本發(fā)明涉及帶有隔片的密封用片以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，作為半導(dǎo)體裝置的制造方法，已知有如下方法：在將固定于基板等上的一個或多個半導(dǎo)體芯片用密封樹脂密封后，將密封體切割為半導(dǎo)體裝置單元的封裝件。作為這樣的密封樹脂，例如已知有由熱固性樹脂構(gòu)成的密封用片(例如，參照專利文獻1)。這樣的密封用片通常在使用前利用隔片覆蓋。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-19714號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問題

以往，通過上述方法制造半導(dǎo)體裝置的情況下，在密封用片的相反側(cè)的面帶有隔片的狀態(tài)下將半導(dǎo)體芯片嵌入密封用片中。然后，將隔片剝離，接著使密封用片熱固化。

但是，通過該步驟制造半導(dǎo)體裝置的情況下，有時會損害半導(dǎo)體裝置的外觀(特別是密封用片的表面)。

本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠使所制造的半導(dǎo)體裝置的外觀良好的帶有隔片的密封用片以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

用于解決問題的手段

本發(fā)明人對于半導(dǎo)體裝置的外觀受損的原因進行了深入研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)：如果將隔片剝離后使密封用片熱固化，則熱固化后的密封片的外觀受損。并且發(fā)現(xiàn)：如果能夠在熱固化后剝離隔片，則半導(dǎo)體裝置的外觀良好。此外，本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：如果利用氨基醇酸系脫模劑對隔片進行處理，則在熱固化后能夠容易地將隔片從密封用片剝離，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明是一種帶有隔片的密封用片，其特征在于，

其具備：

隔片、和

層疊于上述隔片上的密封用片，

上述隔片的與上述密封用片接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行了處理。

根據(jù)上述構(gòu)成，隔片的與密封用片接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行了處理。因此，使密封用片熱固化后，能夠容易地將隔片從密封用片剝離。其結(jié)果是，例如，在半導(dǎo)體芯片上配置該帶有隔片的密封用片后，將半導(dǎo)體芯片嵌入密封用片中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體(下述工序c)，能夠在帶有隔片的狀態(tài)下使上述密封體的密封用片熱固化(下述工序d)。由此，能夠抑制密封用片在熱固化時的表面粗糙。另外，隔片的與密封用片接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行了處理，因此，在熱固化后，能夠容易地將隔片從密封用片剝離(下述工序e)。即使在熱固化后也能夠容易地將隔片從密封用片剝離，因此，如果使用該帶有隔片的密封用片，則抑制了表面粗糙，可以得到外觀良好的半導(dǎo)體裝置。

在上述構(gòu)成中，在150℃加熱1小時后的上述密封用片與上述隔片的剝離強度優(yōu)選小于0.4n/100mm寬。

如果在150℃加熱1小時后的上述密封用片與上述隔片的剝離強度小于0.4n/100mm寬，則使密封用片熱固化后，能夠更容易地將隔片從密封用片剝離。

在上述構(gòu)成中，上述密封用片優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂。

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：利用氨基醇酸系脫模劑處理后的隔片與含有環(huán)氧樹脂的密封用片之間的剝離強度在加熱后也低。即，如果密封用片含有環(huán)氧樹脂，則能夠進一步降低加熱后的與上述隔片的剝離強度。

另外，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，

該制造方法包括：

工序a，準(zhǔn)備在支撐體上固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體；

工序x，準(zhǔn)備上述帶有隔片的密封用片；

工序b，在上述層疊體的上述半導(dǎo)體芯片上配置上述帶有隔片的密封用片；

工序c，將上述半導(dǎo)體芯片嵌入上述密封用片中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體；

工序d，使上述密封體的上述密封用片熱固化；和

工序e，在上述工序d之后，將上述隔片剝離。

根據(jù)上述構(gòu)成，在半導(dǎo)體芯片上配置上述帶有隔片的密封用片后，將半導(dǎo)體芯片嵌入密封用片中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體(工序c)。并且，在帶有隔片的狀態(tài)下使上述密封體的密封用片熱固化(工序d)。在帶有隔片的狀態(tài)下使密封用片熱固化，因此，能夠抑制密封用片在熱固化時的表面粗糙。并且，在熱固化后，將隔片從密封用片剝離(工序e)。隔片的與密封用片接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行處理，因此，在熱固化后能夠容易地將隔片從密封用片剝離。即使在熱固化后也能夠容易地將隔片從密封用片剝離，因此，抑制了表面粗糙，可以得到外觀良好的半導(dǎo)體裝置。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠使所制造的半導(dǎo)體裝置的外觀良好的帶有隔片的密封用片。

附圖說明

圖1是本實施方式涉及的帶有隔片的密封用片的截面示意圖。

圖2是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖3是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖4是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖5是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖6是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖7是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖8是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖9是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖10是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖11是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

具體實施方式

下面，一邊參照附圖一邊對本發(fā)明的實施方式進行說明。但是，本發(fā)明并非僅限定于這些實施方式。

(帶有隔片的密封用片)

如圖1所示，帶有隔片的密封用片10具有隔片16與密封用片11層疊而成的構(gòu)成。

(隔片)

作為隔片16，例如可以舉出：塑料膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(pet)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜)、無紡布、紙等。上述基材可以為單層也可以為兩種以上的多層。

利用氨基醇酸系脫模劑對隔片16的與密封用片11接觸的面進行處理。因此，使密封用片11熱固化后，能夠容易地將隔片16從密封用片11剝離。

作為隔片16的厚度，沒有特別限定，從隔片剝離時的操作性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為10μm以上，更優(yōu)選為25μm以上。另外，從隔片的剝離容易性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為200μm以下，更優(yōu)選為100μm以下。

隔片16的俯視時的大小和形狀沒有特別限定，如本實施方式那樣，可以設(shè)定為與密封用片11的俯視時的大小和形狀同樣(參照圖1)。另外，隔片16的俯視時的大小和形狀可以設(shè)定為大于密封用片11的大小和形狀。

可以對隔片16的與密封用片11的接觸面實施壓花加工。如果實施壓花加工，則能夠進一步提高工序d之后的外觀。

(密封用片)

作為密封用片11的構(gòu)成材料，優(yōu)選含有熱固性樹脂，其中，優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂和作為固化劑的酚醛樹脂。由此，可以得到良好的熱固化性。另外，如果密封用片11含有環(huán)氧樹脂，則能夠進一步降低加熱后的與隔片16的剝離強度。

作為上述環(huán)氧樹脂，沒有特別限定。可以使用例如：三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚a型環(huán)氧樹脂、雙酚a型環(huán)氧樹脂、雙酚f型環(huán)氧樹脂、改性雙酚f型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂等各種環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用也可以合用兩種以上。

從確保環(huán)氧樹脂的固化后的韌性和環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性的觀點出發(fā)，優(yōu)選環(huán)氧當(dāng)量為150～250、軟化點或熔點為50～130℃的常溫下固態(tài)的環(huán)氧樹脂，其中，從可靠性的觀點出發(fā)，更優(yōu)選三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂。

上述酚醛樹脂只要在與環(huán)氧樹脂之間發(fā)生固化反應(yīng)就沒有特別限定?？梢允褂美纾罕椒臃尤┣迤針渲⒈椒臃纪榛鶚渲?、聯(lián)苯芳烷基樹脂、二環(huán)戊二烯型酚醛樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、甲階酚醛樹脂等。這些酚醛樹脂可以單獨使用、也可以合用兩種以上。

作為上述酚醛樹脂，從與環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用羥基當(dāng)量為70～250、軟化點為50～110℃的酚醛樹脂，其中，從固化反應(yīng)性高的觀點出發(fā)，可以優(yōu)選使用苯酚酚醛清漆樹脂。另外，從可靠性的觀點出發(fā)，可以優(yōu)選使用苯酚芳烷基樹脂、聯(lián)苯芳烷基樹脂之類的低吸濕性的酚醛樹脂。

關(guān)于環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，從固化反應(yīng)性的觀點出發(fā)，相對于環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基1當(dāng)量，優(yōu)選按照酚醛樹脂中的羥基的合計為0.7～1.5當(dāng)量的方式進行配合，更優(yōu)選為0.9～1.2當(dāng)量。

密封用片11中的環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總含量優(yōu)選為2.5重量％以上，更優(yōu)選為3.0重量％以上。如果為2.5重量％以上，則可以得到對半導(dǎo)體芯片23、半導(dǎo)體晶片22等良好的粘接力。密封用片11中的環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總含量優(yōu)選為20重量％以下，更優(yōu)選為10重量％以下。如果為20重量％以下，則能夠降低吸濕性。

密封用片11可以含有熱塑性樹脂。由此，可以得到未固化時的操作性、固化物的低應(yīng)力性。

作為上述熱塑性樹脂，可以舉出：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍或6，6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、pet或pbt等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用，或者可以合用兩種以上。其中，從低應(yīng)力性、低吸水性的觀點出發(fā)，優(yōu)選苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。

密封用片11中的熱塑性樹脂的含量可以設(shè)定為1.5重量％以上、2.0重量％以上。如果為1.5重量％以上，則可以得到柔軟性、撓性。密封用片11中的熱塑性樹脂的含量優(yōu)選為6重量％以下，更優(yōu)選為4重量％以下。如果為4重量％以下，則與半導(dǎo)體芯片23或半導(dǎo)體晶片22的粘接性良好。

密封用片11優(yōu)選含有無機填充劑。

上述無機填充劑沒有特別限定，可以使用現(xiàn)有公知的各種填充劑，可以舉出例如：石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼的粉末。它們既可以單獨使用，也可以合用兩種以上。其中，從可以良好地降低線膨脹系數(shù)的理由出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅、氧化鋁，更優(yōu)選二氧化硅。

作為二氧化硅，優(yōu)選二氧化硅粉末，更優(yōu)選熔融二氧化硅粉末。作為熔融二氧化硅粉末，可以舉出：球狀熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，但從流動性的觀點出發(fā)，優(yōu)選球狀熔融二氧化硅粉末。其中，優(yōu)選平均粒徑為10～30μm的范圍的粉末，更優(yōu)選15～25μm的范圍的粉末。

需要說明的是，平均粒徑例如可以通過使用從母集團中任意提取的試樣并利用激光衍射散射式粒度分布測定裝置進行測定而導(dǎo)出。

密封用片11中的上述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體優(yōu)選為75～95重量％，更優(yōu)選為78～95重量％。如果上述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體為75重量％以上，則會將熱膨脹率抑制得較低，由此可以抑制由熱沖擊引起的機械破壞。另一方面，如果上述無機填充劑的含量相對于密封用片11整體為95重量％以下，則柔軟性、流動性、粘接性變得更加良好。

密封用片11優(yōu)選含有固化促進劑。

作為固化促進劑，只要是使環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的固化推進的物質(zhì)就沒有特別限定，可以舉出例如：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽等有機磷系化合物；2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，從即使混煉時的溫度升高也不會使固化反應(yīng)急劇地推進、可以良好地制作密封用片11的理由出發(fā)，優(yōu)選2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑。

對于固化促進劑的含量，相對于環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的合計100重量份，優(yōu)選為0.1～5重量份。

密封用片11可以含有阻燃劑成分。由此，能夠減少因部件短路或發(fā)熱等而著火時的燃燒擴大。作為阻燃劑組成成分，例如可以使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、復(fù)合化金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。

密封用片11優(yōu)選含有硅烷偶聯(lián)劑。作為硅烷偶聯(lián)劑，沒有特別限定，可以舉出3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。

密封用片11中的硅烷偶聯(lián)劑的含量優(yōu)選為0.1～3重量％。如果為0.1重量％以上，則可以充分地得到固化物的強度，能夠降低吸水率。如果為3重量％以下，則可以降低排出氣體量。

密封用片11優(yōu)選含有顏料或染料。作為顏料，沒有特別限定，可以舉出炭黑等。

密封用片11中的顏料或染料的含量優(yōu)選為0.1～2重量％。如果為0.1重量％以上，則可以得到良好的標(biāo)記性。如果為2重量％以下，則能夠確保固化后的密封用片的強度。

需要說明的是，在密封用片11中除了上述各成分以外可以根據(jù)需要適當(dāng)配合其它添加劑。

密封用片11的厚度沒有特別限定，從作為密封用片使用的觀點和能夠適當(dāng)嵌入半導(dǎo)體芯片23的觀點出發(fā)，例如可以設(shè)定為50μm～2000μm，優(yōu)選設(shè)定為70μm～1200μm，更優(yōu)選設(shè)定為100μm～700μm。

密封用片11的大小和形狀沒有特別限定，優(yōu)選為俯視時能夠以不突出的方式層疊于半導(dǎo)體晶片22(層疊體)上的形狀。例如，密封用片11的大小和形狀可以設(shè)定為俯視時與半導(dǎo)體晶片22(層疊體)的俯視時的大小和形狀同樣或者大于半導(dǎo)體晶片22(層疊體)的形狀。

在帶有隔片的密封用片10中，在150℃加熱1小時后的密封用片11與隔片16的剝離強度z1在剝離角度為180°、剝離速度為300mm/分鐘的條件下優(yōu)選小于0.4n/100mm寬，更優(yōu)選小于0.35n/100mm寬，進一步優(yōu)選小于0.3n/100mm寬。如果上述剝離強度z1小于0.4n/100mm寬，則使密封用片11熱固化后，能夠更容易地將隔片16從密封用片11剝離。需要說明的是，上述剝離強度z1越小越優(yōu)選，例如為0.01n/100mm寬以上。

密封用片11的制造方法沒有特別限定，優(yōu)選制備出用于形成密封用片11的樹脂組合物的混煉物并將所得到的混煉物進行涂布的方法、將所得到的混煉物塑性加工為片狀的方法。由此，能夠不使用溶劑地制作密封用片11，因此，能夠抑制半導(dǎo)體芯片23因揮發(fā)的溶劑而受到影響。

具體而言，通過將后述的各成分利用混合輥、加壓式捏合機、擠出機等公知的混煉機進行熔融混煉而制備混煉物，并將所得到的混煉物利用涂布或塑性加工制成片狀。作為混煉條件，溫度優(yōu)選為上述各成分的軟化點以上，例如為30～150℃，如果考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性，則優(yōu)選為40～140℃，進一步優(yōu)選為60～120℃。時間例如為1～30分鐘，優(yōu)選為5～15分鐘。

混煉優(yōu)選在減壓條件下(減壓氣氛下)進行。由此，能夠進行脫氣，同時能夠防止氣體向混煉物中的侵入。減壓條件下的壓力優(yōu)選為0.1kg/cm²以下，更優(yōu)選為0.05kg/cm²以下。減壓下的壓力的下限沒有特別限定，例如為1×10^-4kg/cm²以上。

在將混煉物進行涂布而形成密封用片11的情況下，熔融混煉后的混煉物優(yōu)選不進行冷卻而保持高溫狀態(tài)不變地進行涂布。作為涂布方法，沒有特別限制，可以舉出棒涂法、刮涂法，狹縫式擠壓涂布法等。作為涂布時的溫度，優(yōu)選為上述各成分的軟化點以上，如果考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性和成形性，則例如為40～150℃，優(yōu)選為50～140℃，進一步優(yōu)選為70～120℃。

在對混煉物進行塑性加工而形成密封用片11的情況下，熔融混煉后的混煉物優(yōu)選不進行冷卻而保持高溫狀態(tài)不變地進行塑性加工。作為塑性加工方法，沒有特別限制，可以舉出：平板壓制法、t型模頭擠出法、螺桿模頭擠出法、輥壓延法、輥混煉法、吹塑擠出法、共擠出法、壓延成形法等。作為塑性加工溫度，優(yōu)選為上述各成分的軟化點以上，如果考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性和成形性，例如為40～150℃，優(yōu)選為50～140℃，進一步優(yōu)選為70～120℃。

需要說明的是，密封用片11也可以如下得到，即，向適當(dāng)?shù)娜軇┲腥芙庥糜谛纬擅芊庥闷?1的樹脂等并使之分散而制備清漆，將該清漆進行涂布而得到。

以上，對帶有隔片的密封用片10進行了說明。

接著，對使用了帶有隔片的密封用片10的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。

本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

工序a，準(zhǔn)備將半導(dǎo)體芯片倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片的電路形成面的層疊體；

工序b，在上述層疊體的上述半導(dǎo)體芯片上配置密封用片和保護膜；

工序c，將上述半導(dǎo)體芯片嵌入上述密封用片中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體；

工序d，使上述密封體的上述密封用片熱固化；和

工序e，在上述工序d之后將上述保護膜剝離。

即，在本實施方式中，對本發(fā)明中的“在支撐體上固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體”為“將半導(dǎo)體芯片倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片的電路形成面的層疊體”的情況進行說明。本實施方式是所謂的chip-on-wafer方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

圖2～圖11是用于說明本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。

[準(zhǔn)備工序]

在本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備將半導(dǎo)體芯片23倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片22的電路形成面22a的層疊體20(工序a)。在第1實施方式中，半導(dǎo)體晶片22對應(yīng)于本發(fā)明的“支撐體”。層疊體20例如可以如下所示地得到。

如圖2所示，首先，準(zhǔn)備具有電路形成面23a的一個或者多個半導(dǎo)體芯片23和具有電路形成面22a的半導(dǎo)體晶片22。需要說明的是，下面，對將多個半導(dǎo)體芯片倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片的情況進行說明。作為半導(dǎo)體晶片22(支撐體)的俯視時的形狀和尺寸，可以設(shè)為與密封用片11的俯視時的大小和形狀相同，例如可以設(shè)定為直徑為200mm以上的圓形。

接著，如圖3所示，將半導(dǎo)體芯片23倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片22的電路形成面22a。在半導(dǎo)體芯片23向半導(dǎo)體晶片22上搭載時，可以使用倒裝芯片接合機、芯片接合機等公知的裝置。具體而言，將形成于半導(dǎo)體芯片23的電路形成面23a的凸塊23b與形成于半導(dǎo)體晶片22的電路形成面22a的電極22b電連接。由此，可以得到在半導(dǎo)體晶片22上安裝有多個半導(dǎo)體芯片23的層疊體20。此時，也可以在半導(dǎo)體芯片23的電路形成面23a粘貼底部填充用的樹脂片24。這種情況下，如果將半導(dǎo)體芯片23倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片22上，則可以對半導(dǎo)體芯片23與半導(dǎo)體晶片22之間的間隙進行樹脂密封。需要說明的是，對于將粘貼有底部填充用的樹脂片24的半導(dǎo)體芯片23倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片22上的方法，例如公開于日本特開2013-115186號公報等中，因此省略此處的詳細說明。

[準(zhǔn)備帶有隔片的密封用片的工序]

另外，在本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，準(zhǔn)備將密封用片11和隔片16預(yù)先層疊而成的帶有隔片的密封用片10(參照圖1)(工序x)。

[在層疊體上配置帶有隔片的密封用片的工序]

工序a和工序x之后，如圖4所示，使安裝有半導(dǎo)體芯片23的面朝上而將層疊體20配置在下側(cè)加熱板32上，同時，按照半導(dǎo)體芯片23與密封用片11相接觸的方式，將帶有隔片的密封用片11配置于層疊體20的半導(dǎo)體芯片23上(工序b)。在該工序中，可以首先在下側(cè)加熱板32上配置層疊體20，然后，在層疊體20上配置帶有隔片的密封用片11；也可以首先在層疊體20上層疊帶有隔片的密封用片11，然后，將層疊體20與帶有隔片的密封用片11層疊而成的層疊物配置于下側(cè)加熱板32上。

[形成密封體的工序]

接著，如圖5所示，利用下側(cè)加熱板32和上側(cè)加熱板34進行熱壓，將半導(dǎo)體芯片23嵌入密封用片11中，形成在密封用片11中嵌入有半導(dǎo)體芯片23的密封體28(工序c)。

作為將半導(dǎo)體芯片23嵌入密封用片11時的熱壓條件，溫度例如為40～100℃，優(yōu)選為50～90℃，壓力例如為0.1～10mpa，優(yōu)選為0.5～8mpa，時間例如為0.3～10分鐘，優(yōu)選為0.5～5分鐘。由此，可以得到在密封用片11中嵌入有半導(dǎo)體芯片23的半導(dǎo)體裝置。另外，如果考慮密封用片11對半導(dǎo)體芯片23和半導(dǎo)體晶片22的密合性和追隨性的提高，則優(yōu)選在減壓條件下進行壓制。

作為上述減壓條件，壓力例如為0.1～5kpa，優(yōu)選為0.1～100pa，減壓保持時間(從開始減壓到開始壓制的時間)例如為5～600秒，優(yōu)選為10～300秒。

[修剪工序]

工序c之后，根據(jù)需要，如圖6所示，將因工序c使得在面方向擠壓流出的樹脂(密封用片11)切割掉，除去滲出的部分。

[熱固化工序]

接著，使密封用片11熱固化(工序d)。具體而言，例如，對在密封用片11中嵌入有安裝于半導(dǎo)體晶片22上的半導(dǎo)體芯片23的密封體28整體進行加熱。

作為熱固化處理的條件，加熱溫度優(yōu)選為100℃以上，更優(yōu)選為120℃以上。另一方面，加熱溫度的上限優(yōu)選為200℃以下，更優(yōu)選為180℃以下。加熱時間優(yōu)選為10分鐘以上，更優(yōu)選為30分鐘以上。另一方面，加熱時間的上限優(yōu)選為180分鐘以下，更優(yōu)選為120分鐘以下。此時，優(yōu)選進行加壓，優(yōu)選為0.1mpa以上，更優(yōu)選為0.5mpa以上。另一方面，上限優(yōu)選為10mpa以下，更優(yōu)選為5mpa以下。

[剝離襯墊剝離工序]

接著，如圖7所示，將隔片16剝離(工序e)。隔片16的與密封用片11接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行處理，因此，在熱固化后，能夠容易地從密封用片11剝離。

[對密封用片進行磨削的工序]

接著，如圖8所示，對密封體28的密封用片11進行磨削從而使半導(dǎo)體芯片23的背面23c露出。作為對密封用片11進行磨削的方法，沒有特別限定，例如可以舉出使用高速旋轉(zhuǎn)的砂輪的磨片法。

[形成布線層的工序]

接著，將半導(dǎo)體晶片22的與搭載有半導(dǎo)體芯片23的一側(cè)相反一側(cè)的面進行磨削，形成通孔(via)22c后(參照圖9)，形成具有布線27a的布線層27(參照圖10)。作為對半導(dǎo)體晶片22進行磨削的方法，沒有特別限定，例如，可以舉出使用高速旋轉(zhuǎn)的砂輪的磨片法。也可以在布線層27中形成從布線27a突出的凸塊27b。形成布線層27的方法中，可以使用半加成法、減成法等現(xiàn)有公知的電路基板或內(nèi)插板的制造技術(shù)，因此省略此處的詳細說明。

[切割工序]

接著，如圖11所示，對露出了半導(dǎo)體芯片23的背面23c的密封體28進行切割。由此，可以得到基于半導(dǎo)體芯片23單元的半導(dǎo)體裝置29。

[基板安裝工序]

根據(jù)需要，可以進行將半導(dǎo)體裝置29安裝于另外的基板(未圖示)的基板安裝工序。在半導(dǎo)體裝置29在上述另外的基板上的安裝時，可以使用倒裝芯片接合機、芯片接合機等公知的裝置。

以上，根據(jù)本實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在半導(dǎo)體芯片23上配置帶有隔片的密封用片10后，將半導(dǎo)體芯片23嵌入密封用片11中，形成在密封用片11中嵌入有半導(dǎo)體芯片23的密封體28(工序c)。并且，在帶有隔片16的狀態(tài)下使密封體28的密封用片11熱固化(工序d)。在帶有隔片16的狀態(tài)下使密封用片11熱固化，因此，能夠抑制密封用片11在熱固化時的表面粗糙。并且，在熱固化后，將隔片16從密封用片11剝離(工序e)。隔片16的與密封用片11接觸的面利用氨基醇酸系脫模劑進行處理，因此，在熱固化后，能夠容易地將隔片16從密封用片11剝離。即使在熱固化后，也能夠容易地將隔片16從密封用片11剝離，因此，抑制了表面粗糙，可以得到外觀良好的半導(dǎo)體裝置29。

在上述實施方式中，利用下側(cè)加熱板32和上側(cè)加熱板34進行熱壓，將半導(dǎo)體芯片23嵌入密封用片11中，形成在密封用片11中嵌入有半導(dǎo)體芯片23的密封體28，對這種情況進行了說明。即，對通過平板壓制使半導(dǎo)體芯片嵌入密封用片的情況進行了說明。但是，在本發(fā)明中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體的工序c并非限定于該例。例如，可以為使用了模具的壓縮成形。

在上述實施方式中，對帶有隔片的密封用片所具備的密封用片為一層構(gòu)成的情況進行了說明，但本發(fā)明中的密封用片的層構(gòu)成并非限定于該例，可以為兩層以上。

在上述實施方式中，對本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法為所謂的chip-on-wafer方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的情況進行了說明。即，對本發(fā)明中的“在支撐體上固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體”為“將半導(dǎo)體芯片倒裝芯片式接合在半導(dǎo)體晶片的電路形成面的層疊體”的情況進行了說明。

但是，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法并非限定于該例。本發(fā)明的支撐體也可以是臨時固定材料，在工序d(使密封體的密封用片熱固化的工序)后去除。

即，其它實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法是包括下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法：

工序a，準(zhǔn)備將半導(dǎo)體芯片臨時固定于臨時固定材料上的層疊體；

工序b，在上述層疊體的上述半導(dǎo)體芯片上配置密封用片和保護膜；

工序c，將上述半導(dǎo)體芯片嵌入上述密封用片中，形成在上述密封用片中嵌入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體；

工序d，使上述密封體的上述密封用片熱固化；

工序e，在上述工序d之后將上述保護膜剝離。

這種情況下，可以在露出了半導(dǎo)體芯片的部位(電路形成面)形成再布線。由此，能夠制造被稱為fan-out(扇出)型晶片級封裝件(wlp)的半導(dǎo)體裝置。作為上述臨時固定材料，可以舉出例如含有現(xiàn)有公知的發(fā)泡劑的熱剝離片。關(guān)于上述熱剝離片，例如以熱膨脹性粘合劑層的形式在日本特開2009-040930號公報等有詳細記載，在此省略說明。

此外，本發(fā)明并非限定于上述實施方式，各工序在不違反本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進行也可以不進行。另外，在不違反本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，也可以以任何順序來進行。

實施例

下面，關(guān)于本發(fā)明，使用實施例詳細地進行說明，本發(fā)明只要不超出其主旨則并非限定于下述實施例。另外，各例中，只要沒有特別說明，份均為重量基準(zhǔn)。

<密封用片的制作>

(實施例1)

將環(huán)氧樹脂a(商品名“yslv-80xy”、新日鐵化學(xué)公司制造)100份、環(huán)氧樹脂b(商品名“epikote828”、三菱化學(xué)株式會社制造、雙酚a型環(huán)氧樹脂、環(huán)氧當(dāng)量185g/eq)97份、酚醛樹脂(商品名“meh-7500-3s”、明和化成公司制造)90份、無機填充劑a(商品名“fb-9454fc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造)2894份、無機填充劑b(商品名“fb-5sdc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造、熔融球狀二氧化硅、平均粒徑5μm)99份、硅烷偶聯(lián)劑(商品名“kbm-403”、信越化學(xué)公司制造)3份、炭黑(商品名“#20”、三菱化學(xué)公司制造)7份和固化促進劑(商品名“2phz-pw”、四國化成工業(yè)公司制造)3份配合，利用輥混煉機依次在60℃加熱2分鐘、在80℃加熱2分鐘、在120℃加熱6分鐘，合計10分鐘，在減壓條件下(0.01kg/cm²)進行熔融混煉，制備出混煉物。接著，將所得到的混煉物在120℃的條件下通過狹縫式擠壓涂布法涂布在隔片上而形成為片狀，制作出厚度500μm的密封用片a。作為上述隔片，使用利用氨基醇酸系脫模劑對表面進行了脫模處理的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜(商品名“pet-50-shp-ao”、株式會社fujiko公司制造)。然后，在密封用片a露出的面一側(cè)貼合同一隔片而制成雙面帶有隔片的密封用片a。

(實施例2)

將環(huán)氧樹脂a(商品名“yslv-80xy”、新日鐵化學(xué)公司制造)100份、酚醛樹脂(商品名“meh-7851-ss”、明和化成公司制造)85份、熱塑性樹脂(商品名“sibstar072t”、kaneka公司制造)84份、無機填充劑a(商品名“fb-9454fc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造)2254份、硅烷偶聯(lián)劑(商品名“kbm-403”、信越化學(xué)公司制造)2份、炭黑(商品名“#20”、三菱化學(xué)公司制造)8份和固化促進劑(商品名“2phz-pw”、四國化成工業(yè)公司制造)3份配合，利用輥混煉機依次在60℃加熱2分鐘、在80℃加熱2分鐘、在120℃加熱6分鐘，合計10分鐘，在減壓條件下(0.01kg/cm²)進行熔融混煉，制備出混煉物。接著，將所得到的混煉物在120℃的條件下通過狹縫式擠壓涂布法涂布在隔片上而形成為片狀，制作出厚度500μm的密封用片b。作為上述隔片，使用利用氨基醇酸系脫模劑對表面進行了脫模處理的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜(商品名“pet-50-shp-ao”、株式會社fujiko公司制造)。然后，在密封用片b露出的面一側(cè)貼合同一隔片而制成雙面帶有隔片的密封用片b。

(實施例3)

將環(huán)氧樹脂a(商品名“yslv-80xy”、新日鐵化學(xué)公司制造)100份、環(huán)氧樹脂b(商品名“epikote828”、三菱化學(xué)株式會社制造、雙酚a型環(huán)氧樹脂、環(huán)氧當(dāng)量185g/eq)169份、酚醛樹脂(商品名“meh-7851-ss”、明和化成公司制造)169份、熱塑性樹脂(商品名“sibstar072t”、kaneka公司制造)96份、無機填充劑a(商品名“fb-9454fc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造)4685份、無機填充劑b(商品名“fb-5sdc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造、熔融球狀二氧化硅、平均粒徑5μm)145份、硅烷偶聯(lián)劑(商品名“kbm-403”、信越化學(xué)公司制造)9份、炭黑(商品名“#20”、三菱化學(xué)公司制造)11份和固化促進劑(商品名“2phz-pw”、四國化成工業(yè)公司制造)5份配合，利用輥混煉機依次在60℃加熱2分鐘、在80℃加熱2分鐘、在120℃加熱6分鐘，合計10分鐘，在減壓條件下(0.01kg/cm²)進行熔融混煉，制備出混煉物。接著，將所得到的混煉物在120℃的條件下通過狹縫式擠壓涂布法涂布在隔片上而形成為片狀，制作出厚度500μm的密封用片c。作為上述隔片，使用利用氨基醇酸系脫模劑對表面進行了脫模處理的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜(商品名“pet-50-shp-ao”、株式會社fujiko公司制造)。然后，在密封用片c露出的面一側(cè)貼合同一隔片而制成雙面帶有隔片的密封用片c。

(實施例4)

將環(huán)氧樹脂a(商品名“yslv-80xy”、新日鐵化學(xué)公司制造)100份、酚醛樹脂(商品名“h-4”、明和化成公司制造)55份、無機填充劑a(商品名“fb-5sdc”、電化學(xué)工業(yè)公司制造)473份、硅烷偶聯(lián)劑(商品名“kbm-403”、信越化學(xué)公司制造)0.2份、炭黑(商品名“#20”、三菱化學(xué)公司制造)1份和固化促進劑(商品名“2e4mz-a”、四國化成工業(yè)公司制造)2份配合，利用輥混煉機依次在60℃加熱2分鐘、在80℃加熱2分鐘、在120℃加熱6分鐘，合計10分鐘，在減壓條件下(0.01kg/cm²)進行熔融混煉，制備出混煉物。接著，將所得到的混煉物在120℃的條件下通過狹縫式擠壓涂布法涂布在隔片上而形成為片狀，制作出厚度500μm的密封用片d。作為上述隔片，使用利用氨基醇酸系脫模劑對表面進行了脫模處理的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜(商品名“pet-50-shp-ao”、株式會社fujiko公司制造)。然后，在密封用片d露出的面一側(cè)貼合同一隔片而制成雙面帶有隔片的密封用片d。

(比較例1)

作為隔片，使用硅酮脫模處理后的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外與實施例1同樣地得到了雙面帶有隔片的密封用片e。

(比較例2)

作為隔片，使用硅酮脫模處理后的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外與實施例2同樣地得到了雙面帶有隔片的密封用片f。

(比較例3)

作為隔片，使用硅酮脫模處理后的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外與實施例3同樣地得到了雙面帶有隔片的密封用片g。

(比較例4)

作為隔片，使用硅酮脫模處理后的厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外與實施例4同樣地得到了雙面帶有隔片的密封用片h。

(剝離強度測定用樣品的制作)

將所制作的雙面帶有隔片的密封用片a～h的單側(cè)的隔片剝離，配置于寬度100mm、長度200mm、厚度：780μm的硅晶片上。此時，按照硅晶片的面與密封用片的面接觸的方式配置。接著，使用真空壓制裝置(商品名“vacuumace”、mikadotechnos公司制造)，在下述條件下進行熱壓，得到硅晶片與密封用片的層疊物(硅晶片的厚度：780μm、密封用片的厚度：300μm、總厚度：1080μm)。然后，利用150℃的熱風(fēng)式干燥機加熱1小時，得到剝離強度測定用樣品。

<熱壓條件>

真空壓力：10pa

壓制壓力：1.0mpa

壓制溫度：密封用片為最低熔融粘度的溫度

壓制時間：60秒

<密封用片為最低熔融粘度的溫度的測定方法>

使用動態(tài)粘彈性測定裝置(tainstrument公司制造、ares)測定密封用片的最低熔融粘度(測定條件：直徑25mm的板、間隙1mm、升溫速度10℃/分鐘、頻率1hz、應(yīng)變量10％、溫度范圍從50℃到150℃以10℃/分鐘進行升溫測定)。將此時最低的值作為最低熔融粘度。

(在150℃加熱1小時后的密封用片與隔片的剝離強度z1的測定)

從剝離強度測定用樣品的密封用片剝離隔片，測定剝離強度z1。具體而言，在下述條件下進行剝離，測定此時的載荷的最大載荷(除去測定初期的峰頂以外的載荷的最大值)，求出該最大載荷作為密封用片與隔片的剝離強度(n/100mm寬)。需要說明的是，150℃下的1小時的熱固化設(shè)想為使密封用片熱固化的工序d。即，150℃下進行1小時熱固化后的剝離強度測定用樣品設(shè)想為工序d之后的狀態(tài)。將結(jié)果示于表1、表2中。需要說明的是，在比較例1～4中，無法將隔片從密封用片剝離開，因此沒有示出值。

(剝離力的測定條件)

使用裝置：自動繪圖儀ags-k(島灃制作所公司制造)

溫度：23℃

剝離角度：180°

拉伸速度：300mm/分鐘

(剝離性評價)

在上述剝離強度z1的測定中，將能夠剝離隔片的情況評價為○、將無法剝離的情況評價為×。將結(jié)果示于表1、表2中。

[表1]

[表2]

符號說明

10帶有隔片的密封用片

11密封用片

16隔片

20層疊體

22半導(dǎo)體晶片(支撐體)

23半導(dǎo)體芯片

28密封體

29半導(dǎo)體裝置