技術特征：

技術總結
一種方法包括：沉積步驟，包括沉積氧化石墨烯層；沉積步驟，包括將沉積的氧化石墨烯層的區(qū)域選擇性地暴露于電磁輻射以形成與相鄰的未暴露的氧化石墨烯區(qū)域鄰近的還原氧化石墨烯區(qū)域，氧化石墨烯區(qū)域和鄰近的還原氧化石墨烯區(qū)域在它們之間形成結，以產(chǎn)生氧化石墨烯?還原氧石墨烯結層；以及針對在下方氧化石墨烯?還原氧化石墨烯結層之上的一個或多個另外的相應氧化石墨烯層來重復沉積步驟和暴露步驟以產(chǎn)生一種裝置，在該裝置中氧化石墨烯?還原氧化石墨烯層的相應結當一起被考慮時在第三維度中延伸。

技術研發(fā)人員：魏迪;M·艾倫
受保護的技術使用者：諾基亞技術有限公司
技術研發(fā)日：2015.10.21
技術公布日：2017.08.29