本申請(qǐng)涉及電子系統(tǒng)，更特別地，涉及射頻(rf)耦合器。
背景技術(shù)：
：射頻(rf)源，諸如rf放大器，可提供rf信號(hào)。當(dāng)rf源產(chǎn)生的rf信號(hào)被提供給諸如天線之類的負(fù)載時(shí)，rf信號(hào)的一部分可能會(huì)從負(fù)載反射回來。rf耦合器可包括在rf源和負(fù)載之間的信號(hào)路徑中以提供從rf放大器行進(jìn)到負(fù)載的rf信號(hào)的正向rf功率的指示和/或從負(fù)載反射回來的反向rf功率的指示。rf耦合器包括例如定向耦合器、雙向定向耦合器(bi-directionalcoupler)、多頻帶耦合器(例如，雙頻帶耦合器)等。rf耦合器可具有耦合端口(coupledport)、隔離端口、功率輸入端口和功率輸出端口。當(dāng)端接阻抗(terminationimpedance)呈現(xiàn)給隔離端口時(shí)，可在耦合端口處提供從功率輸入端口行進(jìn)到功率輸出端口的正向rf功率的指示。當(dāng)端接阻抗呈現(xiàn)給耦合端口時(shí)，可在隔離端口處提供從功率輸出端口行進(jìn)到功率輸入端口的反向rf功率的指示。在各種常規(guī)rf耦合器中，端接阻抗由50ohm的分流電阻器實(shí)施。rf耦合器具有耦合系數(shù)，其可表示相對(duì)于功率輸入端口處的rf信號(hào)的功率，多少功率被提供給rf耦合器的耦合端口。rf耦合器通常在rf信號(hào)路徑中引起插入損耗。因此，在rf耦合器的功率輸入端口處接收到的rf信號(hào)當(dāng)在rf耦合器的功率輸出端口處提供時(shí)可具有更低的功率。插入損耗可歸因于rf信號(hào)的一部分被提供給耦合端口(或隔離端口)，及/或歸因于與rf耦合器的主傳輸線路相關(guān)聯(lián)的損耗。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在權(quán)利要求中描述的發(fā)明創(chuàng)造每個(gè)都具有若干方面，沒有單個(gè)方面是引起其期望特性的唯一原因。在不限制權(quán)利要求范圍的情況下，下面將簡(jiǎn)要描述本申請(qǐng)的一些突出特征。本申請(qǐng)的一個(gè)方面是一種裝置，其包括射頻耦合器。所述射頻耦合器包括功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口、多段式耦合線路、以及配置為調(diào)節(jié)所述多段式耦合線路的有效長(zhǎng)度的開關(guān)。所述多段式耦合線路的有效長(zhǎng)度可為電連接在所述耦合端口和端接阻抗之間的耦合線路的長(zhǎng)度。所述多段式耦合線路可至少包括第一段和第二段，所述開關(guān)串聯(lián)設(shè)置在所述第一段和所述第二段之間。所述射頻耦合器還可包括第二開關(guān)，所述多段式耦合線路可包括第三段，所述第二開關(guān)可配置為將所述第三段選擇性電連接到所述耦合端口。所述裝置還可包括可電耦接到所述多段式耦合線路的第一段的第一端接阻抗元件和可電耦接到所述多段式耦合線路的第二段的第二端接阻抗元件。所述裝置還可包括可電連接到所述多段式耦合線路的一段的可調(diào)端接阻抗電路，其中所述可調(diào)端接阻抗電路配置為提供端接阻抗給所述多段式耦合線路的所述段。所述裝置還可包括可調(diào)端接阻抗電路和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其中所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為將所述可調(diào)端接阻抗電路選擇性電耦接到所述多段式耦合線路的第一段，以及將所述可調(diào)端接阻抗電路選擇性電耦接到所述多段式耦合線路的第二段。所述射頻耦合器可包括由電連接所述功率輸入端口和所述功率輸出端口的連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的主線路。所述射頻耦合器可配置為操作在解耦狀態(tài)，在解耦狀態(tài)中所述多段式耦合線路的每段從電連接所述功率輸入端口和所述功率輸出端口的主線路解耦。所述裝置還可包括開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其布置為將所述射頻耦合器配置成提供正向功率指示的第一狀態(tài)和提供反射功率指示的第二狀態(tài)。所述裝置可包括配置為調(diào)節(jié)所述開關(guān)的狀態(tài)的控制電路。所述裝置還可包括開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其配置為在第一狀態(tài)時(shí)將第一阻抗元件電耦接到所述多段式耦合線路的第一段的第一端，將所述多段式耦合線路的第一段的第二端電耦接到功率輸出，以及在第二狀態(tài)時(shí)將第二阻抗元件電耦接到所述多段式耦合線路的第二段的第一端，將所述多段式耦合線路的第二段的第二端電耦接到所述功率輸出。所述裝置還可包括包封所述射頻耦合器的封裝。所述裝置還可包括與所述射頻耦合器通信的天線開關(guān)模塊，其中所述天線開關(guān)模塊被包封在所述封裝內(nèi)。所述裝置還可包括配置為通過所述天線開關(guān)模塊將射頻信號(hào)提供給所述射頻耦合器的功率放大器，其中所述功率放大器被包封在所述封裝內(nèi)。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻耦合器，所述射頻耦合器包括功率輸入端口、功率輸出端口、配置為提供行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的射頻信號(hào)的功率指示的端口、以及耦合線路。所述耦合線路至少包括第一段和第二段。所述射頻耦合器還包括電連接到所述耦合線路的第一段和所述耦合線路的第二段之間的路徑中的節(jié)點(diǎn)的開關(guān)。所述開關(guān)配置為調(diào)節(jié)電連接在配置為提供功率指示的端口和端接阻抗之間的耦合線路的長(zhǎng)度。配置為提供行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的射頻信號(hào)的功率指示的所述端口可為提供從所述功率輸入端口行進(jìn)到所述功率輸出端口的功率指示的耦合端口。配置為提供行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的射頻信號(hào)的功率指示的所述端口可為提供從所述功率輸出端口行進(jìn)到所述功率輸入端口的功率指示的隔離端口。所述開關(guān)可串聯(lián)設(shè)置在所述第一段和所述第二段之間。所述射頻耦合器還可包括所述耦合線路的第三段和串聯(lián)設(shè)置在所述第二段和所述第三段之間的第二開關(guān)，其中所述第二開關(guān)配置為將所述第三段選擇性電連接到配置為提供行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的所述射頻信號(hào)的功率指示的所述端口。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻耦合器。所述射頻耦合器包括功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和耦合線路，所述耦合線路具有對(duì)所述射頻耦合器的耦合系數(shù)有貢獻(xiàn)的可調(diào)有效長(zhǎng)度。所述耦合線路可包括可彼此串聯(lián)電連接的多個(gè)段，其中所述多個(gè)段中的每個(gè)段可選擇性電耦接到所述耦合端口。所述射頻耦合器還可包括設(shè)置在所述多個(gè)段中的兩個(gè)相鄰段之間的開關(guān)，其中所述開關(guān)配置為響應(yīng)于控制信號(hào)將所述兩個(gè)相鄰段選擇性電耦接到彼此。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)至少可配置成第一狀態(tài)和第二狀態(tài)。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為在所述第一狀態(tài)中將端接阻抗電連接到所述隔離端口，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為在所述第二狀態(tài)中將行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的rf信號(hào)從所述隔離端口和所述耦合端口解耦。所述rf耦合器還可包括至少一個(gè)耦合系數(shù)開關(guān)，其配置為調(diào)節(jié)電連接到所述耦合端口的所述rf耦合器的多段式耦合線路的有效長(zhǎng)度。所述耦合系數(shù)開關(guān)可配置為在所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)操作在所述第二狀態(tài)時(shí)電隔離所述多段式耦合線路的兩個(gè)相鄰段。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置為調(diào)節(jié)電耦接到所述隔離端口的端接阻抗。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置為響應(yīng)于指示選定頻率帶的信號(hào)而調(diào)節(jié)電耦接到所述隔離端口的端接阻抗。所述裝置可包括控制電路，其配置為將所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)從所述第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙顟B(tài)。替代地或附加地，所述控制電路可配置為至少部分地基于控制信號(hào)調(diào)節(jié)電連接到所述隔離終端的端接阻抗。所述控制信號(hào)可指示所述裝置的功率模式或操作頻帶中的至少一個(gè)。所述裝置可包括具有連接節(jié)點(diǎn)的端接阻抗電路，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置成第三狀態(tài)，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置為在所述第一狀態(tài)中將所述隔離端口電連接到所述連接節(jié)點(diǎn)，以將所述端接阻抗電連接到所述隔離端口，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置為在第三狀態(tài)下將所述連接節(jié)點(diǎn)電連接到所述耦合端口。所述端接阻抗可由在所述隔離端口和基準(zhǔn)電勢(shì)之間串聯(lián)的至少兩個(gè)開關(guān)和至少兩個(gè)無源阻抗元件實(shí)現(xiàn)。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口、隔離端口、主線路和耦合線路。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)至少可配置成第一狀態(tài)和第二狀態(tài)。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為在所述第一狀態(tài)下，將端接阻抗電連接到所述隔離端口或所述耦合端口中的一個(gè)。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為在所述第二狀態(tài)下，將所述耦合線路從所述主線路解耦。所述裝置可包括所述端接阻抗。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置成第三狀態(tài)，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置成在所述第三狀態(tài)下，將另一端接阻抗電連接到所述隔離端口或所述耦合端口中的另一個(gè)。替代地，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可配置成第三狀態(tài)，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置成在所述第三狀態(tài)下，將所述端接阻抗電連接到所述隔離端口或所述耦合端口中的另一個(gè)。所述裝置可包括與所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)通信的控制電路，所述控制電路可配置為控制所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)從所述第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙顟B(tài)。所述裝置可配置為封裝模塊，其包括包封所述rf耦合器和所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的封裝。所述耦合線路可至少包括第一段和第二段，所述rf耦合器還可包括耦合系數(shù)開關(guān)，其配置為當(dāng)接通時(shí)將所述第一段電連接到所述第二段，當(dāng)斷開時(shí)將所述第一段從所述第二段電解耦。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器、開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和控制電路。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口、隔離端口、電連接功率輸入端口和功率輸出端口的主線路、以及電連接耦合端口和隔離端口的耦合線路。所述控制電路配置為在第一操作模式下，控制所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)以將所述隔離端口和所述耦合端口從一個(gè)或多個(gè)端接阻抗電解耦，以將所述耦合線路從所述主線路電解耦。所述控制電路還配置為在第二操作模式下，控制所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)以將所述耦合端口或所述隔離端口中的一個(gè)電連接到所述一個(gè)或多個(gè)端接阻抗中的至少一個(gè)，以在所述第二操作模式下提供行進(jìn)在所述功率輸入端口和所述功率輸出端口之間的射頻信號(hào)的功率指示。所述控制電路可配置為在所述第二操作模式下，控制所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)以將所述隔離端口電連接到所述一個(gè)或多個(gè)端接阻抗中的所述一個(gè)，所述射頻信號(hào)的功率指示可表示從所述功率輸入端口行進(jìn)到所述功率輸出端口的正向射頻功率。所述控制電路還可配置為在第三操作模式下，控制所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)將所述耦合端口電連接到所述一個(gè)或多個(gè)端接阻抗中的另一個(gè)，以提供從所述功率輸出端口行進(jìn)到所述功率輸入端口的射頻信號(hào)的功率指示。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器、端接阻抗電路和開關(guān)電路。所述rf耦合器至少具有配置為接收rf信號(hào)的功率輸入端口、耦合端口和隔離端口。所述rf耦合器配置為在正向功率狀態(tài)下在耦合端口處提供所述rf信號(hào)的正向rf功率的指示，在反向功率狀態(tài)下在隔離端口處提供所述rf信號(hào)的反向rf功率的指示。所述端接阻抗電路配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述開關(guān)電路配置為在正向功率狀態(tài)下將所述端接阻抗電路電連接到所述隔離端口，在反向功率狀態(tài)下將所述端接阻抗與所述rf耦合器的隔離端口電隔離。所述裝置可包括第二端接阻抗電路，其配置為提供第二可調(diào)端接阻抗，所述開關(guān)電路可配置為將所述第二端接阻抗電路選擇性電連接到所述rf耦合器的耦合端口，以及將所述第二端接阻抗電路與所述rf耦合器的耦合端口選擇性電隔離。所述開關(guān)電路可配置為當(dāng)所述開關(guān)電路將所述隔離端口與所述端接阻抗電路隔離時(shí)，將所述端接阻抗電路電連接到所述耦合端口。所述裝置可包括存儲(chǔ)器和控制電路，所述控制電路布置為基于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)至少配置所述端接阻抗電路的一部分。所述裝置可具有解耦狀態(tài)，在解耦狀態(tài)中所述rf耦合器的耦合線路與所述rf耦合器的傳輸線路解耦。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器、端接阻抗電路和隔離開關(guān)。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述端接阻抗電路配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述隔離開關(guān)設(shè)置在所述隔離端口和所述端接阻抗電路之間。所述隔離開關(guān)配置為當(dāng)所述隔離開關(guān)接通時(shí)，將所述隔離端口電連接到所述端接阻抗電路，使得所述耦合端口提供從所述功率輸入端口行進(jìn)到所述功率輸出端口的rf功率的指示。所述隔離開關(guān)配置為當(dāng)所述隔離開關(guān)斷開時(shí)，將所述隔離端口與所述端接阻抗電路電隔離。所述隔離開關(guān)可為單刀、單擲開關(guān)。所述隔離開關(guān)可包括串聯(lián)-分流-串聯(lián)電路拓?fù)?。所述裝置可包括配置為提供第二可調(diào)端接阻抗的第二端接阻抗電路和第二隔離開關(guān)，其中所述第二隔離開關(guān)設(shè)置在所述第二端接阻抗電路和所述耦合端口之間。所述裝置可包括設(shè)置在所述端接阻抗電路和所述耦合端口之間的第二隔離開關(guān)，其中所述第二隔離開關(guān)配置為當(dāng)所述第二隔離開關(guān)接通時(shí)，將所述耦合端口電連接到所述端接阻抗電路，使得所述隔離端口提供從所述功率輸出端口行進(jìn)到所述功率輸入端口的rf功率的指示，并且所述第二隔離開關(guān)配置為當(dāng)所述第二隔離開關(guān)斷開時(shí)，將所述耦合端口與所述端接阻抗電路電隔離。所述端接阻抗電路可包括多個(gè)開關(guān)和多個(gè)無源阻抗元件。所述多個(gè)開關(guān)中的至少一個(gè)開關(guān)和所述隔離開關(guān)可串聯(lián)在所述多個(gè)無源阻抗元件中的每個(gè)和所述隔離端口之間。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)電路。所述rf耦合器至少具有配置為接收rf信號(hào)的功率輸入端口、耦合端口和隔離端口。所述rf耦合器配置為在正向功率狀態(tài)下在所述耦合端口處提供所述rf信號(hào)的正向rf功率的指示，在反向功率狀態(tài)下在所述隔離端口處提供所述rf信號(hào)的反向rf功率的指示。所述端接阻抗電路配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述開關(guān)電路配置為將所述端接阻抗電路選擇性電連接到所述rf耦合器的選定端口，以及將所述端接阻抗電路與所述rf耦合器的所述選定端口選擇性電隔離，其中所述選定端口為所述隔離端口或所述耦合端口。所述裝置可包括配置為提供第二可調(diào)端接阻抗的第二端接阻抗電路，所述選定端口為所述隔離端口，所述開關(guān)電路可配置為將所述第二端接阻抗電路選擇性電連接到所述rf耦合器的耦合端口，以及將所述第二端接阻抗電路與所述rf耦合器的耦合端口選擇性電隔離。所述選定端口可為所述隔離端口，所述開關(guān)電路可配置為在所述開關(guān)電路將所述隔離端口與所述端接阻抗電路隔離時(shí)，將所述端接阻抗電路電連接到所述耦合端口。所述裝置可包括控制電路，其配置為至少部分基于所述rf信號(hào)的頻率的指示，調(diào)節(jié)所述可調(diào)端接阻抗。所述裝置可包括存儲(chǔ)器和控制電路，其中所述控制電路布置為基于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)配置所述端接阻抗電路的至少一部分。所述端接阻抗電路可包括設(shè)置在所述開關(guān)電路和無源阻抗元件之間的開關(guān)。所述端接阻抗電路可包括至少兩個(gè)開關(guān)和至少兩個(gè)無源阻抗元件，其中所述兩個(gè)開關(guān)和所述兩個(gè)無源阻抗元件串聯(lián)設(shè)置在所述開關(guān)電路和地之間。所述端接阻抗電路可包括彼此并聯(lián)設(shè)置的開關(guān)的開關(guān)組和無源阻抗元件，其中所述開關(guān)組中的每個(gè)開關(guān)設(shè)置在所述開關(guān)電路和所述無源阻抗元件中的相應(yīng)無源阻抗元件之間。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器和端接阻抗電路。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述端接阻抗電路配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述端接阻抗電路包括兩個(gè)開關(guān)和一個(gè)無源阻抗元件，它們串聯(lián)在基準(zhǔn)電勢(shì)和所述rf耦合器的選定端口之間。所述rf耦合器的選定端口為所述rf耦合器的隔離端口或所述rf耦合器的耦合端口中的一個(gè)。所述選定端口可為隔離端口。所述兩個(gè)開關(guān)和一個(gè)無源阻抗元件也串聯(lián)在所述耦合端口和所述基準(zhǔn)電勢(shì)之間。所述基準(zhǔn)電勢(shì)可為地。所述選定端口可為耦合端口。所述無源阻抗元件可串聯(lián)耦接在所述兩個(gè)開關(guān)之間。所述兩個(gè)開關(guān)中的至少一個(gè)可配置為響應(yīng)于指示工藝變化或操作頻帶中的至少一個(gè)的控制信號(hào)而改變狀態(tài)。所述端接阻抗電路可包括第二無源阻抗元件，其中所述兩個(gè)開關(guān)、所述無源阻抗元件和所述第二無源阻抗元件可串聯(lián)在所述基準(zhǔn)電勢(shì)和所述rf耦合器的選定端口之間。所述無源阻抗元件可為電阻器，所述第二無源阻抗元件可為電感器。替代地，所述無源阻抗元件可為電容器，所述第二無源阻抗元件可為電感器。另外替代地，所述無源阻抗元件可為電阻器，所述第二無源阻抗元件可為電容器。所述端接阻抗電路可包括電阻器、電容器和電感器。所述端接阻抗電路可包括多個(gè)無源阻抗元件和開關(guān)組，其中所述多個(gè)無源阻抗元件包括所述無源阻抗元件，所述開關(guān)組包括所述兩個(gè)開關(guān)中的一個(gè)，所述端接阻抗電路包括所述開關(guān)組中的每個(gè)開關(guān)和所述多個(gè)無源阻抗元件中的相應(yīng)無源阻抗元件的串聯(lián)組合，這些串聯(lián)組合彼此并聯(lián)布置。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器和端接阻抗電路。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述端接阻抗電路配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述端接阻抗電路包括電阻器、開關(guān)、以及串聯(lián)布置在基準(zhǔn)電勢(shì)和所述rf耦合器的選定端口之間的無源阻抗元件。所述選定端口為所述rf耦合器的隔離端口或所述rf耦合器的耦合端口中的一個(gè)。所述無源阻抗元件包括電容器或電感器中的至少一個(gè)。所述裝置可包括第二開關(guān)，其中所述第二開關(guān)與所述開關(guān)串聯(lián)布置在所述基準(zhǔn)電勢(shì)和所述rf耦合器的選定端口之間。所述rf耦合器可配置為在第一狀態(tài)下在所述耦合端口處提供正向功率的指示，在第二狀態(tài)下在所述隔離端口處提供反射功率的指示。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器和端接阻抗電路。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述端接阻抗電路包括無源阻抗元件和開關(guān)。所述開關(guān)配置為響應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)選擇性電連接所述隔離端口和地之間無源阻抗元件的子集。所述無源阻抗元件的子集包括在所述隔離端口和地之間彼此串聯(lián)電連接的兩個(gè)無源阻抗元件。所述兩個(gè)無源阻抗元件包括電阻器或電感器中的至少一個(gè)。所述無源阻抗元件的子集可包括電阻器、電容器或電感器中的至少兩個(gè)。所述一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)中的至少一個(gè)可指示工藝變化或操作頻帶中的至少一個(gè)。所述裝置可包括設(shè)置在所述端接阻抗電路和所述rf耦合器的隔離端口之間的隔離開關(guān)。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括射頻(rf)耦合器、端接電路、存儲(chǔ)器和控制電路。所述rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述端接電路配置為將可調(diào)端接阻抗提供給所述隔離端口或所述耦合端口中的至少一個(gè)。所述端接電路包括開關(guān)和無源阻抗元件。所述存儲(chǔ)器配置為存儲(chǔ)用于設(shè)置所述端接電路的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)的數(shù)據(jù)。所述控制電路與所述存儲(chǔ)器通信。所述控制電路配置為至少部分地基于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)來設(shè)置所述一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可指示工藝變化。替代地或附加地，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可指示應(yīng)用參數(shù)。所述存儲(chǔ)器可包括永久性存儲(chǔ)元件，諸如熔絲元件。所述存儲(chǔ)器可與所述控制電路或所述端接電路中的至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)在同一晶片上。所述裝置可包括包封所述存儲(chǔ)器和所述rf耦合器的封裝。所述裝置可包括設(shè)置在所述端接電路和所述rf耦合器之間的開關(guān)。所述端接阻抗電路可在第一狀態(tài)下耦接到所述隔離端口，在第二狀態(tài)下耦接到所述耦合端口。本申請(qǐng)的另一方面是一種電子實(shí)施的方法，包括：獲得指示射頻(rf)耦合器的一端口處的期望端接阻抗的數(shù)據(jù)；以及將所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在物理存儲(chǔ)器中，使得所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可由控制電路訪問，其中所述控制電路布置為至少部分地基于存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)來配置電連接到所述rf耦合器的所述端口的端接電路的至少一部分。存儲(chǔ)到所述物理存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)指示工藝變化和/或應(yīng)用參數(shù)。所述物理存儲(chǔ)器可為永久性存儲(chǔ)器。所述物理存儲(chǔ)器可包括熔絲元件。所述端口可為所述rf耦合器的隔離端口。替代地，所述端口可為所述rf耦合器的耦合端口。所述控制電路可配置為至少部分地基于存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)來設(shè)置電連接到所述rf耦合器的端口的端接電路的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。所述方法可包括至少部分地基于存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)來設(shè)置所述端接電路的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括雙向定向射頻(rf)耦合器、端接阻抗電路、以及至少具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)的開關(guān)電路。所述開關(guān)電路配置為在不同狀態(tài)下將所述端接阻抗電路電連接到所述雙向定向rf耦合器的不同端口。所述不同端口可包括所述rf耦合器的隔離端口和所述rf耦合器的耦合端口。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括雙向定向射頻(rf)耦合器，所述雙向定向rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述裝置還包括一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)阻抗電路，其配置為在第一操作模式下向所述隔離端口呈現(xiàn)第一阻抗，在第二操作模式下向所述耦合端口呈現(xiàn)第二端接阻抗。所述裝置可包括控制電路，其配置為使所述一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)電路改變狀態(tài)。所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接電路可包括呈現(xiàn)所述第一端接阻抗的第一端接阻抗電路和呈現(xiàn)所述第二端接阻抗的第二端接阻抗電路。替代地，所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接電路可包括呈現(xiàn)所述第一端接阻抗和所述第二端接阻抗的共享端接阻抗。所述一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)電路可包括開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和配置為提供所述第一端接阻抗的無源阻抗元件。所述無源阻抗元件可包括多個(gè)電阻器，每個(gè)電阻器具有電連接到所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的相應(yīng)開關(guān)的第一端和電連接到地的第二端。所述一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)電路可包括可調(diào)電阻、可調(diào)電容或可調(diào)電感中的至少一個(gè)。所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路可配置為用在所述隔離端口和地之間串聯(lián)的至少兩個(gè)開關(guān)和至少兩個(gè)無源阻抗元件呈現(xiàn)所述第一阻抗。所述一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)電路可配置為至少部分基于指示提供給所述rf耦合器的射頻信號(hào)的頻帶的控制信號(hào)來調(diào)節(jié)所述第二端接阻抗。替代地或附加地，所述一個(gè)或多個(gè)端接可調(diào)電路可配置為至少部分基于指示所述裝置的功率模式的控制信號(hào)來調(diào)節(jié)所述第二端接阻抗。所述裝置可包括設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路和所述隔離端口之間的隔離開關(guān)，其中所述隔離開關(guān)配置為在接通時(shí)將所述隔離端口電連接到所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)阻抗電路中的至少一個(gè)，在斷開時(shí)將所述隔離端口與所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)阻抗電路電隔離。所述裝置還可包括設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路和所述耦合端口之間的第二隔離開關(guān)，其中所述第二隔離開關(guān)配置為在接通時(shí)將所述耦合端口電連接到所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路中的至少一個(gè)，在斷開時(shí)將所述耦合端口與所述一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路電隔離。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括雙向定向rf耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)電路。所述雙向定向rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述開關(guān)電路至少具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)。所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置為在所述第一狀態(tài)中將所述端接阻抗電路電連接到所述隔離端口，在所述第二狀態(tài)中將所述端接阻抗電路電連接到所述耦合端口。所述端接阻抗電路可配置為提供可調(diào)端接阻抗。所述端接阻抗電路可包括多個(gè)開關(guān)和多個(gè)無源阻抗元件。所述端接阻抗電路的所述開關(guān)中的至少一個(gè)和所述開關(guān)電路的至少一個(gè)開關(guān)串聯(lián)在所述rf耦合器的隔離端口和所述端接阻抗電路的每個(gè)無源阻抗元件之間。本申請(qǐng)的另一方面是一種裝置，其包括雙向定向射頻(rf)耦合器、第一可調(diào)端接阻抗電路、以及與所述第一可調(diào)端接阻抗電路分開的第二可調(diào)端接阻抗電路。所述雙向定向rf耦合器至少具有功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。所述第一可調(diào)端接阻抗電路配置為當(dāng)從所述功率輸入端口行進(jìn)到所述功率輸出端口的rf功率的一部分被提供給所述耦合端口時(shí)，將第一端接阻抗提供給所述隔離端口。所述第一可調(diào)端接阻抗電路配置為改變狀態(tài)以調(diào)節(jié)所述第一端接阻抗。所述第二可調(diào)端接阻抗電路配置為當(dāng)從所述功率輸出端口行進(jìn)到所述功率輸入端口的rf功率的一部分被提供給所述隔離端口時(shí)，將第二端接阻抗提供給所述耦合端口。所述第二可調(diào)端接阻抗電路配置為改變狀態(tài)以調(diào)節(jié)所述第二端接阻抗。所述第一可調(diào)端接阻抗電路可包括第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和提供所述第一端接阻抗的第一端接阻抗電路。所述第一可調(diào)端接阻抗電路可包括可調(diào)電阻、可調(diào)電容和可調(diào)電感中的至少一個(gè)。所述第二可調(diào)端接阻抗電路可配置為至少部分基于指示提供給所述rf耦合器的射頻信號(hào)的頻帶或所述裝置的功率模式中的至少一個(gè)的控制信號(hào)來調(diào)節(jié)所述第二端接阻抗。出于概述本申請(qǐng)的目的，本文已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎特征。可以理解的是，所有的這些優(yōu)點(diǎn)不一定都要根據(jù)本發(fā)明的任何特定實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)。因此，可以按照實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如本文所教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)的方式來實(shí)施或?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明，而不需要實(shí)現(xiàn)如本文可能教導(dǎo)或建議的其他優(yōu)點(diǎn)。附圖說明下面將參照附圖以非限制性示例的方式描述本申請(qǐng)的實(shí)施例。圖1為射頻耦合器配置為提取在功率放大器和天線之間行進(jìn)的射頻信號(hào)的一部分功率的示意性框圖。圖2為射頻耦合器配置為提取在天線開關(guān)模塊和天線之間行進(jìn)的射頻信號(hào)的一部分功率的示意性框圖。圖3a為根據(jù)一實(shí)施例的包括射頻耦合器和可調(diào)端接阻抗電路的電子系統(tǒng)的示意圖。圖3b為示出在圖3a所示的射頻耦合器的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的用于不同端接阻抗設(shè)置的信號(hào)的曲線圖。圖3c為示出針對(duì)不同的端接阻抗設(shè)置，圖3a所示的射頻耦合器的方向性(directivity)對(duì)頻率的關(guān)系的曲線圖。圖4為示出以與圖3a中不同的狀態(tài)配置的圖3a的電子系統(tǒng)的示意圖。在圖4中，電子系統(tǒng)配置為提取沿與圖3a中相反的方向行進(jìn)的射頻信號(hào)的一部分功率。圖5為示出以與圖3a中不同的狀態(tài)配置的圖3a的電子系統(tǒng)的示意圖。在圖5中，電子系統(tǒng)配置為解耦狀態(tài)(decoupledstate)。圖6a為示出圖3a的端接阻抗電路可由可調(diào)電阻電路、可調(diào)電容電路和/或可調(diào)電感電路來實(shí)施的示意圖。圖6b為示出圖3a的端接阻抗電路可包括多個(gè)電阻器的示意圖。圖7a為根據(jù)一示例的具有電連接到耦合端口的長(zhǎng)度可調(diào)的耦合線路的射頻耦合器的示意圖。圖7b為示出圖7a所示的射頻耦合器的插入損耗曲線的曲線圖。圖7c為示出圖7a所示的射頻耦合器的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。圖8a為配置成第二狀態(tài)的圖7a的射頻耦合器的示意圖，在第二狀態(tài)中，耦合線路的三段中的兩段電連接到耦合端口。圖8b為示出在圖8a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的插入損耗曲線的曲線圖。圖8c為示出在圖8a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。圖9a為配置成第三狀態(tài)的圖7a的射頻耦合器的示意圖，在第三狀態(tài)中，耦合線路的三段中的一段電連接到耦合端口。圖9b為示出在圖9a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的插入損耗曲線的曲線圖。圖9c為示出在圖9a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。圖10a為配置成第四狀態(tài)的圖7a的射頻耦合器的示意圖，在第四狀態(tài)中，耦合線路從主線路解耦。圖10b為示出在圖10a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的插入損耗曲線的曲線圖。圖10c為示出在圖10a所示狀態(tài)中的射頻耦合器的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。圖11a為示出具有連續(xù)耦合線路的rf耦合器的插入損耗對(duì)頻率的曲線的曲線圖。圖11b為示出具有多段式耦合線路的rf耦合器的插入損耗對(duì)頻率的曲線的曲線圖。圖12a為示出具有連續(xù)耦合線路的rf耦合器的耦合系數(shù)對(duì)頻率的曲線的曲線圖。圖12b為示出具有多段式耦合線路的rf耦合器的耦合系數(shù)對(duì)頻率的曲線的曲線圖。圖13a為根據(jù)一實(shí)施例的具有多段式耦合線路的射頻耦合器的示意圖，每段可耦合多個(gè)端接阻抗。圖13b為示出與圖13a的射頻耦合器相關(guān)聯(lián)的對(duì)應(yīng)于兩個(gè)不同的端接阻抗的曲線的曲線圖。圖13c為根據(jù)另一實(shí)施例的具有多段式耦合線路的射頻耦合器的示意圖，每段可耦合多個(gè)端接阻抗。圖14為根據(jù)一實(shí)施例的在耦合線路中具有級(jí)聯(lián)段(cascadedsection)的射頻耦合器的示意圖。圖15為根據(jù)一實(shí)施例的具有多個(gè)層的射頻耦合器的示意圖，在所述多個(gè)層中，多個(gè)耦合線路段可共享同一主線路。圖16a為根據(jù)一實(shí)施例的射頻耦合器、配置為提供可調(diào)端接阻抗的端接阻抗電路、以及耦接在射頻耦合器和端接阻抗電路之間的隔離開關(guān)的示意圖。圖16b為示出圖16a所示的射頻耦合器的、針對(duì)兩個(gè)不同頻率優(yōu)化的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的信號(hào)的曲線圖。圖17a為根據(jù)另一實(shí)施例的射頻耦合器、配置為提供可調(diào)端接阻抗的端接阻抗電路、以及耦接在射頻耦合器和端接阻抗電路之間的隔離開關(guān)的示意圖。圖17b為示出圖17a所示的射頻耦合器的、針對(duì)兩個(gè)不同頻率優(yōu)化的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的信號(hào)的曲線圖。圖18為根據(jù)一實(shí)施例的設(shè)置端接阻抗電路中的開關(guān)狀態(tài)的示例過程的流程圖。圖19a為根據(jù)一實(shí)施例的射頻耦合器和通過開關(guān)可電耦接到射頻耦合器的隔離端口或耦合端口的端接阻抗電路的示意圖。圖19b和圖19c為根據(jù)某些實(shí)施例的圖19a的開關(guān)的示意圖。圖20為根據(jù)一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將端接阻抗電路之一電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖21為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將端接阻抗電路之一電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖22a為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將所述端接阻抗電路中的選定的端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖22b為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將所述端接阻抗電路中的選定的端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖22c為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將一端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖23a為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將所述端接阻抗電路中的選定的端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖23b為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將所述端接阻抗電路中的選定的端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖24為根據(jù)另一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、共享的端接阻抗電路、以及開關(guān)，所述開關(guān)配置為選擇性地將所述共享的端接阻抗電路電連接到所述多段式耦合線路中的選定段。圖25a為根據(jù)一實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖，該電子系統(tǒng)包括具有多段式耦合線路的射頻耦合器、多個(gè)端接阻抗電路、以及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。圖25b示出根據(jù)一實(shí)施例的圖25a的示例端接阻抗電路。圖26a至圖26c示出可包括本文論述的任何射頻耦合器的示例模塊。圖26a為包括射頻耦合器的封裝模塊的框圖。圖26b為包括射頻耦合器和天線開關(guān)模塊的封裝模塊的框圖。圖26c為包括射頻耦合器、天線開關(guān)模塊和功率放大器的封裝模塊的框圖。圖27為可包括本文論述的任何射頻耦合器的示例無線裝置的示意性框圖。具體實(shí)施方式下面對(duì)某些實(shí)施例的詳細(xì)描述給出了對(duì)特定實(shí)施例的各種描述。然而，本文描述的發(fā)明創(chuàng)造可以以許多不同的方式來體現(xiàn)，例如，如權(quán)利要求所定義且涵蓋的那樣。在本說明書中，參考了附圖，附圖中相似的附圖標(biāo)記可表示相同或功能類似的元件。可理解，附圖所示的元件不一定是按比例繪制的。此外可理解，某些實(shí)施例可包括比附圖所示的元件更多的元件和/或附圖所示的元件的子集。此外，一些實(shí)施例可合并來自兩個(gè)或更多附圖的特征的任何適當(dāng)組合。常規(guī)的射頻(rf)耦合器在關(guān)于給定頻率下的固定耦合系數(shù)方面可能會(huì)有限制。頻率f下的固定耦合系數(shù)可通過頻率a下的耦合系數(shù)加20log(a/f)來表示。對(duì)于更小的絕對(duì)耦合系數(shù)，可呈現(xiàn)更大的耦合效果。在更高頻率下，耦合效果可更大。常規(guī)的rf耦合器也可在給定頻率下具有固定插入損耗。插入損耗可為耦合系數(shù)加上rf耦合器的將功率輸入端口電連接到功率輸出端口的主傳輸線路的電阻損耗的函數(shù)。rf耦合器的方向性可取決于隔離端口處的端接阻抗。在常規(guī)rf耦合器中，端接阻抗通常處于固定阻抗值，其僅為特定頻率帶寬提供期望的方向性。然而，在具有固定端接阻抗的情況下，當(dāng)rf信號(hào)在特定頻率帶之外時(shí)，射頻耦合器將不具有期望的方向性。因此，當(dāng)在特定頻率帶之外的不同頻率帶中操作時(shí)，方向性將不是最優(yōu)的。在頻率上使耦合系數(shù)平坦化可能是期望的。已經(jīng)通過插入rf耦合器后rlc網(wǎng)絡(luò)來抵消和/或補(bǔ)償rf耦合器的增大的耦合斜率，以實(shí)現(xiàn)頻率上耦合系數(shù)的平坦化。這種蠻力方法可在相對(duì)寬的頻率范圍上使耦合系數(shù)平坦化。然而，由于rlc網(wǎng)絡(luò)可能是有損耗的，所以這種方法可能會(huì)負(fù)面影響主信號(hào)路徑中的插入損耗。結(jié)果，為了獲得期望的耦合系數(shù)，可能希望rf耦合器具有甚至更多的耦合以補(bǔ)償rlc網(wǎng)絡(luò)的損耗。因此，主信號(hào)路徑中的插入損耗可能增大。另外，傳統(tǒng)的rf耦合器甚至在未使用時(shí)也會(huì)增加信號(hào)路徑的插入損耗。這會(huì)在即使rf耦合器未被用于檢測(cè)功率時(shí)也損害rf信號(hào)。rf耦合器的性能可受諸如工藝變化和/或源阻抗變化之類的各種因素影響。如上所述，通常用于端接常規(guī)rf耦合器的隔離端口的端接阻抗是不可調(diào)的固定阻抗。因此，僅可針對(duì)選定頻帶和/或針對(duì)具有固定端接阻抗的特定帶寬實(shí)現(xiàn)期望水平的方向性。工藝變化和/或源阻抗變化對(duì)于固定端接阻抗而言可能是有問題的。此外，為了避免半導(dǎo)體參數(shù)變化，一些端接阻抗電路已經(jīng)通過由非半導(dǎo)體工藝形成的外部無源阻抗元件來實(shí)現(xiàn)。雖然這種外部無源阻抗元件可使端接阻抗值的變化減小，但是相對(duì)于基于半導(dǎo)體的無源阻抗元件而言，這些外部無源阻抗元件可能是昂貴的和/或消耗更大的面積。工藝變化可影響射頻耦合器的性能。例如，rf耦合器的方向性，諸如雙向定向rf耦合器，可依賴于耦合器的隔離端口處的端接阻抗和呈現(xiàn)給耦合器的功率輸入端口的源阻抗。由于半導(dǎo)體制造工藝中的缺陷，在用于向rf耦合器的端口提供端接阻抗的端接阻抗電路中可能存在有工藝變化。工藝變化可影響端接阻抗電路中的電阻、電容、電感或其任意組合的值。端接阻抗電路中的這種工藝變化可包括例如半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)的接通電阻和/或斷開電容、多晶硅電阻器的電阻、金屬-絕緣體-金屬(mim)電容器的電容、電感器的電感等或其任意組合的變化。替代地或附加地，工藝變化可影響耦合線路的寬度和/或耦合線路到主線路的間隔，其可改變r(jià)f耦合器的特性。耦合線路中的這種變化可影響rf耦合器和/或端接阻抗電路的性能。通常，端接阻抗電路和/或耦合線路中的工藝變化的分布可由正態(tài)分布來近似，3西格瑪為約10％至約15％。源阻抗的變化可能會(huì)影響rf耦合器的性能。例如，源阻抗可偏離端接阻抗電路針對(duì)其配置來優(yōu)化方向性的特定值。當(dāng)rf耦合器與配置為向rf耦合器提供rf信號(hào)的另一部件(例如，rf功率放大器、天線開關(guān)，雙信器(diplexer)或?yàn)V波器等)通信時(shí)，呈現(xiàn)給rf耦合器的源阻抗可能偏離50歐姆。當(dāng)rf耦合器針對(duì)50歐姆源阻抗進(jìn)行了優(yōu)化時(shí)，這種偏離會(huì)相對(duì)于50歐姆源阻抗降低rf耦合器的方向性。本公開的一些方面涉及調(diào)整電連接到射頻耦合器的端接阻抗和/或調(diào)整電連接到射頻耦合器的一端口的耦合線路的有效長(zhǎng)度。公開了配置為提供可調(diào)端接阻抗的各種端接阻抗電路。這樣的電路可實(shí)現(xiàn)rf耦合器的期望特性，例如期望的方向性。開關(guān)可通過調(diào)節(jié)與rf耦合器的耦合端口電連接的多段式耦合線路的有效長(zhǎng)度來調(diào)節(jié)rf耦合器的耦合系數(shù)。本文公開的rf耦合器可配置為解耦狀態(tài)，以在rf耦合器未被使用時(shí)減小與這種rf耦合器相關(guān)聯(lián)的插入損耗。在某些實(shí)施例中，隔離開關(guān)配置為選擇性地將可調(diào)端接阻抗電路與諸如耦合端口或隔離端口之類的射頻耦合器的一端口隔離開。替代地或附加地，根據(jù)一些實(shí)施例，開關(guān)電路配置為在一種狀態(tài)下選擇性地將端接阻抗電路耦接到rf耦合器的隔離端口，在另一種狀態(tài)下選擇性地將同一端接阻抗電路電耦接到rf耦合器的耦合端口。在各種實(shí)施例中，可將指示期望端接阻抗的值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并且可以至少部分地基于所存儲(chǔ)的值來設(shè)置端接阻抗電路中的開關(guān)狀態(tài)。本文論述的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于任何合適的射頻耦合器，包括例如定向耦合器、雙向定向耦合器(bi-directionalcoupler)、兩方向定向耦合器(dual-directionalcoupler)、多頻帶耦合器(例如，雙頻帶耦合器)等。調(diào)節(jié)電連接到射頻耦合器的一端口的端接阻抗可通過為特定操作條件，諸如提供給射頻耦合器的射頻信號(hào)的頻率帶或包括該射頻耦合器的電子系統(tǒng)的功率模式，提供期望的端接阻抗來改善射頻耦合器的方向性。在某些實(shí)施例中，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可響應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)，選擇性地將不同的端接阻抗電耦接到射頻耦合器的隔離端口。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可調(diào)節(jié)射頻耦合器的端接阻抗，以改善跨多個(gè)頻帶上的方向性。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可包括端接阻抗與隔離端口和耦合端口兩者之間的開關(guān)。這種rf耦合器可具有在一種狀態(tài)下提供給隔離端口以用于提供正向rf功率的指示的端接阻抗，并且具有在另一種狀態(tài)下提供給耦合端口以用于提供反向rf功率的指示的端接阻抗。在某些實(shí)施例中，包括多個(gè)開關(guān)的端接阻抗電路可通過選擇性提供端接路徑中的電阻、電容、電感或其任意組合來調(diào)節(jié)提供給rf耦合器的隔離端口和/或耦合端口的端接阻抗。端接阻抗電路可通過在端接路徑中以串聯(lián)和/或并聯(lián)方式選擇性地電耦接無源阻抗元件來提供任何合適的端接阻抗。端接阻抗電路可因此提供具有期望阻抗值的端接阻抗。例如，端接阻抗電路可補(bǔ)償工藝變化和/或源阻抗變化。在一些實(shí)施例中，可將指示期望端接阻抗的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并且可以至少部分地基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)來設(shè)置多個(gè)開關(guān)中的至少一個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。在一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器可包括諸如熔絲元件(例如，熔絲和/或反熔絲)之類的永久存儲(chǔ)器以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)各種實(shí)施例，開關(guān)可設(shè)置在rf耦合器的一端口(例如，耦合端口或隔離端口)與可調(diào)端接阻抗電路之間。當(dāng)可調(diào)端接阻抗電路沒有向rf耦合器的端口提供端接阻抗時(shí)，該開關(guān)可將可調(diào)端接阻抗電路的調(diào)諧元件(例如開關(guān))與rf耦合器的端口電隔離。這可降低rf耦合器的端口上的負(fù)載效應(yīng)，諸如可調(diào)端接阻抗電路的開關(guān)的斷開電容。因此，開關(guān)可使rf耦合器的端口上的插入損耗減小。根據(jù)一些實(shí)施例，端接阻抗電路可被雙向定向耦合器的隔離端口和耦合端口共享。相對(duì)于隔離端口和耦合端口具有分別的端接阻抗電路，這可減小面積。隔離端口或耦合端口中一次僅一個(gè)可被提供有端接阻抗以提供rf功率的指示。因此，開關(guān)電路可選擇性地將端接阻抗電路電連接到隔離端口，以及選擇性地將端接阻抗電路電連接到耦合端口，使得隔離端口或耦合端口中一次不超過一個(gè)電連接到端接阻抗電路。為了將耦合端口和隔離端口電隔離，開關(guān)電路可包括高隔離開關(guān)。例如，每個(gè)高隔離開關(guān)可包括串聯(lián)-分流-串聯(lián)電路拓?fù)?topology)。由高隔離開關(guān)提供的耦合端口和隔離端口之間的隔離可大于目標(biāo)方向性。耦合線路的有效長(zhǎng)度可以是對(duì)rf耦合器的耦合系數(shù)有貢獻(xiàn)的耦合線路的長(zhǎng)度。例如，耦合線路的有效長(zhǎng)度可以是端接阻抗與rf耦合器的配置為提供在功率輸入端口和功率輸出端口之間行進(jìn)的功率的指示的一端口之間的電氣路徑中的耦合線路的長(zhǎng)度。調(diào)整耦合線路的有效長(zhǎng)度可調(diào)節(jié)射頻耦合器的耦合系數(shù)。因此，具有可調(diào)耦合線路有效長(zhǎng)度的射頻耦合器可具有期望的耦合系數(shù)。同時(shí)，主線路的插入損耗應(yīng)不被增大。在某些實(shí)施例中，射頻耦合器可具有包括多段的耦合線路以及一個(gè)或多個(gè)開關(guān)，一個(gè)或多個(gè)開關(guān)將耦合線路的一段選擇性電耦接到射頻耦合器的諸如耦合端口之類的端口。例如，開關(guān)可串聯(lián)在耦合線路的兩段之間，并且開關(guān)可將耦合線路的兩段彼此電耦接或電解耦。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可根據(jù)射頻耦合器的狀態(tài)選擇性地將選定的端接阻抗電耦接到耦合線路的特定段。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可優(yōu)化射頻耦合器的方向性。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可在一種狀態(tài)下將端接阻抗呈現(xiàn)給射頻耦合器的耦合端口，并且在另一種狀態(tài)下將端接阻抗呈現(xiàn)給射頻耦合器的隔離端口。本文論述的端接阻抗電路的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可結(jié)合具有配置為被調(diào)整的有效長(zhǎng)度的耦合線路來應(yīng)用。本文論述的射頻耦合器可具有解耦狀態(tài)，其中耦合線路與主線路解耦。當(dāng)射頻耦合器未被使用時(shí)，解耦狀態(tài)可在主信號(hào)線路中提供最小的插入損耗。本文論述的實(shí)施例可通過提供針對(duì)特定操作條件，例如提供給射頻耦合器的射頻信號(hào)的特定頻率帶，選擇的端接阻抗來有利地為射頻耦合器提供改善的方向性。替代地或附加地，本文論述的實(shí)施例可通過調(diào)整耦合線路的有效長(zhǎng)度來調(diào)整耦合系數(shù)，從而提供改善的主線路插入損耗。這可避免過度耦合和隨后的衰減。通過調(diào)整耦合線路的有效長(zhǎng)度，射頻耦合器可設(shè)置為期望的耦合系數(shù)。在某些實(shí)施例中，本文論述的射頻耦合器具有解耦狀態(tài)，其可最小化射頻耦合器未被使用時(shí)因耦合效應(yīng)而引起的損耗。圖1是其中射頻耦合器配置為提取在功率放大器和天線之間行進(jìn)的射頻信號(hào)的功率的一部分的示意性框圖。如圖所示，功率放大器10接收rf信號(hào)，并且通過rf耦合器20將放大的rf信號(hào)提供給天線30。應(yīng)理解，附加元件(未示出)可包括在圖1的電子系統(tǒng)中，和/或可實(shí)施所示元件的子組合。功率放大器10可放大rf信號(hào)。功率放大器10可以是任何合適的rf功率放大器。例如，功率放大器10可以是單級(jí)功率放大器、多級(jí)功率放大器、由一個(gè)或多個(gè)雙極晶體管實(shí)現(xiàn)的功率放大器、或由一個(gè)或多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)的功率放大器中的一個(gè)或多個(gè)。例如，功率放大器10可以實(shí)施在gaas晶片、cmos晶片或sige晶片上。rf耦合器20可以提取在功率放大器10和天線30之間行進(jìn)的放大rf信號(hào)的一部分功率。rf耦合器20可產(chǎn)生從功率放大器10向天線30行進(jìn)的正向rf功率的指示，和/或產(chǎn)生從天線30向功率放大器10行進(jìn)的反射rf功率的指示。功率指示可提供給rf功率檢測(cè)器(未示出)。rf耦合器20可具有四個(gè)端口：功率輸入端口、功率輸出端口、耦合端口和隔離端口。在圖1的配置中，功率輸入端口可接收來自功率放大器10的放大rf信號(hào)，功率輸出端口可將放大rf信號(hào)提供給天線30。端接阻抗可被提供給隔離端口或耦合端口。在雙向定向rf耦合器中，在一種狀態(tài)下端接阻抗可被提供給隔離端口，在另一種狀態(tài)下端接阻抗可被提供給耦合端口。當(dāng)端接阻抗被提供給隔離端口時(shí)，耦合端口可提供從功率輸入端口向功率輸出端口行進(jìn)的rf信號(hào)的一部分功率。因此，耦合端口可提供正向rf功率的指示。當(dāng)端接阻抗被提供給耦合端口時(shí)，隔離端口可提供從功率輸出端口向功率輸入端口行進(jìn)的rf信號(hào)的一部分功率。因此，隔離端口可提供反向rf功率的指示。反向rf功率可以是從天線30反射回rf耦合器20的rf功率。天線30可發(fā)射放大rf信號(hào)。例如，當(dāng)圖1所示的電子系統(tǒng)包括在蜂窩電話中時(shí)，天線30可從蜂窩電話發(fā)射rf信號(hào)給基站。圖2是其中射頻耦合器配置為提取在天線開關(guān)模塊和天線之間行進(jìn)的射頻信號(hào)的一部分功率的示意性框圖。除了天線開關(guān)模塊40包括在功率放大器10和rf耦合器20之間的信號(hào)路徑中之外，圖2的系統(tǒng)類似于圖1的系統(tǒng)。天線開關(guān)模塊40可選擇性地將天線30電連接到選定發(fā)射路徑。天線開關(guān)模塊40可提供多種開關(guān)功能。天線開關(guān)模塊40可包括多擲開關(guān)，其配置為提供與例如不同頻率帶相關(guān)聯(lián)的發(fā)射路徑之間的切換、不同操作模式相關(guān)聯(lián)的發(fā)射路徑之間的切換、發(fā)射和/或接收模式之間的切換或其任意組合相關(guān)聯(lián)的功能。應(yīng)理解，可在圖2的電子系統(tǒng)中包括附加元件(未示出)和/或可以實(shí)施所示元件的子組合。在另一實(shí)施方式(未示出)中，rf耦合器可包括在功率放大器和天線開關(guān)模塊之間的信號(hào)路徑中。參考圖3a，將描述根據(jù)一實(shí)施例的包括射頻耦合器20a和可調(diào)端接阻抗電路的電子系統(tǒng)。當(dāng)電子系統(tǒng)處于圖3a所示的狀態(tài)時(shí)，從功率輸入端口向功率輸出端口行進(jìn)的rf功率的一部分被提供給耦合端口。在圖3a中提供給rf耦合器20a的耦合端口的rf功率部分表示正向rf功率。例如，rf耦合器20a的耦合端口處的正向rf功率的指示可以是由功率放大器產(chǎn)生的提供給天線的信號(hào)的功率指示。圖3a示出了包括rf耦合器20a、第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50、第一端接阻抗元件52、第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54、第二端接阻抗元件56、以及控制電路58的電子系統(tǒng)。圖3a的電子系統(tǒng)可包括比圖示更多的元件，和/或可實(shí)施所示元件的子組合。rf耦合器20a是圖1和圖2的rf耦合器20的示例。rf耦合器20a可包括兩條平行或重疊的傳輸線路，例如微帶、帶狀線、共面線等。在一些實(shí)施例中，rf耦合器20a可包括諸如兩個(gè)變壓器之類的兩個(gè)電感器，代替兩條傳輸線路。兩條傳輸線路或電感器可實(shí)現(xiàn)主線路和耦合線路。主線路可將來自rf功率輸入的信號(hào)的大部分提供給rf功率輸出。耦合線路可用于提取在rf功率輸入和rf功率輸出之間行進(jìn)的功率的一部分。在圖3a中，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50和第一端接阻抗元件52可一起實(shí)現(xiàn)第一可調(diào)端接阻抗電路。第一可調(diào)端接阻抗電路可將選定的端接阻抗提供給rf耦合器20a的隔離端口。第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54和第二端接阻抗元件56可一起實(shí)現(xiàn)第二可調(diào)端接阻抗電路。第二可調(diào)端接阻抗電路可將選定的端接阻抗提供給rf耦合器20a的耦合端口，下面將參考圖4對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)的論述。雖然圖3a中的第一可調(diào)端接阻抗電路和第二可調(diào)端接阻抗電路每個(gè)都包括開關(guān)和電連接到相應(yīng)開關(guān)的端接阻抗，但是第一可調(diào)端接阻抗電路和/或第二可調(diào)端接阻抗電路可由任何合適的可調(diào)端接阻抗電路實(shí)現(xiàn)。rf耦合器20a的隔離端口可電連接到一個(gè)或多個(gè)開關(guān)以調(diào)節(jié)提供給隔離端口的端接阻抗。如圖所示，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50包括阻抗選擇開關(guān)61、62和63以分別將第一端接阻抗元件52的端接阻抗71、72和73電耦接到rf耦合器20a的隔離端口。所示的第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50還包括模式選擇開關(guān)64，其可在rf耦合器20a用于提供反向rf功率的指示時(shí)選擇性地提供來自rf耦合器20a的反向耦合輸出。第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50的每個(gè)開關(guān)可以在接通時(shí)電耦接節(jié)點(diǎn)，并且在斷開時(shí)電隔離節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50可包括任何合適的開關(guān)以實(shí)現(xiàn)阻抗選擇開關(guān)61、62和63以及模式選擇開關(guān)64。例如，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50中的每個(gè)所示開關(guān)可包括半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)。例如，這種fet可以以線性模式偏置。當(dāng)fet接通時(shí)，fet可處于短路或低損耗模式，其電連接fet的源極和漏極。當(dāng)fet斷開時(shí)，fet可處于開路或高損耗模式，其電隔離fet的源極和漏極?？梢蕴娲鼗蚋郊拥貙?shí)施其他合適的開關(guān)。此外，雖然在圖3a中示出了三個(gè)阻抗選擇開關(guān)61、62和63，但是可以實(shí)施任何合適數(shù)量的阻抗選擇開關(guān)。在一些情況下，可以實(shí)施僅一個(gè)阻抗選擇開關(guān)。在另一些情況下，可以實(shí)施兩個(gè)阻抗選擇開關(guān)或者三個(gè)以上阻抗選擇開關(guān)。阻抗選擇開關(guān)61、62和63以及端接阻抗71、72和73可用于實(shí)現(xiàn)rf耦合器20a的期望方向性。例如，當(dāng)?shù)絩f耦合器20a的rf信號(hào)在不同頻率帶內(nèi)時(shí)，對(duì)應(yīng)的不同端接阻抗可選擇性電耦接到隔離端口。作為說明性示例，第一端接阻抗71可以電耦接到隔離端口以用于第一頻率帶，第二端接阻抗72可以電耦接到隔離端口以用于第二頻率帶，第三端接阻抗73可以電耦接到隔離端口以用于第三頻率帶。下面的表1總結(jié)了根據(jù)一實(shí)施例用于各種頻率帶的阻抗選擇開關(guān)61、62和63的狀態(tài)以及對(duì)應(yīng)的端接阻抗。如圖3a所示，第一阻抗選擇開關(guān)61可將第一端接71電連接到rf耦合器20a的隔離端口。這可以針對(duì)特定頻率帶優(yōu)化方向性。表1正向功率狀態(tài)頻率帶端接阻抗s61s62s63a2a接通斷開斷開b2b斷開接通斷開c2c斷開斷開接通可以控制阻抗選擇開關(guān)61、62和63以向rf耦合器20a的隔離端口提供端接阻抗71、72和/或73的任何合適的組合。例如，阻抗選擇開關(guān)61、62和63可配置為下表2所示的狀態(tài)的任何組合或子組合。此外，本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用到任何合適數(shù)量的阻抗選擇開關(guān)和對(duì)應(yīng)的端接阻抗。表2正向功率狀態(tài)頻率帶端接阻抗s61s62s63a2a接通斷開斷開b2b斷開接通斷開c2c斷開斷開接通d2a+2b接通接通斷開e2a+2c接通斷開接通f2b+2c斷開接通接通g2a+2b+2c接通接通接通替代地或附加地，可以針對(duì)特定的操作功率模式選擇特定的端接阻抗或端接阻抗的組合。針對(duì)特定的功率模式和/或頻率帶具有特定的阻抗可以改善rf耦合器20a的方向性，這可有助于改善例如與rf耦合器20a相關(guān)聯(lián)的功率測(cè)量的準(zhǔn)確度?？梢葬槍?duì)任何合適的應(yīng)用參數(shù)和/或任何合適的操作條件指示來選擇特定的端接阻抗或端接阻抗的組合。圖3a的第一端接阻抗元件52包括電連接到第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的每個(gè)阻抗選擇開關(guān)的端接阻抗。端接阻抗71、72和73可以是例如被選擇來實(shí)現(xiàn)期望端接阻抗的電阻、電容和/或電感負(fù)載?？梢葬槍?duì)特定的頻率帶和/或功率模式來選擇這種期望的端接阻抗。端接阻抗中的一個(gè)或多個(gè)可以是電耦接在模式選擇開關(guān)和地電勢(shì)之間的無源阻抗元件。例如，端接阻抗可以由電耦接在阻抗選擇開關(guān)和地之間的電阻器來實(shí)現(xiàn)。一個(gè)或多個(gè)端接阻抗可以包括串聯(lián)和/或并聯(lián)無源阻抗元件的任何合適的組合。例如，端接阻抗可以由串聯(lián)在阻抗選擇開關(guān)和地電勢(shì)之間的電容器和電阻器實(shí)現(xiàn)。將結(jié)合圖6a和6b提供關(guān)于示例性端接阻抗元件的更多細(xì)節(jié)。當(dāng)電子系統(tǒng)處于提供正向rf功率指示的狀態(tài)時(shí)，控制電路58可控制阻抗選擇開關(guān)61、62和63，使得期望的端接阻抗被提供給rf耦合器20a的隔離端口?？刂齐娐?8可包括用于選擇性地?cái)嚅_和接通阻抗選擇開關(guān)61、62、63中的一個(gè)或多個(gè)以在隔離端接處實(shí)現(xiàn)期望的端接阻抗的任何合適的電路。例如，控制電路58可以將阻抗選擇開關(guān)61、62和63配置成表1和/或表2所示的任何狀態(tài)。控制電路58可接收指示是測(cè)量正向功率還是反向功率的第一信號(hào)和諸如頻帶選擇信號(hào)之類的指示操作模式的第二信號(hào)。根據(jù)所接收到的信號(hào)，控制電路58可控制第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50以向rf耦合器20a的隔離端口提供選定的端接阻抗。選定的端接阻抗可通過端接阻抗71、72、73的任何合適的組合來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)所接收到的信號(hào)，控制電路58可控制第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54以向rf耦合器20a的耦合端口提供選定的端接阻抗用于測(cè)量反向功率?？刂齐娐?8可基于第一信號(hào)的狀態(tài)來控制模式選擇開關(guān)64和68。在一些狀態(tài)中，例如圖4和圖5所示的狀態(tài)，控制電路58可將隔離端口與第一端接阻抗元件52的所有端接阻抗解耦。當(dāng)電子系統(tǒng)處于圖3a所示的狀態(tài)時(shí)，控制電路58控制開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50以通過第一阻抗選擇開關(guān)61將第一端接阻抗71與rf耦合器20a的隔離端口電連接，同時(shí)利用其他阻抗選擇開關(guān)62和63將其他端接阻抗與隔離端口電隔離?？刂齐娐?8可包括用于操作阻抗選擇開關(guān)61、62、63的數(shù)字邏輯，例如解碼器。數(shù)字邏輯可操作在任何合適的電源上，包括例如電荷泵的輸出電壓或電池電壓?？刂齐娐?8還可控制第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50的模式選擇開關(guān)64，使得隔離端口在圖3a所示的狀態(tài)中與反射功率輸出解耦。當(dāng)在圖3a所示的狀態(tài)中操作時(shí)，控制電路58向第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54提供輸入信號(hào)，使得模式選擇開關(guān)68將耦合端口電連接到正向功率輸出，阻抗選擇開關(guān)65、66和67將耦合端口分別與端接阻抗75、76和77電隔離。圖3b是示出如圖3a所示地布置的rf耦合器20a的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的信號(hào)的曲線圖。圖3b示出了提供給rf耦合器20a的隔離端口的不同端接阻抗可以優(yōu)化對(duì)應(yīng)的不同頻率下隔離端口處的最小信號(hào)量。圖3c是示出與圖3b所示的曲線對(duì)應(yīng)的方向性和頻率的關(guān)系的曲線圖。方向性可表示耦合信號(hào)的功率量度減去隔離端口處的信號(hào)的功率量度。更高的方向性可能是更期望的。如圖3c所示，通過向rf耦合器20a的隔離端口提供特定的端接阻抗，可以優(yōu)化選定頻率下的方向性。圖4是示出配置成與圖3a不同狀態(tài)的圖3a的電子系統(tǒng)的示意圖，其中沿相反方向行進(jìn)的射頻信號(hào)的部分功率被提取。代替如圖3a所示提供正向耦合輸出處的正向功率的指示，如圖4所示，電子系統(tǒng)可提供反向耦合輸出處的反向功率的指示。因此，rf耦合器20a可用于檢測(cè)反向功率，例如從圖1和/或圖2的天線30反射回的功率。為了提供反向功率的指示，可以向rf耦合器20a的耦合端口提供端接阻抗。具有耦接到rf耦合器20a的耦合端口和隔離端口的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可以使rf耦合器20a能夠是雙向定向的。第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54可以將第二端接阻抗元件56的選定端接阻抗電耦接到rf耦合器20a的耦合端口。第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54也可選擇性地將耦合端口與正向耦合輸出耦接/解耦。參照rf耦合器20a的隔離端口描述的第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50的特征的任何組合都可以關(guān)于rf耦合器20a的耦合端口通過第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54來實(shí)現(xiàn)。阻抗選擇開關(guān)65、66和67可被控制為處于與相應(yīng)的操作模式對(duì)應(yīng)的選定狀態(tài)。在圖4所示的狀態(tài)下，阻抗選擇開關(guān)66將端接阻抗76電連接到rf耦合器20a的耦合端口，第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54的其他阻抗選擇開關(guān)65和67將相應(yīng)的端接阻抗75和77與rf耦合器20a的耦合端口電隔離。下面的表3總結(jié)了根據(jù)一實(shí)施例的用于各種頻率帶的阻抗選擇開關(guān)65、66和67的狀態(tài)。表3反向功率狀態(tài)頻率帶s65s66s67a接通斷開斷開b斷開接通斷開c斷開斷開接通可以控制阻抗選擇開關(guān)65、66和67以便向rf耦合器20a的耦合端口提供端接阻抗75、76和/或77的任何合適的組合。例如，阻抗選擇開關(guān)65、66和67可配置為下表4所示的狀態(tài)的任何組合或子組合。此外，本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于任何合適數(shù)量的阻抗選擇開關(guān)和相應(yīng)的端接阻抗。表4反向功率狀態(tài)關(guān)于隔離端口描述的第一端接阻抗元件52的特征的任何組合可關(guān)于耦合端口通過第二端接阻抗元件56來實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中，第二端接阻抗元件56包括與第一端接阻抗元件52不同的端接阻抗。根據(jù)另一些實(shí)施例，第二端接阻抗元件56包括與第一端接阻抗元件52基本相同的端接阻抗。在某些實(shí)施例中，例如下面論述的圖19a的實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)端接阻抗可以電耦接到隔離端口并且也可電耦接到耦合端口。如圖4所示，阻抗選擇開關(guān)66將端接阻抗76電連接到rf耦合器20a的耦合端口。這可設(shè)置期望的方向性以用于針對(duì)特定頻率帶提供反向功率的指示。如圖4所示，第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54的模式選擇開關(guān)68可將耦合端口與正向耦合輸出電隔離，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50的模式選擇開關(guān)64可將隔離端口電連接到反向耦合輸出?？刂齐娐?8可改變第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50和第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54中的開關(guān)的狀態(tài)，以將電子系統(tǒng)的狀態(tài)從圖3a所示的狀態(tài)調(diào)整到圖4所示的狀態(tài)。圖5是示出配置成與圖3a不同狀態(tài)的圖3a的電子系統(tǒng)的示意圖。在圖5中，rf耦合器20a的耦合線路與rf耦合器20a的主線路解耦。代替如圖3a所示提供正向耦合輸出處的正向功率的指示，或如圖4所示提供反向耦合輸出處的反向功率的指示，電子系統(tǒng)可配置為如圖5所示的解耦狀態(tài)。解耦狀態(tài)為低插入損耗模式。在解耦狀態(tài)下，rf耦合器20a的耦合線路與圖5中的rf耦合器20a的主線路解耦。因此，在解耦狀態(tài)下，可以顯著地減小或者消除來自rf耦合器20a的耦合損耗。然而，來自rf耦合器20a的主線路的插入損耗仍將存在。rf耦合器的耦合端口和隔離端口在解耦狀態(tài)下可以都與端接阻抗元件電隔離。如圖5所示，在解耦狀態(tài)下，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50的阻抗選擇開關(guān)61、62、63可將隔離端口與第一端接阻抗元件52解耦，第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54的阻抗選擇開關(guān)65、66、67可將耦合端口與第二端接阻抗元件56解耦。亦如圖5所示，在解耦狀態(tài)下，第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50中的模式選擇開關(guān)64可將隔離端口與反向耦合輸出解耦，第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54中的模式選擇開關(guān)68可將耦合端口與正向耦合輸出解耦。在圖5所示的解耦狀態(tài)下，控制電路58可改變第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)50和第二開關(guān)網(wǎng)絡(luò)54中的開關(guān)的狀態(tài)，以將耦合線路與主線路解耦。圖6a和6b是可實(shí)現(xiàn)圖3a、4和5的第一端接阻抗元件52和/或第二端接阻抗元件56的功能的示例端接阻抗元件的示意圖。端接阻抗可在rf耦合器中提供阻抗匹配功能以提高功率傳輸并且減小信號(hào)反射?？梢栽谥T如耦合端口或隔離端口之一之類的rf耦合器的端口與諸如地之類的基準(zhǔn)電勢(shì)之間提供端接阻抗。端接阻抗可以由任何合適的無源阻抗元件或無源阻抗元件的任何合適的串聯(lián)和/或并聯(lián)組合來實(shí)現(xiàn)。如圖6a所示，端接阻抗元件可由可調(diào)電阻電路、可調(diào)電容電路和可調(diào)電感電路來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)可以將這些元件選擇性地電耦接到rf耦合器的耦合端子和/或隔離端子。調(diào)節(jié)可調(diào)電阻電路、可調(diào)電容電路或可調(diào)電感電路中的一個(gè)或多個(gè)的阻抗可以實(shí)現(xiàn)rf耦合器的期望方向性。在另一些實(shí)施例中，可實(shí)施可調(diào)電阻電路、可調(diào)電容電路或可調(diào)電感電路中的一個(gè)或兩個(gè)，而不是全部三個(gè)。圖6b是示出圖3a、4和5的第一端接阻抗元件52和/或第二端接阻抗元件56可包括電耦接到開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)的多個(gè)電阻器的示意圖。每個(gè)電阻器可具有一電阻，其被選擇為優(yōu)化特定頻率帶的rf耦合器的方向性。替代地或附加地，這些電阻器的電阻的組合可優(yōu)化特定頻率帶的rf耦合器的方向性。如上所述，歸因于rf耦合器的耦合線路/主線路(例如，傳輸線路或電感器)的頻率相關(guān)性，傳統(tǒng)rf耦合器具有變化的耦合系數(shù)。為了在頻率上調(diào)節(jié)rf耦合器的耦合系數(shù)以補(bǔ)償耦合線路/主線路的頻率相關(guān)性，本文公開了具有多段式耦合線路的rf耦合器。這樣的rf耦合器可以提供可根據(jù)期望進(jìn)行調(diào)節(jié)的可調(diào)耦合系數(shù)。例如，這種rf耦合器可實(shí)現(xiàn)在頻率上相對(duì)平坦的耦合系數(shù)。參考圖7a至10c，將描述包括根據(jù)一實(shí)施例的具有多段式耦合線路的rf耦合器20b的電子系統(tǒng)的不同狀態(tài)和相關(guān)曲線圖。rf耦合器20b是圖1和/或2的rf耦合器20的另一示例實(shí)施方式。類似于圖3a、4和5的控制電路58的控制電路可以控制rf耦合器20b和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)以使電子系統(tǒng)進(jìn)入圖7a、8a、9a或10a所示的狀態(tài)。圖7a是根據(jù)一實(shí)施例的具有電連接到耦合端口的長(zhǎng)度可調(diào)的耦合線路的rf耦合器20b的示意圖。例如，rf耦合器20b可實(shí)施在圖1和/或圖2的電子系統(tǒng)中。圖7a的電子系統(tǒng)包括rf耦合器20b、包括開關(guān)92至99的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)、以及包括端接阻抗104至109的端接阻抗電路。在一實(shí)施例中，端接阻抗104至109中的每個(gè)可由端接電阻器實(shí)現(xiàn)。如圖7a所示，rf耦合器20b具有多段式主線路和多段式耦合線路。主線路和耦合線路的段可由導(dǎo)電線路(例如，微帶、帶狀線、共面線等)和/或電感器來實(shí)現(xiàn)。如圖所示，主線路包括段80、82和84，耦合線路包括段85、87和89。雖然為了說明的目的描述了圖7a的具有三段式耦合線路的實(shí)施例，但是本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于具有兩段式耦合線路和/或多于三段的耦合線路。圖7a所示的rf耦合器20b還包括設(shè)置在耦合線路的段之間的耦合系數(shù)開關(guān)90和91。rf耦合器20b的耦合系數(shù)可以通過調(diào)節(jié)電連接到rf耦合器20b的端口的耦合線路的段數(shù)量來調(diào)節(jié)，耦合器20b的該端口提供在rf耦合器20b的功率輸入端口與功率輸出端口之間行進(jìn)的信號(hào)的rf功率的指示。例如，耦合系數(shù)可通過將多段式耦合線路中的不同數(shù)量的段85、87、89電連接到耦合端口來得到調(diào)整。這可調(diào)節(jié)電連接到耦合端口的耦合線路的長(zhǎng)度。因此，rf耦合器20b可以根據(jù)耦合線路的多少段85、87、89電連接到耦合端口而提供用于正向功率測(cè)量的多個(gè)耦合系數(shù)。電連接在rf耦合器20b的端口與端接阻抗之間的耦合線路較長(zhǎng)時(shí)，可以提供更大的耦合系數(shù)和更高的插入損耗。利用多段式rf耦合器20b，可以控制耦合系數(shù)以實(shí)現(xiàn)在頻率上相對(duì)平坦的耦合系數(shù)。rf耦合器20b可以避免過度耦合，從而防止主線路上過多的插入損耗。防止過多的插入損耗在相對(duì)較高的頻率下是特別有利的，此時(shí)耦合效果可能高于期望，這可能導(dǎo)致較高的插入損耗。耦合系數(shù)開關(guān)90和91可以調(diào)節(jié)端接阻抗與rf耦合器20b的端口之間的耦合線路的長(zhǎng)度，rf耦合器20b的該端口配置為提供在功率輸入端口和功率輸出端口之間行進(jìn)的功率的指示。電連接到rf耦合器20b的耦合端口的耦合線路的有效長(zhǎng)度可以是對(duì)rf耦合器20b的耦合系數(shù)有貢獻(xiàn)的耦合線路的長(zhǎng)度。例如，端接阻抗和rf耦合器20b的耦合端口之間的耦合線路的有效長(zhǎng)度可以是電連接到rf耦合器20b的耦合端口的耦合線路的段的長(zhǎng)度。在圖7a中，第一耦合系數(shù)開關(guān)90設(shè)置在耦合線路的第一段85和第二段87之間。當(dāng)?shù)谝获詈舷禂?shù)開關(guān)90接通時(shí)，第一段85和第二段87兩者都電連接到rf耦合器20b的耦合端口。當(dāng)?shù)谝获詈舷禂?shù)開關(guān)90斷開時(shí)，第一耦合系數(shù)開關(guān)90在第一段85和第二段87之間提供電隔離。在圖7a中，第二耦合系數(shù)開關(guān)91設(shè)置在耦合線路的第二段87和第三段89之間。當(dāng)?shù)诙詈舷禂?shù)開關(guān)91接通時(shí)，第二段87和第三段89彼此電連接。當(dāng)?shù)诙詈舷禂?shù)開關(guān)91斷開時(shí)，第二耦合系數(shù)開關(guān)91在第二段87和第三段89之間提供電隔離。在圖7a所示的狀態(tài)下，第一耦合系數(shù)開關(guān)90和第二耦合系數(shù)開關(guān)91都接通。在這種狀態(tài)下，段85、87和89都電連接到rf耦合器20b的耦合端口。當(dāng)耦合線路的所有段都電連接到耦合端口時(shí)，與耦合線路的少于全部的段電耦接到耦合端口時(shí)相比，rf耦合器20b可提供更高的耦合效果和更高的插入損耗。在圖7a中，端接阻抗開關(guān)電連接到耦合線路的每個(gè)段。端接阻抗開關(guān)可將耦合線路的各個(gè)段選擇性地電連接到對(duì)應(yīng)的端接阻抗?？山油娺B接到耦合線路的一段的端接阻抗開關(guān)，該段離rf耦合器20b的配置為提供功率指示的端口最遠(yuǎn)且電連接到該端口。如圖7a所示，端接阻抗開關(guān)96接通以將端接阻抗106電連接到耦合線路。第一模式選擇開關(guān)92可將rf耦合器20b的耦合端口選擇性地電耦接到正向耦合輸出。在圖7a所示的狀態(tài)中，模式選擇開關(guān)92接通，耦合端口與正向耦合輸出電連接。第二模式選擇開關(guān)93可將rf耦合器20b的隔離端口選擇性地電耦接到反向耦合輸出。在圖7a所示的狀態(tài)中，模式選擇開關(guān)93斷開，隔離端口與反向耦合輸出相電隔離。圖7b是示出在圖7a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的插入損耗曲線的曲線圖。圖7c是示出在圖7a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。圖8a是圖7a的系統(tǒng)的示意圖，其中射頻耦合器20b配置成第二狀態(tài)。在第二狀態(tài)中，耦合線路的三段中的兩段電連接到耦合端口。第二狀態(tài)提供比第一狀態(tài)更低的耦合系數(shù)和更低的插入損耗。在第二狀態(tài)中，第二耦合系數(shù)開關(guān)91斷開，第三段89與rf耦合器20b的耦合端口電隔離。相對(duì)于圖7a所示的第一狀態(tài)，這減小了對(duì)與主線路的耦合有貢獻(xiàn)的耦合線路的有效長(zhǎng)度。在圖8a所示的第二狀態(tài)中，相對(duì)于圖7a所示的第一狀態(tài)，接通了不同的端接阻抗開關(guān)。如圖8a所示，端接阻抗開關(guān)95接通，并且將端接阻抗105電連接到耦合線路的第二段87。圖8b是示出在圖8a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的插入損耗曲線的曲線圖。圖8c是示出在圖8a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。這些曲線圖示出插入損耗和耦合系數(shù)不同于圖7a所示的狀態(tài)。圖9a是圖7a的電子系統(tǒng)的示意圖，其中射頻耦合器20b配置為第三狀態(tài)。在第三狀態(tài)中，耦合線路的三段中的一段電連接到耦合端口。第三狀態(tài)提供比第一狀態(tài)或第二狀態(tài)更低的耦合系數(shù)和更低的插入損耗。在第三狀態(tài)中，第一耦合系數(shù)開關(guān)90和第二耦合系數(shù)開關(guān)91斷開，耦合線路的第二段87和第三段89與rf耦合器20b的耦合端口電隔離。相對(duì)于圖7a所示的第一狀態(tài)和圖8a所示的第二狀態(tài)，在圖9a所示的第三狀態(tài)中，接通不同的端接阻抗開關(guān)。如圖9a所示，端接阻抗開關(guān)94接通，并且將端接阻抗104電耦接到耦合線路的第一段85。圖9b是示出在圖9a所示的狀態(tài)中射頻耦合器的插入損耗曲線的曲線圖。圖9c是示出在圖9a所示的狀態(tài)中射頻耦合器的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。這些曲線圖示出插入損耗和耦合系數(shù)不同于圖7a和圖8a所示的狀態(tài)。圖10a是配置成第四狀態(tài)的圖7a的射頻耦合器20b的示意圖，在第四狀態(tài)中耦合線路與主線路解耦。在第四狀態(tài)中，可以從主線路去除耦合效果和由耦合引起的插入損耗。當(dāng)rf耦合器20b不用于測(cè)量正向rf功率或反向rf功率時(shí)，系統(tǒng)可以配置成第四狀態(tài)。當(dāng)耦合系數(shù)開關(guān)90和91以及端接阻抗開關(guān)94、95、96、97、98、99斷開時(shí)，耦合線路可與主線路解耦。此外，在第四狀態(tài)中，模式選擇開關(guān)92和93可斷開。圖10b是示出在圖10a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的插入損耗曲線的曲線圖。圖10c是示出在圖10a所示的狀態(tài)中射頻耦合器20b的耦合系數(shù)曲線的曲線圖。這些曲線圖示出了相對(duì)于第一、第二和第三狀態(tài)，在第四狀態(tài)中有減小的插入損耗和耦合系數(shù)。圖7a、8a、9a和10a所示的電子系統(tǒng)可配置為提供反射功率指示的狀態(tài)。因此，rf耦合器20b可以是雙向定向的。諸如解碼器之類的任何合適的控制電路可以使開關(guān)接通和/或斷開以實(shí)現(xiàn)這種狀態(tài)。下面的表5總結(jié)了根據(jù)一實(shí)施例在各種狀態(tài)中所示開關(guān)中的哪些接通，哪些斷開。下面的表6提供這些狀態(tài)的簡(jiǎn)要描述。在一些實(shí)施例中，可以實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)的附加狀態(tài)和/或子組合。表5圖7a、8a、9a、10a的3段耦合器的各狀態(tài)的開關(guān)狀態(tài)狀態(tài)s90s91s92s93s94s95s96s97s98s991接通接通接通斷開斷開斷開接通斷開斷開斷開2接通斷開接通斷開斷開接通斷開斷開斷開斷開3斷開斷開接通斷開接通斷開斷開斷開斷開斷開4斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開5接通接通斷開接通斷開斷開斷開斷開斷開接通6斷開接通斷開接通斷開斷開斷開斷開接通斷開7斷開斷開斷開接通斷開斷開斷開接通斷開斷開表6圖7a、8a、9a、10a的3段耦合器的各狀態(tài)和描述狀態(tài)描述1正向功率、高耦合系數(shù)2正向功率、中耦合系數(shù)3正向功率、低耦合系數(shù)4解耦5反向功率、高耦合系數(shù)6反向功率、中耦合系數(shù)7反向功率、低耦合系數(shù)圖7a、8a、9a和10a所示的多段式耦合器可調(diào)節(jié)rf耦合器的耦合系數(shù)(例如，在頻率帶上平坦化的耦合系數(shù))。這在某些狀態(tài)下可以改善插入損耗。圖11a是單段式耦合器的插入損耗對(duì)頻率曲線的曲線圖。圖11b是多段式耦合器的插入損耗對(duì)頻率曲線的曲線圖。圖12a是單段式耦合器的耦合系數(shù)對(duì)頻率曲線的曲線圖。圖12b是多段式耦合器的耦合系數(shù)對(duì)頻率曲線的曲線圖。這些曲線圖示出了在典型的rf耦合器中，耦合效果隨頻率增大而增大，多段式rf耦合器可有效地補(bǔ)償增大的耦合效果，并且插入損耗隨著耦合效果降低而改善，等等。為了實(shí)現(xiàn)在頻率上相對(duì)平坦的耦合系數(shù)，可以配置多段式耦合器，使得沿圖12b所示的針對(duì)耦合系數(shù)值排列的3條曲線的點(diǎn)可針對(duì)3個(gè)不同關(guān)注頻率中的對(duì)應(yīng)頻率來實(shí)現(xiàn)。圖13a是包括根據(jù)一實(shí)施例的多段式射頻耦合器20b的電子系統(tǒng)的示意圖，多段式射頻耦合器20b具有可耦接到每個(gè)段的多個(gè)端接阻抗。除了多個(gè)端接阻抗可耦接到多段式耦合線路的每個(gè)段之外，圖13a的電子系統(tǒng)類似于圖7a、8a、9a和10a所示的電子系統(tǒng)。雖然為了說明的目的，結(jié)合圖13a描述了具有三段式耦合線路的實(shí)施例，但是本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于兩段式耦合線路和/或多于三段的耦合線路。如圖13a所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的多個(gè)阻抗選擇開關(guān)電連接到耦合線路的每個(gè)段。這些阻抗選擇開關(guān)中的每個(gè)具有與其電連接的對(duì)應(yīng)的端接阻抗。選定的端接阻抗可被提供給耦合線路的相應(yīng)段。這可實(shí)現(xiàn)期望的方向性。例如，對(duì)于特定頻率帶和/或特定功率模式，可將選定的端接阻抗提供給耦合線路的一段。圖13a所示的電子系統(tǒng)可配置為各種狀態(tài)。在一些狀態(tài)中，電子系統(tǒng)可配置為提供正向功率指示。根據(jù)另一些狀態(tài)，電子系統(tǒng)可配置為提供反射功率指示。電子系統(tǒng)也可配置為解耦狀態(tài)，在解耦狀態(tài)中耦合線路與主線路解耦。任何合適的控制電路，例如解碼器，可使開關(guān)接通和/或斷開以實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)。下面的表7總結(jié)了根據(jù)一實(shí)施例在各種狀態(tài)中圖示開關(guān)中的哪些開關(guān)接通，哪些開關(guān)斷開。下面的表8提供了對(duì)這些狀態(tài)的簡(jiǎn)要描述。在一些實(shí)施例中，可以實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)的附加狀態(tài)和/或子組合。表7圖13a的3段式耦合器的各種狀態(tài)的開關(guān)狀態(tài)表8圖13a的3段式耦合器的各種狀態(tài)和描述圖13b是示出具有端接阻抗的圖13a中的射頻耦合器的狀態(tài)曲線的曲線圖。圖13a的電子系統(tǒng)可以通過將不同的端接阻抗電連接到多段式耦合線路的段來對(duì)不同的頻率進(jìn)行優(yōu)化。例如，圖13b中下面的兩條曲線分別對(duì)應(yīng)于電連接到多段式耦合線路的端接阻抗106a和106b。一端接阻抗針對(duì)約900mhz的頻率帶進(jìn)行了優(yōu)化，另一端接阻抗針對(duì)約2.5ghz的頻率帶進(jìn)行了優(yōu)化。圖13b中基本上彼此交疊的頂部曲線對(duì)應(yīng)于耦合端口處的信號(hào)。圖13c是根據(jù)另一實(shí)施例的具有多段式耦合線路的射頻耦合器的示意圖，該多段式耦合線路具有可耦合到每個(gè)段的多個(gè)端接阻抗。如圖13c所示，rf耦合器的主線路可由單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電線路112實(shí)現(xiàn)。圖13c的電子系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)參考圖13a和13b論述的特征的任何合適的組合。導(dǎo)電線路112可以是從rf耦合器的功率輸入端口延伸到rf耦合器的功率輸出端口的連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電線路112可由例如微帶、帶狀線、電感器等實(shí)現(xiàn)。在包括多段式主線路的任何所公開的實(shí)施例中，可代替多段式主線路實(shí)施導(dǎo)電線路112。圖14是根據(jù)一實(shí)施例的耦合線路中具有級(jí)聯(lián)的段的射頻耦合器的示意圖。圖14所示的rf耦合器具有兩段式耦合線路。如圖所示，rf耦合器的主線路的段可由多個(gè)堆疊層中的傳輸線路實(shí)現(xiàn)。在圖14中，耦合線路的段也可由多個(gè)堆疊層80和82中的傳輸線路實(shí)現(xiàn)。耦合系數(shù)開關(guān)90可具有電連接到耦合線路的第一段85的第一端和電連接到耦合線路的第二段87的第二端。耦合系數(shù)開關(guān)90可實(shí)施在有源層中。端接阻抗開關(guān)可根據(jù)本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)將相應(yīng)的端接阻抗電連接到耦合線路的段。圖14的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可以與任何公開的實(shí)施例適當(dāng)組合來實(shí)施。圖15是根據(jù)一實(shí)施例的具有多個(gè)層的射頻耦合器的示意圖，其中多個(gè)耦合線路段可以共享相同的主耦合線路。圖15所示的rf耦合器包括具有兩段的耦合線路。如圖所示，段85和87設(shè)置為與主線路的公共段115相鄰。在圖15中，耦合線路的段85和87可由多個(gè)堆疊層中的傳輸線路實(shí)施。耦合系數(shù)開關(guān)90可實(shí)施在有源層中。圖15的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可以與任何公開的實(shí)施例適當(dāng)組合來實(shí)施。圖16a是根據(jù)一實(shí)施例的射頻耦合器、配置為提供可調(diào)端接阻抗的端接阻抗電路、以及耦接在射頻耦合器與端接阻抗電路之間的隔離開關(guān)的示意圖。例如，rf耦合器20a可實(shí)施在圖1和/或圖2的電子系統(tǒng)中。圖16a的電子系統(tǒng)包括rf耦合器20a、隔離開關(guān)120和122、存儲(chǔ)器125、控制電路58'、端接阻抗電路130和140、以及模式選擇開關(guān)64和68。圖16a所示的rf耦合器20a是雙向定向耦合器。圖16a的電子系統(tǒng)可包括比所示更多的元件，和/或可實(shí)施所示元件的子組合。此外，圖16a的電子系統(tǒng)可以根據(jù)本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)的任何合適的組合來實(shí)現(xiàn)。圖16a的端接阻抗電路130和140是可調(diào)諧的，以向rf耦合器20a的端口提供期望的端接阻抗。端接阻抗電路130可被調(diào)諧以向rf耦合器20a的隔離端口提供期望的端接阻抗。端接阻抗電路130可調(diào)諧提供給rf耦合器20a的隔離端口的電阻、電容和/或電感。這種可調(diào)諧性對(duì)于設(shè)計(jì)后配置和/或補(bǔ)償和/或優(yōu)化可以是有利的。端接阻抗電路130可以通過提供無源阻抗元件的串聯(lián)和/或并聯(lián)組合來調(diào)諧提供給隔離端口的端接阻抗。如圖16a所示，端接阻抗電路130包括開關(guān)131至139和無源阻抗元件r2a至r2n、l2a至l2n、以及c2a至c2n。開關(guān)131至139中的每個(gè)可以將各個(gè)無源阻抗元件選擇性地接入到提供給隔離端口的端接阻抗中。在圖16a所示的端接阻抗電路130中，為了提供連接節(jié)點(diǎn)n1和地之間的端接路徑，至少三個(gè)開關(guān)應(yīng)接通。圖16a所示的端接阻抗電路130的開關(guān)包括彼此串聯(lián)的三組并聯(lián)開關(guān)131至133、134至136、以及137-139。第一組開關(guān)131至133耦接在連接節(jié)點(diǎn)n1和第一中間節(jié)點(diǎn)n2之間。第二組開關(guān)134至136耦接在第一中間節(jié)點(diǎn)n2和第二中間節(jié)點(diǎn)n3之間。第三組開關(guān)137至139耦接在第二中間節(jié)點(diǎn)n3和諸如地之類之間的基準(zhǔn)電勢(shì)之間。具有與其他并聯(lián)開關(guān)組相并聯(lián)的開關(guān)組可增加由端接阻抗電路130提供的可能的端接阻抗值的數(shù)量。例如，當(dāng)端接阻抗電路130包括彼此串聯(lián)的3組3個(gè)并聯(lián)開關(guān)時(shí)，通過使每組開關(guān)中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)接通而其他開關(guān)斷開，端接阻抗電路可提供343種不同的端接阻抗值。所示的端接阻抗電路130包括串聯(lián)電路，其包括與其他串聯(lián)電路并聯(lián)的無源阻抗元件和開關(guān)，其他串聯(lián)電路包括其他無源阻抗元件和其他開關(guān)。例如，包括開關(guān)131和電阻器r2a的第一串聯(lián)電路與包括開關(guān)132和電阻器r2b的第二串聯(lián)電路并聯(lián)。端接阻抗電路130包括開關(guān)134至136以分別開關(guān)與一個(gè)或多個(gè)電阻器r2a至r2n串聯(lián)的電感器l2a至l2n。開關(guān)134至136也可開關(guān)彼此并聯(lián)的電感器l2a至l2n中的兩個(gè)或更多個(gè)。端接阻抗電路130還包括開關(guān)137至139以分別開關(guān)與一個(gè)或多個(gè)電阻器-電感器(rl)電路串聯(lián)的電容器c2a至c2n。開關(guān)137至139也可開關(guān)彼此并聯(lián)的電容器c2a至c2n中的兩個(gè)或更多個(gè)。如圖16a所示，開關(guān)132、136、137和138可接通，而端接阻抗電路130中的其他開關(guān)斷開。這可向rf耦合器20a的隔離端口提供端接阻抗，其包括串聯(lián)的電阻器r2b、電感器l2n、以及電容器c2a和c2b的并聯(lián)組合。端接阻抗電路130可包括具有任意值、二進(jìn)制加權(quán)值、補(bǔ)償變化的值、特定應(yīng)用的值等或其任何組合的無源阻抗元件。雖然端接阻抗電路130可提供rlc電路，但是本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于可提供電路元件的任何合適組合的端接阻抗電路，以提供期望的端接阻抗，電路元件諸如為一個(gè)或多個(gè)電阻器、一個(gè)或多個(gè)電感器、一個(gè)或多個(gè)電容器、一個(gè)或多個(gè)rl電路、一個(gè)或多個(gè)rc電路、一個(gè)或多個(gè)lc電路、或一個(gè)或多個(gè)rlc電路。電路元件的這種組合可以布置成任何合適的串聯(lián)和/或并聯(lián)的組合。開關(guān)131至139可以由場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)。替代地或附加地，端接阻抗電路130中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)可由mems開關(guān)、熔絲元件(例如，熔絲或反熔絲)、或任何其他合適的開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)。雖然圖16a所示的端接阻抗電路130包括開關(guān)，但是可調(diào)諧端接阻抗可以替代地或附加地由其他可變阻抗電路提供。例如，端接阻抗電路可利用這樣的阻抗元件來實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的端接阻抗，該阻抗元件具有作為提供給阻抗元件的信號(hào)的函數(shù)而變化的阻抗。作為一示例，以線性操作模式操作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可提供與提供給其柵極的電壓相關(guān)的阻抗。作為另一示例，變?nèi)荻O管可提供作為提供給變?nèi)荻O管的電壓的函數(shù)的可變電容。除了端接阻抗電路140可以向耦合端口而非隔離端口提供端接阻抗之外，所示的端接阻抗電路140可以與所示的端接阻抗電路130起基本相同的作用。端接阻抗電路130的無源阻抗元件的阻抗可以與端接阻抗電路140的對(duì)應(yīng)無源阻抗元件基本相同。與端接阻抗電路140的相應(yīng)的無源阻抗元件相比，端接阻抗電路130的一個(gè)或多個(gè)無源阻抗元件可以具有不同的阻抗值。在某些實(shí)施例(未示出)中，端接阻抗電路130和端接阻抗電路140可以具有彼此不同的電路拓?fù)?。所示的隔離開關(guān)120和122分別可用于提供rf耦合器20a的端口與端接阻抗電路130和140之間的隔離。隔離開關(guān)120和122中的每個(gè)可響應(yīng)于相應(yīng)隔離開關(guān)的控制終端處接收到的控制信號(hào)而分別將rf耦合器20a的一端口選擇性地電連接到端接阻抗電路130或140。如圖所示，隔離開關(guān)122電連接在rf耦合器20a的耦合端口和端接阻抗電路140之間。當(dāng)如圖16a所示耦合端口提供正向rf功率的指示時(shí)，隔離開關(guān)122可斷開。當(dāng)隔離開關(guān)122斷開時(shí)，隔離開關(guān)122可將端接阻抗電路140的負(fù)載與耦合端口分開。特別地，當(dāng)隔離開關(guān)122斷開時(shí)，隔離開關(guān)122可將端接阻抗電路140的第一組開關(guān)中的開關(guān)141到143與耦合端口隔離。這可通過去除rf耦合器20a的耦合端口上的開關(guān)組開關(guān)的負(fù)載來改善插入損耗。在所示實(shí)施例中，包括隔離開關(guān)122，有兩個(gè)開關(guān)串聯(lián)在端接阻抗電路140的任何無源阻抗元件和rf耦合器20a的耦合端口之間。當(dāng)圖16a的電子系統(tǒng)處于隔離端口提供反向rf功率指示的另一狀態(tài)(未示出)時(shí)，隔離開關(guān)122可接通，以將端接阻抗電路140電連接到耦合端口。例如，隔離開關(guān)122可由場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)。在某些實(shí)施方式中，隔離開關(guān)122可由串聯(lián)在連接節(jié)點(diǎn)n1和rf耦合器的耦合端口之間的開關(guān)以及連接到連接節(jié)點(diǎn)n1的分流開關(guān)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)一些實(shí)施方案，如圖19b和19c所示，隔離開關(guān)122可由例如串聯(lián)-分流-串聯(lián)開關(guān)拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)。隔離開關(guān)122可由單擲開關(guān)實(shí)現(xiàn)。隔離開關(guān)122可由單刀開關(guān)實(shí)現(xiàn)。隔離開關(guān)122可由如圖所示的單刀單擲開關(guān)實(shí)現(xiàn)。圖16a的隔離開關(guān)120電連接在rf耦合器20a的隔離端口和端接阻抗電路130之間。當(dāng)隔離端口提供反向rf功率指示(未示出)時(shí)，隔離開關(guān)120可斷開；當(dāng)如圖所示耦合端口提供正向rf功率指示時(shí)，隔離開關(guān)120可接通。除了開關(guān)被激活和去活時(shí)的不同連接和不同定時(shí)之外，隔離開關(guān)120和122可基本相同。在解耦狀態(tài)中，隔離開關(guān)120和122二者都可斷開。隔離開關(guān)120和122可實(shí)現(xiàn)一開關(guān)電路，其可以將端接阻抗電路130選擇性地電耦接到隔離端口，并且可以將端接阻抗電路140選擇性地電耦接到耦合端口。存儲(chǔ)器125可以存儲(chǔ)設(shè)置端接阻抗電路130和/或端接阻抗電路140中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器125可以由諸如熔絲元件之類的永久性存儲(chǔ)器元件來實(shí)現(xiàn)。在另一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器125可包括易失性存儲(chǔ)器元件。存儲(chǔ)器125可以存儲(chǔ)指示工藝變化的數(shù)據(jù)。替代地或附加地，存儲(chǔ)器125可以存儲(chǔ)指示應(yīng)用參數(shù)的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器125可與控制電路58'和/或端接阻抗電路130和140實(shí)現(xiàn)在相同的晶片上。存儲(chǔ)器125可包括在與rf耦合器20a相同的封裝中。所示的控制電路58'與存儲(chǔ)器125通信?？刂齐娐?8'配置為至少部分地基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器125中的數(shù)據(jù)提供一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)以設(shè)置端接阻抗電路130和140中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)?？刂齐娐?8'可以實(shí)現(xiàn)本文論述的控制電路58的特征的任何組合。例如，控制電路58'可以是解碼器。在制造圖16a的電子系統(tǒng)之后，存儲(chǔ)器125和控制電路58'可以一起配置端接阻抗電路130和/或140。這可以配置提供給rf耦合器20a的端接阻抗以補(bǔ)償工藝變化。例如，存儲(chǔ)器125可包括熔絲元件，控制電路58'可包括解碼器。在該示例中，在檢測(cè)到工藝變化之后，存儲(chǔ)器125的熔絲元件可熔斷，這可使控制電路58'將端接阻抗電路130和/或140中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)設(shè)置到接通位置，使得特定的無源阻抗元件被包括在提供給rf耦合器20a的端口的端接路徑中以補(bǔ)償工藝變化。作為另一示例，可以針對(duì)諸如在特定頻率帶中操作之類的特定應(yīng)用參數(shù)配置提供給rf耦合器20a的端接阻抗。圖16b是示出圖16a所示的射頻耦合器的對(duì)于兩個(gè)不同頻率優(yōu)化的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的信號(hào)的曲線圖。圖16b示出了可以使用端接阻抗電路130和/或端接阻抗電路140對(duì)特定頻率優(yōu)化端接阻抗?？梢愿鶕?jù)需要針對(duì)其他參數(shù)調(diào)節(jié)端接阻抗。圖17a是根據(jù)另一實(shí)施例的射頻耦合器、配置為提供可調(diào)端接阻抗的端接阻抗電路、以及射頻耦合器和端接阻抗電路之間的隔離開關(guān)的示意圖。圖17a的電子系統(tǒng)可包括比圖示更多的元件，和/或可以實(shí)施所示元件的子組合。此外，圖17a的電子系統(tǒng)可以根據(jù)本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)的任何合適的組合來實(shí)施。圖17a的電子系統(tǒng)包括與圖16a不同的端接阻抗電路。利用與圖16a的端接阻抗電路130和140不同的電路拓?fù)?，圖17a的端接阻抗電路130'和140'可以調(diào)節(jié)分別提供給rf耦合器20a的隔離端口和耦合端口的端接阻抗。例如，圖17a所示的端接阻抗電路130'包括開關(guān)155和156，其可選擇性提供rlc電路和rf耦合器的端口之間的電連接。所示的端接阻抗電路130'還可將rc端接(例如，當(dāng)開關(guān)152和/或153接通且開關(guān)157和/或158接通時(shí))或lc端接(例如，當(dāng)開關(guān)154接通且開關(guān)157和/或158接通時(shí))提供給rf耦合器20a的隔離端口。在所示的端接阻抗電路130'中，彼此成比例的不同無源阻抗元件(例如，電容器0.1c和0.2c；電阻器0.1r、0.2r和0.4r；或成比例的電感器[圖17a未示出])可以單獨(dú)地或彼此并行地選擇性接入。這樣的阻抗元件可用于補(bǔ)償工藝變化或用于配置電子系統(tǒng)用于特定應(yīng)用。例如，指示工藝變化的數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器125中，控制電路58'可設(shè)置開關(guān)狀態(tài)來接入或斷開特定阻抗，從而補(bǔ)償工藝變化。除了端接阻抗電路140'可向耦合端口而非隔離端口提供端接阻抗之外，所示的端接阻抗電路140'可與所示的端接阻抗電路130'基本相同。端接阻抗電路130'和140'中的無源阻抗元件的阻抗可基本相同，或者一個(gè)或多個(gè)無源阻抗值可具有不同的阻抗值。在某些實(shí)施例(未示出)中，端接阻抗電路130'和端接阻抗電路140'可具有不同的電路拓?fù)?。圖17b是示出圖17a所示的射頻耦合器的對(duì)于兩個(gè)不同頻率優(yōu)化了的耦合端口處的耦合信號(hào)和隔離端口處的信號(hào)的曲線圖。圖17b示出了由端接阻抗電路130'提供的端接阻抗可針對(duì)特定頻率得到優(yōu)化。特別地，rlc電路rlc2a可針對(duì)中心位于約900mhz的頻率帶得到優(yōu)化，rlc電路rlc2b可針對(duì)中心位于約2.5ghz的頻率帶得到優(yōu)化。調(diào)節(jié)開關(guān)155和156的狀態(tài)可向隔離端口提供不同的端接阻抗以用于這些頻率帶?？筛鶕?jù)需要針對(duì)其他參數(shù)調(diào)節(jié)端接阻抗。圖18是根據(jù)一實(shí)施例的設(shè)置端接阻抗電路中的開關(guān)狀態(tài)的示例過程170的流程圖。過程170可與這里參照可調(diào)端接阻抗電路和/或rf耦合器論述的任何原理和優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合地應(yīng)用。在框172，可以獲得指示射頻(rf)耦合器的端口處的期望端接阻抗的數(shù)據(jù)。所獲得的數(shù)據(jù)可以指示例如工藝變化、溫度依賴性和/或應(yīng)用參數(shù)。rf耦合器的端口可以是隔離端口或耦合端口。在框174，數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)到物理存儲(chǔ)器。這可使所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可被訪問，以至少部分地基于存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，至少部分地配置電連接到rf耦合器的端口的端接阻抗電路。例如，數(shù)據(jù)可被訪問以設(shè)置端接阻抗電路中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。作為另一示例，數(shù)據(jù)可被訪問以將可變阻抗元件配置在選定的阻抗值。作為又一示例，數(shù)據(jù)可被訪問以熔斷端接阻抗電路的熔絲元件。例如，數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)到圖16a和/或17a的存儲(chǔ)器125中。存儲(chǔ)器可以是永久性存儲(chǔ)器，例如熔絲元件。在另一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器可與控制電路和/或端接阻抗電路實(shí)施在同一晶片上。存儲(chǔ)器可與rf耦合器在同一封裝內(nèi)。一個(gè)或多個(gè)開關(guān)可包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管、mems開關(guān)和/或任何其他合適的開關(guān)元件。在框176，可以至少部分地基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)來配置端接阻抗電路。例如，可以至少部分地基于在框174處存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)來設(shè)置端接阻抗電路中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)的狀態(tài)。狀態(tài)可設(shè)置為接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)。將開關(guān)狀態(tài)設(shè)置為接通狀態(tài)可將特定的無源阻抗元件電耦接到rf耦合器的端口。這可補(bǔ)償工藝變化，補(bǔ)償溫度依賴性，為特定應(yīng)用配置端接阻抗電路等。圖19a是根據(jù)一實(shí)施例的射頻耦合器和可通過開關(guān)耦接到射頻耦合器的隔離端口或耦合端口的端接阻抗電路的示意圖。圖19a的rf耦合器20a例如可實(shí)施在圖1和/或圖2的電子系統(tǒng)中。圖19a的電子系統(tǒng)包括rf耦合器20a、隔離開關(guān)180和182、以及共享端接阻抗電路190。圖19a所示的rf耦合器20a是雙向定向耦合器，其可提供正向rf功率或反向rf功率的指示。圖19a的電子系統(tǒng)可包括比所示更多的元件，和/或可實(shí)施所示元件的子組合。此外，圖19a的電子系統(tǒng)可根據(jù)本文論述的原理和優(yōu)點(diǎn)的任何合適的組合來實(shí)現(xiàn)。在圖19a所示的電子系統(tǒng)中，共享阻抗電路190可在第一狀態(tài)下電耦接到rf耦合器20a的隔離端口，在第二狀態(tài)下電耦接到rf耦合器20a的耦合端口。在第一狀態(tài)下，rf耦合器20a可向耦合端口提供正向rf功率的指示。在第二狀態(tài)下，rf耦合器20a可向隔離端口提供反向rf功率的指示。與具有用于rf耦合器的不同端口的單獨(dú)端接阻抗電路相比，具有公共端接阻抗電路190可減小物理布局。包括隔離開關(guān)180和182的開關(guān)電路可在不同狀態(tài)中將rf耦合器20a的不同端口選擇性地電連接到共享端接阻抗電路190。隔離開關(guān)180和182可將圖19a的共享端接阻抗電路190選擇性地電連接到rf耦合器20a的耦合端口或rf耦合器20a的隔離端口。如圖所示，隔離開關(guān)180和182都電連接到共享端接阻抗電路190的相同節(jié)點(diǎn)(即，連接節(jié)點(diǎn)n1)。在另一些實(shí)施方式(未示出)中，開關(guān)可將端接阻抗電路選擇性地電耦接到rf耦合器的任何兩個(gè)端口，或者將端接阻抗電路選擇性地電耦接到rf耦合器的任何三個(gè)或更多端口。隔離開關(guān)180和182可在斷開狀態(tài)中提供比期望的方向性更高的隔離(例如，在某些實(shí)施方式中為10db或更佳)。這可在rf耦合器20a的耦合端口和隔離端口之間提供足夠的隔離，以用共享端接阻抗電路190實(shí)現(xiàn)期望的方向性。隔離開關(guān)每個(gè)可包括由場(chǎng)效應(yīng)晶體管、mems開關(guān)、或任何其他合適的開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)的串聯(lián)-分流-串聯(lián)電路拓?fù)鋸亩峁┳銐虻母綦x以獲得期望的方向性。圖19b和19c分別是根據(jù)一實(shí)施例的圖19a的隔離開關(guān)182和180的示意圖。圖19b示出處于斷開狀態(tài)的隔離開關(guān)，圖19c示出處于接通狀態(tài)的隔離開關(guān)。如圖19b所示，隔離開關(guān)182可包括串聯(lián)-分流-串聯(lián)電路拓?fù)涞拈_關(guān)184、186和188。當(dāng)開關(guān)182處于如圖19b所示的斷開狀態(tài)時(shí)，分流開關(guān)188可以接通，以向都處于斷開狀態(tài)的串聯(lián)開關(guān)184和186之間的節(jié)點(diǎn)提供地電勢(shì)。如圖19c所示，隔離開關(guān)180可包括串聯(lián)-分流-串聯(lián)電路拓?fù)涞拈_關(guān)184'、186'和188'。當(dāng)開關(guān)180處于如圖19c所示的接通狀態(tài)時(shí)，分流開關(guān)188'可斷開，串聯(lián)開關(guān)184'和186'都可處于接通狀態(tài)。隔離開關(guān)180和182在解耦狀態(tài)中都斷開。共享端接阻抗電路190可向rf耦合器20a的不同端口提供相同或不同的端接阻抗。如圖所示，在第一狀態(tài)中可提供給rf耦合器20a的隔離端口的任何端接阻抗值可在第二狀態(tài)中被提供給rf耦合器20a的耦合端口。所示的共享端接阻抗電路190是可調(diào)諧的，以提供可調(diào)阻抗。盡管圖19a所示的共享端接阻抗電路190具有與圖17a的端接阻抗電路130'和140'相同的電路拓?fù)洌枪蚕矶私幼杩闺娐房蓪?shí)施本文論述的諸如圖3a、4、5、13a和/或16a的端接阻抗電路之類的可調(diào)端接阻抗電路的特征的任何組合。此外，參考圖19a論述的共享端接阻抗電路的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于固定端接阻抗(例如，固定端接電阻器)。具有多段式耦合線路的rf耦合器可以結(jié)合本文論述的任何可調(diào)端接阻抗電路來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可將可調(diào)端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段。利用這樣的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，可在多段式耦合線路的多個(gè)段之間共享一個(gè)可調(diào)端接阻抗電路。替代地或附加地，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可將單獨(dú)的可調(diào)端接阻抗電路選擇性地電耦接到多段式耦合線路的不同段。在一些實(shí)施例中，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)可將耦合端口或隔離端口中的一個(gè)選擇性地電連接到單個(gè)功率輸出端口。將參照?qǐng)D20至圖25b論述具有rf耦合器的電子系統(tǒng)的示例性實(shí)施例，rf耦合器具有多段式耦合線路、開關(guān)網(wǎng)絡(luò)、以及一個(gè)或多個(gè)可調(diào)端接阻抗電路。圖20至圖25a的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的特征的任何合適的組合可結(jié)合圖20至圖25a的其他開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)或多個(gè)開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的特征來實(shí)現(xiàn)?？梢蕴娲鼗蚋郊拥貙?shí)現(xiàn)其他邏輯上和/或功能上等效的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。本文論述的任何合適的端接阻抗電路和/或本文論述的端接阻抗電路的特征的合適組合可以結(jié)合本文論述的任何實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)，例如圖20至25b的任何實(shí)施例。類似地，可以與參考圖20至圖25b論述的原理和優(yōu)點(diǎn)組合地實(shí)現(xiàn)本文論述的控制電路和/或存儲(chǔ)器的任何原理和優(yōu)點(diǎn)。圖20是根據(jù)一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200配置為將端接阻抗電路130選擇性地電連接到多段式耦合線路的選定段。在圖20中，rf耦合器包括多段式耦合線路，其包括段85、87和89。如圖所示，耦合系數(shù)開關(guān)90和91可將多段式耦合線路的段選擇性地電連接到彼此。盡管圖20所示的rf耦合器包括具有3段的耦合線路，但是圖20論述的原理和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于兩段式耦合線路和/或具有四段或更多段的耦合線路。圖20的rf耦合器的主線路包括單個(gè)導(dǎo)電線路112，如圖13c中那樣。圖20的電子系統(tǒng)包括端接阻抗電路130、端接阻抗電路140、以及隔離開關(guān)120和122，其每個(gè)可如參照?qǐng)D16a描述的那樣。在某些實(shí)施例中，可以實(shí)施圖17a的端接阻抗電路130'來代替圖20的電子系統(tǒng)中的端接阻抗電路130。根據(jù)另一些實(shí)施例，可以實(shí)施其他合適的端接阻抗電路，諸如圖25b所示的端接阻抗電路，來代替圖20的電子系統(tǒng)中的端接阻抗電路130。在某些實(shí)施例中，可實(shí)施圖17a的端接阻抗電路140'來代替圖20的電子系統(tǒng)中的端接阻抗電路140。根據(jù)另一些實(shí)施例，可以實(shí)施其他合適的端接阻抗電路，諸如圖25b所示的端接阻抗電路，來代替圖20的電子系統(tǒng)中的端接阻抗電路140。圖20的電子系統(tǒng)還包括控制電路58″和存儲(chǔ)器125。存儲(chǔ)器125可以如參照?qǐng)D16a描述的那樣。存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)參考圖18論述的特征的任何組合?？刂齐娐?8″可實(shí)現(xiàn)本文論述的控制電路58和58'的特征的任何組合。控制電路58"也可為開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200提供控制信號(hào)。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200可將端接阻抗電路130選擇性地電連接到多段式耦合線路的選定段。如圖所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200包括開關(guān)202、204和206。這些開關(guān)中的每個(gè)可響應(yīng)于由控制電路58″提供的相應(yīng)控制信號(hào)而接通和斷開。如圖20所示，開關(guān)204將端接阻抗電路130電連接到多段式耦合線路的第二段87。下面的表9總結(jié)了在各種狀態(tài)中，所示開關(guān)中的哪些開關(guān)接通，哪些開關(guān)斷開。圖20對(duì)應(yīng)于狀態(tài)2，其中rf耦合器配置為以中等耦合系數(shù)提供正向功率指示。下面的表10提供了對(duì)這些狀態(tài)的簡(jiǎn)要描述。在一些實(shí)施例中，可以實(shí)施這些狀態(tài)的附加狀態(tài)和/或子組合。諸如解碼器之類的任何合適的控制電路58″可使開關(guān)接通和/或斷開以實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)。端接阻抗電路130可配置成下表9中的狀態(tài)1至3中的任何一種中的任何合適的配置，以提供期望的端接阻抗。端接阻抗電路140可配置成下表9中的狀態(tài)5至7中的任何一種中的任何合適的配置，以提供期望的端接阻抗。表9圖20的rf耦合器的開關(guān)狀態(tài)狀態(tài)909192931201222022042061斷開斷開接通斷開接通斷開接通斷開斷開2接通斷開接通斷開接通斷開斷開接通斷開3接通接通接通斷開接通斷開斷開斷開接通4斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開5斷開斷開斷開接通斷開接通接通斷開斷開6接通斷開斷開接通斷開接通斷開接通斷開7接通接通斷開接通斷開接通斷開斷開接通表10圖20的rf耦合器的狀態(tài)和描述圖21是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及配置為將端接阻抗電路140選擇性地電連接到多段式耦合線路的選擇段的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。除了圖20的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200被開關(guān)網(wǎng)絡(luò)210替代之外，圖21的電子系統(tǒng)類似于圖20的電子系統(tǒng)。所示開關(guān)網(wǎng)絡(luò)210包括開關(guān)212、214、216和218。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)210可將端接阻抗電路140選擇性地電連接到多段式耦合線路的選定段85、87或89。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)210還配置為將多段式耦合線路中的每個(gè)段與端接阻抗電路130和140電解耦。例如，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)210包括開關(guān)218，其可斷開以將段89與端接阻抗電路130電隔離。圖22a是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及配置為將端接阻抗電路中的選定端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段的開關(guān)。除了實(shí)施開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220代替開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200/210，以及在多段式耦合線路的相鄰段之間串聯(lián)有附加開關(guān)之外，圖22a的電子系統(tǒng)類似于圖20和21的電子系統(tǒng)。代替圖20和21中的開關(guān)90和91，開關(guān)90a、90b、91a和91b被包括在圖22a的電子系統(tǒng)中。所示開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220包括開關(guān)221、222、223、224、225、226和227。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220可將端接阻抗電路130選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段85、87或89。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220還可將端接阻抗電路140選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段85、87或89。相對(duì)于開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200和210，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220提供更多選項(xiàng)，以將端接阻抗電路130和140選擇性電連接到rf耦合器的多段式耦合線路的選定段。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)200與耦合系數(shù)開關(guān)90a、90b、91a和91b一起還可提供用于將多段式耦合線路的段電連接到rf耦合器的耦合端口的額外選項(xiàng)。如圖22a所示，rf耦合器配置為提供正向功率的指示，耦合線路的第二段87被接入，而第一段85和第三段89被斷開。如圖22a所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220與其他所示開關(guān)一起將第二段87的一端電連接到正向耦合輸出，將段87的另一端電連接到端接阻抗電路130。下面的表11總結(jié)了在各種狀態(tài)中，所示開關(guān)中的哪些開關(guān)接通，哪些開關(guān)斷開。圖22a對(duì)應(yīng)于表中的狀態(tài)2。下面的表12提供了對(duì)這些狀態(tài)的簡(jiǎn)要描述。在一些實(shí)施例中，可以實(shí)施這些狀態(tài)的附加狀態(tài)和/或子組合。諸如解碼器之類的任何合適的控制電路58″可使開關(guān)接通和/或斷開以實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)。端接阻抗電路130可配置為下表11中的任何狀態(tài)1至7中的任何合適的狀態(tài)，以提供期望的端接阻抗。端接阻抗電路140可配置為下表11中的任何狀態(tài)9至15中的任何合適的狀態(tài)，以提供期望的端接阻抗。表11圖22a的rf耦合器的開關(guān)狀態(tài)狀態(tài)90a90b91a91b92931201222212222232242252262271接通斷開斷開斷開接通斷開接通斷開接通接通斷開斷開斷開接通接通2斷開接通接通斷開接通斷開接通斷開斷開接通接通斷開接通斷開接通3斷開斷開斷開接通接通斷開接通斷開斷開斷開接通接通接通接通斷開4接通接通接通斷開接通斷開接通斷開接通斷開接通斷開斷開斷開接通5接通斷開斷開接通接通斷開接通斷開接通接通接通接通斷開接通斷開6斷開接通接通接通接通斷開接通斷開斷開接通斷開接通接通斷開斷開7接通接通接通接通接通斷開接通斷開接通斷開斷開接通斷開斷開斷開8斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開斷開9接通斷開斷開斷開斷開接通斷開接通接通接通斷開斷開斷開接通接通10斷開接通接通斷開斷開接通斷開接通斷開接通接通斷開接通斷開接通11斷開斷開斷開接通斷開接通斷開接通斷開斷開接通接通接通接通斷開12接通接通接通斷開斷開接通斷開接通接通斷開接通斷開斷開斷開接通13接通斷開斷開接通斷開接通斷開接通接通接通接通接通斷開接通斷開14斷開接通接通接通斷開接通斷開接通斷開接通斷開接通接通斷開斷開15接通接通接通接通斷開接通斷開接通接通斷開斷開接通斷開斷開斷開表12圖22a的rf耦合器的狀態(tài)和描述圖22b是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、端接阻抗電路130'和140'、以及配置為將端接阻抗電路中的選定端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段的開關(guān)。除了實(shí)施端接阻抗電路130'和140'代替端接阻抗電路130和140之外，圖22b的電子系統(tǒng)類似于圖22a的電子系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，可實(shí)施圖22a的一個(gè)端接阻抗電路(例如，端接阻抗電路130)，并且可實(shí)施圖22b的一個(gè)端接阻抗電路(例如，端接阻抗電路140')。在各種實(shí)施例中可實(shí)施其他合適的端接阻抗電路。圖22c是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及配置為將端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段的開關(guān)。除了實(shí)施開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220'代替開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220，以及在多段式耦合線路的相鄰段之間串聯(lián)有更少的開關(guān)之外，圖22c的電子系統(tǒng)類似于圖22a的電子系統(tǒng)。特別地，在圖22c的電子系統(tǒng)中，實(shí)施開關(guān)90、91、222a、222b、223a和223b代替圖22a的開關(guān)90a、90b、91a、92b、222和223。在各種實(shí)施例中可實(shí)施其他合適的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。圖23a是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有兩段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及配置為將端接阻抗電路中的選定端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230。如圖所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230包括開關(guān)221、222、224、225和227。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230可將段85、段87、或者段85和87二者接入。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230可將端接阻抗電路130或140之一選擇性電連接到段85或段87。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230也可將段85和87與端接阻抗電路130和140兩者解耦?？申P(guān)于開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230實(shí)施其他合適的端接阻抗電路。如圖23a所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230將第二段87的第一端電連接到正向耦合輸出，將第二段87的第二端電連接到端接阻抗電路130。在圖23a所示的狀態(tài)中，第一段85不會(huì)對(duì)所示rf耦合器的耦合系數(shù)有顯著貢獻(xiàn)。因此，在圖23a所示的狀態(tài)中，第一段85的長(zhǎng)度不視為電連接到耦合端口的耦合線路的有效長(zhǎng)度的一部分。圖23b是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有兩段式耦合線路、端接阻抗電路130和140、以及配置為將端接阻抗電路中的選定端接阻抗電路選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)230。除了圖23b的電子系統(tǒng)還包括串聯(lián)在段85和87之間的開關(guān)90a和90b之外，圖23b的電子系統(tǒng)類似于圖23a的電子系統(tǒng)。圖24是根據(jù)另一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、共享端接阻抗電路190、以及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220以及隔離開關(guān)180和182一起配置為將共享端接阻抗電路190選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段。除了圖24的電子系統(tǒng)包括多段式耦合線路和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220之外，圖24所示的電子系統(tǒng)類似于圖19a所示的電子系統(tǒng)。如圖所示，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220可將共享端接阻抗電路190選擇性電連接到多段式耦合線路的選定段。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)220可將共享端接阻抗電路190選擇性電連接到選定段的任一端。雖然圖24示出了三段式耦合線路，但是圖24的實(shí)施例的原理和優(yōu)點(diǎn)可結(jié)合兩段式耦合線路或具有四段或更多段的耦合線路來應(yīng)用。雖然為了說明的目的而示出了共享端接阻抗電路190，但是替代地可以實(shí)施具有本文論述的任何端接電路的一個(gè)或多個(gè)特征的共享端接阻抗電路。圖25a是根據(jù)一實(shí)施例的包括射頻耦合器的電子系統(tǒng)的示意圖，射頻耦合器具有多段式耦合線路、多個(gè)端接阻抗電路250a至250d、及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240。在圖25a中，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240包括開關(guān)251、252、253、254、255和256。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240可從控制電路58″接收一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)，并且可將選定的端接阻抗電路250a、250b、250c或250d選擇性電連接到多段式耦合線路的段85或87的選定端。例如，開關(guān)252可響應(yīng)于由控制電路58″提供的控制信號(hào)而將第一端接阻抗電路250a選擇性電連接到第一段85的第一端。作為另一示例，開關(guān)253可響應(yīng)于由控制電路58″提供的控制信號(hào)而將第二端接阻抗電路250b選擇性電連接到第一段85的第二端。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240可在解耦狀態(tài)中將全部端接阻抗電路250a、250b、250c和250d與第一段85和第二段87電解耦。開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240的開關(guān)251和255以及耦合系數(shù)開關(guān)90a和90b可將段85或87的選定端電連接到功率輸出端口powerout。耦合系數(shù)開關(guān)90a和90b可被視為也包括開關(guān)網(wǎng)絡(luò)240的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的一部分。在圖25a中，提供了單個(gè)功率輸出端口powerout以提供正向功率指示或反向功率指示?？梢酝ㄟ^包括附加開關(guān)和/或改變其他實(shí)施例的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)來結(jié)合本文論述的任何其他實(shí)施例實(shí)施單個(gè)輸出端口。在某些實(shí)施例中，可實(shí)施具有可調(diào)端接阻抗的單獨(dú)端接阻抗電路以用于多段式耦合線路的兩個(gè)或更多段中的每一個(gè)。根據(jù)一些實(shí)施例，可實(shí)施分別的端接阻抗電路以用于多段式耦合線路的段的每端。如圖25a所示，第一端接阻抗電路250a電連接到耦合線路的第一段85的第一端，第二端接阻抗電路250b電連接到耦合線路的第一段85的第二端，第三端接阻抗電路250c電連接到耦合線路的第二段87的第一端，第四端接阻抗電路250d電連接到耦合線路的第二段87的第二端。在圖25a中，端接阻抗電路250a、250b、250c和250d中的每個(gè)包括具有可調(diào)端接阻抗的rlc電路?？刂齐娐?8″可提供一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)以調(diào)節(jié)端接阻抗電路250a、250b、250c和/或250d的端接阻抗。雖然為了說明的目的將參照?qǐng)D25b論述示例性端接阻抗電路250a，但是應(yīng)理解，本文論述的與端接阻抗電路相關(guān)的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可被替代地實(shí)施。此外，在某些實(shí)施例中，端接阻抗電路250b、250c或250d中的一個(gè)或多個(gè)可與端接阻抗電路250a基本相同。根據(jù)一些實(shí)施例，端接阻抗電路250b、250c或250d中的一個(gè)或多個(gè)可不同于端接阻抗電路250a。圖25b示出根據(jù)一實(shí)施例的圖25a的示例端接阻抗電路250a。端接阻抗電路250a的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可結(jié)合本文論述的任何其他實(shí)施例來實(shí)施，包括具有多段式耦合線路的實(shí)施例和具有連續(xù)耦合線路的實(shí)施例。如圖所示，端接阻抗電路250a是可調(diào)rlc電路。端接阻抗電路250a可包括固定阻抗部分和可調(diào)阻抗部分。固定阻抗部分可包括一個(gè)或多個(gè)電阻器、一個(gè)或多個(gè)電容器、一個(gè)或多個(gè)電感器、或其任何合適的串聯(lián)和/或并聯(lián)組合。例如，固定阻抗部分可包括并聯(lián)rc電路。固定阻抗部分可包括串聯(lián)rl電路。固定阻抗部分可包括串聯(lián)lc電路。如圖25b所示，端接阻抗電路250a的固定阻抗部分包括并聯(lián)rc電路，其包括與電感器c25并聯(lián)、與電感器l25串聯(lián)的電阻器r25。可調(diào)阻抗部分可包括多個(gè)無源阻抗元件和多個(gè)開關(guān)。替代地或附加地，可調(diào)阻抗部分可包括變?nèi)荻O管和/或其他可變阻抗元件。例如，可調(diào)阻抗部分可包括一個(gè)或多個(gè)電容器以及一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)的開關(guān)，其配置為選擇性地接入和斷開相應(yīng)電容器的阻抗。作為另一示例，可調(diào)阻抗部分可包括一個(gè)或多個(gè)電阻器以及一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)的開關(guān)，其配置為選擇性接入和斷開相應(yīng)電阻器的阻抗。如圖25b所示，端接阻抗電路250a包括開關(guān)257a、257b、258a1、258a2、258a3、258a4、258b1、258b2、258b3和258b4，電容器c25a1、c25a2、c25b1和c25b2，以及電阻器r25a1、r25a2、r25b1和r25b2。所示開關(guān)可接收來自諸如圖25a的控制電路58c之類的控制電路的信號(hào)，并且將相應(yīng)的無源阻抗元件選擇性地電耦接在地和多段式耦合線路的段之間。圖示開關(guān)中的零個(gè)、一個(gè)或多個(gè)可同時(shí)接通。為了避免比期望更多的開關(guān)耦接到特定節(jié)點(diǎn)，開關(guān)可分支，以使得不超過一定數(shù)量的開關(guān)(例如，如圖所示的4個(gè))直接連接到特定節(jié)點(diǎn)。如圖所示，開關(guān)257a和257b可將相應(yīng)開關(guān)組選擇性電連接到rf耦合器的端口。開關(guān)組的開關(guān)258a1、258a2、258a3、258a4、258b1、258b2、258b3和258b4可選擇性地接入和斷開與并聯(lián)rc電路并聯(lián)的相應(yīng)無源阻抗元件的阻抗，并聯(lián)rc電路包括與電容器c25并聯(lián)的電阻器r25。所示可調(diào)阻抗部分的電阻器和電容器可具有用于特定應(yīng)用的任何合適的阻抗值。端接阻抗電路250包括串聯(lián)耦接在開關(guān)和地之間的無源阻抗元件，其中開關(guān)耦接在rf耦合器的端口和串聯(lián)無源阻抗元件之間。如圖所示，串聯(lián)的無源阻抗元件可包括電感器和電阻器以及電感器和電容器。更一般地，串聯(lián)的無源阻抗元件可包括電阻器和另一類型的無源阻抗元件、電容器和另一類型的無源阻抗元件、或電感器和另一類型的無源阻抗元件。本文描述的射頻耦合器可實(shí)施在各種不同的模塊中，包括例如獨(dú)立的射頻耦合器、天線開關(guān)模塊、組合射頻耦合器和天線開關(guān)模塊的模塊、阻抗匹配模塊、天線調(diào)諧模塊等。圖26a至26c示出了可包括本文所討論的任何射頻耦合器的示例模塊。這些示例模塊可包括與射頻耦合器、端接阻抗電路、開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和/或開關(guān)電路等相關(guān)聯(lián)的特征的任何組合。圖26a是包括射頻耦合器的封裝模塊260的框圖。封裝模塊260包括包封rf耦合器20的封裝262。封裝模塊260可包括對(duì)應(yīng)于rf耦合器20的每個(gè)端口的觸點(diǎn)，例如管腳、插孔、焊球、焊面(land)等。在一些實(shí)施例中，封裝模塊260可包括對(duì)應(yīng)于功率輸入端口的第一觸點(diǎn)、對(duì)應(yīng)于功率輸出端口的第二觸點(diǎn)、對(duì)應(yīng)于正向耦合輸出的第三觸點(diǎn)、以及對(duì)應(yīng)于反向耦合輸出的第四觸點(diǎn)。根據(jù)另一實(shí)施例，根據(jù)封裝模塊260中的開關(guān)的狀態(tài)，封裝模塊260可包括用于與正向功率或反向功率對(duì)應(yīng)的輸出功率的單個(gè)觸點(diǎn)。根據(jù)這里討論的任何原理和優(yōu)點(diǎn)的端接阻抗電路和/或開關(guān)可被包括在圖26a至26c所示的任何示例模塊的封裝262內(nèi)。圖26b是包括射頻耦合器20和天線開關(guān)模塊40的封裝模塊265的框圖。在圖26b中，封裝262包封rf耦合器20和天線開關(guān)模塊40二者。圖26c是封裝模塊267的框圖，其包括射頻耦合器20、天線開關(guān)模塊40、以及功率放大器10。封裝模塊267包括在公共封裝262內(nèi)的這些元件。圖27示出可包括具有本文所討論的一個(gè)或多個(gè)特征的一個(gè)或多個(gè)射頻耦合器的示例無線設(shè)備270。例如，示例無線設(shè)備270可包括根據(jù)參考圖3a、4、5a、7a、8a、9a、10a、13a、14、15、6a、17a、19a或20至25a中的任何rf耦合器討論的任何原理和優(yōu)點(diǎn)的rf耦合器。示例無線設(shè)備270可以是諸如智能電話的移動(dòng)電話。示例無線設(shè)備270可包括在圖27中未示出的元件和/或所示元件的子組合。圖27所示的示例無線設(shè)備270可表示多頻帶和/或多模式設(shè)備，例如多頻帶/多模式移動(dòng)電話。作為示例，無線設(shè)備270可根據(jù)長(zhǎng)期演進(jìn)(lte)進(jìn)行通信。在該示例中，無線設(shè)備可配置為在由lte標(biāo)準(zhǔn)定義的一個(gè)或多個(gè)頻帶上操作。無線設(shè)備270可替代地或附加地配置為根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他通信標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行通信，包括但不限于wi-fi標(biāo)準(zhǔn)、藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)、3g標(biāo)準(zhǔn)、4g標(biāo)準(zhǔn)或高級(jí)lte標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)或多個(gè)。如圖所示，無線設(shè)備270可包括收發(fā)機(jī)273、天線開關(guān)模塊40、rf耦合器20、天線30、功率放大器10、控制部件278、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)279、處理器280和電池271。收發(fā)機(jī)273可產(chǎn)生用于經(jīng)由天線30發(fā)射的rf信號(hào)。此外，收發(fā)機(jī)273可接收來自天線30的傳入rf信號(hào)。應(yīng)理解，與rf信號(hào)的發(fā)射和接收相關(guān)聯(lián)的各種功能可通過在圖27中統(tǒng)稱為收發(fā)機(jī)273的一個(gè)或多個(gè)部件來實(shí)現(xiàn)。例如，單個(gè)部件可配置為提供發(fā)射和接收功能。在另一示例中，發(fā)射和接收功能可由分別的部件提供。在圖27中，來自收發(fā)機(jī)273的一個(gè)或多個(gè)輸出信號(hào)被描繪為經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)傳輸路徑275提供給天線30。在所示的示例中，不同的傳輸路徑275可表示與不同頻率帶(例如，高頻帶和低頻帶)和/或不同功率輸出相關(guān)聯(lián)的輸出路徑。一個(gè)或多個(gè)傳輸路徑275可與不同傳輸模式相關(guān)聯(lián)。所示傳輸路徑275中的一個(gè)可以是激活的，而一個(gè)或多個(gè)其他傳輸路徑275是非激活的。其他傳輸路徑275可與不同功率模式(例如，高功率模式和低功率模式)相關(guān)聯(lián)和/或路徑與不同發(fā)射頻率帶相關(guān)聯(lián)。發(fā)射路徑275可包括一個(gè)或多個(gè)功率放大器10，以幫助將具有相對(duì)較低功率的rf信號(hào)提升到適于發(fā)射的較高功率。如圖所示，功率放大器10a和10b可包括上述功率放大器10。無線設(shè)備270可被修改以包括任何合適數(shù)量的傳輸路徑275。在圖27中，來自天線30的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)被描繪為經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)接收路徑277提供給收發(fā)機(jī)273。在所示的示例中，不同的接收路徑277可表示與不同的信令模式和/或不同的接收頻率帶相關(guān)聯(lián)的路徑。無線設(shè)備270可被修改以包括任何合適數(shù)量的接收路徑277。為了便于在接收和/或發(fā)送路徑之間切換，可包括天線開關(guān)模塊40且其可用于將天線30選擇性電連接到選定的發(fā)送或接收路徑。因此，天線開關(guān)模塊40可提供與無線設(shè)備270的操作相關(guān)聯(lián)的多種開關(guān)功能。天線開關(guān)模塊40可包括多擲開關(guān)，其配置為提供與例如不同頻帶之間的切換、不同模式之間的切換、發(fā)射和接收模式之間切換、或其任何組合相關(guān)聯(lián)的功能。rf耦合器20可設(shè)置在天線開關(guān)模塊40和天線30之間。rf耦合器20可提供提供給天線30的正向功率的指示和/或從天線30反射的反向功率的指示。例如，可以使用正向和反向功率的指示來計(jì)算反射功率比，例如回波損耗、反射系數(shù)、或電壓駐波比(vswr)。圖27所示的rf耦合器20可實(shí)施本文所討論的rf耦合器的任何原理和優(yōu)點(diǎn)。圖27示出了在某些實(shí)施例中，可提供控制部件278以用于控制與天線開關(guān)模塊40和/或其他操作部件的操作相關(guān)聯(lián)的各種控制功能。例如，控制部件278可幫助向天線開關(guān)模塊40提供控制信號(hào)，以便選擇特定的發(fā)送或接收路徑。作為另一示例，控制部件278可提供控制信號(hào)以根據(jù)本文討論的任何原理和優(yōu)點(diǎn)來配置rf耦合器20和/或相關(guān)聯(lián)的端接阻抗電路和/或相關(guān)聯(lián)的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。在某些實(shí)施例中，處理器280可配置為便于在無線設(shè)備270上實(shí)施各種過程。處理器280可以是例如通用處理器或?qū)Ｓ锰幚砥?。在某些?shí)施方式中，無線設(shè)備270可包括非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)279，例如存儲(chǔ)器，其可以存儲(chǔ)可提供給處理器280并由處理器280運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序指令。電池271可以是在無線設(shè)備270中使用的任何合適的電池，包括例如鋰離子電池。上述一些實(shí)施例提供了與功率放大器和/或移動(dòng)設(shè)備相關(guān)的示例。然而，實(shí)施例的原理和優(yōu)點(diǎn)可用于任何其他系統(tǒng)或裝置，例如任何上行鏈路蜂窩設(shè)備，其可受益于本文所述的任何電路。本文討論的任何原理和優(yōu)點(diǎn)可在需要檢測(cè)和/或監(jiān)視與諸如正向rf功率和/或反向rf功率之類的rf信號(hào)相關(guān)聯(lián)的功率電平的電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)。本文討論的任何開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和/或開關(guān)電路可以替代地或附加地由任何其他合適的邏輯等效和/或功能等效的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)。本文的教導(dǎo)適用于各種功率放大器系統(tǒng)，包括具有多個(gè)功率放大器的系統(tǒng)，包括例如多頻帶和/或多模式功率放大器系統(tǒng)。本文討論的功率放大器晶體管可以是例如砷化鎵(gaas)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)或硅鍺(sige)晶體管。此外，本文討論的功率放大器可由fet和/或諸如異質(zhì)結(jié)雙極晶體管之類的雙極晶體管來實(shí)現(xiàn)。本公開的各方面可在各種電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。電子設(shè)備的示例可以包括但不限于消費(fèi)電子產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品的部件、電子測(cè)試設(shè)備、諸如基站之類的蜂窩通信基礎(chǔ)設(shè)施等。電子設(shè)備的示例可以包括但是不限于例如智能電話的移動(dòng)電話、電話、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器、計(jì)算機(jī)、調(diào)制解調(diào)器、手持計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、電子書閱讀器、例如智能手表的可穿戴式計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、dvd播放器、cd播放器、例如mp3播放器的數(shù)字音樂播放器、收音機(jī)、攝像機(jī)、照相機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式存儲(chǔ)器芯片、健康護(hù)理監(jiān)視設(shè)備、例如汽車電子系統(tǒng)或航空電子系統(tǒng)的車載電子系統(tǒng)、洗衣機(jī)、干衣機(jī)、洗衣機(jī)/干衣機(jī)、周邊設(shè)備、腕表、時(shí)鐘等。此外，電子設(shè)備可以包括未完成的產(chǎn)品。除非上下文清楚地另有要求，否則貫穿說明書和權(quán)利要求書，要按照與排他性或窮盡性的意義相反的包括性的意義，也就是說，按照“包括但不限于”的意義來闡釋詞語“包括(comprise)”、“包含(comprising)”等。當(dāng)在本文中一般使用時(shí)，詞語“電耦接”是指兩個(gè)或更多元件可以直接地電連接、或者借助于一個(gè)或多個(gè)中間元件來電連接。類似地，當(dāng)在本文中一般使用時(shí)，詞語“連接”是指兩個(gè)或更多元件可以直接地連接、或者借助于一個(gè)或多個(gè)中間元件來連接。另外，當(dāng)在本申請(qǐng)中使用時(shí)，詞語“本文”、“上面”、“下面”和相似含義的詞語應(yīng)該是指作為整體的本申請(qǐng)，而不是本申請(qǐng)的任何具體部分。在上下文允許時(shí)，使用單數(shù)或復(fù)數(shù)的以上某些實(shí)施例的詳細(xì)描述中的詞語也可以分別包括復(fù)數(shù)或單數(shù)。提及兩個(gè)或更多項(xiàng)目的列表時(shí)的詞語“或”，在上下文允許時(shí)，這個(gè)詞語涵蓋該詞語的以下解釋中的全部：列表中的任何項(xiàng)目、列表中的所有項(xiàng)目、和列表中各項(xiàng)目的任何組合。此外，除非另有明確說明，或在所使用的上下文中被另外理解，否則本文中使用的條件語言，諸如“可以(can)”、“可(could)”、“可能”、“可以”、“例如”、“比如”、“諸如”等，通常旨在表達(dá)某些實(shí)施例包括某些特征、元素和/或狀態(tài)，而其他實(shí)施例不包括這些特征、元素和/或狀態(tài)。因此，這樣的條件語言通常不旨在暗示：特征、元素和/或狀態(tài)以任何方式被一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所必需；或者一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例必須包括以下邏輯，該邏輯用于在有或沒有作者輸入或提示的情況下，判斷這些特征、元素和/或狀態(tài)是否包括在任何特定實(shí)施例中或?qū)⒁谌魏翁囟▽?shí)施例中被執(zhí)行。盡管已經(jīng)描述了某些實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅已借助于示例來呈現(xiàn)，并不意欲限制本申請(qǐng)的范圍。實(shí)際上，本文描述的新穎裝置、方法、和系統(tǒng)可以以各種其他形式實(shí)施；此外，在不脫離本申請(qǐng)的精神的情況下，可以進(jìn)行本文所描述的方法和系統(tǒng)在形式上的各種省略、替換和改變。例如，盡管塊以給定的設(shè)置呈現(xiàn)，但是備選實(shí)施例可以利用不同的部件和/或電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來執(zhí)行類似的功能，并且一些塊可以被刪除、移動(dòng)、添加、細(xì)分，組合、和/或修改。這些塊中的每一個(gè)可以以各種不同的方式來實(shí)現(xiàn)。上述各種實(shí)施例的元件和動(dòng)作的任何合適的組合可以被組合以提供另外的實(shí)施例。所附權(quán)利要求及其等同物旨在覆蓋落入本申請(qǐng)的范圍和精神內(nèi)的這些形式或修改。當(dāng)前第1頁(yè)12