技術特征：

技術總結
一種半導體發(fā)光元件，所述半導體發(fā)光元件具有第一發(fā)光層和第二發(fā)光層。第一發(fā)光層具有：基底層，所述基底層具有多個基底區(qū)段，所述多個基底區(qū)段具有從第一半導體層接受應力應變的組分，所述基底區(qū)段被分割成隨機網格圖案；以及第一量子阱結構層，所述第一量子阱結構層保留了所述多個基底區(qū)段的區(qū)段形狀，并且包括形成在基底層上的至少一個量子阱層和至少一個勢壘層。所述第二發(fā)光層具有：第二量子阱結構層，所述第二量子阱結構層包括至少一個量子阱層和多個勢壘層，所述多個勢壘層具有與所述第一量子阱結構層中的至少一個勢壘層不同的組分；以及槽，所述槽在所述多個勢壘層中最靠近所述第一發(fā)光層側的端部勢壘層的表面上，保留了所述區(qū)段形狀。

技術研發(fā)人員：藤原崇子;杉山正和;M·瑪尼施
受保護的技術使用者：斯坦雷電氣株式會社;國立大學法人東京大學
技術研發(fā)日：2015.10.22
技術公布日：2017.08.01