背景技術(shù)：

各種設(shè)備可以包括基板、設(shè)置在一個或多個基板上的裝置等等。這種裝置可以包括電致變色(ec)裝置、發(fā)光二極管(oled)、光生伏打(pv)、薄膜裝置、薄膜電池裝置、其某個組合等等中的一者或多者。在一些情況下，設(shè)備可以定位在包括可以破壞或惡化裝置、基板等等的環(huán)境元素的環(huán)境中。例如，ec裝置可以暴露于作為環(huán)境空氣和水蒸汽的混合物的周圍環(huán)境。來自周圍環(huán)境的可以包括顆粒物質(zhì)、沉淀物、氣體、液體、固體等等的一個或多個不同情況的環(huán)境元素可以滲透通過各種設(shè)備(包括ec裝置)的各個層。例如，環(huán)境元素可以包括水、氧氣、其某個組合等等中的一者或多者，其中設(shè)備包括對水敏感(在此也稱為對“水分”敏感)的ec裝置，水向ec裝置的滲透可能引起ec裝置的一個或多個元件的惡化，這可能引起ec裝置的功能的惡化。ec裝置的惡化功能可以包括ec裝置的至少部分地基于所施加的電勢改變著色的結(jié)構(gòu)能力的惡化。包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、光生伏打(pv)、薄膜裝置、其某個組合等等的各種其他設(shè)備可以對一個或多個不同的環(huán)境元素敏感。

在一些情況下，設(shè)備被構(gòu)造成包括提供對來自周圍環(huán)境的環(huán)境元素滲透的至少一定保護(hù)的阻擋層。在一些情況下，所施加的阻擋層稱為“封裝層”、“封裝疊層”等。設(shè)備的這種結(jié)構(gòu)化可以稱為使設(shè)備“鈍化”，構(gòu)造成限制環(huán)境元素經(jīng)由一個或多個阻擋層在設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分與外界環(huán)境之間滲透的設(shè)備可以稱為“被鈍化的”設(shè)備。

施加到設(shè)備的阻擋層在一些情況下可以包括瑕疵、缺陷等等，這可以引起穿過環(huán)境元素能夠經(jīng)由其通過的阻擋層的滲透“路徑”，由此造成穿過阻擋層的環(huán)境元素滲透。這些缺陷可能由存在于暴露的設(shè)備表面上的顆粒引起，其中封裝疊層施加至暴露的設(shè)備表面。在一些情況下，顆?？赡苡捎谧钃鯇邮┘舆^程的一個或多個部分而沉積在暴露表面上。

在一些情況下，存在于暴露表面上的顆?？赡芤痖g隙的形成，間隙在本文中還可互換地稱為所施加的阻擋層中的“間隙空間”。這種間隙空間的形成可以由存在于暴露表面上的顆粒所引起，顆粒的直徑基本大于所施加的阻擋層的厚度，使得包圍顆粒的阻擋層的部分上的應(yīng)力引起阻擋層的粘著的局部削弱，這可能引起顆粒周圍的局部阻擋層分離、失效等等。例如，一些阻擋層施加過程包括原子層沉積(ald)，原子層沉積在暴露表面上提供共形、薄層的滲透抵抗材料。在一些情況下，在阻擋層施加過程之前或作為阻擋層施加過程的結(jié)果而存在于暴露表面上的顆?？梢员冉?jīng)由ald施加的阻擋層的厚度基本更厚(即直徑更寬)，導(dǎo)致在阻擋層中形成間隙空間，在此間隙空間提供用于使環(huán)境元素從外界環(huán)境穿行至設(shè)備的滲透路徑。

附圖說明

圖1示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的透視圖，該設(shè)備包括基板、設(shè)置在基板上的裝置以及施加到裝置的基板遠(yuǎn)端側(cè)上的封裝層，封裝層使設(shè)備對于至少一些環(huán)境元素鈍化。

圖2示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備具有包括由于顆粒而形成的間隙空間缺陷的所施加的阻擋層。

圖3示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的由于施加到設(shè)備的阻擋層中的間隙空間而隨著時間逐漸惡化的多個視圖。

圖4a示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括交替的共形和滲透抵抗層的多層封裝疊層。

圖4b示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括多個連續(xù)滲透抵抗層的多層封裝疊層。

圖5a-h示出根據(jù)一些實(shí)施例的在設(shè)備上施加多層封裝疊層的過程，包括在施加多個阻擋層中的每一個之前執(zhí)行對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔。

圖6示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括多個連貫地施加的滲透抵抗層的多層封裝疊層，其中在每一層施加之前清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。

圖7a-7d示出根據(jù)一些實(shí)施例的可以在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行的各種清潔過程。

圖8示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括基板和施加到基板的表面的封裝疊層。

圖9示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的透視圖，該設(shè)備構(gòu)造成至少部分地是柔性的并且包括封裝疊層。

圖10示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括基板、設(shè)置在基板的一部分上的裝置以及施加到設(shè)備的表面的封裝疊層，使得封裝疊層覆蓋裝置的至少一些部分以及基板的至少一些暴露部分。

圖11示出根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括在設(shè)備中的卵形裝置的透視圖。

圖12a-12b示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備，該設(shè)備包括在向設(shè)備上施加封裝層以及將一組或多組母線聯(lián)接至ec裝置之后的卵形ec裝置。

圖13示出根據(jù)一些實(shí)施例的包括封裝疊層施加系統(tǒng)的設(shè)備制造系統(tǒng)。

圖14示出根據(jù)一些實(shí)施例的在對當(dāng)前暴露表面的前述清潔的情況下在設(shè)備上施加多個阻擋層的封裝疊層施加系統(tǒng)。

圖15示出根據(jù)一些實(shí)施例的構(gòu)造成控制向設(shè)備的封裝疊層施加的控制系統(tǒng)。

圖16a示出根據(jù)一些實(shí)施例施加多層封裝疊層。

圖16b示出根據(jù)一些實(shí)施例的確定要施加以建立多層封裝疊層的特定數(shù)量的阻擋層。

圖17是示出可用于一些實(shí)施例的示例計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。

本文中說明的各個實(shí)施例易于進(jìn)行各種改進(jìn)和可替代形式。具體實(shí)施例在附圖中通過舉例示出并且將在本文中進(jìn)行詳細(xì)說明。然而，應(yīng)該理解的是附圖及其詳細(xì)說明并非旨在將本公開限制于所公開的特定形式，而相反地，旨在覆蓋落在隨附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的全部改進(jìn)、等同方案和可替代方案。本文中使用的標(biāo)題僅用于組織目的，而非旨在用于限制說明書或權(quán)利要求書的范圍。如在整個本申請中所使用的，詞語“可以”以容許意義(即指的是具有潛在性)而非強(qiáng)制意義(即意味著必須)使用。類似地，詞語“包括”、“包含”和“含有”指的是包括，而非限制。

具體實(shí)施方式

公開了一種包括多層封裝疊層的設(shè)備和用于向設(shè)備施加多層封裝疊層的方法的各個實(shí)施例。設(shè)備可以包括基板、設(shè)置在基板上的裝置等等中的一個或多個。多層封裝疊層可以包括多個連貫地施加的阻擋層，其中每個單獨(dú)阻擋層構(gòu)造成抵制環(huán)境元素穿過相應(yīng)的阻擋層滲透。封裝疊層可以包括一種或多種不同類型的阻擋層，包括但不限于薄膜阻擋層、經(jīng)由原子層沉積(ald)施加的阻擋層、層壓阻擋層、共形阻擋層、無機(jī)阻擋層、其某個組合等等中的一種或多種。構(gòu)造成抵制環(huán)境元素滲透的阻擋層可以包括構(gòu)造成抵制一種或多種不同的環(huán)境元素通過相應(yīng)的阻擋層滲透的阻擋層。環(huán)境元素可以包括相對于封裝疊層施加于其的設(shè)備可以存在于外界環(huán)境中的特定元素、分子、物質(zhì)等等中的一種或多種。在一些實(shí)施例中，環(huán)境元素包括可能存在于周圍環(huán)境中的任何物質(zhì)、分子、原子元素等等中的一種或多種，包括任何顆粒物質(zhì)、氣體、液體、大氣沉降物、作為蒸汽包含在環(huán)境中的物質(zhì)、其某個組合等等。例如，如本文中所指代的環(huán)境元素可以包括一種或多種不同的物質(zhì)，非限制地包括氧氣、水、作為蒸汽包含在環(huán)境空氣中的水(也稱為“濕氣”、“水分”等等)、其某個組合等等。

在一些實(shí)施例中，封裝疊層經(jīng)由包括連貫地施加多層封裝疊層的單獨(dú)的阻擋層中的每一個的過程施加，其中單獨(dú)的阻擋層的每個單獨(dú)的阻擋層施加在對阻擋層施加于其的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔之后進(jìn)行。當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以包括設(shè)備的一個或多個部分的特定表面，包括一個或多個基板的暴露表面、設(shè)置在基板上的裝置的暴露表面、其某個組合等等。設(shè)置在基板上的裝置的暴露表面可以包括裝置的暴露的基板遠(yuǎn)端表面。

在一些實(shí)施例中，施加阻擋層并且在所述施加之前進(jìn)行清潔的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以包括在前施加到設(shè)備的一個或多個阻擋層的暴露表面。例如，在封裝疊層包括兩個連貫地施加的阻擋層的情況下，封裝疊層經(jīng)由其施加的過程可以包括在將第一阻擋層施加至暴露的設(shè)備表面之前清潔暴露的設(shè)備表面以及隨后施加第一阻擋層，使得設(shè)備包括當(dāng)前暴露的設(shè)備表面，當(dāng)前暴露的設(shè)備表面包括第一阻擋層的暴露表面。包括第一阻擋層的暴露表面的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以在第二阻擋層的施加之前進(jìn)行清潔，第二阻擋層可以隨后施加至當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。如本文所述的，清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以包括在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的至少一部分上執(zhí)行一個或多個特定的清潔過程。

在一些實(shí)施例中，在另一個阻擋層在前施加至設(shè)備并且當(dāng)前暴露的設(shè)備表面包括在前施加的“其他”阻擋層的暴露表面的情況下，在將特定阻擋層施加至當(dāng)前暴露的設(shè)備表面之前清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以指代將對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔介入連續(xù)阻擋層施加、在連續(xù)阻擋層施加之間的清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面、其某個組合等等。

在一些實(shí)施例中，在阻擋層施加中的每一個之前、在連續(xù)的阻擋層施加之間等等清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面產(chǎn)生包括多個連貫地施加的阻擋層的封裝疊層，其中，封裝疊層至少部分地沒有連續(xù)滲透路徑，環(huán)境元素可以經(jīng)由連續(xù)滲透路徑從外界環(huán)境通過封裝疊層滲入至設(shè)備。在連續(xù)的阻擋層施加之前、之間等等的對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔可以使得每個施加的阻擋層填充到存在于在前施加的阻擋層中的任何間隙空間中的至少一些中，由此密封通過疊層的由單獨(dú)的阻擋層中的間隙空間形成的潛在滲透路徑，環(huán)境元素可以通過潛在滲透路徑滲入外界環(huán)境與施加疊層的設(shè)備之間。

這種所形成的封裝疊層可以保護(hù)設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分免受環(huán)境元素影響。此外，封裝疊層可以相對于包括有機(jī)層的封裝疊層而包括相對低的厚度，該有機(jī)層通過涂布顆粒限制通過疊層的環(huán)境元素滲透，從而形成穿過疊層的彎曲滲透路徑，等等。另外，封裝疊層經(jīng)由其施加的過程相對于施加一層的過程、在施加多個阻擋層中的每一個之前、之間等等不進(jìn)行清潔的施加多個層的過程，可以具有寬松的清潔度要求，這是由于可以通過隨后施加的阻擋層減輕給定施加的阻擋層中的缺陷。

例如，在一些實(shí)施例中，封裝疊層包括各自包括無機(jī)阻擋層的多個阻擋層，在此阻擋層包括構(gòu)造成抵制環(huán)境元素滲透穿過材料的無機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，封裝疊層的多層結(jié)構(gòu)包括連貫的阻擋層，連貫的阻擋層包括交替的高/低折射率材料，例如可以通過例如元模式過程(濺射)施加的例如si3n4/sio2。該過程可以需要具有最小顆粒的非常清潔的表面，這可以促成用于環(huán)境元素滲透穿過薄膜的路徑。

在一些實(shí)施例中，疊層與設(shè)備表面的粘著以及疊層中最小化的壓應(yīng)力(例如＜600mpa)可以引起疊層的隨著時間而增強(qiáng)的限制環(huán)境元素滲透的耐久性。可以通過pecvd方法施加密集無組織的交替有機(jī)和無機(jī)層狀疊層。這些薄膜可以由于無組織的共形薄膜特性而高度地附著并具有減小的缺陷。密集的減小缺陷的多層涂層還可以通過原子層沉積(ald)技術(shù)施加。

在一些實(shí)施例中，封裝疊層包括特定數(shù)量的阻擋層，其中層的數(shù)量基于各種因素預(yù)先確定，包括以下中的一個或多個：包含在每一層中的材料、設(shè)備的由封裝疊層覆蓋的表面面積、存在于每個阻擋層施加之前和之后的暴露表面上的估算的顆粒分布和大小、在施加給定阻擋層時存在于每個單獨(dú)的阻擋層中的間隙空間的估算數(shù)量、分布和尺寸、其某個組合等等?；谝蛩刂械囊粋€或多個，可以以一個或多個特定置信水平確定包括給定數(shù)量的阻擋層的封裝疊層將不包括不多于一定數(shù)量的經(jīng)由各個單獨(dú)阻擋層中的對準(zhǔn)的間隙空間而穿過疊層的連續(xù)滲透路徑的概率。特定數(shù)量的層可以基于最小數(shù)量的層確定，在最小數(shù)量的層時，所形成的封裝疊層包括穿過疊層的至少一定最小數(shù)量的路徑的所確定的在特定置信水平下的概率小于閾值。在另一個示例中，特定數(shù)量的層可以基于最小數(shù)量的層確定，在最小數(shù)量的層時，所形成的封裝疊層包括穿過疊層的不多于一定最小數(shù)量的路徑的所確定的在特定置信水平下的概率大于閾值。

如本文中所使用的，“構(gòu)造(configuring)”設(shè)備、阻擋層、裝置、系統(tǒng)、過程等等可以與“構(gòu)造(structuring)”相同地互換?！皹?gòu)造成(configuredto)”做某件事情的設(shè)備、阻擋層、裝置、系統(tǒng)、過程等等可以可互換地指代“構(gòu)造成(structuredto)”作某件事情、“結(jié)構(gòu)上配置成”做某件事情等等的設(shè)備、阻擋層、裝置、系統(tǒng)、過程等等。

i設(shè)備的封裝疊層保護(hù)

圖1示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的透視圖，該設(shè)備包括基板、設(shè)置在基板上的裝置以及施加到裝置的基板遠(yuǎn)端側(cè)的封裝層，封裝層使設(shè)備對于至少一些環(huán)境元素鈍化。設(shè)備100包括基板110、設(shè)置在基板的表面上的裝置120和施加到裝置120的基板遠(yuǎn)端表面的封裝疊層130。

在一些實(shí)施例中，裝置120包括電致變色(ec)裝置。ec裝置可以包括ec薄膜疊層和位于ec薄膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層。如本文中所指的ec薄膜疊層可以包括對抗電極(ce)層、電致變色(ec)層和兩者之間的離子導(dǎo)電(ic)層。在一些實(shí)施例中，ce層或ec層之一構(gòu)造成可逆地插入比如為陽離子或陰離子的離子，陽離子包括h+、li+、d+、na+、k+中的一個或多個，陰離子包括特別是由陽極(或相應(yīng)的陰極)電致變色材料制成的oh-中的一個或多個；以及ce層或ec層中的另一者構(gòu)造成可逆地插入所述離子，特別由陰極(或相應(yīng)的陽極)電致變色材料制成的離子。在一些實(shí)施例中，ic層構(gòu)造成包括電解質(zhì)層。ec薄膜疊層的特征可以在于ce層或ec層中的至少一者可被構(gòu)造成可逆地插入所述離子，包括由陽極或陰極電致變色材料制成的層，具有足夠的厚度以允許全部離子在不使所述活性層電化學(xué)機(jī)能失調(diào)的情況下插入，其中，具有電解質(zhì)功能的ic層包括基于從以下材料中選擇的材料的至少一層：氧化鉭、氧化鎢、氧化鉬、氧化銻、氧化鈮、氧化鉻、氧化鈷、二氧化鈦、氧化錫、氧化鎳、與鋁選擇性地合金的氧化鋅、氧化鋯、氧化鋁、與鋁選擇性地合金的二氧化硅、與鋁或與硼選擇性地合金的氮化硅、氮化硼、氮化鋁、與鋁選擇性地合金的氧化釩以及錫氧化鋅，這些氧化物中的至少一者被選擇性地氫化或氮化，其中，ce層或ec層中的一個或多個包括以下化合物中的至少一種：鎢w、鈮nb、錫sn、鉍bi、釩v、鎳ni、銥ir、銻sb和鉭ta的氧化物、單獨(dú)的或作為混合物，以及選擇性地包括另外的金屬，比如鈦、錸或鈷，以及其中，ec層或ce層中的一個或多個的厚度在70μm與250μm之間、在150μm與220μm之間等等。

ec薄膜疊層可以包括各種材料，包括氧化鎢。ce層可以包括各種材料，包括一種或多種鎢鎳氧化物。ic層可以包括各種材料，包括一種或多種二氧化硅。電荷可以包括各種帶電電解質(zhì)物質(zhì)，包括鋰離子。ic層可以包括層區(qū)域、多層區(qū)域、界面區(qū)域、其某個組合等。包括界面區(qū)域的ic層可以包括ec層或ce層中的一個或多個的一種或多種部件材料。

在一些實(shí)施例中，ec裝置的ec區(qū)域、傳導(dǎo)層區(qū)域等等中的每一個可以具有相同或不同的尺寸、體積和/或表面面積。在其他實(shí)施例中，ec區(qū)域、傳導(dǎo)層區(qū)域等等中的每一個可以具有相同或不同的形狀(包括彎曲或弧形形狀)。

在一些實(shí)施例中，裝置120可以包括一個或多個不同類型的裝置，包括一個或多個薄膜裝置、光生伏打裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)裝置等等。將理解的是，可以包括在裝置120中的薄膜裝置可以包括任何已知的薄膜裝置。

如圖所示，封裝疊層130定位在集合裝置120和基板110與外界環(huán)境140之間。本文中指代的外界環(huán)境可以包括周圍環(huán)境、包括在裝置的殼體內(nèi)的內(nèi)部環(huán)境、其某個組合等等。在一些實(shí)施例中，裝置120和基板110中的一個或多個包括一個或多個環(huán)境元素敏感部分，在此也稱為設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分，封裝疊層130限制所述環(huán)境元素在外界環(huán)境140與這些部分之間的滲透，由此保護(hù)設(shè)備100免于由于環(huán)境元素而被破壞和惡化。

圖2示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備具有包括由于顆粒而形成的間隙空間缺陷的施加的阻擋層。設(shè)備200可以包括在以上實(shí)施例中的任一個中。設(shè)備200包括設(shè)備部分205的設(shè)備表面210和施加到表面210的阻擋層220。阻擋層220可被構(gòu)造成限制環(huán)境元素經(jīng)由層220在表面210與外界環(huán)境250之間的滲透。

在一些實(shí)施例中，阻擋層可能受損，這種受損可被稱為阻擋層的至少局部“失效”，在此阻擋層的這種受損在阻擋層中產(chǎn)生環(huán)境元素能夠通過其滲入的間隙、間隙空間等等。阻擋層的這種受損可以至少部分地基于在施加阻擋層220之前顆粒在設(shè)備表面210上的存在。在一些實(shí)施例中，顆?？梢跃哂兴┘幼钃鯇拥暮穸鹊南喈?dāng)大比例、數(shù)倍等等的直徑，這可以引起圍繞顆粒的阻擋層的局部失效，這導(dǎo)致阻擋層中的間隙空間的形成。

例如，在圖2所示的圖解實(shí)施例中，施加到設(shè)備部分205的表面210的阻擋層220具有可以顯著小于設(shè)備200上的顆粒230的厚度275的特定厚度270。在一些實(shí)施例中，阻擋層220是至少部分地符合表面210的外形的共形層。還如圖所示，顆粒230存在于表面210上并且比阻擋層220的厚度大數(shù)倍。在一個非限制示例中，阻擋層厚度270可以為大約5納米-100納米的厚度，顆粒5230的厚度275可以為大約3000納米-5000納米的厚度，使得該特例具有至少數(shù)倍于阻擋層220的厚度的近似厚度。將理解的是，阻擋層220和顆粒的厚度可以包括其他厚度。在一些實(shí)施例中，其中顆粒230在向表面210上施加層220時存在于表面210上，施加過程不能將層220施加在顆粒230周圍的空間中，導(dǎo)致在層220中形成間隙空間240。顆粒不能固定至表面210并且隨后可以從其所示位置運(yùn)動，由此使間隙空間240暴露于外界環(huán)境并且使得環(huán)境元素能夠經(jīng)由包括間隙空間240的滲透路徑在環(huán)境250與設(shè)備200之間滲透。在一些實(shí)施例中，在層220共形的情況下，層220可以圍繞顆粒230和在顆粒230之上施加。然而，至少部分地基于顆粒230相對于層220的厚度的顯著尺寸，顆粒230之上的層220中的輪廓可以引起層220上的相對較高的應(yīng)力，這可能引起顆粒230周圍的層220的最終局部失效，導(dǎo)致形成間隙空間240。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備200包括可以被從環(huán)境250穿透層220中的間隙空間240的環(huán)境元素破壞、惡化等等的一個或多個環(huán)境元素敏感部分。例如，設(shè)備200可以包括設(shè)置在基板上的裝置，包括電致變色裝置、oled等等，在此表面210包括裝置的表面，環(huán)境元素可以從環(huán)境250穿過間隙空間240滲入的裝置的至少部分可以對所述環(huán)境元素敏感，間隙空間240的存在可以引起裝置的破壞、惡化、失效等等。

圖3示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的由于施加到設(shè)備的阻擋層中的間隙空間而隨著時間逐漸惡化的多個視圖。設(shè)備310可以包括在以上實(shí)施例中的任一個中。

在一些實(shí)施例中，包括對環(huán)境元素敏感的部分的設(shè)備可以基于環(huán)境元素穿過施加到設(shè)備的一個或多個阻擋層中的一個或多個間隙空間的滲透隨著時間而惡化。在一些實(shí)施例中，這種惡化可以從相對小數(shù)量的間隙空間傳遍相當(dāng)大比例的設(shè)備，這能夠引起設(shè)備的局部或完全失效。

例如在所示出的實(shí)施例中，設(shè)備310的幾個視圖沿著時間線301呈現(xiàn)于單獨(dú)的點(diǎn)處，在此設(shè)備310包括環(huán)境元素敏感裝置311。所示實(shí)施例示出了至少部分地基于施加到設(shè)備310的一個或多個阻擋層中的間隙空間的設(shè)備的惡化隨著時間的逐漸蔓延。

所示時間線301示出了從時間點(diǎn)t＝0開始的時間“t”的進(jìn)展?fàn)顟B(tài)，其中，t＝0為阻擋層施加于設(shè)備310的暴露表面并且阻擋層包括四個間隙空間的時間點(diǎn)。

如圖所示，在第一時間戳“t1”302處，設(shè)備310a在t1處包括功能區(qū)域311，功能區(qū)域311未被破壞并且構(gòu)造成執(zhí)行功能，和包括相對于區(qū)域311無功能的四個不同的惡化區(qū)域312。例如，在設(shè)備310包括對一個或多個環(huán)境元素敏感的oled裝置的情況下，區(qū)域311可以包括可以發(fā)光的oled的區(qū)域，區(qū)域312可以相對于區(qū)域312至少部分地惡化，使得區(qū)域312內(nèi)的oled的部分可以至少部分地基于區(qū)域312由于環(huán)境元素滲透的惡化而至少部分地不能發(fā)光。四個區(qū)域312中的每一個均與施加于設(shè)備310的相應(yīng)的一個或多個阻擋層(圖3中未示出)中的單獨(dú)的間隙空間相關(guān)，在此環(huán)境元素能夠從外界環(huán)境經(jīng)由穿過一個或多個阻擋層的單獨(dú)的路徑滲入至設(shè)備310上的四個單獨(dú)的點(diǎn)。每個單獨(dú)的區(qū)域312可以包括環(huán)境元素經(jīng)由穿過一個或多個阻擋層的單獨(dú)的路徑到達(dá)設(shè)備310的原點(diǎn)。

如在第二時間戳“t2”304處所示，設(shè)備310b在t2處包括相對于在時間t1處的區(qū)域312具有擴(kuò)大尺寸的惡化區(qū)域314。由于環(huán)境元素可以在區(qū)域312內(nèi)的點(diǎn)處穿過一個或多個阻擋層滲入至設(shè)備310，環(huán)境元素隨后可以滲透穿過設(shè)備自身，使得惡化區(qū)域312可以隨著時間擴(kuò)大以包括設(shè)備310的更大比例。因此，如在時間304處所示，設(shè)備310b包括相對于時間302更小的功能區(qū)域311，四個單獨(dú)的惡化區(qū)域314擴(kuò)大。

如在第三時間戳“t3”306處所示，設(shè)備310c在t3處包括具有進(jìn)一步擴(kuò)大尺寸的惡化區(qū)域，使得四個單獨(dú)的區(qū)域314合并成相對于功能區(qū)域311包括設(shè)備310c的大部分的單獨(dú)惡化區(qū)域316。惡化區(qū)域的至少部分地基于滲透穿過設(shè)備310的環(huán)境元素的這種擴(kuò)張能夠引起整體設(shè)備310的顯著惡化，使得設(shè)備可被視為至少部分地失去功能。例如，在設(shè)備310包括oled以及惡化區(qū)域316不能相對于功能區(qū)域311發(fā)光的情況下，如在時間306處所示的oled的惡化可以構(gòu)成oled的功能的顯著喪失，使得oled可被視為已失去有用功能。

在一些實(shí)施例中，圖3所示的設(shè)備310的逐漸惡化可以在相對較短的經(jīng)過時間段內(nèi)發(fā)生。例如，在一些實(shí)施例中，在設(shè)備310至少部分地對氧氣敏感的情況下，由滲透穿過施加于設(shè)備310的阻擋層中的單獨(dú)間隙空間的氧氣引起的惡化區(qū)域在暴露于氧氣的一定天數(shù)時期內(nèi)可以對自助的人類目視觀察來說變得明顯。

在一些實(shí)施例中，封裝疊層可以包括可以包含一個或多個阻擋層的多個層，并且構(gòu)造成相對于單獨(dú)阻擋層對設(shè)備提供免受環(huán)境元素影響的加強(qiáng)的保護(hù)。

圖4a-4b示出各自包括多層封裝疊層的設(shè)備的局部截面圖。圖4a示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括交替的共形和滲透抵抗層的多層封裝疊層。圖4b示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括多個連續(xù)滲透抵抗層的多層封裝疊層。圖4a-4b中示出的設(shè)備400a、400b中的每一個可以單獨(dú)地或組合地包括在上文實(shí)施例中的任一個中。

在一些實(shí)施例中，封裝疊層包括多層疊層，多層疊層包括包含有機(jī)層和無機(jī)阻擋層的交替的有機(jī)/無機(jī)層，有機(jī)層可以包括聚合物、包含丙烯酸酯的單體等等，無機(jī)阻擋層構(gòu)造成限制環(huán)境元素滲透，比如為包括sio2或al2o3的層。阻擋層可以包括多個隨后沉積的二分體(dyad)，以實(shí)現(xiàn)低的水分滲透速度。這種疊層放松了微粒污染要求并且減小了穿過完整的封裝疊層的路徑的概率。疊層向設(shè)備的施加在真空中執(zhí)行，有機(jī)層可以以液體施加并且快速固化。下一次沉積可以包括無機(jī)阻擋層等等。有機(jī)層可以是共形的并且可以共形地“涂布”缺陷并且防止缺陷包括一個或多個阻擋層中的間隙空間直接傳播通過疊層。所產(chǎn)生的用于環(huán)境元素穿過疊層的路徑可能非常曲折，使得可以減小滲透速度。

在一些實(shí)施例中，包括vitex^tm的封裝疊層形成在可以包括pet的薄聚合物基板上。該疊層然后可以利用一種或多種不同的膠合劑層壓至設(shè)備，膠合劑包括硅酮膠、比如為sentryglas^tm的“干”膠合劑等等。

圖4a示出包括具有封裝疊層440施加于其的表面412的設(shè)備部分410的設(shè)備400a，在此疊層440包括交替的有機(jī)層420a-c和無機(jī)阻擋層430a-b。如圖所示，有機(jī)層420a-c各自均是共形的并且可以“涂布”存在于其上施加給定有機(jī)層的表面412上的顆粒444。例如，在顆粒444存在于表面410上時，層420a在施加于表面410時涂布顆粒444，使得顆粒嵌入在層420a內(nèi)。另外，如圖所示，每個層420a-c具有足夠的厚度以使當(dāng)施加時單獨(dú)的層具有光滑的暴露表面，使得隨后施加的無機(jī)層430施加在光滑表面上。如進(jìn)一步示出的，在無機(jī)層430a的施加產(chǎn)生存在于層430a的暴露表面上的顆粒444的情況下，隨后施加的有機(jī)層420b共形地涂布顆粒并且將顆粒嵌入層420b內(nèi)。

如進(jìn)一步示出的，盡管單獨(dú)的阻擋層420a-b各自包括相應(yīng)的層430a-b中的相應(yīng)的間隙空間446a-b，環(huán)境元素可以貫穿疊層440以從環(huán)境490滲透至設(shè)備表面412的連續(xù)滲透路徑480至少部分地基于多個阻擋層430a-b的存在以及約束交替的阻擋層430的有機(jī)層420的厚度而相對曲折。盡管有機(jī)層420a-c可以被環(huán)境元素滲透，但是相對增加的長度以及滲透路徑480的盤繞至少部分地限制或至少阻止環(huán)境元素沿著路徑480的滲透。此外，有機(jī)層420可以“填充”給定暴露表面中的缺陷，包括間隙空間、顆粒等等，使得這些缺陷不影響隨后施加的阻擋層。

在一些實(shí)施例中，包括交替的阻擋層和有機(jī)層的封裝疊層可以比不包括有機(jī)層的封裝疊層基本更厚。這種厚度可以部分地基于涂布和在給定有機(jī)層內(nèi)嵌入包括顆粒的缺陷的有機(jī)層的使用。例如，如圖所示，在每個單獨(dú)的阻擋層430a-b為大約20nm厚時，每個有機(jī)層為大約1000nm厚。因此，有機(jī)層420a-b嵌入基本大于阻擋層430a-b的厚度的顆粒444，同時仍然提供隨后的阻擋層可以施加于其上的光滑暴露表面412。因此，封裝疊層440具有3040nm的總厚度。在一些實(shí)施例中，包括交替的有機(jī)和無機(jī)阻擋層的封裝疊層440可以至少部分地基于疊層440的厚度至少部分地對使設(shè)備410撓曲的應(yīng)力敏感，包括壓應(yīng)力或拉應(yīng)力中的一個或多個。

圖4b示出包括施加于設(shè)備部分450的表面461的封裝疊層460的設(shè)備400b。封裝疊層460包括各自具有20nm的近似厚度的四個連貫的阻擋層462a-d，使得整體封裝疊層460具有80nm的近似厚度。

如圖4b所示，每個單獨(dú)的阻擋層462可以包括特定于單獨(dú)阻擋層的單獨(dú)的缺陷，疊層中的多個阻擋層可以共同地限制環(huán)境元素滲透穿過單獨(dú)層的單獨(dú)缺陷。這種集合限制可以基于疊層460，疊層460構(gòu)造成使得單獨(dú)的阻擋層的單獨(dú)缺陷被阻止共同地建立穿過整個疊層460的滲透路徑。例如，在圖4b的所示實(shí)施例中，每個層462a-d包括至少一個間隙空間440c，并且當(dāng)層462b-d中每一個中的間隙空間共同地建立穿過從表面461延伸的疊層460的一部分的路徑時，層462a中的間隙空間440c與層462b-d中的間隙空間不對準(zhǔn)，使得該路徑不穿過層462a延伸至環(huán)境490。因此，層462a-d中的單獨(dú)的間隙空間440c不建立穿過疊層460的滲透路徑。另外，由于有機(jī)層420不施加在疊層460中以涂布和嵌入顆粒，因此圖4b中的疊層460的厚度基本小于圖4a中的疊層440的厚度。

在一些實(shí)施例中，疊層460的單獨(dú)的阻擋層462a-d連貫地施加以形成疊層460。顆粒在阻擋層施加于其的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上的存在可以導(dǎo)致層變得受損。如關(guān)于圖2所注意的，顆粒可以基本大于單獨(dú)阻擋層的厚度。在圖4b的所示實(shí)施例中，即使具有大約100nm的直徑或“厚度”的單個顆粒也可以具有大于整個疊層460的厚度的直徑。

在一些實(shí)施例中，限制在環(huán)境490與設(shè)備部分460之間的滲透的疊層460的施加可以包括經(jīng)由在表面461上執(zhí)行清潔過程從表面461去除顆粒，在此清潔過程從表面461去除顆粒。在一些實(shí)施例中，向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加阻擋層的過程可以導(dǎo)致一個或多個顆粒存在于所施加得層中，在此即使阻擋層施加在在前已經(jīng)由清潔過程清除顆粒的表面461上，一個或多個顆粒也導(dǎo)致在所施加的層中形成一個或多個間隙空間。隨后施加的阻擋層可以至少部分地填充給定暴露表面的間隙空間中，在暴露表面上、甚至是施加的阻擋層的暴露表面上執(zhí)行的清潔過程可以產(chǎn)生隨后的阻擋層可以施加于其上的暴露表面。在一些實(shí)施例中，封裝疊層460的每個單獨(dú)的阻擋層462a-d可以包括一個或多個單獨(dú)缺陷，但是疊層460可以包括足夠數(shù)量的阻擋層462a-d以防止存在經(jīng)由對準(zhǔn)的間隙空間形成并且穿過疊層中的每一個阻擋層的至少一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑，由此限制環(huán)境元素滲透穿過疊層。在一些實(shí)施例中，一定數(shù)量的連續(xù)路徑是1(一)個，使得疊層包括足夠數(shù)量的阻擋層以防止存在穿過疊層的任何連續(xù)滲透路徑。

圖5a-h示出根據(jù)一些實(shí)施例的在設(shè)備上施加多層封裝疊層的過程，包括在施加多個阻擋層中的每一個之前執(zhí)行對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔。該過程可以關(guān)于包括在本文中包括的實(shí)施例中的任一個中的任何設(shè)備施加。

在圖5a-h的所示實(shí)施例中，該設(shè)備最初包括設(shè)置在基板510的至少一部分上的基板510和裝置520，封裝疊層590以連續(xù)步驟的順序施加于設(shè)備。圖5a-5h中的設(shè)備的示出部分包括設(shè)置在可見基板510的整體上的裝置520。將理解的是，設(shè)備的一些部分包括基板510的不通過裝置520覆蓋的部分。

圖5a示出施加疊層590之前的設(shè)備。裝置520設(shè)置在基板510上。如圖所示，數(shù)個顆粒512存在于裝置520的暴露表面511上，在此暴露表面511包含在暴露的設(shè)備表面中。在圖5a中，表面511是當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。

圖5b示出在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面511上經(jīng)由執(zhí)行清潔過程對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面511進(jìn)行清潔。當(dāng)清潔過程在表面511上執(zhí)行時去除524顆粒512的至少一部分，使得表面511至少部分地清除顆粒。在圖5b的所示實(shí)施例中，所執(zhí)行的清潔過程包括通過流體源裝置520引導(dǎo)以沖擊表面511的流體522的射流，在此流體522承載顆粒512遠(yuǎn)離表面511。流體522可以包括任何已知的清潔流體，包括一種或多種溶劑，并且可以包括一種或多種狀態(tài)的流體，包括氣態(tài)、液態(tài)、其某個組合等等。

將理解的是，雖然圖5a-h中示出的清潔過程示出為包括流體射流清潔過程，在圖5a-h中執(zhí)行的清潔過程中的每一個可以包括任何已知的清潔過程并且不限于流體射流清潔過程。

圖5c示出阻擋層534在表面511上的施加。阻擋層534可以經(jīng)由任何已知的阻擋層施加過程施加。所說明的過程示出提供阻擋層534的材料532以涂布當(dāng)前暴露表面511以形成層534的施用器530。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由“濺射”過程施加的薄膜阻擋層。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由原子層沉積過程施加的薄膜阻擋層?？梢岳斫獍ㄆ渌钃鯇邮┘舆^程。

如圖5c所示，盡管經(jīng)由執(zhí)行圖5b中的清潔過程來清除顆粒512，但是圖5c處的阻擋層564的施加形成包括顆粒536的阻擋層534，在此顆粒536引起阻擋層534中的缺陷，包括間隙空間535a-b。這些顆粒536可以沉積在設(shè)備上，作為施加阻擋層534的副效應(yīng)。例如，圖5c處施加的清潔度限制可以足夠地松弛，使得顆粒536能夠經(jīng)由從施用器530設(shè)置到表面511上的材料流532沉積在設(shè)備上。如圖5c所示，顆粒536的直徑可以足夠大，以產(chǎn)生延伸穿過整個所施加的阻擋層534的間隙空間535a-b。

如圖5c所示，阻擋層534的施加形成設(shè)備的新的當(dāng)前暴露表面531，其中表面531包括施加的阻擋層534的暴露表面。

圖5d示出在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面531上經(jīng)由執(zhí)行清潔過程對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面531進(jìn)行清潔。在圖5d中的表面531上執(zhí)行的清潔過程可以與在圖5b中的表面511上執(zhí)行的過程相似、不同、其某個組合等等。當(dāng)清潔過程在表面531上執(zhí)行時去除544顆粒536的至少一部分，使得表面531清除顆粒。在圖5d的所示實(shí)施例中，所執(zhí)行的清潔過程包括通過流體源裝置540引導(dǎo)以沖擊表面531的流體542的射流，在此流體542承載顆粒536遠(yuǎn)離表面531。流體542可以包括任何已知的清潔流體，包括一種或多種溶劑，并且可以包括一種或多種狀態(tài)的流體，包括氣態(tài)、液態(tài)、其某個組合等等。

如圖5d所示，清潔過程在表面531上的執(zhí)行導(dǎo)致暴露間隙空間535a-b。由于暴露的間隙空間暴露了表面511的部分，因此圖5d中的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面包括暴露表面511和通過間隙空間535a-b暴露的表面511的相應(yīng)的部分。隨后施加的阻擋層可以填充間隙空間中的一個或多個，由此密封間隙空間并且防止環(huán)境元素滲透穿過一個或多個間隙空間。

圖5e示出阻擋層554在圖5d中示出的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上的施加。阻擋層554可以經(jīng)由任何已知的阻擋層施加過程施加。所說明的過程示出提供阻擋層554的材料552以涂布當(dāng)前暴露表面531、511以形成層554的施用器550。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由“濺射”過程施加的薄膜阻擋層。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由原子層沉積過程施加的薄膜阻擋層。可以理解包括其他阻擋層施加過程。

如圖5e所示，所施加的阻擋層554填充間隙空間535a。作為阻擋層554，如同層534，包括環(huán)境元素滲透抵抗材料，間隙空間535a的填充密封間隙空間535a以便不允許環(huán)境元素滲透穿過間隙空間535a。

如圖5e所示，盡管表面531經(jīng)由執(zhí)行圖5d中的清潔過程清除顆粒536，使得暴露間隙空間535a-b，阻擋層554在圖5e處的施加形成包括顆粒556的阻擋層554，在此顆粒556導(dǎo)致阻擋層554中的缺陷，特別是間隙空間545a-b。這些顆粒556可以沉積在設(shè)備上，作為阻擋層554的施加的副效應(yīng)。另外，如圖所示，由顆粒556形成的間隙空間545b之一與間隙空間535b對準(zhǔn)，使得存在從裝置520穿過兩個層534、554的滲透路徑。

如圖5c所示，阻擋層534的施加形成設(shè)備的新的當(dāng)前暴露表面551，其中表面551包括施加的阻擋層554的暴露表面。

圖5f示出清潔過程在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面551上的執(zhí)行。在圖5e中的表面551上執(zhí)行的清潔過程可以與在圖5b中的表面511和圖5d中的表面531上執(zhí)行的過程相似、不同、其某個組合等等。當(dāng)清潔過程在表面551上執(zhí)行時去除564顆粒556的至少一部分，使得表面551清除顆粒。在圖5f的所示實(shí)施例中，所執(zhí)行的清潔過程包括通過流體源裝置560引導(dǎo)以沖擊表面551的流體562的射流，在此流體562承載顆粒556遠(yuǎn)離表面551。流體562可以包括任何已知的清潔流體，包括一種或多種溶劑，并且可以包括一種或多種狀態(tài)的流體，包括氣態(tài)、液態(tài)、其某個組合等等。

如圖5f所示，清潔過程在表面551上的執(zhí)行導(dǎo)致暴露間隙空間545a-b。由于暴露的間隙空間暴露了表面531和表面511的部分，因此圖5f中的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面包括通過間隙空間555a-b暴露的表面531、511的相應(yīng)的部分。隨后施加的阻擋層可以填充間隙空間中的一個或多個，由此密封間隙空間并且防止環(huán)境元素滲透穿過一個或多個間隙空間。

圖5g示出阻擋層574在圖5f中示出的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上的施加。阻擋層574可以經(jīng)由任何已知的阻擋層施加過程施加。所說明的過程示出提供阻擋層574的材料572以涂布當(dāng)前暴露表面的施用器570，當(dāng)前暴露表面包括形成層574的表面551、531、511。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由“濺射”過程施加的薄膜阻擋層。在一些實(shí)施例中，阻擋層包括經(jīng)由原子層沉積過程施加的薄膜阻擋層?？梢岳斫獍ㄆ渌钃鯇邮┘舆^程。

如圖5g所示，所施加的阻擋層574填充間隙空間545a-b和535b。作為阻擋層574，如同層554、534，包括環(huán)境元素滲透抵抗材料，間隙空間545a-b、535a的填充密封間隙空間以便不允許環(huán)境元素滲透穿過間隙空間535a。此外，如圖5g所示，由于全部間隙空間暴露表面511被填充，因此不存在裝置520的表面511與外界環(huán)境之間的滲透路徑。

圖5h示出經(jīng)由在由施加的阻擋層574引起的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行清潔過程來清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。當(dāng)前暴露的設(shè)備表面包括層574和層554的暴露表面。在圖5h中的當(dāng)前暴露表面上執(zhí)行的清潔過程可以與在圖5b中的表面511和圖5d中的表面531上執(zhí)行的過程相似、不同、其某個組合等等。當(dāng)清潔過程在在表面上執(zhí)行時去除584顆粒586的至少一部分，使得表面清除顆粒。在圖5h的所示實(shí)施例中，所執(zhí)行的清潔過程包括通過流體源裝置580引導(dǎo)以沖擊表面的流體582的射流，在此流體582承載顆粒586遠(yuǎn)離當(dāng)前暴露表面。流體582可以包括任何已知的清潔流體，包括一種或多種溶劑，并且可以包括一種或多種狀態(tài)的流體，包括氣態(tài)、液態(tài)、其某個組合等等。

在一些實(shí)施例中，可以缺少圖5h中示出的清潔過程，這至少是因?yàn)椴淮嬖诖┻^疊層590的連續(xù)滲透路徑。

圖6示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括構(gòu)造成包括多個連貫地施加的滲透抵抗層的多層封裝疊層，其中在每一層施加之前清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。設(shè)備、封裝疊層等等中的一個或多個可以包括在本文中實(shí)施例中的任一個中。

設(shè)備600包括基板610、設(shè)置在基板上的裝置620以及施加在設(shè)備上的封裝疊層670，在此封裝疊層670施加于裝置620的至少基板遠(yuǎn)端表面621。

在一些實(shí)施例中，經(jīng)由連續(xù)阻擋層施加而施加的封裝疊層，在此每個阻擋層施加在對當(dāng)前暴露的設(shè)備表面執(zhí)行清潔過程之后進(jìn)行，產(chǎn)生多層疊層，在此一個或多個單獨(dú)的阻擋層包括一個或多個間隙空間，間隙空間通過一個或多個隨后施加的阻擋層填充。因此，單獨(dú)的阻擋層中的單獨(dú)缺陷可以通過其他阻擋層減輕，使得疊層中的多個阻擋層不包括在包括裝置的設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分與外界環(huán)境之間的穿過封裝疊層的連續(xù)滲透路徑。這種減輕可以至少部分地基于在每個阻擋層施加之前、在連續(xù)的阻擋層施加之間介入、其某個組合等等，在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行清潔過程。

例如，如圖6所示，封裝疊層670包括三個單獨(dú)的且連貫地施加的阻擋層630、640、650，其中每個單獨(dú)的阻擋層包括多個間隙空間。層630包括三個間隙空間632a-c，層640包括三個間隙空間642a-c，層650包括兩個間隙空間652a-b。如圖所示，所施加的阻擋層640填充層630的間隙空間632a-b，由此密封這些間隙空間632a-b，防止在裝置620與外界環(huán)境之間形成穿過疊層670的路徑的一部分。另外，層650填充層640的間隙空間642a-c。

在一些實(shí)施例中，可以使封裝疊層中的相鄰阻擋層的至少一些間隙空間對準(zhǔn)，在本文中還稱為相鄰阻擋層“重疊”的間隙空間，使得間隙空間在不被填充的情況下可以形成穿過至少相鄰層的連續(xù)滲透路徑。在一些實(shí)施例中，封裝疊層包括足夠數(shù)量的阻擋層，使得至少最小數(shù)量的連續(xù)滲透路徑延伸穿過疊層中的全部阻擋層的概率小于對于一個或多個特定置信水平的閾值。例如，在所示實(shí)施例中，可以基于對包括三個連貫地施加的阻擋層的封裝疊層將包括穿過疊層的至少一個連續(xù)滲透路徑的概率小于1％的閾值的具有95％置信度的判定，在每個阻擋層施加之前在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行清潔過程的情況下，將三個阻擋層630、640、650連貫地施加于設(shè)備600。

在所示實(shí)施例中，盡管層630、640的間隙空間632c和642c重疊，但是隨后施加的層650填充在兩個間隙空間中，由此密封間隙空間642c、632c防止形成穿過疊層670的全部層的連續(xù)滲透路徑的一部分。雖然層650可以自身包括間隙空間652a-b，這些間隙空間中沒有一個與相鄰層的任何間隙空間對準(zhǔn)。因此，多個阻擋層630、640、650不包括穿過三個層的連續(xù)滲透路徑，由此使得疊層670與穿過疊層670的任何滲透路徑無關(guān)。

如圖6所示，在一些實(shí)施例中，封裝疊層中所施加的阻擋層至少部分地是共形的，使得施加在缺陷上的阻擋層可以至少部分地遵循缺陷的輪廓。如圖所示，阻擋層640的填充間隙空間632a-b的部分包括每一個填充的間隙空間上的相應(yīng)的凹坑。隨后施加的層650不包括在前施加的層640的凹坑的每一個之上的這種凹坑。

在一些實(shí)施例中，封裝疊層可以包括相對于多個連貫地施加的阻擋層的一個或多個另外的層，一個或多個另外的層提供除對封裝疊層的環(huán)境元素滲透抵抗以外的特性。這種特性可以包括抗反射、暴露表面光滑化等等。這種另外的層可以隨后施加以施加多個阻擋層，使得穿過另外的層的環(huán)境元素的任何滲透通過多個阻擋層被限制滲透整個疊層。在所示實(shí)施例中，例如，疊層670包括另外的外層660，另外的外層660填充層650的間隙空間652a-b、嵌入存在于層650的暴露表面上的任何顆粒并且導(dǎo)致光滑的暴露表面661。雖然層660可以由環(huán)境元素至少部分地可滲透，多個阻擋層630、640、650限制環(huán)境元素滲透至裝置620。在一些實(shí)施例中，層660可以包括一種或多種不同的材料，包括一種或多種聚合物材料、單體材料等等。層660例如可以包括相對于疊層670中的多個阻擋層更厚的聚合物材料。

圖7a-7d示出根據(jù)一些實(shí)施例的可以在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行的各種清潔過程。這種清潔過程可以執(zhí)行為施加包括在本文中的封裝疊層的實(shí)施例中的任一個的一部分。任何清潔過程可以在其上執(zhí)行的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面可以包括包含在本文中實(shí)施例中的任一個的任何設(shè)備。在一些實(shí)施例中，在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行清潔過程包括在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行兩個或更多個單獨(dú)的清潔過程。

圖7a-d中所示實(shí)施例中的每一個說明了在設(shè)備700的當(dāng)前暴露表面721上執(zhí)行清潔過程，在此設(shè)備700包括在將所說明的清潔過程在表面721上執(zhí)行之前施加至設(shè)備的部分710的阻擋層720，阻擋層720包括通過在執(zhí)行所說明的清潔過程中任一個之前至少部分地位于間隙空間的顆粒724形成的間隙空間722。

圖7a示出包括將刷涂裝置施加至當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的清潔過程，其中基于刷涂裝置相對于設(shè)備的運(yùn)動，刷涂裝置從表面去除顆粒、暴露包括在其中的間隙空間、其某個組合等等，使得刷子“掃過”表面的表面面積的至少一部分。如圖所示，刷涂裝置730在表面721上運(yùn)動，至少部分地與表面721物理接觸，使得刷涂裝置730的至少一部分在顆粒724位于其中的間隙空間722上運(yùn)動時從間隙空間722去除顆粒724。刷涂裝置730可以使顆粒724去除以免于與設(shè)備700的任何部分物理接觸。在一些實(shí)施例中，刷涂裝置的施加包括以下中的一個或多個：施加多個刷涂裝置以在表面721的各個部分上運(yùn)動，施加多個刷涂裝置以沿相對于表面721的不同方向在表面721的公共部分運(yùn)動，施加單個刷涂裝置730以沿相對于表面721的不同方向在表面721的公共部分上運(yùn)動，施加單個刷涂裝置7340以沿相對于表面721的不同方向在表面721的不同部分上運(yùn)動，其某個組合等等。在一些實(shí)施例中，刷涂裝置730向設(shè)備700的表面721的施加包括使設(shè)備700相對于安裝在固定位置中的刷涂裝置730運(yùn)動，使得刷涂裝置730在表面721上運(yùn)動。

圖7b示出包括向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面721施加擦洗裝置的清潔過程，其中擦洗裝置基于擦洗裝置擦洗表面721從表面去除顆粒、暴露包括在其中的間隙空間、其某個組合等等，使得擦洗裝置740在表面的表面面積的至少一部分上運(yùn)動并且去除裝置所遇到的顆粒。如圖所示，擦洗裝置740可以包括擦洗頭部742的輥?zhàn)友b置，其中，該裝置沿著其長軸旋轉(zhuǎn)以使頭部742擦洗表面721的部分。裝置740可以在表面721上運(yùn)動，同時裝置740滾動，使得頭部742的至少一部分在顆粒724位于其中的間隙空間722上運(yùn)動時從間隙空間722去除顆粒724。擦洗裝置740可以使顆粒724去除以免于與設(shè)備700的任何部分物理接觸。

圖7c示出包括向設(shè)備的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面721施加流體流722的清潔過程，其中流體流從表面721去除顆粒724。流體流可以通過一個或多個施用器750提供，在此施用器750可以引導(dǎo)流體流722從而以相對于表面721的一個或多個角度沖擊表面。在一些實(shí)施例中，流體流包括流體射流，比如如上參照圖5a-5h所述。流體可以包括一種或多種不同的流體，包括一種或多種液體、氣體、固體、其某個組合等等。例如，流體流可以包括包含也稱為二氧化碳“薄片”的凍結(jié)二氧化碳、干冰顆粒、二氧化碳“雪”等等的流。施用器750可以引導(dǎo)跨過當(dāng)前暴露表面的包括固體二氧化碳、氣體二氧化碳等等中的一者或多者的流體流722，其中，薄片可以經(jīng)由在顆粒上施加氣動阻力、動量傳遞、溶解經(jīng)由液化薄片的沖擊應(yīng)力感應(yīng)的顆粒、其某個組合等等中的一個或多個從表面去除顆粒。在另一個示例中，流體流可以包括氣泡射流，氣泡射流可以包括共同流體流中的液態(tài)和氣態(tài)材料、物質(zhì)等等的混合物。在一些實(shí)施例中，流體722包括溶劑流體，溶劑流體在接觸顆粒724時可以通過至少部分地?cái)嗔杨w粒724的物理結(jié)構(gòu)來至少部分地去除顆粒。在一些實(shí)施例中，圖7c中所示的清潔過程的執(zhí)行包括當(dāng)施用器750施加流體流722時使流體施用器相對于表面721運(yùn)動、沿定向調(diào)整、其某個組合等等，使得流體流在表面721的各個部分上可調(diào)整地引導(dǎo)。

圖7d示出包括向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加流體液滴和向表面施加聲波以使液滴移位形成表面的顆粒724的清潔過程。這種移位可以基于液滴的由于所施加的聲波的振動、液滴的由于所施加的聲波的內(nèi)爆、其某個組合等等。如圖所示，流體液滴施用器762可以向表面721提供液滴763，聲波發(fā)生器764可以提供聲波765，聲波765在到達(dá)設(shè)置在表面721上的液滴766時干擾767液滴766，使得受干擾的液滴767使顆粒724從其在表面721上的靜止位置移位，包括從間隙空間722移位。在一些實(shí)施例中，聲波765包括超聲波。在一些實(shí)施例中，受干擾的液滴767是由于超聲波765在液滴766上的施加而至少部分地內(nèi)爆的液滴。在一些實(shí)施例中，使顆粒724上的液滴767內(nèi)爆的力可以迫使顆粒724從其在間隙空間722中的靜止位置移位。在一些實(shí)施例中，發(fā)生器764是光束發(fā)射器，包括激光束源，波765是由發(fā)生器764引導(dǎo)到當(dāng)前暴露表面上的引起提供到表面上的液滴767、氣泡等等的內(nèi)爆(也稱為氣穴作用)的一個或多個光束。

在一些實(shí)施例中，經(jīng)由至少部分執(zhí)行圖7a-7d的所示清潔過程中的任一個來清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面721，包括引起圖7a-7d所示的各個裝置730、740、750、762、764的運(yùn)動、調(diào)節(jié)、操作、其某個組合等等，通過可以由一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的一個或多個控制系統(tǒng)控制。

圖8示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括基板和施加到基板的表面的封裝疊層。設(shè)備800可以包括在本文中的實(shí)施例中的任一個中。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備的至少一部分包括基板，并且沒有任何設(shè)置的裝置，使得封裝疊層施加于基板的表面。例如在所示實(shí)施例中，設(shè)備800包括具有表面801的基板810，可以包括連貫地施加的阻擋層的多個層的封裝疊層820可以經(jīng)由在每個阻擋層施加之前在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行清潔過程的情況下連續(xù)施加多個阻擋層來施加于基板810的表面801。

圖9示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的透視圖，該設(shè)備構(gòu)造成至少部分地是柔性的并且包括封裝疊層。設(shè)備900可以包括在本文中的實(shí)施例中的任一個中。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備900構(gòu)造成相對于參考平面950至少部分地彎曲。在一些實(shí)施例中，該設(shè)備構(gòu)造成使設(shè)備的多個單獨(dú)的部分相對于平面950沿多個不同的方向彎曲。如圖所示，設(shè)備900構(gòu)造成使得設(shè)備的一端可以相對于平面950沿正方向以至少一個角度942彎曲，而設(shè)備的另一端相對于平面950沿反方向以至少一個角度944彎曲。在一些實(shí)施例中，設(shè)備900指的是至少部分柔性的設(shè)備。如圖所示，設(shè)備900可以包括基板910、設(shè)置在基板910上的裝置920以及施加于裝置920的基板遠(yuǎn)端表面的封裝疊層930?？梢园ㄔ诒疚闹邪ǖ娜魏畏庋b疊層實(shí)施例的封裝疊層930構(gòu)造成在不失效、惡化等等的情況下隨設(shè)備900一起彎曲。因此，包括在多層封裝疊層930中的各個阻擋層構(gòu)造成彎曲。

圖10示出根據(jù)一些實(shí)施例的設(shè)備的局部截面圖，該設(shè)備包括基板、設(shè)置在基板的一部分上的裝置以及施加到設(shè)備的表面的封裝疊層，使得封裝疊層覆蓋裝置的至少一些部分以及基板的至少一些暴露部分。設(shè)備900可以包括在本文中的實(shí)施例中的任一個中。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備包括設(shè)置在基板的受限部分上的裝置，可以包括在本文中包括的任何封裝疊層實(shí)施例的多層封裝疊層施加于裝置和其上不設(shè)置裝置的基板的至少一些部分。例如，如圖10所示，設(shè)備1000包括設(shè)置在基板1010的一部分上的裝置1020。裝置1020可以包括在本文中包括的任何實(shí)施例中包括的任何裝置，包括ec裝置。如圖所示，封裝疊層1030施加于設(shè)備，在此封裝疊層1030施加于1020裝置的基板遠(yuǎn)端表面、延伸至基板1010表面的裝置1020表面以及不設(shè)置裝置1020的基板1010表面的部分1040。因此，裝置1020的表面中的一些或全部由疊層1030覆蓋，從而限制環(huán)境元素從裝置1020的多個表面滲透至裝置1020。在一些實(shí)施例中，施加于部分1040的疊層1030限制環(huán)境元素滲透至基板1010，基板1010可以保護(hù)基板以防環(huán)境元素惡化、防止環(huán)境元素經(jīng)由基板1010滲透至裝置1020、其某個組合等等。

在一些實(shí)施例中，封裝層可以包括層壓在設(shè)備的表面的頂部上的多層疊層。例如，封裝疊層可以包括多個阻擋層，多個阻擋層可以包括形成在基板上的多層疊層，基板可以層壓在可以包括ec薄膜疊層的裝置上?；蹇梢园ǖ挚顾譂B透穿過基板的薄玻璃基板、聚合物基板等等。多層疊層可以包括一個或多個ar層、ir切除過濾層等等。在一些實(shí)施例中，多層疊層至少部分地能夠滲透水分，多層疊層形成于其上的基板是抵抗水分滲透的，因此包括基板和多層疊層的封裝層抵抗水分滲透。基板可以經(jīng)由一種或多種不同的膠合劑、一個或多個標(biāo)引適配層等等層壓至ec薄膜疊層。

在一些實(shí)施例中，包括在本文中包括的實(shí)施例中的一個或多個中的設(shè)備包括設(shè)置在基板上的裝置，在此裝置包括電致變色(ec)裝置。該裝置可以包括多層裝置，在此各個層可以具有一個或多個不同的形狀和大小。ec裝置可以包括ec薄膜疊層和位于ec薄膜疊層的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層。

圖11示出根據(jù)一些實(shí)施例的構(gòu)造成在ec薄膜疊層的不同區(qū)域中在單獨(dú)的透射模式之間切換以及構(gòu)造成選擇性地加熱傳導(dǎo)層的對應(yīng)于ec薄膜疊層區(qū)域中的一個或多個的一個或多個區(qū)域的卵形ec裝置的透視圖。ec裝置1100至少包括ec薄膜疊層1102、位于ec薄膜疊層1102的相對側(cè)上的傳導(dǎo)層1104、1106以及聯(lián)接至傳導(dǎo)層中的單獨(dú)各層的電極1108a-b、1109a-b。

在一些實(shí)施例中，ec裝置包括在照相機(jī)裝置的一個或多個部分中。ec裝置可以構(gòu)造成在單獨(dú)的透射模式之間切換以增強(qiáng)照相機(jī)裝置操作。例如，ec裝置可以包括在照相機(jī)光圈裝置中，在此ec裝置構(gòu)造成在單獨(dú)的透射模式之間切換以選擇性地變跡(apodize)照相機(jī)光圈。這種ec裝置可以構(gòu)造成將ec裝置的特定區(qū)域切換至與ec裝置的其他區(qū)域不同的透射水平。在一些實(shí)施例中，這種特定區(qū)域可以是ec裝置的環(huán)形區(qū)域。在一些實(shí)施例中，當(dāng)需要快速且一致地切換特定區(qū)域時，ec裝置構(gòu)造成選擇性地加熱ec裝置的至少特定區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，ec裝置1100包括在照相機(jī)裝置中并且構(gòu)造成變跡穿過照相機(jī)裝置的光，使得相對于鏡頭的中心更少的光穿過照相機(jī)的鏡頭的外周。變跡可以包括使ec裝置1100變跡，在此ec裝置包含在照相機(jī)裝置的光圈中。這種變跡引起捕獲在圖像中的焦點(diǎn)外元素的邊緣處的散射。這種散射引起焦點(diǎn)外元素的光滑化，并且使得目標(biāo)能夠相對于焦點(diǎn)外元素更加鮮明地突出。

在一些實(shí)施例中，變跡照相機(jī)光圈能夠?qū)崿F(xiàn)照相機(jī)的圖像的增大的分辨率，這是因?yàn)榭梢詼p小照相機(jī)傳感器上的目標(biāo)的圖像周圍的衍射圖樣。例如，縮小穿過鏡頭外周的光的數(shù)量的變跡光圈可以產(chǎn)生目標(biāo)的圖像，在此如果沒有完全去除，則目標(biāo)的圖像周圍的艾里圖形的強(qiáng)度減小。另外，可以減輕光傳感器對鏡頭中的色差的靈敏度。

在一些實(shí)施例中，ec裝置1100構(gòu)造成在單獨(dú)的透射水平之間選擇性地切換單獨(dú)的ec區(qū)域，使得ec裝置可以選擇性地變跡照相機(jī)裝置的光圈、鏡頭等等中的一個或多個。

例如，在所示出的實(shí)施例中，ec裝置1100具有可以包括圓形的卵形形狀，并且構(gòu)造成使ec薄膜疊層1102在至少兩個透射水平之間切換，使得ec裝置1100的特定環(huán)形區(qū)域1114比剩余區(qū)域1112、1116切換至更低的透射水平。這種構(gòu)造可以包括對應(yīng)于區(qū)域1114的傳導(dǎo)層之一中的阻抗的變化，以將ec薄膜疊層的相應(yīng)區(qū)域上的電位差構(gòu)造成大于對應(yīng)于區(qū)域1112、1116的ec區(qū)域上的電位差。這種構(gòu)造可以包括在對應(yīng)于區(qū)域1112、1114、1116的區(qū)域中的ec薄膜疊層中的一個或多個層中的離子淌度的變化。如圖所示，電極1108a-b、1109a-1109b可被構(gòu)造成沿行ec裝置1100的弧度，以相對電極直線延伸的一些實(shí)施例相對于層1102、1104、1106的弧度促進(jìn)電荷分布在整個ec裝置1100上的提高的均勻性。

在一些實(shí)施例中，不同數(shù)量的電極組聯(lián)接至ec裝置中的一個或多個傳導(dǎo)層。單獨(dú)的傳導(dǎo)層可以包括聯(lián)接至相應(yīng)的傳導(dǎo)層的不同數(shù)量的電極組。例如，傳導(dǎo)層1106可以包括單組的兩個電極1109a-b，而傳導(dǎo)層1104可以包括兩組的每組兩個電極，總共聯(lián)接至層1104的四個電極。給定組的電極可以包括聯(lián)接至傳導(dǎo)層的不同區(qū)域的兩個或更多個電極。在一個示例中，包括如圖11所示，一組電極中的單獨(dú)的電極1109a-b可以聯(lián)接至傳導(dǎo)層的相對邊緣。將理解的是一組電極可以聯(lián)接至層的不同區(qū)域，在此不同的區(qū)域不是傳導(dǎo)層的相對邊緣。在一些實(shí)施例中，當(dāng)多個組傳導(dǎo)層聯(lián)接至傳導(dǎo)層時，一組或多組電極可以構(gòu)造成用于引起單獨(dú)的傳導(dǎo)層之間并且跨過ec薄膜疊層的電位差，以使得ec薄膜疊層切換透射模式，同時單獨(dú)的一組或多組電極可被構(gòu)造成用于引起傳導(dǎo)層上的電流、電位差等等，以引起傳導(dǎo)層的一個或多個特定受限區(qū)域的選擇性加熱。在一些實(shí)施例中，聯(lián)接至傳導(dǎo)層的單獨(dú)的電極圍繞傳導(dǎo)層的一個或多個邊緣均勻地間隔開，使得在單獨(dú)的電極之間感應(yīng)的電流比電極不均勻間隔的情況下基本更加均勻。穿過層的電流分配的這種增強(qiáng)的均勻性可以提高相應(yīng)的ec薄膜疊層區(qū)域的切換的均勻性、不同的傳導(dǎo)層區(qū)域的加熱的均勻性等等。如圖11所示，聯(lián)接至卵形或圓形傳導(dǎo)層的電極可以聯(lián)接至層的不同區(qū)域，使得電極組接近傳導(dǎo)層的邊緣周圍的盤狀電極。在另外的電極組聯(lián)接至傳導(dǎo)層的情況下，例如，兩組的每組兩個電極，組中的電極可以圍繞傳導(dǎo)層的圓周等間距地間隔開，在此電極圍繞圓周以交替組電極聯(lián)接。將理解的是，所公開的傳導(dǎo)層和聯(lián)接于其上的電極包括聯(lián)接至ec裝置等等中的ec薄膜疊層的相對側(cè)上的不同傳導(dǎo)層的聯(lián)接至層的任何數(shù)量的電極組、聯(lián)接至層的每組多個電極、聯(lián)接至層的電極排列、多個電極、電極組等等。例如，ec裝置1100可以包括聯(lián)接至傳導(dǎo)層1104、1106的八個電極，在此兩組的每組兩個電極，總共四個電極，聯(lián)接至層1104并且圍繞層1104的圓周等間距地間隔開，同時兩組的每組兩個電極，總共四個電極，聯(lián)接至層1106并且圍繞層1106的圓周等間距地間隔開。

在一些實(shí)施例中，包括以上所示和所述的各種設(shè)備中的一個或多個的設(shè)備構(gòu)造成限制環(huán)境元素在ec裝置的ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間滲透。

在一些實(shí)施例中，在本文中也稱為“被鈍化的”環(huán)境元素抵抗設(shè)備包括單個基板，ec裝置的多個層或?qū)拥丿B層設(shè)置在單個基板上。單個基板可被用于限制整體設(shè)備的厚度。多個層可以構(gòu)造成限制水分在ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間滲透。設(shè)備的這種構(gòu)造可以稱為使設(shè)備“鈍化”，構(gòu)造成限制水分在ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間滲透的設(shè)備可以稱為“被鈍化的”設(shè)備。

這種構(gòu)造或“鈍化”可以包括在設(shè)備的多個層中提供至少一個封裝疊層。封裝疊層抵抗水分滲透，至少一個封裝疊層可以在ec裝置中延伸跨過各個層至覆蓋各個層的各個部分，包括邊緣部分，免于暴露于外界環(huán)境。在一些實(shí)施例中，封裝疊層包括抗反射(ar)層、紅外切除過濾(ir切除)層中的一個或多個，使得封裝疊層構(gòu)造成同時阻擋水分并且執(zhí)行ec裝置的一個或多個不同的功能，包括當(dāng)層包括ar層時減輕反射。在一些實(shí)施例中，ec裝置包括包含用于使離子能夠在層之間運(yùn)動的水的質(zhì)子裝置。封裝疊層可以至少部分地限制質(zhì)子裝置中的水離開裝置并且進(jìn)入外界環(huán)境。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備包括共同地限制水分在ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間滲透的至少一個封裝疊層和一個或多個傳導(dǎo)層。在一些實(shí)施例中，在ec裝置的多個層上僅設(shè)置封裝層不足以防止環(huán)境元素在ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間滲透，這是因?yàn)閑c裝置層的暴露的邊緣部分可以輸送至少一些環(huán)境元素。將設(shè)備構(gòu)造成使得多個層中的層的僅暴露邊緣部分包括至少一個封裝層和一個或多個傳導(dǎo)層可以產(chǎn)生被鈍化的ec裝置，在此傳導(dǎo)層的暴露邊緣部分抵制水分滲透。在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)層包括一個或多個透明傳導(dǎo)層，也稱為抵制水分滲透的透明傳導(dǎo)氧化物(tco)。因此，傳導(dǎo)層可以延伸至邊緣并且在一個或多個邊緣部分處暴露于外界環(huán)境，同時ec薄膜疊層保持覆蓋免受外界環(huán)境影響。

在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)層包括多個元素，包括環(huán)境元素滲透抵抗外部部分以及被外部部分覆蓋以免暴露于外界環(huán)境的環(huán)境元素傳遞內(nèi)部部分。例如，傳導(dǎo)層可以包括傳遞水分的內(nèi)部透明傳導(dǎo)氧化物部分以及抵制水分滲透的一個或多個外部不透明傳導(dǎo)部分。外部部分可以暴露于外界環(huán)境，使得透明傳導(dǎo)氧化物能夠被保護(hù)免于環(huán)境元素滲透。

在一些實(shí)施例中，被鈍化的設(shè)備包括構(gòu)造成使得ec裝置以均勻和對稱的徑向光密度分布在單獨(dú)的透射狀態(tài)之間切換的一組或多組母線。每組母線可以包括在裝置的第一側(cè)上聯(lián)接至ec裝置的傳導(dǎo)層之一的母線和在裝置的相對側(cè)上聯(lián)接至傳導(dǎo)層中的另一個的另一個母線。組中的單獨(dú)的母線可被構(gòu)造成以彼此間隔方式一致地延伸。在ec裝置為圓形的情況下，組中的母線可以彎曲以彼此的固定距離延伸。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備包括多個單獨(dú)的封裝疊層，包括位于ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間的頂部封裝疊層和位于ec薄膜疊層與基板之間的底部封裝疊層。在單個基板傳遞水分的情況下可以存在底部封裝疊層。在單個基板構(gòu)造成抵制水分滲透的情況下，設(shè)備可以不存在底部封裝疊層。在一些實(shí)施例中，設(shè)備包括一個或多個基板。

如本文中所引用的，包括在設(shè)備中的基板可以包括一種或多種不同的材料?；蹇梢园ㄒ环N或多種不同的透明材料，包括一種或多種玻璃、晶體材料、聚合物材料、單體材料、其某個組合等等。晶體材料可以包括藍(lán)寶石、鍺、石英、硅等等中的一種或多種。聚合物材料可以包括pc、pmma、pet、pen、氟聚合物、kapton等等中的一種或多種。在一些實(shí)施例中，基板可以包括超薄玻璃(utg)。例如，基板可以包括willow^tm玻璃、af生態(tài)薄玻璃、t薄玻璃、g-leaf^tm柔性玻璃、其某個組合等等中的一種或多種?；蹇梢园ㄒ环N或多種熱回火材料、化學(xué)回火材料等等。例如，基板可以包括gorillaglass^tm。在另一個示例中，基板可以包括熱加強(qiáng)玻璃。在另一個示例中，基板可以包括具有一個或多個不同的熱膨脹系數(shù)的材料，包括低cte(熱膨脹系數(shù))玻璃、高cte玻璃、其某個組合等等中的一種或多種。在另一個示例中，基板可以包括化學(xué)加強(qiáng)玻璃、包括gorillaglass^tm的化學(xué)回火玻璃、化學(xué)回火硼硅玻璃等等中的一種或多種。在一些實(shí)施例中，基板包括透明或反射材料中的一種或多種，包括可以反射電磁波譜的至少一個波長的材料。基板可以具有一個或多個不同的厚度。例如，基板可以具有在1微米至100微米厚之間(包括端點(diǎn))的一個或多個厚度?；蹇梢园╥gu、tgu、層壓物、整塊基板等等中的一種或多種。

圖12a-12b示出根據(jù)一些實(shí)施例的包括ec裝置、設(shè)置在ec裝置上的封裝疊層1270和聯(lián)接至ec裝置的一組或多組母線1280、1282的設(shè)備1200，使得一組母線1280聯(lián)接至底部傳導(dǎo)層1208的至少外部部分1284，另一組母線1282聯(lián)接至頂部傳導(dǎo)層1240的外部部分。設(shè)備1200可以包括在本文中的實(shí)施例中的任一個中。例如，封裝疊層1270、1204可以各自包括包含多個連貫地施加的阻擋層的多層封裝疊層，其中每個阻擋層施加在當(dāng)前暴露表面上執(zhí)行的單獨(dú)的清潔過程之后進(jìn)行。

如圖所示，在一些實(shí)施例中，頂部封裝疊層1270設(shè)置在ec裝置的一部分上，使得頂部封裝疊層覆蓋ec薄膜疊置層1210、1220的一個或多個暴露邊緣部分1252，由此完成ec薄膜疊置層1210、1220的邊緣部分與外界環(huán)境的隔離。

在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)層的外部部分1284、1286是與相應(yīng)層1208、1240的其余部分分開的材料。例如，暴露于外界環(huán)境的外部部分1284、1286可以包括抵制水分滲透的不透明傳導(dǎo)材料，同時層1208、1240的其余部分包括傳遞水分的透明傳導(dǎo)材料，包括tco。因此，傳導(dǎo)層的外部部分1284、1286與封裝疊層1270、1206共同地防止環(huán)境元素在外界環(huán)境與ec薄膜疊置層1210、1220之間滲透。所示出的頂部封裝疊層最小地足夠完成ec薄膜疊置層1210、1220的隔離，使得各個封裝疊層1206、1270與傳導(dǎo)層1208、1240共同地隔離ec薄膜疊置層1210、1220，使得限制環(huán)境元素在ec薄膜疊層與外界環(huán)境之間的滲透。

如圖所示，圖12b示出設(shè)備1200的兩個不同的截面“a”和“a”’，截面a和a’彼此垂直。因此，設(shè)備1200的第一側(cè)與設(shè)備1200的第二側(cè)偏離90度。

如上所述，頂部封裝疊層1270可以包括ar層、ir切割層等等中的一個或多個。在一些實(shí)施例中，封裝疊層1270包括交替的高折射率材料和低折射率材料的密集多層結(jié)構(gòu)(例如達(dá)到100層)。交替層中的每一個可以達(dá)到5微米厚。在一些實(shí)施例中，頂部封裝疊層1270覆蓋ec薄膜疊層、傳導(dǎo)層和母線。由于封裝的厚的多層結(jié)構(gòu)，因此封裝疊層可以減小環(huán)境元素滲透，使得ec薄膜疊層被充分地保護(hù)并且不需要頂部基板來限制環(huán)境元素滲透。

ii封裝疊層施加

圖13示出根據(jù)一些實(shí)施例的包括封裝疊層施加系統(tǒng)的設(shè)備制造系統(tǒng)1300。該系統(tǒng)可以制造包括在本文中包括的實(shí)施例中的任一個中的任何設(shè)備。

制造系統(tǒng)1300包括構(gòu)造成容納包括基板1302的設(shè)備1301的裝置提供系統(tǒng)1310。系統(tǒng)1310構(gòu)造成在基板1302的至少一個表面上提供至少一個裝置1303，使得系統(tǒng)1310提供被改進(jìn)成使得設(shè)備1301包括基板1302和設(shè)置在基板的至少一個表面上的至少一個裝置1303的設(shè)備1301。如本文中所指代的，設(shè)置在基板上的裝置可以包括沉積在基板上的裝置。在一些實(shí)施例中，裝置經(jīng)由與沉積分開的一個或多個過程設(shè)置在基板上，包括例如經(jīng)由一種或多種膠合劑粘合至基板。

制造系統(tǒng)1300包括構(gòu)造成容納具有基板1302和所提供的裝置1303的設(shè)備1301的封裝疊層施加系統(tǒng)1320。系統(tǒng)1320構(gòu)造成向設(shè)備1301施加多層封裝疊層，使得系統(tǒng)1320提供包括施加于至少一個設(shè)備表面1301的多層封裝疊層1305的設(shè)備1301。如圖所示，當(dāng)設(shè)備1301包括施加于基板1302的受限部分的裝置1303時，系統(tǒng)1320可以將封裝疊層1305施加至裝置1303的一個或多個表面以及不設(shè)置裝置1303的基板的一個或多個部分。如以下進(jìn)一步所述的，系統(tǒng)1320在向設(shè)備1301施加疊層1305時可以向設(shè)備施加多個連續(xù)阻擋層，并且在清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面之后進(jìn)行每個阻擋層施加，將清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面介入連續(xù)阻擋層施加，其某個組合等等。

在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)1300包括通信地聯(lián)接至一個或多個系統(tǒng)1310的至少一部分的控制系統(tǒng)1330。可以通過一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的控制系統(tǒng)1330可以控制包括在系統(tǒng)1310、1320中的一個或多個中的一個或多個裝置。

圖14示出根據(jù)一些實(shí)施例的在先清潔當(dāng)前暴露表面的情況下在設(shè)備上施加多個阻擋層的圖13所示的封裝疊層施加系統(tǒng)1320。該系統(tǒng)可以施加包括在本文中包括的實(shí)施例中的任一個中的任何封裝疊層。

系統(tǒng)1320容納包括基板1401和設(shè)置在基板的至少一部分上的裝置1403的設(shè)備1400。如圖所示，設(shè)備可以包括可能存在于設(shè)備1400的當(dāng)前暴露表面1413上的至少一些顆粒1412，在此當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1413包括裝置1403的暴露表面和基板1401的暴露表面。

系統(tǒng)1320包括可被控制以清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1413的設(shè)備清潔裝置1420，由此去除表面1413上的顆粒1412。在所示出的實(shí)施例中，裝置1420包括提供流體流1422的流體流施用器1421，流體流1422沖擊表面1413并且去除表面1413上的顆粒1412。將理解的是，為了清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面，清潔裝置1420可以構(gòu)造成執(zhí)行包括在本文中的清潔過程中的任一個。清潔裝置1420可被控制以經(jīng)由施用器1421的控制可控地引導(dǎo)、移動、再定向等等流體流1422，由此在表面1413上執(zhí)行清潔過程。

系統(tǒng)1320包括阻擋層施加裝置1430，阻擋層施加裝置1430可被控制以在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1413上施加阻擋層1405。所產(chǎn)生的設(shè)備1400包括包含層1405的暴露表面的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1433。如圖所示，阻擋層1405的施加通過裝置1430的施用器1431執(zhí)行，在此施用器1431提供在表面1413上形成層1405的材料1432。裝置1430的各個實(shí)施例可被構(gòu)造成經(jīng)由一個或多個不同的施加過程施加阻擋層1405，包括包含在本文中的施加過程中的任一個。如還示出的，阻擋層1405的施加可能導(dǎo)致顆粒1434存在于層1405上或至少部分地存在于層1405內(nèi)，使得顆粒1434導(dǎo)致形成延伸穿過層1405的厚度的一部分或全部的間隙空間。如圖所示，所示顆粒1434導(dǎo)致形成延伸穿過層1405的厚度的整體的兩個相應(yīng)的間隙空間。這些顆?？梢宰鳛橛裳b置1430施加阻擋層的負(fù)效應(yīng)、作為裝置1430中和周圍的寬松清潔度要求的副效應(yīng)、其某個組合等等而提供。阻擋層施加裝置1430可被控制以可控制地引導(dǎo)、移動、再定向等等施用器1431，由此在表面1413上執(zhí)行阻擋層1405的施加。

如圖所示，系統(tǒng)1320可以包括可以在施加阻擋層1405的同時觀察設(shè)備并且監(jiān)控施加的阻擋層中的缺陷的傳感器裝置1440。在一些實(shí)施例中，傳感器裝置1440包括在施加阻擋層1405之后產(chǎn)生與當(dāng)前暴露表面1433相關(guān)的圖像數(shù)據(jù)的照相機(jī)裝置，其中圖像數(shù)據(jù)可用于確定層1405中的間隙空間的數(shù)量、分布、尺寸等等。由傳感器裝置1440產(chǎn)生的傳感器數(shù)據(jù)，包括圖像數(shù)據(jù)，可被用于確定多少阻擋層施加至設(shè)備、是否向表面1433施加一個或多個另外的層、其某個組合等等。

系統(tǒng)1320包括可被控制以清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1433的設(shè)備清潔裝置1450，由此去除表面1433上的顆粒1434。在所示出的實(shí)施例中，裝置1450包括提供流體流1452的流體流施用器1451，流體流1452沖擊表面1433并且去除表面1413上的顆粒1434。將理解的是，為了清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1433，清潔裝置1450可以構(gòu)造成執(zhí)行包括在本文中的清潔過程中的任一個。清潔裝置1450可被控制以經(jīng)由施用器1421的控制可控地引導(dǎo)、移動、再定向等等流體流1452，由此在表面1433上執(zhí)行清潔過程。

如圖所示，清潔過程通過裝置1450的執(zhí)行通過經(jīng)由去除顆粒1434暴露的間隙空間產(chǎn)生包括層1405的暴露表面和裝置1403的暴露表面的當(dāng)前暴露表面1433。

系統(tǒng)1320包括阻擋層施加裝置1460，阻擋層施加裝置1460可被控制以在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1433上施加阻擋層1407。所產(chǎn)生的設(shè)備1400包括包含層1407的暴露表面的當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1463。如圖所示，阻擋層1407的施加通過裝置1460的施用器1461執(zhí)行，在此施用器1461提供在表面1433上形成層1407的材料1462。裝置1460的各個實(shí)施例可被構(gòu)造成經(jīng)由一個或多個不同的施加過程施加阻擋層1407，包括包含在本文中的施加過程中的任一個。如還示出的，阻擋層1405的施加可能導(dǎo)致顆粒存在于層1407上或至少部分地存在于層1407內(nèi)，使得顆粒導(dǎo)致形成延伸穿過層1407的厚度的一部分或全部的間隙空間。如圖所示，所示顆粒導(dǎo)致形成延伸穿過層1407的厚度的整體的兩個相應(yīng)的間隙空間。這些顆?？梢宰鳛橛裳b置1460施加阻擋層的負(fù)效應(yīng)、作為裝置1460中和周圍的寬松清潔度要求的副效應(yīng)、其某個組合等等而提供。阻擋層施加裝置1460可被控制以可控制地引導(dǎo)、移動、再定向等等施用器1461，由此在表面1433上執(zhí)行阻擋層1407的施加。

如圖所示，阻擋層1407通過裝置1430的施加產(chǎn)生填充在前施加的層1405中的間隙空間中的至少一些中的阻擋層1407。如圖所示，盡管阻擋層1407包括間隙空間，但是阻擋層1407填充層1405的間隙空間，由此防止通過包括層1405、1407的封裝疊層的連續(xù)滲透路徑。

如圖所示，系統(tǒng)1320可以包括可以在施加阻擋層1407的同時觀察設(shè)備并且監(jiān)控施加的阻擋層中的缺陷的傳感器裝置1470。在一些實(shí)施例中，傳感器裝置1470包括在施加阻擋層1407之后產(chǎn)生與當(dāng)前暴露表面1463相關(guān)的圖像數(shù)據(jù)的照相機(jī)裝置，其中圖像數(shù)據(jù)可用于確定層1407中的間隙空間的數(shù)量、分布、尺寸等等。由傳感器裝置1470產(chǎn)生的傳感器數(shù)據(jù)，包括圖像數(shù)據(jù)，可被用于確定多少阻擋層施加至設(shè)備、是否向表面1463施加一個或多個另外的層、其某個組合等等。

如圖所示，系統(tǒng)1320可以包括在通過裝置1460施加層1407之后使設(shè)備1400重定向至清潔裝置1450的閉合系統(tǒng)1480，在清潔裝置1450處當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1463可被清潔，設(shè)備1400然后可以運(yùn)動回到裝置1460，在此裝置1460可以向設(shè)備1400的表面1463施加另一個阻擋層。在一些實(shí)施例中，裝置1400是在閉合1480上引導(dǎo)還是引導(dǎo)出該系統(tǒng)可以基于在傳感器1440、1470中的一個或多個處產(chǎn)生的傳感器數(shù)據(jù)。例如，基于對存在穿過層1405和1407的一個或多個連續(xù)滲透路徑的判定，設(shè)備1400可被沿著閉合1480引導(dǎo)至裝置1450，使得設(shè)備1400接受另一次清潔并且隨后通過裝置1450、1460在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上施加阻擋層。經(jīng)基于傳感器數(shù)據(jù)對不存在連續(xù)滲透路徑的判定，設(shè)備1400可被引導(dǎo)出系統(tǒng)1320。

如圖所示，控制系統(tǒng)1410可以通信地聯(lián)接至系統(tǒng)1320的各個裝置?？梢酝ㄟ^一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行并且可以包括在圖13所示的系統(tǒng)1330中的系統(tǒng)1410可以控制裝置1420-1460中的一個或多個，并且可以控制設(shè)備1400沿著閉合1480引導(dǎo)一次還是多次，使得控制系統(tǒng)1410可以控制在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面1400上執(zhí)行的一個或多個清潔過程、控制在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上施加一個或多個阻擋層、其某個組合等等。

圖15示出根據(jù)一些實(shí)施例的構(gòu)造成控制向設(shè)備的封裝疊層施加的控制系統(tǒng)。控制系統(tǒng)1500可以包括在本文公開的控制系統(tǒng)中的一個或多個中，包括圖13所示的封裝疊層施加系統(tǒng)1320。控制系統(tǒng)1500可以通過一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行，包括圖17所示的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)?？刂葡到y(tǒng)1500包括構(gòu)造成執(zhí)行控制系統(tǒng)1500的各個方面的不同的模塊。

控制系統(tǒng)1500包括阻擋層施加控制模塊1502。模塊1502可以控制阻擋層施用器，包括本文中示出和說明的裝置、施用器等等中的任一者，以可控制地向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加阻擋層。在一些實(shí)施例中，模塊1502控制多個單獨(dú)的阻擋層施用器，在此每個單獨(dú)的施用器向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加多個連貫地施加的阻擋層中的單獨(dú)的阻擋層。在一些實(shí)施例中，模塊1502基于對設(shè)備相對于施用器位于一定的物理區(qū)域內(nèi)的判定命令給定施用器向暴露的設(shè)備表面施加阻擋層。在一些實(shí)施例中，基于對在設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分與外界環(huán)境之間存在路徑的在一個或多個特定置信水平下的概率超過一定閾值的判定，模塊1502命令給定施用器向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加阻擋層。在一些實(shí)施例中，基于通過觀察暴露表面對在暴露表面中存在一個或多個間隙空間的判定，模塊1502命令給定施用器向當(dāng)前暴露的設(shè)備表面施加阻擋層。在一些實(shí)施例中，模塊1502可以控制通過其引導(dǎo)給定設(shè)備的過程路徑，使得模塊1502可以將給定設(shè)備重新引導(dǎo)至施用器，由此另外的阻擋層基于所確定的概率、對設(shè)備的觀察、其某個組合等等施加至設(shè)備、封裝疊層施加系統(tǒng)的出口等等。

控制系統(tǒng)1500包括清潔控制模塊1504。模塊1504可以控制本文中示出和討論的一個或多個裝置、施用器等等，以通過設(shè)備表面清潔裝置可控制地清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。在一些實(shí)施例中，模塊1504控制多個單獨(dú)的清潔裝置，在此，每個單獨(dú)的清潔裝置在單獨(dú)的阻擋層施加之前、在單獨(dú)的連續(xù)阻擋層施加之間、其某個組合等等執(zhí)行當(dāng)前暴露的設(shè)備表面的單獨(dú)的清潔。在一些實(shí)施例中，模塊1504基于對設(shè)備相對于設(shè)備表面清潔裝置位于一定物理區(qū)域內(nèi)的判定命令給定清潔裝置清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。在一些實(shí)施例中，模塊1504基于對一個或多個顆粒存在于當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上的判定命令給定清潔裝置清潔當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。如本文所述，阻擋層的暴露表面“上”的顆?？梢灾辽俨糠值卦谧钃鯇印爸小?，至少部分地位于阻擋層內(nèi)的顆粒可以至少部分地在阻擋層的暴露表面“上”。

控制系統(tǒng)1500包括路徑模擬模塊1506。模塊1506可以確定包括一定數(shù)量的阻擋層(其中一個或多個阻擋層包括一個或多個類型的包括一種或多種材料的阻擋層)的給定封裝疊層與設(shè)備的環(huán)境元素敏感部分與外界環(huán)境之間經(jīng)由封裝疊層的任何連續(xù)滲透路徑無關(guān)(即不包括任何連續(xù)滲透路徑)的在一個或多個特定的置信水平下的概率。該判定可以基于不同的因素，可以包括在疊層中包括的各種類型的阻擋層、包括在各個層中的材料、疊層中的阻擋層的數(shù)量、疊層的尺寸、形狀、面積等等、在一個或多個阻擋層施加之前在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行的一個或多個清潔過程、其某個組合等等。在一些實(shí)施例中，因素中的至少一些經(jīng)由從一個或多個外部源接收的數(shù)據(jù)輸入提供至模塊1506。在一些實(shí)施例中，因素中的至少一些基于經(jīng)由一個或多個傳感器裝置對設(shè)備的觀察提供至模塊1506。在一些實(shí)施例中，基于與設(shè)備相關(guān)的所提供的因素，模塊1506確定包括在封裝疊層中的特定數(shù)量的阻擋層，對于特定數(shù)量的阻擋層而言，穿過疊層的連續(xù)滲透路徑在一定置信水平下的概率小于一定閾值。在一些實(shí)施例中，基于與設(shè)備相關(guān)的所提供的因素，模塊1506確定包括在封裝疊層中的特定數(shù)量的阻擋層，對于特定數(shù)量的阻擋層而言，封裝疊層與穿過疊層的任何連續(xù)滲透路徑無關(guān)的在一定置信水平下的概率超過一定閾值。在一些實(shí)施例中，基于所確定的特定數(shù)量的阻擋層，模塊1502、1504共同地執(zhí)行特定數(shù)量的阻擋層向設(shè)備的施加，使得設(shè)備包括含有至少特定數(shù)量的阻擋層的封裝疊層。

控制系統(tǒng)1500包括暴露表面觀察模塊1508。模塊1508可以在封裝疊層施加過程中的一個或多個階段處觀察設(shè)備，包括關(guān)于設(shè)備與關(guān)于一個或多個阻擋層施加、清潔過程執(zhí)行等等同時、隨后、之前、其某個組合等等觀察設(shè)備。對設(shè)備的這種觀察可以基于在一個或多個傳感器裝置處產(chǎn)生的傳感器數(shù)據(jù)。這些傳感器裝置可以包括一個或多個照相機(jī)裝置、光束掃描裝置等等。基于這種觀察，模塊1508可以確定顆粒在暴露的設(shè)備表面上的存在、位置、尺寸、數(shù)量、其某個組合等等，存在于暴露的設(shè)備表面中的間隙空間的存在、位置、尺寸、數(shù)量、其某個組合等等，等等?；谶@種判定中的一個或多個，模塊1508可以確定是否引導(dǎo)給定設(shè)備以接收另外的清潔、阻擋層施加等等；是否引導(dǎo)給定設(shè)備以產(chǎn)生封裝疊層施加系統(tǒng)、其某個組合等等。

圖16a示出根據(jù)一些實(shí)施例施加多層封裝疊層。圖16a中示出的施加可以通過一個或多個控制系統(tǒng)執(zhí)行，其可以通過一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。

在1602處，接收設(shè)備。設(shè)備可以包括基板、設(shè)置在基板的一個或多個表面上的一個或多個裝置等等中的一個或多個。例如，所接收的設(shè)備可以包括基板和設(shè)置在基板的表面上的oled裝置。

在1603處，判定特定數(shù)量的阻擋層包括在所施加的封裝疊層中。如以下參照圖16b進(jìn)一步所述的，判定可以包括判定特定數(shù)量的阻擋層連貫地施加，使得多個連貫地施加的阻擋層共同地包括不多于特定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的在特定置信水平下的概率小于特定閾值概率值。

在1604處，當(dāng)前暴露的設(shè)備表面被至少部分地清潔。這種清潔可以包括在當(dāng)前暴露的設(shè)備表面上執(zhí)行一個或多個清潔過程。當(dāng)前暴露表面可以包括一個或多個在前施加的阻擋層的一個或多個表面、一個或多個在前的在前施加的層中的一個或多個間隙空間、裝置的暴露表面、基板的暴露表面、其某個組合等等。所執(zhí)行的清潔過程可以包括包含在本文中的任何清潔過程中的一個或多個。

在1606處，阻擋層施加于當(dāng)前暴露的設(shè)備表面。阻擋層可以包括包含在本文中的各個阻擋層中的任一個，并且可以經(jīng)由包含在本文中的各個阻擋層施加過程的任一個施加，非限制地包括經(jīng)由濺射施加過程施加的薄膜阻擋層、經(jīng)由原子層沉積過程施加的薄膜阻擋層等等。

在1608處，對于施加于所接收的設(shè)備的阻擋層的數(shù)量是否等于所確定的阻擋層的特定數(shù)量做出判定。如果是，則過程終止。否則，執(zhí)行另外的清潔和阻擋層施加1604、1606，直到所施加的阻擋層的數(shù)量匹配所確定的特定數(shù)量為止。所執(zhí)行的每個隨后的清潔過程1604可以包括相對于在前執(zhí)行的清潔過程不同的一個或多個清潔過程。每個隨后的阻擋層施加1606可以包括相對于在前施加的阻擋層施加不同的阻擋層、相對于在前的阻擋層施加經(jīng)由不同的施加過程施加阻擋層、其某個組合等等。

圖16b示出根據(jù)一些實(shí)施例的確定要施加以建立多層封裝疊層的特定數(shù)量的阻擋層。判定阻擋層的特定“數(shù)目”還可以指代判定阻擋層的特定“數(shù)量”。圖16b中示出的判定可以通過一個或多個控制系統(tǒng)執(zhí)行，其可以通過一個或多個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。如圖所示，判定包括在圖16a所示的判定1603中。

在1621處，接收一組或多組設(shè)備因素。這些因素用作判定一個或多個連續(xù)滲透路徑穿過包括特定數(shù)量的阻擋層的封裝疊層存在的概率的一部分。這些設(shè)備因素可以包括設(shè)備的由封裝疊層覆蓋的表面面積、施加阻擋層的區(qū)域的估計(jì)清潔度(例如，區(qū)域中每立方米體積以一定顆粒大小的顆粒的特定數(shù)量)等等。

在1623處，接收一組或多組封裝疊層因素。這些因素用作如上所述判定概率的一部分。這些封裝疊層因素可以包括以下中的一個或多個：包括在待施加的每一層中的材料、由每一層覆蓋的設(shè)備的表面面積、存在于每個阻擋層施加之前和之后的暴露表面上的顆粒的估計(jì)的分布和大小、在施加給定阻擋層時存在于每個單獨(dú)的阻擋層中的間隙空間的估計(jì)的數(shù)量、分布和大小、其某個組合等等。

在1625和1627處，判定特定概率置信水平和閾值。判定的閾值表示存在穿過封裝疊層的不多于一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的閾值可接受概率。一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑可以預(yù)先確定，并且可被確定為使得閾值概率是封裝疊層不包括穿過疊層的阻擋層的連續(xù)滲透路徑的概率。

在1629處，確定要連貫地施加的特定數(shù)量的阻擋層，使得多個連貫地施加的阻擋層共同地包括不多于特定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的在特定置信水平下的概率小于特定閾值概率值。該判定可以包括向模型施加接收的因素、置信水平和閾值，該模型確定封裝疊層包括不多于一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的在作為包括在封裝層中的至少阻擋層數(shù)量的函數(shù)的判定置信水平下的概率?？梢酝ㄟ^求解該模型確定特定數(shù)量的層，其可以包括判定概率小于概率閾值時的最小數(shù)量的阻擋層。

在一些實(shí)施例中，上述概率是封裝層不包括不多于一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的概率，閾值是包括特定數(shù)量的阻擋層的封裝層不包括不多于一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑的閾值概率。

基于因素中的一個或多個，可以以一個或多個置信水平確定包括給定數(shù)量的阻擋層的封裝疊層將不包括經(jīng)由各個阻擋層中的間隙空間的用于環(huán)境元素滲透穿過疊層的任何路徑。特定數(shù)量的層可以基于最小數(shù)量的層確定，在最小數(shù)量的層時，所形成的封裝疊層包括穿過疊層的至少一定最小數(shù)量的路徑的所確定的在特定置信水平下的概率小于閾值。在另一個示例中，特定數(shù)量的層可以基于最小數(shù)量的層確定，在最小數(shù)量的層時，所形成的封裝疊層包括穿過疊層的不多于一定最小數(shù)量的路徑的所確定的在特定置信水平下的概率大于閾值。

圖17是示出可用于一些實(shí)施例的示例計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。

在一些實(shí)施例中，實(shí)施一種或多種技術(shù)中的部分或全部的系統(tǒng)可以包括包含或構(gòu)造成訪問一個或多個計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)的通用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，比如為圖17所示的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700，上述系統(tǒng)包括但不限于構(gòu)造成至少控制多層封裝疊層在設(shè)備上施加(其中至少一個清潔過程在每個阻擋層在疊層中的每次施加之前進(jìn)行、介入連續(xù)的阻擋層施加等等)的控制系統(tǒng)的部分或全部、包括包含多層封裝疊層的設(shè)備的終端用戶裝置以及如本文中說明的各種方法、系統(tǒng)、部件、裝置和設(shè)備。在圖示的實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700包括經(jīng)由輸入/輸出(i/o)接口1730聯(lián)接至系統(tǒng)存儲器1720的一個或多個處理器1710。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700還包括聯(lián)接至i/o接口1730的網(wǎng)絡(luò)接口1740。

在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是包括一個處理器1710的單處理器系統(tǒng)或者包括數(shù)個處理器1710(例如，兩個、四個、八個或另一適當(dāng)?shù)臄?shù)量)的多處理器系統(tǒng)。處理器1710可以是能夠執(zhí)行指令的任何適當(dāng)?shù)奶幚砥鳌＠?，在各個實(shí)施例中，處理器1710可以是執(zhí)行比如為x86、powerpc、sparc或mipsisa的各種指令系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(isa)中的任一者或者任何其他適當(dāng)?shù)膇sa的通用或嵌入式處理器。在多處理器系統(tǒng)中，處理器1710中的每一個可以共同地但非必需地執(zhí)行同一isa。

系統(tǒng)存儲器1720可以構(gòu)造成存儲通過處理器1710可存取的指令和數(shù)據(jù)。在各個實(shí)施例中，可以利用任何適當(dāng)?shù)拇鎯夹g(shù)實(shí)施系統(tǒng)存儲器1720，比如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sram)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sdram)、非易失/閃速型存儲器或任何其他類型的存儲器。在圖示的實(shí)施例中，執(zhí)行一個或多個所需功能的程序指令和數(shù)據(jù)示出在系統(tǒng)存儲器1720內(nèi)存儲為代碼1725和數(shù)據(jù)1726，程序指令和數(shù)據(jù)比如為構(gòu)造成至少控制多層封裝疊層在設(shè)備上的施加(其中至少一個清潔過程在每個阻擋層在疊層中的每次施加之前進(jìn)行、介入連續(xù)的阻擋層施加等等)的控制系統(tǒng)的部分或全部，包括包含多層封裝疊層的設(shè)備的終端用戶裝置以及如本文所述的各種方法、系統(tǒng)、部件、裝置和設(shè)備。

在一個實(shí)施例中，i/o接口1730可以構(gòu)造成配位處理器1710、系統(tǒng)存儲器1720和裝置中的任何外圍設(shè)備之間的i/o通信量，外圍設(shè)備包括網(wǎng)絡(luò)接口1740或其他外圍設(shè)備接口。在一些實(shí)施例中，i/o接口1730可以執(zhí)行任何必要的協(xié)議、定時或其他數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，以將來自一個部件(例如系統(tǒng)存儲器1720)的數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換成適于被另一個部件(例如處理器1710)使用的格式。在一些實(shí)施例中，i/o接口1730可以包括用于通過各種類型的外圍總線附連的裝置的載體，外圍總線比如為例如外圍部件互連(pci)總線標(biāo)準(zhǔn)或通用串行總線(usb)標(biāo)準(zhǔn)的變型。在一些實(shí)施例中，i/o接口1730的功能可被分成兩個或更多個單獨(dú)的部件，比如為例如北橋和南橋。此外，在一些實(shí)施例中，i/o接口1730的一些或全部功能，比如接口至系統(tǒng)存儲器1720，可以直接結(jié)合到處理器1710內(nèi)。

網(wǎng)絡(luò)接口1740可被構(gòu)造成允許數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700與附連至網(wǎng)絡(luò)1750的其他裝置1760之間交換，比如圖1中例如通過16a-b示出的其他計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或裝置。在各個實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口1740可以支持經(jīng)由比如為例如以太網(wǎng)類型的任何適當(dāng)?shù)挠芯€或無線通用數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的通信。另外，網(wǎng)絡(luò)接口1740可以支持經(jīng)由比如為模擬話音網(wǎng)絡(luò)或數(shù)字光纖通信網(wǎng)絡(luò)的通訊/電話網(wǎng)絡(luò)、經(jīng)由比如為光纖通道san的存儲區(qū)域網(wǎng)或經(jīng)由任何其他適當(dāng)類型的網(wǎng)絡(luò)和/或協(xié)議的通信。

在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)存儲器1720可以是構(gòu)造成存儲用于執(zhí)行如上關(guān)于圖1至過16a-b所述的方法的實(shí)施例的程序指令和數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)的一個實(shí)施例。在其他實(shí)施例中，可以基于不同類型的計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)接收、發(fā)送或存儲程序指令和/或數(shù)據(jù)。一般而言，計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)可以包括比如為磁或光學(xué)介質(zhì)的非暫時存儲介質(zhì)或記憶介質(zhì)，例如經(jīng)由i/o接口1730聯(lián)接至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700的光盤或dvd/cd。非暫時計(jì)算機(jī)可存取存儲介質(zhì)還可以包括任何易失或非易失介質(zhì)，比如ram(例如sdram、ddrsdram、rdram、sram等等)、rom等等，其可以作為系統(tǒng)存儲器1720或另一類型的存儲器包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700的一些實(shí)施例中。此外，計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)可以包括經(jīng)由比如為網(wǎng)絡(luò)和/或無線電通信線路的通信媒介傳輸?shù)谋热鐬殡?、電磁或?shù)字信號的傳輸介質(zhì)或信號，比如可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)接口1740執(zhí)行。

各個實(shí)施例還可以包括根據(jù)對計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)的上述說明執(zhí)行的接收、發(fā)送或存儲指令和/或數(shù)據(jù)。一般而言，計(jì)算機(jī)可存取介質(zhì)可以包括比如為例如光盤或dvd/cd-rom的磁或光學(xué)介質(zhì)的存儲介質(zhì)或記憶介質(zhì)、比如為ram(例如sdram、ddr、rdram、sram等等)、rom等等的易失或非易失介質(zhì)以及經(jīng)由比如為網(wǎng)絡(luò)和/或無線電通信線路的通信媒介傳輸?shù)谋热鐬殡?、電磁或?shù)字信號的傳輸介質(zhì)或信號。

如本文中所使用的，“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”包括各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或其部件中的任一者。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一個示例是機(jī)架式服務(wù)器。如本文中所使用的，術(shù)語計(jì)算機(jī)不限于在本領(lǐng)域指代為計(jì)算機(jī)的僅這些集成電路，而是寬泛地指代處理器、服務(wù)器、微控制器、微計(jì)算機(jī)、可編程邏輯控制器(plc)、專用集成電路以及其他可編程電路，這些術(shù)語在本文中可互換地使用。在各個實(shí)施例中，存儲器可以包括但不限于比如為隨機(jī)存取存儲器(ram)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。可替代地，還可以使用光盤只讀存儲器(cd-rom)、磁性光盤(mod)和/或數(shù)字多用途光盤(dvd)。此外，另外的輸入通道可以包括與比如為鼠標(biāo)和鍵盤的操作員接口相關(guān)的計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備?？商娲?，還可以使用其他計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備，可以包括例如掃描器。此外，在一些實(shí)施例中，另外的輸出通道可以包括操作員接口監(jiān)視器和/或打印機(jī)。

如本文中所使用的，“模塊”是部件或部件的組合。模塊可以包括功能元件和系統(tǒng)，比如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、電路板、支架、通風(fēng)機(jī)、管道和配電單元以及這些為基體、框架、殼體或容器的結(jié)構(gòu)元件。

附圖中示出以及本文中說明的各種方法代表方法的示例性實(shí)施例?？梢栽谲浖⒂布蚱浣M合中實(shí)施該方法。方法的順序可以變化，各個元素可以增加、重新排序、組合、省略、修改等等。

盡管已經(jīng)非常詳細(xì)地說明了上述實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員一旦完全理解了上述公開將清楚地理解許多變型和改進(jìn)。以下權(quán)利要求旨在理解為包括所有這些變型和改進(jìn)。

在一些實(shí)施例中，ec裝置包括包含薄玻璃層板的基板，薄玻璃層板包括紙玻璃薄片和一層粘著劑。薄玻璃層板可以包括接近25微米厚的玻璃薄片。在一些實(shí)施例中，薄玻璃層板可以包括一個或多個不同的厚度。例如，薄玻璃層板可以為大約50微米厚。

在一些實(shí)施例中，光致變色或熱變色材料可以替代本文中公開的電致變色(ec)材料使用或除電致變色材料之外使用。例如，裝置的一些區(qū)域可以包括電致變色材料，包括ec薄膜疊層，而其他區(qū)域可以包括電致變色、光致變色或熱變色材料中的至少一種。適當(dāng)?shù)墓庵伦兩牧习ǖ幌抻谌蓟淄?、二苯乙烯、氮雜二苯乙烯(azastilbene)、硝酮、俘精酸酐、螺吡喃、萘并吡喃、螺噁嗪(sprio-oxazine)和醌。適當(dāng)?shù)臒嶙兩牧习ǖ幌抻谝籂罹w和無色染料。光致變色和熱變色材料兩者可以以已知方式形成在基板上。由于光和熱分別調(diào)節(jié)材料的特性，因此將不需要用于光致變色或熱變色動態(tài)區(qū)域的總線、電極等等。利用光致變色和/或熱變色動態(tài)區(qū)域的一個示例性實(shí)施例可以是具有至少一個電致變色動態(tài)區(qū)域、至少一個光致變色動態(tài)區(qū)域和至少第二電致變色區(qū)域的窗口，至少一個電致變色動態(tài)區(qū)域朝向?qū)τ谌展獗恢鲃涌刂频拇翱诘捻敳恳栽谝粋€或多個特定的傳輸模式等等之間選擇性地切換，至少一個光致變色動態(tài)區(qū)域朝向當(dāng)在直射光下自身加深的窗口的底部，第二電致變色區(qū)域定位在裝置的另一個區(qū)域中。

在一些實(shí)施例中，一個或多個ec裝置可被用作用于照相機(jī)裝置的光圈濾光器、虹膜等等，并且可以構(gòu)造成選擇性地變跡，如以上進(jìn)一步討論的。在一些實(shí)施例中，一個或多個ec裝置可以包括在建筑‘母板’中，建筑‘母板’可以在進(jìn)一步處理之前運(yùn)輸延長的距離。在一些實(shí)施例中，一個或多個ec裝置可以包括在一個或多個單方格窗口中用于運(yùn)輸應(yīng)用和其中重量比較重要的其他用途。在一些實(shí)施例中，一個或多個ec裝置，包括包含單個基板的一個或多個ec裝置可被用于在用于手持式裝置、計(jì)算機(jī)等等的顯示器上隱藏或顯示信息。在一些實(shí)施例中，一個或多個ec裝置可被用于動態(tài)護(hù)目鏡。

此外，應(yīng)該理解的是，本文中公開的主題的一個實(shí)施例可以包括具有單方格或精簡結(jié)構(gòu)的窗口，包括建筑窗口，其包括多個獨(dú)立控制的動態(tài)區(qū)域。本文中公開的主題的另一個實(shí)施例包括中空玻璃單元(“igu”)，其包括位于一個方格上的多個電致變色窗口區(qū)域和另一方格上的透明玻璃。本文中公開的主題的再一個實(shí)施例包括igu，igu包括位于一個方格上的多個電致變色窗口區(qū)域和位于另一方格上的低-e、染色或反射玻璃。本文中公開的主題的還一個實(shí)施例包括以下igu，其包括位于igu的一個方格上的多個電致變色窗口區(qū)域和位于另一個方格上的圖案或特種玻璃，其中圖案或特征可以匹配、符合和/或?qū)φ盏谝环礁裆系膭討B(tài)區(qū)域的面積。應(yīng)該理解的是，上述實(shí)施例可被配置、構(gòu)造等等，使得包括多個動態(tài)區(qū)域的精簡結(jié)構(gòu)是清晰的精簡結(jié)構(gòu)、低e精簡結(jié)構(gòu)、反射器和/部分地反射精簡結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，包括參照圖1-17中的一個或多個說明和公開的ec裝置、終端用戶裝置、控制系統(tǒng)等等中的一個或多個的一個或多個ec裝置可以包括在各個應(yīng)用中，包括ec顯示器、運(yùn)輸窗口、建筑玻璃應(yīng)用等等。