pct國(guó)內(nèi)申請(qǐng)，說(shuō)明書已公開(kāi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底（20）和位于襯底上平行間隔設(shè)置的Fin（200），每根Fin包括頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，該摻雜方法包括以下步驟：T1、在Fin的頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁中形成摻雜層；T2、將襯底元素沿著該襯底（20）的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的濃度。通過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的離子注入實(shí)現(xiàn)注入的飽和，并在側(cè)壁完成注入之后增加一道襯底元素注入的工藝，最終實(shí)現(xiàn)Fin的均勻摻雜。

技術(shù)研發(fā)人員：洪俊華;吳漢明;陳炯;張勁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.08
技術(shù)公布日：2017.08.29