技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
描述了用于使用微結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)半導(dǎo)體中的光子吸收的技術(shù)。微結(jié)構(gòu)諸如孔有效地增加了光子吸收。使用微結(jié)構(gòu)對(duì)硅光電二極管和硅雪崩光電二極管進(jìn)行吸收增強(qiáng)可以在波長為850nm的光子處在量子效率約為90％以上的情況下產(chǎn)生超過10Gb/s的帶寬。微結(jié)構(gòu)的厚度尺寸使其能夠與CMOS、BiCMOS和其他電子器件方便地集成在同一Si芯片上，從而實(shí)現(xiàn)封裝優(yōu)點(diǎn)并且降低電容，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)較高速度。

技術(shù)研發(fā)人員：王士原;王士平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：王士原;王士平
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.17
技術(shù)公布日：2017.08.18