技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于射頻應(yīng)用的結(jié)構(gòu)(1)，其包括：半導(dǎo)體支撐襯底(2)；捕獲層(3)，其布置在支撐襯底(2)上；捕獲層(3)的特點(diǎn)在于其包括比預(yù)定缺陷密度更高的缺陷密度；所述預(yù)定缺陷密度為這樣的缺陷密度：超過(guò)該缺陷密度，捕獲層(3)的電阻率在[?20℃；+120℃]的溫度范圍內(nèi)不低于10Kohm.cm。

技術(shù)研發(fā)人員：O·科農(nóng)丘克;D·朗德呂;C·菲蓋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：SOITEC公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.17
技術(shù)公布日：2017.08.01