本發(fā)明涉及如專利權(quán)利要求1所述的光電組件以及如專利權(quán)利要求13所述的用于制造光電組件的方法。

本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102014117510.7的優(yōu)先權(quán)，該德國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容被通過引用合并于此。

背景技術(shù)：

us7724793公開了一種包括凹陷的光電組件，其中凹陷毗鄰鏡面。凹陷包括垂直側(cè)壁和底面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的組件以及一種改進(jìn)的用于制造組件的方法。

借助于如專利權(quán)利要求1所述的組件并且借助于如專利權(quán)利要求13所述的方法來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。所提出的組件的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是所述凹陷包括至少一個(gè)傾斜的側(cè)面。包括所述傾斜側(cè)面的所述凹陷提供如下的優(yōu)點(diǎn)：可以利用電介質(zhì)可靠地對(duì)所述傾斜側(cè)面進(jìn)行重疊注塑（overmold）以便實(shí)現(xiàn)表面的鈍化。此外，在包括傾斜側(cè)面的凹陷的情況下，不必在制造期間精確地控制所述凹陷的深度。對(duì)于用于防止在斷裂邊沿處的位錯(cuò)的凹陷的有效動(dòng)作而言，形成具有在有源區(qū)的區(qū)域中的所限定的深度的凹陷是有利的。在這種情況下，凹陷的底面被布置在有源區(qū)的區(qū)域中。底面可以被布置在有源區(qū)之上或之下的區(qū)域中。

特別是，凹陷的底面可以被布置在從有源區(qū)的平面之上200nm到有源區(qū)的平面之下200nm的范圍中。光電組件可以例如被配置為激光二極管或被配置為發(fā)光二極管。

實(shí)驗(yàn)已經(jīng)示出在100nm和800nm之間的范圍中的凹陷的深度是有利的。如果凹陷太淺，則它們對(duì)于減少（特別是在鏡面處的）位錯(cuò)而言實(shí)際上是無效的。在具有太深的凹陷的配置中，凹陷本身可能再次像在其處可能形成位錯(cuò)的缺陷中心那樣進(jìn)行動(dòng)作。

在一個(gè)實(shí)施例中，凹陷包括處于100nm和800nm之間的范圍中的與層結(jié)構(gòu)的表面有關(guān)的深度。以此方式實(shí)現(xiàn)有源區(qū)的充分保護(hù)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，至少一個(gè)側(cè)面（特別是兩個(gè)側(cè)面）相對(duì)于有源區(qū)的平面以傾斜方式包括95°到160°的角度。這些角度范圍使得能夠良好地保護(hù)有源區(qū)免于在斷裂面處形成位錯(cuò)。取決于所選取的實(shí)施例，各側(cè)面可以被相對(duì)于彼此鏡像對(duì)稱地布置，或被以按不同的傾斜角度傾斜的方式布置。

特別是，借助于面對(duì)有源區(qū)的有源區(qū)域的傾斜側(cè)面，可以實(shí)現(xiàn)的是，從凹陷起在有源區(qū)的有源區(qū)域的方向上前行地形成的位錯(cuò)被朝下轉(zhuǎn)向并且在有源區(qū)之下延伸。憑借位錯(cuò)總是與側(cè)面垂直地形成的事實(shí)而帶來該效果。

取決于所選取的實(shí)施例，凹陷可以被布置在組件的橫向邊沿區(qū)域中，并且在面對(duì)有源區(qū)的斷裂方向上包括例如僅一個(gè)側(cè)面。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，凹陷包括兩個(gè)側(cè)面，其中以相對(duì)于有源區(qū)的第一平面傾斜的方式布置所述兩個(gè)側(cè)面中的至少一個(gè)（特別是面對(duì)有源區(qū)的側(cè)面）。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，側(cè)面包括兩個(gè)面區(qū)段，其中以傾斜方式布置一個(gè)面區(qū)段，并且第二面區(qū)段被實(shí)質(zhì)上垂直地對(duì)準(zhǔn)于有源區(qū)的平面。取決于所選取的實(shí)施例，傾斜的面區(qū)段可以被布置在徑直的面區(qū)段之上或在徑直的面區(qū)段之下。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，凹陷在平行于第二平面的平面中包括在凹陷的側(cè)面與層結(jié)構(gòu)的頂側(cè)和/或凹陷的底面之間的至少一個(gè)圓狀過渡。對(duì)各面的過渡區(qū)域中的邊沿進(jìn)行圓狀形成使得可以減少瑕疵（特別是位錯(cuò)）的形成。特別是，各面之間的尖銳邊沿化的過渡可能是進(jìn)一步的瑕疵的開始點(diǎn)。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，側(cè)面包括一個(gè)被布置在另一個(gè)之上的兩個(gè)側(cè)區(qū)段，其中以相對(duì)于彼此橫向地偏移的方式布置側(cè)區(qū)段。側(cè)區(qū)段經(jīng)由第二底面彼此連接。取決于所選取的實(shí)施例，兩個(gè)側(cè)區(qū)段或兩個(gè)側(cè)區(qū)段中的僅一個(gè)可以是傾斜的，并且另一個(gè)側(cè)區(qū)段可以被垂直地對(duì)準(zhǔn)。

實(shí)驗(yàn)已經(jīng)示出，在10μm至200μm的范圍中的在垂直于有源區(qū)的有源區(qū)域的縱向延伸的第二平面中延伸的凹陷的情況下，對(duì)于抑制瑕疵（特別是抑制端面的區(qū)域中（就是說激光二極管或發(fā)光二極管（led）的刻面的區(qū)域中）的位錯(cuò)）而言，實(shí)現(xiàn)良好的效果。

此外，實(shí)驗(yàn)已經(jīng)示出，如果凹陷包括在距有源區(qū)的有源區(qū)域10μm至150μm的范圍中的距離，則在抑制刻面瑕疵方面實(shí)現(xiàn)良好的結(jié)果。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，在組件的一側(cè)與凹陷之間提供臺(tái)面溝槽。臺(tái)面溝槽可以減少層結(jié)構(gòu)的應(yīng)力。

在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)用于制造組件的方法進(jìn)行使用，其中借助蝕刻處理將凹陷引入到層結(jié)構(gòu)中，其中在蝕刻處理期間至少部分地執(zhí)行蝕刻掩模的蝕刻開孔的橫向加寬，以使得凹陷包括以傾斜方式布置的至少一個(gè)側(cè)面。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，在蝕刻處理期間使用不同硬度的蝕刻掩模，以便制造具有至少一個(gè)傾斜的側(cè)面的凹陷?？梢岳缬晒庵驴刮g劑、或sinx或半導(dǎo)體材料或金屬形成軟蝕刻掩模。

附圖說明

以下參照各圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，在各圖中：

圖1示出光電組件的端面的示意性視圖，

圖2示出來自圖1的片段的放大圖解，

圖3示出凹陷的進(jìn)一步的實(shí)施例的示意性圖解，

圖4示出凹陷的進(jìn)一步的實(shí)施例的示意性圖解，其中垂直地形成上側(cè)面并且以傾斜方式形成下側(cè)面，

圖5示出凹陷的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中以傾斜方式形成上側(cè)面并且垂直地形成下側(cè)面，

圖6示出凹陷的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中兩個(gè)側(cè)面相對(duì)于有源區(qū)的平面采用不同的角度，

圖7示出進(jìn)一步的實(shí)施例，其中兩個(gè)凹陷被布置在激光二極管的脊的相對(duì)的側(cè)上，

圖8示出具有被示意性地圖解的凹陷和位錯(cuò)的進(jìn)一步的實(shí)施例的激光二極管的端面的平面圖，

圖9示出具有凹陷并且具有臺(tái)面溝槽的光電組件的端面的平面圖，

圖10示出進(jìn)一步的實(shí)施例，其中臺(tái)面溝槽過渡到凹陷中，

圖11示出來自組件之上的視圖，

圖12至圖14示出用于制造凹陷的第一方法的方法步驟，

圖15至圖18示出用于制造凹陷的第二方法的方法步驟，以及

圖19和圖20示出第三方法的方法步驟。

具體實(shí)施方式

本示例性實(shí)施例的一個(gè)構(gòu)思在于：借助包括面對(duì)模式空間（即激光二極管或發(fā)光二極管（led）的有源區(qū)的有源區(qū)域）并且以相對(duì)于激光二極管/led的有源區(qū)的平面不等于90°的角度布置的至少一個(gè)側(cè)面的至少一個(gè)凹陷，來減少或避免在解理邊沿（就是說，通過解理所產(chǎn)生的激光二極管或發(fā)光二極管（led）的端面）處形成梯級(jí)式瑕疵。此外，以如實(shí)現(xiàn)對(duì)有源區(qū)進(jìn)行有效屏蔽以避免模式空間中的位錯(cuò)這樣的方式來形成凹陷。此外，以可以快速地制造凹陷這樣的方式來選取凹陷的幾何形狀和布置。

實(shí)驗(yàn)已經(jīng)示出，凹陷的以平坦方式行進(jìn)出來并且特別是被圓狀化的側(cè)翼具有如下的效果：蝕刻深度顯著地更不關(guān)鍵，并且包括以平坦方式行進(jìn)出來和/或被圓狀化的側(cè)翼的、甚至被相對(duì)深地蝕刻的凹陷本身不充當(dāng)用于在解理邊沿的解理時(shí)形成解理邊沿的梯級(jí)式位錯(cuò)的缺陷中心，其中梯級(jí)式位錯(cuò)可能再次延伸到激光二極管/led的有源區(qū)域中。針對(duì)于此的一個(gè)原因是，與垂直的側(cè)翼相比，以平坦方式傾斜或被圓狀化的側(cè)翼包括應(yīng)力場(chǎng)的顯著減小。因此，以此方式形成的凹陷不需要如包括垂直側(cè)翼的凹陷那樣精確地在它們的蝕刻深度方面受控制。作為結(jié)果，實(shí)現(xiàn)顯著的處理簡(jiǎn)化。

更進(jìn)一步地，包括以平坦方式行進(jìn)出來的側(cè)翼的凹陷通過電介質(zhì)鈍化而被更好地重疊注塑，其中實(shí)現(xiàn)質(zhì)量上的改進(jìn)以及組件的產(chǎn)出上的增加的結(jié)果。此外，實(shí)驗(yàn)已經(jīng)示出，橫斷刻面的區(qū)域中的凹陷的傾斜側(cè)翼引起橫斷刻面在晶片表面的方向上轉(zhuǎn)向，其中實(shí)現(xiàn)橫斷刻面的更有效的截?cái)嗟慕Y(jié)果。因此，可能的是提供具有在激光器刻面的有源區(qū)域中的良好表面質(zhì)量的光電組件。作為結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)低閾值電流、高跨導(dǎo)、高效率以及還有高組件穩(wěn)定性和良好的束質(zhì)量。

光電組件例如被配置為邊發(fā)射激光二極管或發(fā)光二極管（led）。特別是，可以從iii-v族半導(dǎo)體材料（特別是從氮化銦鎵）制造激光二極管/led。

圖1在示意性圖解中示出例如被配置為發(fā)光二極管（led）或激光二極管（特別是條形激光二極管）的光電組件的端面13的視圖。提供如下的層布置：其在上端區(qū)域中包括層結(jié)構(gòu)2，層結(jié)構(gòu)2包括有源區(qū)1。有源區(qū)1可以包括布置在第一平面中的多個(gè)層。第一平面是垂直于像平面對(duì)準(zhǔn)的。第一平面是平行于y軸并且平行于z軸而形成的。x軸被垂直于y軸對(duì)準(zhǔn)。z軸垂直于平面y-x。脊3布置在層結(jié)構(gòu)2上，所述脊被沿著z軸對(duì)準(zhǔn)。脊3用來把在脊3之下的激光集中在激光模式區(qū)域4中。激光模式區(qū)域4沿著z軸延伸，并且占據(jù)有源區(qū)1以及在脊3之下的毗鄰層的區(qū)域。在脊3旁邊橫向地將凹陷6引入到層結(jié)構(gòu)2的表面5中。凹陷6包括兩個(gè)側(cè)面7、8以及底面9。以相對(duì)于有源區(qū)1的第一平面按角度28傾斜的方式布置側(cè)面7、8，所述角度不等于90°。第一側(cè)面7和第二側(cè)面8包括例如在95°和160°之間（特別是在98°和130°之間）的角度28。取決于所選取的實(shí)施例，第一側(cè)面7和第二側(cè)面8可以還包括相對(duì)于第一平面的在100°和115°之間的角度。第一側(cè)面7面對(duì)激光模式區(qū)域4。第二側(cè)面8被關(guān)于第一側(cè)面7相對(duì)地布置。取決于所選取的實(shí)施例，可以省掉第二側(cè)面8，并且凹陷6可以延伸得如橫向邊沿區(qū)域10或溝槽11（溝槽11可以構(gòu)成臺(tái)面溝槽）那樣遠(yuǎn)。在所圖解的示例性實(shí)施例中，溝槽11包括垂直側(cè)面，并且溝槽11是以與凹陷6相比更大的深度形成的。

如果層結(jié)構(gòu)2然后沿著斷裂方向12斷裂，則位錯(cuò)14可能例如從溝槽11的側(cè)面起前行地形成在所斷裂的端面13處。憑借提供凹陷6，位錯(cuò)14可以不一直通行進(jìn)入到激光模式的區(qū)域4中，而是相反被凹陷6截?cái)唷６嗣?3構(gòu)成在其處電磁輻射（特別是激光模式）被鏡面反射或輸出的發(fā)射面或鏡面。因此，特別是在激光模式的區(qū)域4中應(yīng)當(dāng)避免平坦斷裂面13的位錯(cuò)或缺陷。對(duì)于如鏡面或發(fā)射面那樣的優(yōu)化效果而言，在激光模式的區(qū)域4中斷裂面13應(yīng)當(dāng)盡可能遠(yuǎn)地避開位錯(cuò)。

取決于所選取的實(shí)施例，可以省掉可以構(gòu)成臺(tái)面溝槽的溝槽11。層結(jié)構(gòu)2可以包括下區(qū)域中的襯底15，外延生長(zhǎng)的層16沉積到該襯底上。層16還包括有源區(qū)1。襯底和/或半導(dǎo)體層可以基于iii-v族化合物半導(dǎo)體或ii-vi族化合物半導(dǎo)體或氧化鋅。ii-vi族化合物半導(dǎo)體可以是硫化物或硒化物。iii-v族化合物半導(dǎo)體可以基于氮化物化合物半導(dǎo)體、磷化物化合物半導(dǎo)體、亞銻酸鹽化合物半導(dǎo)體或砷化物化合物半導(dǎo)體。iii-v族化合物半導(dǎo)體可以是例如氮化物（諸如例如氮化鎵、氮化銦或氮化鋁）、磷化物（諸如例如磷化鎵或磷化銦）、第一砷化物（諸如例如砷化鎵或砷化銦）。在此情況下，可以提供材料體系alnin1-n-mgamn，例如，其中，0≤n≤1，0≤m≤1，并且n+m≤1可以保持為真。此外，材料體系可以包括alngamin1-n-mp，其中，0≤n≤1，0≤m≤1以及n+m≤1保持為真。此外，材料體系可以包括alngamin1-n-msb，其中，0≤n≤1，0≤m≤1以及n+m≤1保持為真。

圖2在放大的圖解中示出來自圖1的凹陷6。凹陷6包括例如在100nm和800nm之間、優(yōu)選地在200nm和500nm之間、特別是在300nm和450nm之間的深度。深度表示平行于x軸的在表面5與底面9之間的距離。此外，凹陷6可以包括處于在10μm和200μm之間的范圍中、特別是在20μm和100μm之間的范圍中、特別是在30μm和50μm之間的范圍中的沿著y軸的長(zhǎng)度。長(zhǎng)度表示側(cè)面7、8的上端區(qū)域之間的距離（就是說，表面5的平面中的長(zhǎng)度）。此外，如沿著y軸觀看那樣，凹陷6包括處于在10μm和150μm之間、特別是在20μm和100μm之間、特別是在30μm和50μm之間的范圍中的相對(duì)于脊3的距離。在此情況下，距離是在表面5處測(cè)量的，并且從第一側(cè)面7的上邊沿延伸為如面對(duì)凹陷6的脊3的側(cè)面那樣遠(yuǎn)。

另外，采用傾斜側(cè)面的形式的第二側(cè)面8的布置造成在第二側(cè)面8的區(qū)域中向上轉(zhuǎn)向的位錯(cuò)14。結(jié)果，位錯(cuò)14被截?cái)?。有源區(qū)的區(qū)域中的外延生長(zhǎng)的層16構(gòu)成具有高應(yīng)力場(chǎng)的受應(yīng)力作用的外延層。高應(yīng)力場(chǎng)特別是出現(xiàn)在波導(dǎo)層與有源區(qū)之間的過渡處。

圖3在示意性圖解中示出來自包括實(shí)質(zhì)上被配置為類似于圖2中的凹陷的凹陷6的進(jìn)一步的光電組件的片段，然而，其中以進(jìn)行圓狀化去除的方式配置在第一側(cè)面7和第二側(cè)面8與對(duì)應(yīng)的毗鄰表面5之間的過渡區(qū)域17、18。被圓狀化去除的過渡區(qū)域17、18的配置減少在第一側(cè)面7和第二側(cè)面8與表面5之間的過渡中的應(yīng)力場(chǎng)。

圖4示出光電組件的凹陷6的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中凹陷6包括被再劃分為兩個(gè)側(cè)區(qū)段19、20、21、22的側(cè)面7、8。側(cè)面7、8的上側(cè)區(qū)段19、21被布置為實(shí)質(zhì)上垂直于第一平面（就是說垂直于yz平面）。第一側(cè)面7和第二側(cè)面8的第二側(cè)區(qū)段20、22被配置為傾斜的面。根據(jù)來自圖1和圖2的側(cè)面的傾斜角度范圍來配置傾斜角度。根據(jù)來自圖2的實(shí)施例的范圍來類似地配置圖4中的凹陷6的距離和深度以及長(zhǎng)度。

圖5示出凹陷的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中，在該實(shí)施例中，上側(cè)區(qū)段19、21被配置為傾斜側(cè)面。傾斜側(cè)面被布置在來自圖1和圖2的實(shí)施例的第一側(cè)面7和第二側(cè)面8的角度范圍中。第一側(cè)面7和第二側(cè)面8的下側(cè)區(qū)段20、22被布置為實(shí)質(zhì)上垂直于有源區(qū)1的第一平面（即y-z平面）。更進(jìn)一步地，進(jìn)一步的第一底面23被布置在第一側(cè)區(qū)段19與第二側(cè)區(qū)段20之間。此外，進(jìn)一步的第二底面24被布置在進(jìn)一步的第一側(cè)區(qū)段21與進(jìn)一步的第二側(cè)區(qū)段22之間。底面23和24被布置在同一高度處，并且具有相同大小的面積。

圖6示出根據(jù)圖1的光電組件的凹陷6的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中兩個(gè)側(cè)面7、8包括相對(duì)于有源區(qū)1的第一平面的不同的傾斜角度28。特別是，面對(duì)脊3的第一側(cè)面7的傾斜角度小于第二側(cè)面8的傾斜角度。第二側(cè)面8面對(duì)如下的側(cè)：端面13從該側(cè)起在斷裂方向12上斷裂?？梢愿鶕?jù)相對(duì)于有源區(qū)1的第一平面在98°和160°之間、特別是在98°和130°之間，特別是在100°和115°之間的所指示的角度范圍來對(duì)準(zhǔn)側(cè)面7、8的傾斜的角度。取決于所選取的實(shí)施例，面對(duì)脊3的第一側(cè)面7的傾斜角度可以大于第二側(cè)面8的傾斜角度。此外，兩個(gè)側(cè)面7、8的傾斜角度也可以是相同的，就是說，兩個(gè)側(cè)面7、8可以被布置為關(guān)于被布置在兩個(gè)側(cè)面之間的假想中心平面鏡像對(duì)稱。

圖7示出實(shí)質(zhì)上根據(jù)圖1配置的光電組件的進(jìn)一步的實(shí)施例，然而，其中在脊3的兩側(cè)上將凹陷6、25引入到層結(jié)構(gòu)2的表面5中。第二凹陷25可以被與凹陷6相同地配置。特別是，第二凹陷25可以被配置為關(guān)于脊3相對(duì)于凹陷6鏡像對(duì)稱。更進(jìn)一步地，凹陷6、25可以包括不同的形狀和深度。

圖8示出光電組件的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中凹陷6被形成得更深，并且相對(duì)于有源區(qū)1的第一平面以按98°和130°之間的角度、特別是按100°和115°之間的角度傾斜的方式布置第一側(cè)面7和/或第二側(cè)面8。在該實(shí)施例中，也可以省掉溝槽11。特別是，借助于面對(duì)有源區(qū)的有源區(qū)域的傾斜側(cè)面，實(shí)現(xiàn)的是在有源區(qū)1的有源區(qū)域的方向上從凹陷6起前行地形成的位錯(cuò)14被朝下轉(zhuǎn)向并且在有源區(qū)1之下延伸。憑借位錯(cuò)14總是垂直于側(cè)面7形成的事實(shí)而帶來該效果。

圖9示出光電組件的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中溝槽11類似地包括傾斜的第三側(cè)面27和第四側(cè)面26。側(cè)面27、26可以包括根據(jù)側(cè)面7、8的傾斜。特別是，作為以傾斜方式布置的第三側(cè)面26的配置的結(jié)果，由于第三側(cè)面26的傾斜布置，在第三側(cè)面26處形成的位錯(cuò)14被引導(dǎo)在激光模式的區(qū)域4之下。因此，這種類型的位錯(cuò)可能在激光模式的區(qū)域4中（即，在有源區(qū)1的有源區(qū)域中）不產(chǎn)生或僅產(chǎn)生對(duì)所斷裂的端面13的質(zhì)量的小的損害。

圖10示出光電組件的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中凹陷6包括梯級(jí)式的第一側(cè)面7以及被垂直地布置的第二側(cè)面8。第一側(cè)面7包括上部第一側(cè)區(qū)段19、下部第二側(cè)區(qū)段20以及進(jìn)一步的第一底面23。以傾斜方式相對(duì)于有源區(qū)1的第一平面成一定角度范圍來布置上側(cè)區(qū)段19和下側(cè)區(qū)段20這兩者。角度可以處于在95°和160°之間、特別是在98°和130°之間、特別是在100°和115°之間的角度范圍中。取決于所選取的實(shí)施例，第一側(cè)區(qū)段19和第二側(cè)區(qū)段20可以包括相同的角度或不同的角度。進(jìn)一步的第一底面23被布置為平行于有源區(qū)1的第一平面。此外，取決于所選取的實(shí)施例，也可以提供第二凹陷25。可以根據(jù)來自圖2的凹陷6來配置第二凹陷25。

進(jìn)一步的第一底面23被布置在如下的深度處：在該深度處布置有來自圖2的底面9和凹陷6。進(jìn)一步的第一底面23被布置在表面5之下的在100nm和800nm之間的范圍中。此外，第一底面23被布置在有源區(qū)的平面之上的200nm和有源區(qū)的平面之下的200nm之間的范圍中。在該實(shí)施例中，與有源區(qū)1的進(jìn)一步的第一底面23相比底面9被布置得更深，并且因此取代臺(tái)面溝槽（就是說，來自圖1的更深的溝槽11）的功能。底面9例如被布置得在有源區(qū)1的平面之下更深200nm。

圖11示出包括脊3、臺(tái)面溝槽11以及兩個(gè)相對(duì)端面13、29的激光二極管。此外，圖解示出毗鄰端面13、29的四個(gè)凹陷6、25。取決于所選取的實(shí)施例，可以根據(jù)上面描述的示例來配置凹陷6、25。此外，凹陷6、25可以平行于脊行進(jìn)，如通過虛線示意性地圖解的那樣。

對(duì)于高效的電流承載和波導(dǎo)化而言，半導(dǎo)體二極管要求包括在從幾納米到幾百nm的范圍中的層厚度的許多個(gè)外延的單獨(dú)的層。所述層中的每個(gè)包括由氮化鎵和/或氮化鋁鎵和/或氮化銦鎵和/或氮化鋁銦鎵組成的特定材料組分。各層典型地是在600°c和1200°c之間的溫度下借助于mocvd沉積的。層結(jié)構(gòu)2在更大或更小的程度上受應(yīng)力作用。在激光器刻面（就是說，用于邊發(fā)射激光二極管或led的端面13）的解理期間，沿著特定的層平面，梯級(jí)因此產(chǎn)生在解理的端面13處?？堂尜|(zhì)量上的擾動(dòng)可能源自于例如以類似elog的方式制造的具有富含缺陷的區(qū)域的襯底中或源自于跳變處。

在此情況下，可以通過使用抗蝕劑掩模而非硬掩模并且利用針對(duì)形成傾斜側(cè)面7、8而特別地優(yōu)化的、并且具有高移除率的等離子體蝕刻處理來實(shí)現(xiàn)包括這樣的傾斜側(cè)面并且特別是包括圓狀過渡區(qū)域17、18的凹陷6的制造。使用在蝕刻處理期間被中等程度到高程度地移除的其它掩模并且因此導(dǎo)致側(cè)面7、8的傾斜角度還構(gòu)成用于制造具有傾斜側(cè)面的凹陷6、25的技術(shù)可能性?？梢砸远喾N方式制造凹陷6、25。通過使用一個(gè)被布置在另一個(gè)之上的兩個(gè)蝕刻掩模。在此情況下，在第一蝕刻步驟中，具有相當(dāng)高的蝕刻移除的制作掩模被用于制造傾斜側(cè)面7、8。在第二蝕刻步驟中，在此使用硬掩模，其產(chǎn)生垂直的側(cè)區(qū)段。在該步驟中，凹陷6被蝕刻到想要的深度，其中以傾斜方式布置的側(cè)面7、8被保持在臨界下區(qū)域中。通過示例的方式，當(dāng)具有高蝕刻移除的第一掩模用盡（就是說，完全地移除）時(shí)，從第一步驟到第二步驟的過渡也可以發(fā)生。此外，包括不同硬度并且因此不同移除率的蝕刻掩模可以被布置在凹陷的相對(duì)側(cè)上。作為結(jié)果，在不同的側(cè)上，可以借助于要被不同程度地橫向移除的蝕刻掩模以簡(jiǎn)單的方式來實(shí)現(xiàn)各側(cè)面的不同的傾斜角度。軟蝕刻掩?？梢杂衫缬糜谡障嗥桨嬗∷⒎椒ǖ墓庵驴刮g劑構(gòu)成。此外，軟掩模也可以由sinx或半導(dǎo)體材料或金屬構(gòu)成。

此外，也可以通過使用兩個(gè)蝕刻處理步驟來制造凹陷6、25，其中第一蝕刻處理步驟包括高移除率，并且因此產(chǎn)生以傾斜方式布置的側(cè)面7、8。在第二處理步驟中，為了將凹陷6、25蝕刻到想要的深度，對(duì)蝕刻等離子體和包括更低的移除率并且產(chǎn)生垂直側(cè)翼的對(duì)應(yīng)的等離子體參數(shù)進(jìn)行使用。在此情況下，由于更低的移除率，在凹陷6、25的臨界深度范圍中帶來對(duì)毗鄰層結(jié)構(gòu)2的更少的損壞。然而，可以保持以傾斜方式布置的側(cè)面7、8。此外，相反的情況也是可能的，其中以傾斜方式布置的側(cè)面7、8位于凹陷6、25的上部部分中?？梢岳缃柚诓煌奈g刻率和不同的外延層以處理專用方式來實(shí)現(xiàn)該情況。

圖12至圖14示出用于將凹陷6引入到層結(jié)構(gòu)2中的第一方法的步驟。圖12在示意性圖解中示出包括外延層的層結(jié)構(gòu)2，層結(jié)構(gòu)2包括用于生成電磁輻射的有源區(qū)1。層結(jié)構(gòu)2可以被施加在未圖解的載體上。第一蝕刻掩模31被施加在層結(jié)構(gòu)2上。第二蝕刻掩模32被施加在第一蝕刻掩模上。第二蝕刻掩模32覆蓋第一蝕刻掩模的邊沿區(qū)域33，并且由此限定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32包括比第一蝕刻掩模31更低的硬度，和/或帶來第二蝕刻掩模32的橫向移除的蝕刻方法被使用在第一蝕刻步驟中。第二蝕刻掩模的更低的硬度在蝕刻處理期間帶來第二蝕刻掩模的橫向移除。

作為結(jié)果，如圖13中圖解那樣，獲得包括傾斜側(cè)面7、8的凹陷6。在第二蝕刻步驟中，凹陷6的深度然后被增加，其中預(yù)留具有傾斜側(cè)面7、8的底面的結(jié)構(gòu)。為此目的，由更硬的材料形成第一蝕刻掩模31，以使得在第二蝕刻步驟期間，實(shí)質(zhì)上不發(fā)生第一蝕刻掩模31的橫向移除。此外，在第二蝕刻步驟期間，可以使用帶來很小的或不帶來第一蝕刻掩模31的橫向移除的蝕刻方法。借助第二蝕刻步驟，將凹陷6的底面9向下帶入到有源區(qū)1的平面的區(qū)域中的想要的深度，如圖14中圖解那樣。在此情況下，由于凹陷6的上部區(qū)域中的第一蝕刻掩模31的穩(wěn)定性，因此形成被布置為實(shí)質(zhì)上垂直于有源區(qū)1的平面的側(cè)面。

圖15至圖18示出用于將凹陷6引入到層結(jié)構(gòu)2中的第二方法的方法步驟。圖15在示意性圖解中示出包括外延層并且包括用于生成電磁輻射的有源區(qū)1的層結(jié)構(gòu)2。層結(jié)構(gòu)2可以被施加在未圖解的載體上。第一蝕刻掩模31被施加在層結(jié)構(gòu)2上。第二蝕刻掩模32被施加在第一蝕刻掩模31上。第二蝕刻掩模32僅稍微地覆蓋或根本不覆蓋第一蝕刻掩模的邊沿區(qū)域33。因此，如所圖解的那樣由第二蝕刻掩模32或第一蝕刻掩模31限定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32具有比第一蝕刻掩模31更大的硬度，和/或?qū)嵸|(zhì)上不帶來第二蝕刻掩模32的橫向移除的蝕刻方法被使用在第一蝕刻步驟中。

作為結(jié)果，如圖16中圖解那樣，獲得包括被布置為實(shí)質(zhì)上垂直于有源區(qū)1的平面的側(cè)面的凹陷6。此后，移除第二蝕刻掩模32，如圖17圖解那樣。在隨后第二蝕刻步驟中，凹陷6的深度然后被增加，其中在凹陷的下部區(qū)域中具有底面并且具有垂直側(cè)面的凹陷6的下部結(jié)構(gòu)被保持。然而，以傾斜方式布置的側(cè)面7、8形成在凹陷6的上部區(qū)域中。為此目的，可以由更軟的材料形成第一蝕刻掩模31，以使得在第二蝕刻步驟期間發(fā)生第一蝕刻掩模31的橫向移除。此外，在第二蝕刻步驟期間可以使用帶來甚至更硬的第一蝕刻掩模31的橫向移除的蝕刻方法。借助第二蝕刻步驟，將凹陷6的底面9的深度向下帶入到有源區(qū)1的平面的區(qū)域中的想要的深度，如圖18所圖解那樣。

圖19和圖20示出第三方法的方法步驟，通過該方法，包括不同地傾斜的側(cè)面7、8的凹陷6可以被引入到包括外延層以及用于生成電磁輻射的有源區(qū)1的層結(jié)構(gòu)2中。為此目的，第一蝕刻掩模31和第二蝕刻掩模32被布置在層結(jié)構(gòu)2上，所述蝕刻掩模從兩側(cè)界定蝕刻開孔34。在所圖解的示例中，第二蝕刻掩模32包括比第一蝕刻掩模31更低的硬度，以使得在第二蝕刻掩模32處，在蝕刻處理期間，發(fā)生比第一蝕刻掩模31的橫向移除更大的橫向移除。以此方式獲得包括底面9和兩個(gè)不同地傾斜的側(cè)面7、8的凹陷6。底面9被布置在有源區(qū)1的平面附近的想要的區(qū)域中?？梢越柚谖g刻掩模相對(duì)蝕刻方法的不同硬度或橫向耐受性來設(shè)置各側(cè)面7、8的傾斜。在所圖解的示例中，第一側(cè)面7包括相對(duì)于有源區(qū)1的平面的95°至160°的角度。第二側(cè)面8被布置為垂直于有源區(qū)1的平面。相應(yīng)地，在橫向上并不移除或很少地移除第二蝕刻掩模32。取決于所選取的實(shí)施例，第一側(cè)面7和/或第二側(cè)面8可以還包括其它傾斜角度；特別是，第二側(cè)面8的傾斜角度也可以相對(duì)于有源區(qū)1的平面處于在95°和160°之間的范圍中。

參考標(biāo)號(hào)列表

1有源區(qū)

2層結(jié)構(gòu)

3脊

4激光模式區(qū)域

5表面

6凹陷

7第一側(cè)面

8第二側(cè)面

9底面

10橫向邊沿區(qū)域

11溝槽

12斷裂方向

13端面

14位錯(cuò)

15襯底

16層

17第一過渡區(qū)域

18第二過渡區(qū)域

19第一側(cè)區(qū)段

20第二側(cè)區(qū)段

21進(jìn)一步的第一側(cè)區(qū)段

22進(jìn)一步的第二側(cè)區(qū)段

23進(jìn)一步的第一底面

24進(jìn)一步的第二底面

25第二凹陷

26第三側(cè)面

27第四側(cè)面

28角度

29第二端面

31第一蝕刻掩模

32第二蝕刻掩模

33邊沿區(qū)域

34蝕刻開孔