本描述的實施例通常涉及微電子器件制造的領(lǐng)域，并且更具體地，涉及在用于微電子部件與焊料互連的電附著的互連墊上形成的表面末道層（surfacefinishes）。

背景技術(shù)：

微電子器件通常由各種微電子部件制成，所述各種微電子部件包括但不限于至少一個微電子管芯（諸如微處理器、芯片集、圖形設備、無線設備、存儲器設備、專用集成電路等等）、至少一個無源部件（諸如電阻器、電容器、電感器等等）以及用于安裝所述部件的至少一個微電子襯底（諸如內(nèi)插器、母板等等）。各種微電子部件可以通過在一個微電子部件上的互連墊到另一個微電子部件上的互連墊之間延伸的焊料互連而被彼此電互連。

微電子行業(yè)正在不斷地爭取生產(chǎn)比以往更快并且更小的微電子器件以供各種電子產(chǎn)品之用，所述各種電子產(chǎn)品包括但不限于便攜式產(chǎn)品，諸如便攜式計算機、數(shù)字照相機、電子平板電腦、蜂窩電話等等。隨著微電子部件（諸如微電子器件和微電子襯底）的尺寸被減小，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解的，微電子部件的電流密度增加。隨著這些電流密度增加，在互連墊和焊料互連之間布置的表面末道層（surfacefinishes）不但必須在互連墊和焊料互連之間形成易延展互連或者“接頭”，而且具有足夠強的抗電遷移以滿足更小的微電子部件的最大電流（）需求。因此，存在有開發(fā)可以提供期望的最大電流（）同時維持互連墊和焊料互連之間的易延展接頭的表面末道層及其制造的方法的需要。

附圖說明

在說明書的結(jié)束部分中特別指出并且清楚地要求了本公開的主題。結(jié)合附圖，由下面的描述和所附的權(quán)利要求，本公開的前述的以及其它的特征將會變得更加充分地明顯。會理解，附圖僅僅描繪了根據(jù)本公開的若干實施例并且因此將不會被認為是它的范圍的限制。將會通過使用附圖、利用附加的特性和細節(jié)來描述本公開，使得可以更容易地確定本公開的優(yōu)勢，其中：

圖1是根據(jù)本描述的實施例的微電子結(jié)構(gòu)的側(cè)截面視圖。

圖2是如本領(lǐng)域已知的具有布置在互連墊和焊料互連之間的表面末道層結(jié)構(gòu)的互連墊和焊料互連的側(cè)截面視圖。

圖3是根據(jù)本描述的一個實施例的具有布置在互連墊和焊料互連之間的表面末道層結(jié)構(gòu)的互連墊和焊料互連的側(cè)截面視圖。

圖4是根據(jù)本描述的另一個實施例的具有布置在互連墊和焊料互連之間的表面末道層結(jié)構(gòu)的互連墊和焊料互連的側(cè)截面視圖。

圖5是根據(jù)本描述的實施例的制造微電子封裝的過程的流程圖。

圖6說明了根據(jù)本描述的一個實現(xiàn)的計算設備。

具體實施方式

在下面的詳細描述中，參考了通過說明的方式示出其中可以實施所要求的主題的特定實施例的附圖。足夠詳細地描述了這些實施例以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┧鲋黝}。將會理解，各種實施例，盡管不同，但是不必相互排斥。例如，與一個實施例有關(guān)的本文描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在其它實施例內(nèi)被實現(xiàn)，而不會背離所要求的主題的精神和范圍。在本說明書內(nèi)提及“一個實施例”或者“實施例”意味著與所述實施例有關(guān)地描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在包含在本描述內(nèi)的至少一個實現(xiàn)中。因此，短語“一個實施例”或者“在實施例中”的使用不必指相同的實施例。另外，將會理解，可以修改每個公開的實施例內(nèi)的單獨的元件的位置或布置而不會背離要求的主題的精神和范圍。因此將不會在限制的意義上采用下面詳細的描述，并且主題的范圍僅僅通過適當解釋的所附的權(quán)利要求連同所附的權(quán)利要求授權(quán)的等同物的全部范圍來限定。在附圖中，在整個若干視圖中相似的附圖標記指相同的或類似的元件或功能性，并且其中描繪的元件不必相互之間按比例繪制，相反單獨的元件可以被放大或減小以便于更容易理解本描述的上下文中的元件。

如本文使用的術(shù)語“在……之上”、“到”、“在……之間”以及“在……上”可以指一層相對于其它層的相對位置。“在另一層之上”或者“在另一層上”或者被粘合“到”另一層的一層可以直接與另一個層接觸或者可以具有一個或多個中間層?！霸趯又g”的一層可以直接與所述層接觸或者可以具有一個或多個中間層。

在微電子結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)中，微電子封裝通常被安裝在于微電子封裝和外部部件之間提供電通信路線的微電子板/襯底上。正如圖1中示出的，微電子封裝100可以包括在通常被稱為倒裝芯片（flip-chip）或受控的塌陷芯片連接（“c4”）配置的配置中通過多個焊料互連142被附著到微電子內(nèi)插器/襯底120的第一表面122的微電子器件110，諸如微處理器、芯片集、圖形設備、無線設備、存儲器設備、專用集成電路等等。器件到內(nèi)插器/襯底焊料互連142可以從微電子器件110的活性表面112上的互連墊114和微電子內(nèi)插器/襯底第一表面122上的互連墊124延伸。微電子器件互連墊114可以與微電子器件110內(nèi)的集成電路（未示出）電連通。微電子內(nèi)插器/襯底120可以包括從至少一個微電子內(nèi)插器/襯底互連墊124和微電子內(nèi)插器/襯底120的第二表面132上的或最接近所述第二表面132的至少一個微電子封裝互連墊128延伸穿過的至少一個導電路線126。微電子內(nèi)插器/襯底120可以將微電子器件互連墊114的細節(jié)距（微電子器件互連墊114之間的中心到中心距離）重布線成微電子封裝互連墊128的相對更寬的節(jié)距。

通過多個焊料互連144可以將微電子封裝100附著到微電子板/襯底150（諸如印刷電路板、母板等等）以形成微電子結(jié)構(gòu)160。封裝到板/襯底焊料互連144可以在微電子封裝互連墊128和微電子板/襯底150的附著面154上的基本鏡像互連墊152之間延伸。微電子板/襯底互連墊152可以與微電子板/襯底150內(nèi)的導電路線（作為虛線156示出的）電連通。微電子板/襯底導電路線156可以將電通信路線提供給外部部件（未示出）。

微電子內(nèi)插器/襯底120和微電子板/襯底150兩者可以主要由任何適當?shù)牟牧希òǖ幌抻陔p馬來酰亞胺三嗪樹脂、阻燃等級4材料、聚酰亞胺材料、玻璃增強環(huán)氧基體材料等等）以及其中的層壓材料或多個層組成。微電子內(nèi)插器/襯底導電路線126和微電子板/襯底導電路線156可以由任何導電材料組成，包括但不限于金屬（諸如銅和鋁）及其合金。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解的，微電子內(nèi)插器/襯底導電路線126和微電子板/襯底導電路線156可以作為在電介質(zhì)材料的層（未示出）上形成的通過導電通孔（未示出）被連接的多個導電跡線（未示出）來形成。

器件到內(nèi)插器/襯底焊料互連142和封裝到板/襯底焊料互連144可以由任何適當?shù)暮噶喜牧现瞥?，包括但不限于鉛/錫合金（諸如63%錫/37%鉛焊料）和高錫含量合金（例如90%或更多的錫），諸如錫/鉍、低共熔錫/銀、三元錫/銀/銅、低共熔錫/銅以及類似的合金。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解的，或者通過熱、壓力和/或聲能可以回流焊料以緊固相應的互連墊之間的焊料。

正如圖2中所示出的（圖1中標注a的區(qū)域中的任何區(qū)域的特寫），互連墊170可以表示圖1的微電子器件互連墊114、微電子內(nèi)插器/襯底互連墊124、微電子封裝互連墊128以及微電子板/襯底互連墊152中的任何一個，并且焊料互連190可以表示圖1的器件到內(nèi)插器/襯底焊料互連142和封裝到板/襯底焊料互連144中的任何一個。正如所說明的，可以將表面末道層結(jié)構(gòu)180布置在互連墊170和焊料互連190之間。正如本領(lǐng)域已知的，表面末道層結(jié)構(gòu)180可以包括鄰接互連墊170（諸如含銅的金屬）的夾層182（諸如含鎳的金屬）、夾層182上的阻擋層184（諸如含鈀的材料）以及阻擋層184上的抗氧化和焊料潤濕層186（諸如含金的金屬）。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的，夾層182被用來提供高導電性的特性以用于實現(xiàn)期望的最大電流（）并且被用來提供延展性的特性以用于提供足夠的靈活性來吸收對微電子部件的任何物理沖擊，使得以其形成接頭不會破裂或折斷。對于這樣的已知的表面末道層結(jié)構(gòu)180，夾層182的消耗是減少的最大電流（）的重要原因。正如本領(lǐng)域已知的，當夾層182的至少一種成分（諸如鎳）擴散進焊料互連190時，夾層182的消耗發(fā)生?？梢酝ㄟ^阻擋層184來減少這樣的消耗，其中阻擋層184還可以減少可污染互連墊170的焊料互連190的至少一種成分（諸如錫）的擴散。然而，這樣的已知的表面末道層結(jié)構(gòu)180無法滿足未來的最大電流（）要求。盡管可以通過增加阻擋層184的厚度來改進最大電流（），但是這樣的增加可增加其脆性，這可以引起接頭折斷，并且因此不是解決方案。此外，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解的，增加夾層182的厚度也不是解決方案，因為增加夾層182的厚度可引起鄰近的焊料互連190之間的橋接。

本描述的實施例包括形成多層夾層結(jié)構(gòu)，而不是單層夾層結(jié)構(gòu)。因此，可以通過不同的材料層來滿足夾層結(jié)構(gòu)的期望的特性（諸如延展性和抗電遷移），而不是嘗試利用單個層來實現(xiàn)所有的期望的特性。在一個實施例中，多層夾層結(jié)構(gòu)可以包括兩層結(jié)構(gòu)，其中接近焊料互連來形成第一層并且第一層包括形成與焊料互連的易延展連接或接頭的材料，以及第二層包括具有在第一層和互連墊之間形成的強抗電遷移的材料。在另一個實施例中，多層夾層結(jié)構(gòu)可以包括三層結(jié)構(gòu)，其中接近焊料互連來形成第一層并且第一層包括形成與焊料互連的易延展連接或接頭的材料，第二層包括具有強抗電遷移的材料，以及鄰近互連墊的第三層包括形成與互連墊的易延展連接或接頭的材料，其中第二層被安置在第一層和第三層之間。在另外的實施例中，多層夾層結(jié)構(gòu)可以包括多于三個層以提供更好的抗電遷移同時維持與焊料互連或/和互連墊的易延展連接或接頭。

正如圖3中示出的（圖1中標注a的區(qū)域中的任何區(qū)域的特寫），表面末道層200可以包括多層夾層結(jié)構(gòu)210，所述多層夾層結(jié)構(gòu)210包括在互連墊170上形成的抗電遷移層214和在抗電遷移層214上形成的焊料互連易延展層212。表面末道層200可以進一步包括在多層夾層結(jié)構(gòu)200上形成的阻擋層184和在阻擋層184上形成的抗氧化和焊料潤濕層186。

互連墊170可以由任何適當?shù)膶щ姴牧希ㄖT如金屬）制成。在一個實施例中，互連墊170包括銅。焊料互連190可以由任何適當?shù)暮噶喜牧蠘?gòu)成，包括但不限于鉛/錫合金（諸如63%錫/37%鉛焊料）和高錫含量合金（例如90%或更多的錫），諸如錫/鉍、低共熔錫/銀、三元錫/銀/銅、低共熔錫/銅以及類似的合金。

阻擋層184可以是抵抗焊料互連易延展層212的至少一種成分擴散進焊料互連190并且抵抗焊料互連190的至少一種成分（諸如錫）朝向互連墊170擴散的任何材料。在一個實施例中，阻擋層184可以包括含鈀的材料。在特定的實施例中，阻擋層184包括鈀和磷。抗氧化層186可以是將會減少阻擋層184和/或多層夾層結(jié)構(gòu)210的氧化的任何適當?shù)膶щ姴牧?。在一個實施例中，抗氧化層186包括金。

焊料互連易延展層212可以是任何適當?shù)牟牧希ǖ幌抻诘偷街辛缀挎嚥牧?。為了本描述的目的，低到中磷含量鎳材料可以被限定為具有按重量大約2%和10%之間的磷含量的鎳材料。

抗電遷移層214可以是由此幾乎不或者不擴散材料的任何適當?shù)牟牧?。在一個實施例中，抗電遷移層214可以包括非晶體或納米晶體膜，幾乎不具有或者不具有晶界，顯示出所希望的電導性。為了本描述的目的，非晶體或納米晶體膜可以包括但不限于高磷含量鎳材料，其中按重量大約11%和20%之間的磷含量。在另一個實施例中，抗電遷移層214可以包括顯示出期望的電導性的高原子量金屬。為了本描述的目的，高原子量金屬可以被限定為由原子表中的過渡金屬組形成的金屬合金或金屬。在一個實施例中，高原子量金屬可以包括鎳、鈷、和/或鐵。在另外的實施例中，抗電遷移層214可以包括任何難熔金屬或者它的與鎳、鈷和/或鐵的合金。在一個實施例中，難熔金屬可以包括鎢、鉬和/或錸。在另外的實施例中，抗電遷移層214可以包括過渡金屬、難熔金屬和/或附加的元素的合金，所述附加的元素可以包括但不限于磷，顯示出所希望的電導性。在一個實施例中，過渡金屬可以包括鎳、鐵或鈷，難熔金屬可以包括鎢、鉬或錸，并且附加的元素可以是磷。

正如圖4中示出的（圖1中標注a的區(qū)域中的任何區(qū)域的特寫），表面末道層200可以包括多層夾層結(jié)構(gòu)210，所述多層夾層結(jié)構(gòu)210包括在互連墊170上形成的互連墊易延展層216、在互連墊易延展層216上形成的抗電遷移層214以及在抗電遷移層214上形成的焊料互連易延展層212?；ミB墊易延展層212可以是任何適當?shù)牟牧?，包括但不限于低到中磷含量鎳材料。表面末道?00可以進一步包括在多層夾層結(jié)構(gòu)200上形成的阻擋層184以及在阻擋層184上形成的抗氧化層186。

圖5是根據(jù)本描述的實施例的制造微電子結(jié)構(gòu)的過程300的流程圖。正如在塊302中陳述的，可以形成互連墊。正如在塊304中陳述的，可以在互連墊上形成表面末道層，其中表面末道層包括多層夾層結(jié)構(gòu)，所述多層夾層結(jié)構(gòu)包括至少一個易延展層和至少一個抗電遷移層。正如在塊306中陳述的，在表面末道層上形成焊料互連。

圖6說明了根據(jù)本描述的一個實現(xiàn)的計算設備400。計算設備400容納板402。板可以包括多個微電子部件，所述微電子部件包括但不限于處理器404、至少一個通信芯片406a、406b、易失性存儲器408（例如dram）、非易失性存儲器410（例如rom）、閃速存儲器412、圖形處理器或cpu414、數(shù)字信號處理器（未示出）、密碼處理器（未示出）、芯片集416、天線、顯示器（觸摸屏顯示器）、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器（未示出）、視頻編解碼器（未示出）、功率放大器（amp）、全球定位系統(tǒng)（gps）設備、羅盤、加速計（未示出）、陀螺儀（未示出）、揚聲器（未示出）、照相機和大容量存儲設備（未示出）（諸如硬盤驅(qū)動器、光盤（cd）、數(shù)字化視頻光盤（dvd）等等）。微電子部件中的任何微電子部件可以被物理和電耦合至板402。在某些實現(xiàn)中，微電子部件中的至少一個可以是處理器404的一部分。

通信芯片使能無線通信以用于數(shù)據(jù)到計算設備和數(shù)據(jù)從計算設備的傳送。術(shù)語“無線”和它的派生詞可以被用來描述可以通過使用通過非固態(tài)介質(zhì)的調(diào)制的電磁輻射來傳遞數(shù)據(jù)的電路、設備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等等。所述術(shù)語并不暗示相關(guān)聯(lián)的設備不包含任何線，盡管在某些實施例中它們可能不包含。通信芯片可以實現(xiàn)多個無線標準或協(xié)議中的任何標準或協(xié)議，所述標準或協(xié)議包括但不限于wi-fi（ieee802.11族）、wimax（ieee802.16族）、ieee802.20、長期演進（lte）、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、藍牙、其派生物，以及被指定為3g、4g、5g及以上的任何其它無線協(xié)議。計算設備可以包括多個通信芯片。例如，第一通信芯片可以專用于更短范圍無線通信（諸如wi-fi和藍牙）并且第二通信芯片可以專用于更長范圍無線通信（諸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do等等）。

術(shù)語“處理器”可以指處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將那個電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以被存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設備或者設備的一部分。

計算設備400內(nèi)的微電子部件中的任何微電子部件可以包括互連墊上的表面末道層，如上所述的，其中表面末道層包括多層夾層結(jié)構(gòu)。

在各種實現(xiàn)中，計算設備可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級本電腦、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理（pda）、超級移動pc、移動電話、桌上型計算機、服務器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機、便攜式音樂播放器或者數(shù)字視頻記錄器。在另外的實現(xiàn)中，計算設備可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設備。

會理解，本描述的主題不必限于圖1-6中所說明的特定應用。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解的，主題可以適用于其它微電子器件和組件應用。

下面的示例屬于另外的實施例，其中示例1是微電子結(jié)構(gòu)，包括互連墊；互連墊上的表面末道層，其中表面末道層包括多層夾層結(jié)構(gòu)，所述多層夾層結(jié)構(gòu)包括至少一個易延展層和至少一個抗電遷移層；以及表面末道層上的焊料互連。

在示例2中，示例1的主題可以可選地包括至少一個易延展層，所述至少一個易延展層包括具有按重量大約2%和10%之間的磷含量的鎳材料。

在示例3中，或者示例1或者示例2的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括具有按重量大約11%和20%之間的磷含量的鎳材料。

在示例4中，或者示例1或者示例2的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括高分子量金屬。

在示例5中，示例4的主題可以可選地包括從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的高分子量金屬。

在示例6中，或者示例1或者示例2的主題可以可選地包括抗電遷移層，所述抗電遷移層包括從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的金屬與難熔金屬結(jié)合。

在示例7中，示例6的主題可以可選地包括抗電遷移層，所述抗電遷移層進一步包括磷，并且其中難熔金屬從由鎢、鉬和錸組成的組中選擇。

在示例8中，或者示例1或者示例2的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括非晶層。

在示例9中，或者示例1或者示例2的主題可以可選地包括表面末道層，所述表面末道層包括互連墊上的第一抗電遷移層和抗電遷移層上的易延展層。

在示例10中，示例1的主題可以可選地包括表面末道層，所述表面末道層包括互連墊上的第一易延展層、第一易延展層上的抗電遷移層和抗電遷移層上的第二易延展層。

下面的示例屬于另外的實施例，其中示例11是制造微電子結(jié)構(gòu)的方法，包括：形成互連墊；在互連墊上形成表面末道層，其中表面末道層包括多層夾層結(jié)構(gòu)，所述多層夾層結(jié)構(gòu)包括至少一個易延展層和至少一個抗電遷移層；以及在表面末道層上形成焊料互連。

在示例12中，示例11的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括形成包括具有按重量大約2%和10%之間的磷含量的鎳材料的至少一個易延展層。

在示例13中，或者示例11或者示例12的主題可以可選地包括形成至少一個抗電遷移層，所述形成至少一個抗電遷移層包括形成具有按重量大約11%和20%之間的磷含量的鎳材料層。

在示例14中，或者示例11或者示例12的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括形成包括高分子量金屬的至少一個抗電遷移層。

在示例15中，示例14的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括形成從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的高分子量金屬。

在示例16中，或者示例11或者示例12的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括形成從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的抗電遷移與難熔金屬結(jié)合。

在示例17中，示例16的主題可以可選地包括形成抗電遷移層進一步包括磷，并且其中形成難熔金屬包括金屬是從由鎢、鉬和錸組成的組中選擇的。

在示例18中，或者示例11或者示例12的主題可以可選地包括形成至少一個抗電遷移層，所述形成至少一個抗電遷移層包括形成非晶層。

在示例19中，或者示例11或者示例12的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括在互連墊上形成第一抗電遷移層以及在抗電遷移層上形成易延展層。

在示例20中，示例11的主題可以可選地包括形成表面末道層，所述形成表面末道層包括在互連墊上形成第一易延展層、在第一易延展層上形成抗電遷移層以及在抗電遷移層上形成第二易延展層。

下面的示例屬于另外的實施例，其中示例21是電子系統(tǒng)，包括板；以及附著于板的微電子結(jié)構(gòu)，其中微電子結(jié)構(gòu)和板中的至少一個包括互連墊；互連墊上的表面末道層，其中表面末道層包括多層夾層結(jié)構(gòu)，所述多層夾層結(jié)構(gòu)包括至少一個易延展層和至少一個抗電遷移層；以及表面末道層上的焊料互連。

在示例22中，示例21的主題可以可選地包括至少一個易延展層，所述至少一個易延展層包括具有按重量大約2%和10%之間的磷含量的鎳材料。

在示例23中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括具有按重量大約11%和20%之間的磷含量的鎳材料層。

在示例24中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括高分子量金屬。

在示例25中，示例24的主題可以可選地包括從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的高分子量金屬

在示例26中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括抗電遷移層，所述抗電遷移層包括從由鎳、鈷和鐵組成的組中選擇的金屬與難熔金屬結(jié)合。

在示例27中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括抗電遷移層，抗電遷移層進一步包括磷，并且其中難熔金屬從由鎢、鉬和錸組成的組中選擇。

在示例28中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括至少一個抗電遷移層，所述至少一個抗電遷移層包括非晶層。

在示例29中，或者示例21或者示例22的主題可以可選地包括表面末道層，所述表面末道層包括互連墊上的第一抗電遷移層以及抗電遷移層上的易延展層。

在示例30中，示例21的主題可以可選地包括表面末道層，所述表面末道層包括互連墊上的第一易延展層、第一易延展層上的抗電遷移層以及抗電遷移層上的第二易延展層。

已經(jīng)因此詳細描述了本描述的實施例，會理解，由所附的權(quán)利要求限定的本描述不會被上面的描述中陳述的特定細節(jié)所限制，因為其中許多顯然的變化是可能的，而不會背離其精神或范圍。