技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭露了一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其包含：化合物半導(dǎo)體材料層；以及多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層，其中多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層是通過(guò)直接接合到化合物半導(dǎo)體材料層的納米結(jié)晶鉆石層來(lái)接合到化合物半導(dǎo)體材料層，納米結(jié)晶鉆石具有5至50納米的范圍的厚度，并且配置為使通過(guò)化合物半導(dǎo)體材料層與多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層之間的接面處的瞬態(tài)熱反射所測(cè)量的有效熱邊界電阻(TBReff)不超過(guò)50(m2K/GW)。

技術(shù)研發(fā)人員：菲洛茲·納瑟-菲利;丹尼爾·法蘭西斯;法蘭克揚(yáng)蒂斯·勞;丹尼爾詹姆斯·推辰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：RFHIC公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.09
技術(shù)公布日：2017.11.14