一個(gè)實(shí)施例中，金屬鉛可以是pb或諸如pb-w或pb-sn的合金。在另一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)金屬鉛可以是樹(shù)脂酸鉛，諸如2-乙基己酸鉛(pb(c2h15o2)2)、辛酸鉛(pb[ch3(ch2)3ch(c2h5)coo]2)或草酸鉛(pbc2o4)。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o的鎢可以來(lái)自鎢氧化物、鎢鹽、金屬鎢或有機(jī)金屬鎢。鎢氧化物可以是wo3或wo2。在另一個(gè)實(shí)施例中，鎢可以是無(wú)機(jī)鎢化合物或有機(jī)鎢化合物。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o可以是玻璃組合物。在另一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o可以是結(jié)晶的、部分結(jié)晶的、非晶態(tài)的、部分非晶態(tài)的、或它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o組合物可包括多于一種的玻璃組合物。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o組合物可包括玻璃組合物和附加組合物，例如結(jié)晶組合物。在此，所有這些組合物都稱為玻璃或玻璃料。鉛-鎢氧化物(pb-w-o)可以通過(guò)將pbo或pb3o4、wo3以及任何一種或多種附加氧化物或在使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解的技術(shù)加熱時(shí)分解成所需氧化物的其他材料混合來(lái)制備。此類制備技術(shù)可涉及在空氣或含氧氣氛中加熱混合物以形成熔融物，淬火熔融物，并且碾磨、磨碎和/或篩選淬火的材料以提供具有所希望粒度的粉末。使混合物熔融通常在800至1200℃的峰值溫度下進(jìn)行。熔融的混合物可例如在不銹鋼臺(tái)板上或在反向旋轉(zhuǎn)不銹鋼輥之間淬火以形成片狀物。所得的片狀物可被磨碎以形成粉末。通常，磨碎的粉末具有0.1至3.0微米的d50。生產(chǎn)玻璃料領(lǐng)域的技術(shù)人員可采用替代合成技術(shù)，例如但不限于水淬火、溶膠-凝膠法、噴霧熱解、或其他適于制造粉末形式的玻璃的合成技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o包含氧化鉛和氧化鎢，即80-85wt％pbo和15-20wt％wo3。在另一個(gè)實(shí)施例中，用于制造pb-w-o的起始混合物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的wo3和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：b2o3、bi2o3、sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、na2o、cs2o和moo3，其中該wt％是基于該鉛-鎢基氧化物的總重量。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，該一種或多種附加氧化物選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：0-5wt％b2o3、0-10wt％bi2o3、0-15sio2、0-5wt％al2o3、0-5wt％li2o、0-5wt％k2o、0-5wt％rb2o、0-5wt％na2o、0-5wt％cs2o、以及0-10moo3，其中該氧化物wt％是基于該鉛-鎢基氧化物的總重量并且代表氧化物的起始混合物。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物包含0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在另一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物包含1至10wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物，其中wt％是基于導(dǎo)電金屬源和無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。在一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o可為均一粉末。在另一個(gè)實(shí)施例中，pb-w-o可為多于一種粉末的組合，其中每種粉末可單獨(dú)地為均一的。多種粉末的總體組合的組成在如上所述的范圍內(nèi)。例如，pb-w-o可包含兩種或更多種不同粉末的組合；單獨(dú)地，這些粉末可具有不同的組成，并且可在或可不在如上所述的范圍內(nèi)；然而，這些粉末的組合在如上所述的范圍內(nèi)。玻璃組合物，也稱為玻璃料，在此被描述為包含一定百分比的某些組分。確切地，這些百分比是在起始材料中使用的組分的百分比，該起始材料隨后將如在此所述進(jìn)行加工以形成玻璃組合物。此類命名對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員為常規(guī)的。換句話講，組合物包含某些組分，并且這些組分的百分比被描述為對(duì)應(yīng)的氧化物形式的百分比。如上所指出，pb和w可以由各種來(lái)源提供，例如氧化物、鹵化物、碳酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、氫氧化物、過(guò)氧化物、鹵素化合物以及其混合物。與該一種或多種附加氧化物的組分類似。在此，無(wú)論各種組分的來(lái)源如何，鉛-鎢基氧化物的組成關(guān)于等效氧化物給出。如玻璃化學(xué)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的，在制造玻璃的過(guò)程期間可能會(huì)釋放某一部分的揮發(fā)性物質(zhì)。揮發(fā)性物質(zhì)的一個(gè)實(shí)例為氧氣。如果以燒制的玻璃開(kāi)始，則本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法計(jì)算在此所述的初始組分的百分比，這些方法包括但不限于：電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(icpes)、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(icp-aes)等。此外，可使用以下示例性技術(shù)：x射線熒光光譜法(xrf)；核磁共振光譜法(nmr)；電子順磁共振波譜法(epr)；穆斯堡爾光譜法；電子微探針能量分散光譜法(eds)；電子微探針波長(zhǎng)色散光譜法(wds)；陰極發(fā)光法(cl)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，選擇原材料可能無(wú)意地含有雜質(zhì)，這些雜質(zhì)在加工過(guò)程中可能被結(jié)合到玻璃中。例如，雜質(zhì)可以在數(shù)百至數(shù)千ppm的范圍內(nèi)存在。雜質(zhì)的存在將不改變玻璃、厚膜組合物或燒制的裝置的特性。例如，即使厚膜組合物含有雜質(zhì)，包含該厚膜組合物的太陽(yáng)能電池也可具有在此所述的效率。有機(jī)介質(zhì)厚膜糊料組合物的無(wú)機(jī)組分與有機(jī)介質(zhì)混合以形成粘性糊料，所述糊料具有用于印刷的合適的稠度和流變性?？蓪⒍喾N惰性粘性材料用作有機(jī)介質(zhì)。有機(jī)介質(zhì)可為一種這樣的有機(jī)介質(zhì)，無(wú)機(jī)組分可在糊料的制造、裝運(yùn)和貯藏期間以足夠的穩(wěn)定度分散于其中，以及可在絲網(wǎng)印刷方法期間分散于印刷絲網(wǎng)上。合適的有機(jī)介質(zhì)具有流變學(xué)特性，這些特性提供固體的穩(wěn)定分散、用于絲網(wǎng)印刷的適當(dāng)粘度和觸變性、基底和糊料固體的適當(dāng)可潤(rùn)濕性、良好的干燥速率、以及良好的燒制特性。有機(jī)介質(zhì)可包含增稠劑、穩(wěn)定劑、表面活性劑和/或其他常見(jiàn)添加劑。有機(jī)介質(zhì)可為一種或多種聚合物在一種或多種溶劑中的溶液。合適的聚合物包括乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、木松香、纖維素酯、乙基纖維素和酚醛樹(shù)脂的混合物、低級(jí)醇的聚甲基丙烯酸酯和乙二醇單乙酸酯的單丁基醚。合適的溶劑包括萜烯例如α-萜品醇或β-萜品醇或它們與其他溶劑例如煤油、鄰苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二醇和沸點(diǎn)高于150℃的醇以及醇酯的混合物。其他合適的有機(jī)介質(zhì)組分包括：雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙基己二酸酯，二元酯例如dbe、dbe-2、dbe-3、dbe-4、dbe-5、dbe-6、dbe-9和dbe1b，環(huán)氧妥爾酸辛酯，異十四烷醇和氫化松香的季戊四醇酯。有機(jī)介質(zhì)也可包含揮發(fā)性液體以促進(jìn)在基底上施用厚膜糊料組合物后快速硬化。厚膜糊料組合物中的有機(jī)介質(zhì)的最佳量取決于施用糊料的方法和所用的具體有機(jī)介質(zhì)。通常，厚膜糊料組合物含有70至95wt％的無(wú)機(jī)組分以及5至30wt％的有機(jī)介質(zhì)。如果有機(jī)介質(zhì)包含聚合物，則該聚合物可以包含8至15wt％的有機(jī)介質(zhì)。厚膜糊料組合物的制備以及其用途在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料組合物可通過(guò)以任何順序混合導(dǎo)電金屬粉末、pb-w-o粉末和有機(jī)介質(zhì)來(lái)制備。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊組合物還可以包括兩種pb-w-o粉末。在一些實(shí)施例中，首先混合無(wú)機(jī)材料，并且然后將它們加入到有機(jī)介質(zhì)中。如有需要，粘度可通過(guò)加入一種或多種溶劑來(lái)調(diào)節(jié)。提供高剪切的混合方法可能是有用的。在一個(gè)實(shí)施例中，該厚膜糊料可以包含基于固體的總重量按重量計(jì)0.5至20wt％、0.5至15wt％、0.5至7wt％或1至3wt％的量的鉛-鎢基氧化物。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種方法，該方法包括：(a)提供一種制品，該制品包括設(shè)置在半導(dǎo)體基底的至少一個(gè)表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣膜；(b)將厚膜糊料組合物施用到該一個(gè)或多個(gè)絕緣膜上以形成層狀結(jié)構(gòu)，該厚膜糊料組合物包含：i)80-99.5wt％的導(dǎo)電金屬源；ii)0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及iii)有機(jī)介質(zhì)，其中該導(dǎo)電金屬源和該鉛-鎢基氧化物分散在該有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的v2o5和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：0-5wt％b2o3、0-10wt％bi2o3、0-15sio2、0-5wt％al2o3、0-5wt％li2o、0-5wt％k2o、0-5wt％rb2o、0-5wt％na2o、0-5wt％cs2o、和0-10moo3，其中該氧化物wt％是基于該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量；并且(c)燒制該半導(dǎo)體基底、該一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和該厚膜糊料，其中該厚膜糊料的該有機(jī)介質(zhì)揮發(fā)，從而形成與該一個(gè)或多個(gè)絕緣層接觸并與該半導(dǎo)體基底電接觸的電極。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置由包括承載結(jié)的半導(dǎo)體基底以及在其主表面上形成的氮化硅絕緣膜的制品制成。該方法包括以下步驟：以預(yù)定的形狀和厚度并且在預(yù)定位置處將具有穿透絕緣層的能力的厚膜糊料組合物施用(例如，涂覆或絲網(wǎng)印刷)到絕緣膜上，然后燒制，使得厚膜糊料組合物與絕緣膜反應(yīng)并穿透絕緣膜，從而與硅基底產(chǎn)生電接觸。該方法的一個(gè)實(shí)施例示出于圖1a-1f中。圖1a示出了單晶硅或多晶硅p-型基底10。在圖1b中，形成具有相反極性的n型擴(kuò)散層20以產(chǎn)生p-n結(jié)。n型擴(kuò)散層20可使用三氯氧化磷(pocl3)作為磷源通過(guò)磷(p)的離子注入或熱擴(kuò)散形成。在沒(méi)有任何特定改性的情況下，n型擴(kuò)散層20在硅p型基底的整個(gè)表面上形成。擴(kuò)散層的深度可通過(guò)控制擴(kuò)散溫度和時(shí)間而變化，并且通常在約0.3至0.75微米的厚度范圍內(nèi)形成。n-型擴(kuò)散層可具有幾十歐姆每平方直至約120歐姆每平方的薄片電阻率。如圖1c所示，在用抗蝕劑或類似物保護(hù)n型擴(kuò)散層20的一個(gè)表面之后，通過(guò)蝕刻將n型擴(kuò)散層20從大多數(shù)表面上移除以便其僅保留在一個(gè)主表面上。然后使用有機(jī)溶劑或類似物將抗蝕劑移除。接下來(lái)，在圖1d中，也用作減反射涂層的絕緣層30形成于n型擴(kuò)散層20上。絕緣層通常為氮化硅，但也可為sinx:h膜(即，絕緣膜包含在后續(xù)燒制處理期間用于鈍化的氫)、氧化鈦膜、氧化硅膜、或氧化硅/氧化鈦膜。厚度為約700至的氮化硅膜適合于約1.9至2.0的折射率。絕緣層30的沉積可通過(guò)濺射、化學(xué)氣相沉積、或其他方法進(jìn)行。然后形成電極。如圖1e所示，將本發(fā)明的厚膜糊料組合物絲網(wǎng)印刷在絕緣膜30上，并且然后干燥。此外，將鋁糊料60和背側(cè)面銀糊料70絲網(wǎng)印刷到基底的背側(cè)面上并且依次進(jìn)行干燥。在750至850℃的溫度下進(jìn)行燒制持續(xù)從幾秒鐘至幾十分鐘的一段時(shí)間。因此，如圖1f所示，在燒制過(guò)程中，鋁在背側(cè)面上從鋁糊料擴(kuò)散到硅基底中，從而形成包含高濃度的鋁摻雜劑的p+層40。該層一般被稱為背表面場(chǎng)(bsf)層，并且有助于改善太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。燒制將干燥的鋁糊料60轉(zhuǎn)變?yōu)殇X背面電極61。同時(shí)燒制背側(cè)面銀糊料70，使其成為銀或銀/鋁背面電極71。在燒制期間，在背側(cè)面鋁與背側(cè)面銀之間的邊界呈現(xiàn)合金狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)電連接。鋁電極占背面電極的大部分面積，這部分地歸因于需要形成p+層40。同時(shí)，由于不可能對(duì)鋁電極進(jìn)行焊接，因此在背側(cè)面的有限區(qū)域上形成銀或銀/鋁背面電極作為用于通過(guò)銅帶或類似物互連太陽(yáng)能電池的電極。在正側(cè)面上，本發(fā)明的厚膜糊料組合物500在燒制過(guò)程中燒結(jié)并穿透絕緣膜30，并且從而實(shí)現(xiàn)與n型擴(kuò)散層20的電接觸。此類型的方法通常被稱為“燒透”。這種燒透狀態(tài)，即，糊料熔融并穿過(guò)絕緣膜30的程度，取決于絕緣膜30的品質(zhì)和厚度、糊料的組成，并且取決于燒制條件。當(dāng)燒制時(shí)，糊料500變?yōu)殡姌O501，如圖1f所示。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜選自氧化鈦、氧化鋁、氮化硅、sinx:h、氧化硅、以及氧化硅/氧化鈦膜。氮化硅膜可通過(guò)濺射、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)或熱cvd方法形成。在一個(gè)實(shí)施例中，氧化硅膜通過(guò)熱氧化、濺射或熱cvd或等離子體cvd形成。氧化鈦膜可通過(guò)將包含鈦的有機(jī)液體材料涂覆到半導(dǎo)體基底上并燒制來(lái)形成，或者通過(guò)熱cvd來(lái)形成。在該方法的實(shí)施例中，該半導(dǎo)體基底可為單晶硅或多晶硅。合適的絕緣膜包含一種或多種選自下列的組分：氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、sinx:h、氧化硅、以及氧化硅/氧化鈦。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜為減反射涂層(arc)。可將絕緣膜施用到半導(dǎo)體基底，或它可自然地形成，例如在氧化硅的情況下。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜包括氮化硅層。氮化硅可通過(guò)cvd(化學(xué)氣相沉積)、pecvd(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、濺射或其他方法來(lái)沉積。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)絕緣層的氮化硅進(jìn)行處理以移除氮化硅的至少一部分。該處理可為化學(xué)處理。移除氮化硅的至少一部分可引起在厚膜糊料組合物的導(dǎo)體與半導(dǎo)體基底之間的改善的電接觸。這可引起半導(dǎo)體裝置的改善的效率。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜的氮化硅為減反射涂層的一部分。厚膜糊料組合物能夠以圖案(例如，具有連接線的母線)印刷在絕緣膜上。該印刷可通過(guò)絲網(wǎng)印刷、電鍍、擠出、噴墨、成型或多版印刷或色帶。在該電極形成過(guò)程中，加熱厚膜糊料組合物以除去有機(jī)介質(zhì)并且燒結(jié)金屬粉末。加熱可在空氣或含氧氣氛中進(jìn)行。該步驟通常稱為“燒制”。燒制溫度分布通常設(shè)置為使得來(lái)自干燥的厚膜糊料組合物的有機(jī)粘合劑材料、以及存在的任何其他有機(jī)材料燒盡。在一個(gè)實(shí)施例中，燒制溫度是750℃至950℃。燒制可在帶式爐中使用高輸送速率(例如，100-500cm/min)進(jìn)行，最其中產(chǎn)生的保持時(shí)間為0.05至5分鐘?？墒褂枚鄠€(gè)溫度區(qū)域(例如3至11個(gè)區(qū)域)來(lái)控制期望的熱分布。在燒制時(shí)，導(dǎo)電金屬和pb-w-o混合物穿透絕緣膜。穿透絕緣膜導(dǎo)致在電極與半導(dǎo)體基底之間的電接觸。在燒制后，可在半導(dǎo)體基底與電極之間形成夾層，其中該夾層包含鎢、鎢化合物、鉛、鉛化合物、和硅化合物中的一種或多種，其中該硅可來(lái)源于硅基底和/或一個(gè)或多個(gè)絕緣層。在燒制之后，電極包括接觸下面的半導(dǎo)體基底的燒結(jié)金屬，并且還可以接觸一個(gè)或多個(gè)絕緣層。本發(fā)明的另一方面是一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括由厚膜糊料組合物形成的電極，該厚膜糊料組合物包含：i)80-99.5wt％的導(dǎo)電金屬源；ii)0.5至20wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及iii)有機(jī)介質(zhì)，其中該導(dǎo)電金屬源和該鉛-鎢基氧化物分散在該有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于該導(dǎo)電金屬源和該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的pbo、12-25wt％的v2o5和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：0-5wt％b2o3、0-10wt％bi2o3、0-15sio2、0-5wt％al2o3、0-5wt％li2o、0-5wt％k2o、0-5wt％rb2o、0-5wt％na2o、0-5wt％cs2o、和0-10moo3，其中該氧化物wt％是基于該無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，并且其中所述厚膜糊料組合物已經(jīng)被燒制以除去該有機(jī)介質(zhì)并形成所述電極。在一個(gè)實(shí)施例中，該電極為硅太陽(yáng)能電池上的正側(cè)面電極。在一個(gè)實(shí)施例中，該裝置進(jìn)一步包括背面電極。輕摻雜的發(fā)射極(lde)晶片si太陽(yáng)能電池通過(guò)將受控雜質(zhì)(稱為摻雜劑)添加到純化的si中制成。不同的摻雜劑對(duì)si賦予正(p型)和負(fù)(n型)半導(dǎo)體特性。p型與n型si之間的邊界(結(jié))具有向太陽(yáng)能電池中的電荷載流子提供功率的相關(guān)(內(nèi)建)電壓。必須控制摻雜劑濃度以達(dá)到最佳的電池性能。高摻雜劑濃度在si內(nèi)和在si表面處(對(duì)金屬觸點(diǎn))賦予低電阻率，降低電阻損耗。它還引入增加復(fù)合損耗的si晶格中的晶體缺陷或電擾動(dòng)。最常見(jiàn)的si太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)由涂覆有0.4微米層n型si的200微米厚的p型si晶片組成。p型晶片是基底。n型層是發(fā)射極。它通過(guò)磷(p)摻雜劑擴(kuò)散或離子注入到si晶片內(nèi)制成。在晶片表面處用低摻雜劑濃度制成的發(fā)射極被稱為輕(或低)摻雜的發(fā)射極。輕摻雜的發(fā)射極(lde)通過(guò)減少在正表面處的電子-空穴復(fù)合來(lái)改善太陽(yáng)能電池性能。在si中高于約1×1020原子/cm3的在正表面處的p摻雜劑的濃度([p表面])導(dǎo)致各種類型的復(fù)合。復(fù)合的電荷載流子與si晶格結(jié)合并且不能作為電能被收集。太陽(yáng)能電池的能量損耗起因于voc(開(kāi)路電壓)和isc(短路電流)二者的降低。典型的高度摻雜的si發(fā)射極(hde)具有范圍從9至15×1020原子/cm3的總[p表面]和范圍從3至4×1020原子/cm3的活性[p表面]。輕摻雜的發(fā)射極具有范圍從0.9至2.9×1020原子/cm3的總[p表面]和范圍從0.6至2.0×1020原子/cm3的活性[p表面]。超過(guò)活性濃度(非活性p)的p摻雜劑導(dǎo)致shockley-read-hall(srh)復(fù)合能量損耗。高于1×1020原子/cm3的活性p摻雜劑導(dǎo)致俄歇復(fù)合能量損耗?？倱诫s劑濃度通常使用sims(二次離子質(zhì)譜)深度剖析方法測(cè)量。[硅中的擴(kuò)散(diffusioninsilicon)，s.w.jones，icknowledge公司，2008第56-62頁(yè)，參見(jiàn)第61頁(yè)]?；钚該诫s劑濃度通常使用srp(擴(kuò)散電阻探測(cè))[硅中的擴(kuò)散，見(jiàn)上文，第61頁(yè)]或ecv(電化學(xué)電容電壓[硅中的擴(kuò)散，見(jiàn)上文，第57頁(yè)]方法測(cè)量。與到高度摻雜的發(fā)射極的觸點(diǎn)相比，到輕摻雜的發(fā)射極的金屬觸點(diǎn)具有對(duì)電荷載流子隧穿的更大的能量位壘。較大的位壘降低隧穿電流并增加接觸電阻率。對(duì)lde的高接觸電阻通過(guò)增加與改善的界面膜納米結(jié)構(gòu)的接觸面積來(lái)降低。實(shí)例以下描述了無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物和厚膜糊料組合物的說(shuō)明性制備和評(píng)估。實(shí)例1-3按下列方式制備pb-w-o。將41.49g的pbo和8.51g的wo3在玻璃罐中滾動(dòng)15分鐘以充分混合。然后將粉末裝入具有蓋子的pt坩堝中并加熱至900℃持續(xù)1小時(shí)。將完全熔融的樣品倒出到不銹鋼淬火塊上。冷卻后，將此紐扣狀物研磨至-100目并在ipa中磨碎至0.39微米的中值粒度。將粉末分離、干燥并過(guò)篩至-230目以提供含有82.98wt％pbo和17.02wt％wo3的pb-w-o。通過(guò)將43.51的銀粉放置在玻璃罐中，向該玻璃罐中加入0.50g如上所述制備的pb-w-o玻璃料粉末，制造實(shí)例1的一批50g的銀糊料。然后將粉末翻滾混合約15分鐘。有機(jī)介質(zhì)通過(guò)使用are-310行星式離心混合器(美國(guó)日新基公司，拉古納山，加利福尼亞州(thinkyusa,inc.,lagunahills,ca))在塑料罐中將表1中列出的組分混合制備。表1有機(jī)介質(zhì)的組成向4.66g的這種有機(jī)介質(zhì)中加入大約三分之一的銀和pb-w-o玻璃料粉末混合物并使用混合器在2000rpm下混合30秒。用第二和第三部分的銀和43.51pb-w-o玻璃料粉末混合物重復(fù)該步驟，確保粉末充分分散在介質(zhì)中。然后將分散的混合物用三輥研磨機(jī)(查理斯·羅斯父子公司(charlesross&soncompany)，落地式型號(hào)，具有4”×8”輥)共混，其中以1密耳間隙在零psi下三次通過(guò)和在100psi下三次通過(guò)。該糊料包含98.86wt％的ag和1.14wt％的pb-w-o，其中wt％是基于ag和pb-w-o的總重量。在使糊料放置過(guò)夜后，糊料的粘度使用具有保持在25℃下的恒溫的小樣品適配器的brookfieldhadv-iprime粘度計(jì)(博勒飛工程實(shí)驗(yàn)室公司，米德?tīng)柌眨R薩諸塞州(brookfieldengineeringlaboratories,inc.,middleboro,ma))測(cè)量。糊料的粘度用調(diào)節(jié)以獲得可打印的糊料，具有約300pa-s的10rpm粘度。以上程序產(chǎn)生名義上含有基于糊料組合物的總重量1wt.％的pb-w-o玻璃料的實(shí)例1的糊料組合物。實(shí)例2和3的具有2和3wt.％pb-w-o玻璃料的糊料分別通過(guò)用玻璃料粉末替代一些銀粉以類似的方式制備。用于測(cè)試厚膜糊料的性能的太陽(yáng)能電池使用具有65ohm/sq.磷摻雜的發(fā)射極層的175微米厚的多晶硅晶片(q-cells公司，比特爾費(fèi)爾德-沃爾芬，德國(guó)(q-cells,bitterfeld-wolfen,germany))制成，該多晶硅晶片具有酸蝕刻的紋理化表面和70-80nm厚的pecvdsinx減反射涂層。使用金剛石切片鋸將晶片切為28mm×28mm的電池。電池的背側(cè)面用商業(yè)鋁糊料pv381(杜邦公司，威明頓，特拉華州(e.i.dupontdenemoursandcompany,wilmington,de))的完全接地平面進(jìn)行絲網(wǎng)印刷用于背側(cè)面接觸。印刷后，將鋁糊料在機(jī)械對(duì)流烘箱中在150℃下通風(fēng)排氣30分鐘進(jìn)行干燥，得到25至30微米的干燥的膜厚度。本發(fā)明的糊料使用msp485絲網(wǎng)印刷機(jī)(affiliatedmanufacturers公司)在硅電池正表面上的氮化硅層上絲網(wǎng)印刷并在150℃下在對(duì)流烘箱中干燥30分鐘以得到25至30微米厚的指形線和母線。絲網(wǎng)印刷的銀糊料具有約110微米寬度的十一條指形線圖案，連接到位于電池的一個(gè)邊緣附近的1.25mm寬度的母線(絲網(wǎng)參數(shù)：1.2密耳乳液；325目，0.9密耳線；30°角；100μ指形線寬度標(biāo)稱開(kāi)口)。將干燥的電池在四區(qū)域爐(馬薩諸塞州北比勒利卡的btu國(guó)際公司(btuinternational,northbillerica,ma)；型號(hào)pv309)中在221cm/min的帶速度下，使用以下?tīng)t設(shè)定點(diǎn)溫度進(jìn)行燒制：區(qū)域1在610℃下，區(qū)域2在610℃下，區(qū)域3在585℃下，以及最后區(qū)域4設(shè)定在從900℃至940℃的五個(gè)溫度系列下。電池花費(fèi)約5.2秒通過(guò)區(qū)域4。對(duì)于每種糊料組合物，印刷25個(gè)電池。在每個(gè)溫度下燒制5個(gè)電池。所報(bào)告的電池?cái)?shù)據(jù)是從在最佳溫度下燒制的5個(gè)電池的組中取得的每個(gè)測(cè)量參數(shù)的中值。使用商業(yè)電流-電壓(jv)測(cè)試儀(st-1000，telecom-stv公司，莫斯科，俄羅斯)來(lái)進(jìn)行多晶硅光伏電池的效率測(cè)量。在每個(gè)光伏電池的頂部和底部進(jìn)行兩個(gè)電連接，一個(gè)用于電壓并且一個(gè)用于電流。使用瞬態(tài)光激發(fā)來(lái)避免加熱硅光伏電池并在標(biāo)準(zhǔn)溫度條件(25℃)下獲得jv曲線。具有與太陽(yáng)光譜類似的光譜輸出的閃光燈從1m的垂直距離照射光伏電池。燈功率保持恒定持續(xù)14毫秒。在這段時(shí)間期間，在樣品表面處的強(qiáng)度，如針對(duì)外部太陽(yáng)能電池校準(zhǔn)的，是1000w/m2(或1sun)。在14毫秒期間，jv測(cè)試儀將樣品上的仿真電力負(fù)載從短路改變到開(kāi)路。在負(fù)載變化超過(guò)規(guī)定的負(fù)載范圍時(shí)，jv測(cè)試儀記錄通過(guò)光伏電池的光-誘導(dǎo)電流和跨過(guò)光伏電池的電壓。功率對(duì)電壓曲線從該數(shù)據(jù)通過(guò)取電流乘以每個(gè)電壓水平下的電壓的乘積獲得。將功率對(duì)電壓曲線的最大值作為用于計(jì)算太陽(yáng)能電池效率的太陽(yáng)能電池的特征輸出功率。該最大功率除以樣品的面積以獲得在1sun強(qiáng)度下的最大功率密度。然后將其除以1000w/m2的輸入強(qiáng)度以獲得效率，然后將效率乘以100以便以百分比呈現(xiàn)結(jié)果。還從這同一個(gè)電流-電壓曲線獲得感興趣的其他參數(shù)。一個(gè)這樣的參數(shù)是填充因數(shù)(ff)，填充因數(shù)通過(guò)取來(lái)自太陽(yáng)能電池的最大功率與開(kāi)路電壓和短路電流的乘積的比率獲得。對(duì)于合理有效的電池，串聯(lián)電阻(r串聯(lián))的估計(jì)值(ra)從短路點(diǎn)附近的當(dāng)前電壓曲線的局部斜率的倒數(shù)獲得。使用上述厚膜糊料制備的太陽(yáng)能電池的最佳電池效率、填充因數(shù)(ff)和串聯(lián)電阻(ra)的中值匯總在表2中。表2電池性能實(shí)例4-11如實(shí)例1-3所述，使用實(shí)例4中的pbo和wo3以及表3中所示的量的pbo、wo3和b2o3、bi2o3和li2o中的一種或多種(其中重量百分比是基于鉛-鎢基氧化物的總重量)制備本發(fā)明的鉛-鎢基氧化物(pb-w-o)組合物。用于測(cè)試厚膜糊料的性能的太陽(yáng)能電池是使用單晶硅片(臺(tái)灣昱晶能源公司(gintechenergycorp.taiwan))制成的。在所有這些實(shí)例的糊料組合物中使用了2.00wt％的pb-w-o。使用上述厚膜糊料制備的太陽(yáng)能電池的最佳電池效率(eff.)、填充因數(shù)(ff)和串聯(lián)電阻(ra)的中值匯總在表3中。表3pb-w-o組成和電池性能實(shí)例12-24如表4、5和6中所示，本發(fā)明的鉛-鎢基氧化物(pb-w-o)組合物通過(guò)將pb3o4和wo3和一種或多種選自下組的附加氧化物混合并共混來(lái)制備，該組由以下各項(xiàng)組成：sio2、al2o3、li2o、k2o、rb2o、nao、cs2o和moo3。該列表旨在是說(shuō)明性而非限制性的。在表4、5和6中，化合物的量示出為基于總玻璃組合物的重量的重量百分比。將共混的粉末批料裝入鉑合金或陶瓷坩堝中并且然后插入在900-1100℃下使用含空氣或含o2的氣氛的爐中。熱處理的持續(xù)時(shí)間為20分鐘，隨后獲得這些成分的完全溶液。然后通過(guò)金屬輥將從這些成分的熔合產(chǎn)生的所得低粘度液體淬火。然后將經(jīng)淬火過(guò)的玻璃磨碎并過(guò)篩以提供具有0.1至3.0微米的d50的粉末。表4中的組分顯示為基于總玻璃組合物的重量的重量百分比。表4pb-w-o組成表5pb-w-o組成表6pb-w-o組成實(shí)例25-41使用以下程序制備對(duì)應(yīng)于實(shí)例編號(hào)25-41的本發(fā)明的糊料組合物。將表7中列出的組分放入塑料罐中制備有機(jī)介質(zhì)。然后將攪拌棒放入罐中并將混合物攪拌1小時(shí)，直到所有成分充分共混。表7有機(jī)介質(zhì)的組成組分wt.％2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯5.57乙基纖維素(50％-52％乙氧基)0.14乙基纖維素(48％-50％乙氧基)0.04n-牛脂-1,3-二氨基丙烷二油酸酯1.00氫化蓖麻油0.50全氫化松香酸的季戊四醇四酯1.25己二酸二甲酯3.15戊二酸二甲酯0.35將來(lái)自實(shí)例25-41的p-w-o玻璃組合物之一并在表4、5或6中所示的1-3.5wt.％pb-w-o玻璃料(基于糊料組合物的總重量)加入到表7的有機(jī)混合物中。增量地加入87.35-89.35wt.％ag粉末以確保良好的潤(rùn)濕性。在所有成分用手或臺(tái)式混合器充分混合后，將混合物放入在1000rpm下的thinky混合器中持續(xù)1-3分鐘。然后將該混合物在從0至250psi的逐漸增加的壓力下反復(fù)通過(guò)三輥研磨機(jī)。將這些輥的間隙設(shè)置為2密耳。通過(guò)研磨細(xì)度(fog)來(lái)衡量分散程度。對(duì)于第四長(zhǎng)的連續(xù)刮涂，糊料的典型fog值小于10微米，并且對(duì)于在刮涂50％的糊料的點(diǎn)是小于5微米。使用具有14號(hào)轉(zhuǎn)軸和6號(hào)杯的布氏粘度計(jì)(布魯克菲爾德公司，米德?tīng)柌?，馬薩諸塞州(brookfieldinc.,middleboro,ma))測(cè)量糊料粘度。在室溫下12-24小時(shí)后測(cè)量糊料的粘度。在粘度計(jì)中在10rpm下3分鐘后測(cè)量粘度，并且通過(guò)加入溶劑和介質(zhì)并然后在1000rpm下混合小于一分鐘將糊料粘度調(diào)節(jié)至在270-340pa.s之間。重復(fù)該步驟直至實(shí)現(xiàn)所希望的粘度。用于測(cè)試如上所述制備的本發(fā)明的厚膜糊料的性能的太陽(yáng)能電池使用具有65-68ω/□磷摻雜p型發(fā)射極層的200微米厚的多晶硅晶片制造。這些多晶晶片從臺(tái)灣的昱晶能源公司或德國(guó)的deutschecell獲得。所使用的太陽(yáng)能電池通過(guò)各向同性的酸蝕刻進(jìn)行紋理化并具有sinx:h的減反射涂層(arc)。6平方英寸的晶片用于測(cè)量每個(gè)樣品的效率和填充因數(shù)。使用刮墨刀速度設(shè)定為100-250mm/秒的microtek印刷機(jī)裝置通過(guò)絲網(wǎng)印刷制造每個(gè)樣品。用于6平方英寸多晶晶片的絲網(wǎng)具有31條具有40或60μm開(kāi)口的指形線的圖案。所有圖案在具有350-360目和16-23μm線材的絲網(wǎng)中的15μm或20μm乳液上具有1.5mm開(kāi)口的三條母線。將實(shí)驗(yàn)的al糊料印刷在裝置的非照射(背面)側(cè)上。在印刷每一側(cè)之后，將具有印刷圖案的裝置在具有150℃峰值溫度的干燥爐中干燥10-15分鐘。然后將基底用cf7214despatch6區(qū)域紅外爐使用560cm/min的帶速度進(jìn)行正面燒制，并將前5個(gè)區(qū)域設(shè)定為500-550-610-700-800℃或550-600-660-750-850℃并且第六區(qū)域設(shè)定為表8和9中所示的溫度。在處理過(guò)程中測(cè)量部件的實(shí)際溫度。所估計(jì)的每個(gè)部件的峰值溫度為770-830℃，并且每個(gè)部件高于650℃持續(xù)4-6秒的總時(shí)間。然后將完全處理過(guò)的樣品使用經(jīng)校準(zhǔn)的bergeri-v測(cè)試儀測(cè)試pv性能。測(cè)試根據(jù)上述方法構(gòu)造的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。將太陽(yáng)能電池放置在用于測(cè)量效率的商業(yè)i-v測(cè)試儀中(bergerlichttechnik有限兩合公司，具有pcc1011、pslscd、pt100和具有手動(dòng)探測(cè)單元的工作站的手動(dòng)電池測(cè)試系統(tǒng))。該i-v測(cè)試儀中的xe弧燈模擬已知強(qiáng)度am1.5的日光，并照射電池正表面。該測(cè)試儀使用多點(diǎn)接觸方法來(lái)測(cè)量電流(i)和電壓(v)以確定電池的i-v曲線。填充因數(shù)(ff)和效率(eff)二者均由i-v曲線計(jì)算。測(cè)量每個(gè)樣品的效率和填充因數(shù)。對(duì)于每種糊料，就特定pb-w-o實(shí)例編號(hào)而言的糊料組合物和所用量連同對(duì)于所使用的不同的六個(gè)區(qū)域爐溫度中的每一個(gè)的11種糊料樣品的效率的平均值示于表8中。對(duì)于每種糊料，就特定pb-w-o而言的糊料組合物和所用量連同所使用的不同的六個(gè)區(qū)域爐溫度中的每一個(gè)的11種糊料樣品的填充因數(shù)的平均值示于表9中。表8在多晶太陽(yáng)能電池上使用選定的玻璃料的糊料的效率表9在多晶太陽(yáng)能電池上使用選定的玻璃料的糊料的填充因數(shù)用于測(cè)試如上所述制備的厚膜糊料的性能的太陽(yáng)能電池使用具有70-75ω/□磷摻雜p型輕摻雜的發(fā)射極(lde)層的180微米厚的單晶硅晶片制造。這些單晶晶片從(加利福尼亞州森尼韋爾杜邦innovalight(dupontinnovalight,sunnyvale,ca))獲得。所使用的太陽(yáng)能電池通過(guò)錐形的酸蝕刻進(jìn)行紋理化并具有sinx:h的減反射涂層(arc)。6平方英寸的晶片用于測(cè)量每個(gè)樣品的效率和填充因數(shù)。使用刮墨刀速度設(shè)定為100-250mm/秒的microtek印刷機(jī)裝置通過(guò)絲網(wǎng)印刷制造每個(gè)樣品。用于6英寸偽方形單晶晶片的絲網(wǎng)具有31條具有40或60μm開(kāi)口的指形線的圖案。所有圖案在具有350-360目和16-23μm線材的絲網(wǎng)中的15μm或20μm乳液上具有1.5mm開(kāi)口的三條母線。將實(shí)驗(yàn)的al糊料印刷在裝置的非照射(背面)側(cè)上。在印刷每一側(cè)之后，將具有印刷圖案的裝置在具有150℃峰值溫度的干燥爐中干燥10-15分鐘。然后將基底用cf7214despatch6區(qū)域紅外爐使用560cm/min的帶速度進(jìn)行正面燒制，并將前5個(gè)區(qū)域設(shè)定為500-550-610-700-800或550-600-660-750-850并且第六區(qū)域設(shè)定為表10和11中所示的溫度。在處理過(guò)程中測(cè)量部件的實(shí)際溫度。所估計(jì)的每個(gè)部件的峰值溫度為770-830℃，并且每個(gè)部件高于650℃持續(xù)4-6秒的總時(shí)間。然后將完全處理過(guò)的樣品使用經(jīng)校準(zhǔn)的bergeri-v測(cè)試儀測(cè)試pv性能。測(cè)試根據(jù)上述方法構(gòu)造的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。將太陽(yáng)能電池放置在用于測(cè)量效率的商業(yè)i-v測(cè)試儀中(bergerlichttechnik有限兩合公司，包括pcc1011、pslscd、pt100和具有手動(dòng)探測(cè)單元的工作站的手動(dòng)電池測(cè)試系統(tǒng))。該i-v測(cè)試儀中的xe弧燈模擬已知強(qiáng)度am1.5的日光，并照射電池正表面。該測(cè)試儀使用多點(diǎn)接觸方法來(lái)測(cè)量電流(i)和電壓(v)以確定電池的i-v曲線。填充因數(shù)(ff)和效率(eff)二者均由i-v曲線計(jì)算。測(cè)量每個(gè)樣品的效率和填充因數(shù)。對(duì)于每種糊料，就特定pb-w-o實(shí)例編號(hào)而言的糊料組合物和所用量連同對(duì)于所使用的不同的六個(gè)區(qū)域爐溫度中的每一個(gè)的11種糊料樣品的效率的平均值示于表10中。對(duì)于每種糊料，就特定pb-w-o而言的糊料組合物和所用量連同所使用的不同的六個(gè)區(qū)域爐溫度中的每一個(gè)的11種糊料樣品的填充因數(shù)的平均值示于表11中。表10在單晶輕摻雜的發(fā)射極(lde)太陽(yáng)能電池上使用選定的玻璃料的糊料的效率表11在單晶輕摻雜的發(fā)射極(lde)太陽(yáng)能電池上使用選定的玻璃料的糊料的填充因數(shù)粘附性測(cè)試測(cè)試由如用于表8和9中所示的數(shù)據(jù)的200微米厚的多晶6平方英寸硅晶片上的選定糊料制成的母線的粘附性。使用半自動(dòng)焊接設(shè)備semtekscb-160進(jìn)行粘附性測(cè)試。將樣品在其溫度預(yù)設(shè)為180℃的加熱階段內(nèi)加載。將加載帶壓在母線上的加熱的針狀物陣列預(yù)設(shè)在180℃的溫度。焊料帶由0.17mm厚和2mm寬的銅芯層組成，該銅芯層涂覆有16-20μm焊料層，60sn/40pb焊料合金。焊料帶從卷軸供應(yīng)并在其附接到熱板中的母線上之前浸入kester952s焊劑中。當(dāng)焊料帶粘合到母線上并且冷卻至室溫時(shí)，將焊料帶在mogrl拉力測(cè)試儀中以180°方向拉伸。當(dāng)將焊料帶以120mm/min的速度從每個(gè)樣品的下面的母線拉脫時(shí)，記錄以牛頓(n)計(jì)的粘附剝離強(qiáng)度。結(jié)果示于表12中。表12母線粘附性拉力測(cè)試結(jié)果當(dāng)前第1頁(yè)12