技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的在于提供能夠調(diào)整勢壘高度能夠進行用于提高高頻帶的RF電信號的檢波靈敏度的零偏置動作與天線阻抗的匹配的半導(dǎo)體元件、半導(dǎo)體元件的制造方法和具有該半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件使InGaAs(n形InGaAs層2)的濃度超過防止如上所述的“勢壘高度因偏置而變化”的范圍，有意圖地增大至大幅度退縮的范圍，并且使電子費米能級(EF)從InGaAs(n形InGaAs層2)的能帶端向InP(InP空乏層3)的能帶端的方向上升。

技術(shù)研發(fā)人員：清水誠;伊藤弘樹;石橋忠夫;小高勇
受保護的技術(shù)使用者：NTT電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.13
技術(shù)公布日：2017.08.29