本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路器件，更具體地，涉及管芯封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

在封裝技術(shù)的方面，再分布層(RDL)可以形成在管芯上方并且電連接至管芯中的有源器件。然后可以形成凸塊下金屬化(UBM)上的諸如焊球的輸入/輸出(I/O)連接件以通過(guò)RDL電連接至管芯。這種封裝技術(shù)的有利特征是形成扇出封裝件的可能性。因此，可以再分布管芯上的I/O焊盤以覆蓋比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增大封裝在封裝管芯的表面上的I/O焊盤的數(shù)量。

集成扇出(InFO)封裝技術(shù)正變得越來(lái)越普遍，特別是當(dāng)與晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)組合時(shí)。這種產(chǎn)生的封裝件結(jié)構(gòu)提供高功能密度以及相對(duì)較低的成本和高性能的封裝件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種方法，包括：形成包封的通孔結(jié)構(gòu)，所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)通孔、包封所述至少一個(gè)通孔的聚合物層和包封所述聚合物層的第一模塑料；將所述包封的通孔結(jié)構(gòu)和第一管芯堆疊件放置在載體上方，所述至少一個(gè)通孔具有鄰近所述載體的第一端和遠(yuǎn)離所述載體的第二端；將所述第一管芯堆疊件和所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包封在第二模塑料中；以及在所述第二模塑料上方形成第一再分布層(RDL)，所述第一RDL電連接至所述至少一個(gè)通孔。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種方法，包括：將第一管芯堆疊件放置在載體上方，所述第一管芯堆疊件包括多個(gè)堆疊管芯；將包封的通孔結(jié)構(gòu) 放置在所述載體上方，所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括包封在聚合物層和第一模塑料中的多個(gè)通孔；將所述包封的通孔結(jié)構(gòu)和所述第一管芯堆疊件包封在第二模塑料中；在所述第二模塑料的第一表面上方形成第一再分布層(RDL)，所述第一RDL電連接至所述多個(gè)通孔；在與所述第一表面相對(duì)的所述第二模塑料的第二表面上方形成第二RDL，所述第二RDL電連接至所述多個(gè)通孔；以及將第二管芯堆疊件放置在所述第二RDL上方。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種管芯封裝件，包括：第一再分布層(RDL)；第二RDL；第一管芯堆疊件，設(shè)置在所述第一RDL和所述第二RDL之間并且電連接至所述第一RDL和/或所述第二RDL；多個(gè)通孔，與所述第一管芯堆疊件橫向分隔開，所述多個(gè)通孔在所述第一RDL和所述第二RDL之間延伸并且電連接至所述第一RDL和所述第二RDL；聚合物層，包封所述多個(gè)通孔；以及模塑料，包封所述聚合物層和所述第一管芯堆疊件，所述模塑料設(shè)置在所述第一RDL和所述第二RDL之間并且與所述聚合物層在組分上不同。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的包括第一管芯堆疊件和第二管芯堆疊件的管芯封裝件。

圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的包括包封在聚合物層和第一模塑料中的多個(gè)通孔的包封的通孔結(jié)構(gòu)。

圖3A至圖3J示出了根據(jù)實(shí)施例的制造包封在聚合物層和模塑料中的多個(gè)通孔的方法的截面圖。

圖4A至圖4J示出了根據(jù)實(shí)施例的圖3A至圖3J示出的方法的相應(yīng)的自上而下視圖。

圖5和圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的包括包封在聚合物層和模塑料中的多個(gè)通孔的包封的通孔結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖7A至圖7H示出了根據(jù)實(shí)施例的示出制造圖1中示出的管芯封裝件的方法的一些步驟的工藝流程。

圖8示出了根據(jù)實(shí)施例的三圍(3D)電感器的立體圖。

圖9A至圖9D示出了根據(jù)實(shí)施例的圖8中示出的3D電感器的各個(gè)視圖。

圖10示出了根據(jù)實(shí)施例的螺旋平面電感器的立體圖。

圖11A至圖11D示出了根據(jù)實(shí)施例的圖10中示出的螺旋平面電感器的各個(gè)視圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗Ｏ旅婷枋隽私M件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

圖1示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的管芯封裝件100。作為實(shí)例，管芯封裝件100可以是集成扇出(InFO)管芯封裝件。管芯封裝件100可以是包括第一管芯層級(jí)102和堆疊在第一管芯層級(jí)102上方的第二管芯層級(jí)104的多層級(jí)管芯封裝件。第一管芯層級(jí)102可以包括第一管芯堆疊件106，而第二管芯層級(jí)104可以包括第二管芯堆疊件108。因此，如圖1的實(shí)施 例所示，管芯封裝件100可以包括形成在第一管芯層級(jí)102和第二管芯層級(jí)104中的多個(gè)管芯。

在圖1的實(shí)例中，第一管芯堆疊件106包括四個(gè)堆疊管芯106a；然而，在另一實(shí)施例中，第一管芯堆疊件106可以包括多于四個(gè)堆疊管芯106a或少于四個(gè)堆疊管芯106a。以相同的方式，在圖1的實(shí)例中，第二管芯堆疊件108包括兩個(gè)堆疊管芯108a；然而，在另一實(shí)施例中，第二管芯堆疊件108可以包括一個(gè)管芯108a或多于兩個(gè)堆疊管芯108a。第一管芯堆疊件106的每個(gè)管芯106a和第二管芯堆疊件108的每個(gè)管芯108a可以是半導(dǎo)體管芯并且可以是任何類型的集成電路，集成電路的實(shí)例包括處理器、邏輯電路、存儲(chǔ)器、模擬電路、數(shù)字電路、混合信號(hào)、成像器件、MEMS器件、用于電源和/或通信應(yīng)用的器件等。第一管芯堆疊件106的管芯106a和第二管芯堆疊件108的管芯108a可以已經(jīng)經(jīng)受一個(gè)或多個(gè)功能測(cè)試(例如，電連接和應(yīng)力測(cè)試)，并且可以已經(jīng)通過(guò)這種功能測(cè)試。在這種實(shí)例中，每個(gè)管芯106a和管芯108a可以是已知良好管芯(KGD)。

第一管芯堆疊件106可以具有面向第二管芯堆疊件108的第一表面110。作為實(shí)例，第一表面110可以是最緊鄰第二管芯堆疊件108的第一管芯堆疊件106的表面。在圖1示出的實(shí)施例中，第一管芯堆疊件106的第一表面110可以是第一管芯堆疊件106的最頂表面。第一管芯堆疊件106也可以具有與第一表面110相對(duì)的第二表面112。第一管芯堆疊件106的第二表面112可以面向遠(yuǎn)離第二管芯堆疊件108。作為實(shí)例，第二表面112可以是最遠(yuǎn)離第二管芯堆疊件108的第一管芯堆疊件106的表面。在圖1示出的實(shí)施例中，第一管芯堆疊件106的第二表面112可以是第一管芯堆疊件106的最底表面。

第一管芯堆疊件106的每個(gè)管芯106a可以包括多個(gè)接觸焊盤(圖1中未示出)，接觸焊盤可以包括導(dǎo)電材料(例如，包括鋁、銅等)。多個(gè)接觸焊盤可以用作第一管芯堆疊件106的管芯106a的輸入/輸出(I/O)部件，從而使管芯106a能夠彼此電連接和/或電連接至管芯封裝件100中或管芯封裝件100外部的其他部件。第一管芯堆疊件106的每個(gè)管芯106a可以額外地包括可以形成在具有多個(gè)接觸焊盤的管芯106a的表面處的鈍化層、介 電層和凸塊下金屬化(UBM)層。為了簡(jiǎn)化，圖1中未示出鈍化層、介電層和凸塊下金屬化(UBM)層。

在實(shí)施例中，第一管芯堆疊件106可以包括設(shè)置在第一管芯堆疊件106的至少一個(gè)管芯106a內(nèi)(例如，嵌入在管芯106a內(nèi)和/或延伸穿過(guò)管芯106a)的多個(gè)第一通孔114。作為實(shí)例，圖1中僅示出八個(gè)第一通孔114。然而，在另一實(shí)例中，第一通孔114的數(shù)量可以少于八個(gè)或可以多于八個(gè)第一通孔114。多個(gè)第一通孔114可以電連接至第一管芯堆疊件106的管芯106a的接觸焊盤，從而將管芯106a彼此電連接。多個(gè)第一通孔114可以包括諸如銅、鋁、鎢、它們的組合等的導(dǎo)電材料。

管芯封裝件100也可以包括設(shè)置在第一管芯層級(jí)102中的多個(gè)第一導(dǎo)電柱116。作為實(shí)例，圖1中僅示出八個(gè)第一導(dǎo)電柱116。然而，在另一實(shí)例中，第一導(dǎo)電柱116的數(shù)量可以少于八個(gè)或可以多于八個(gè)第一導(dǎo)電柱116。多個(gè)第一導(dǎo)電柱116可以布置在第一管芯堆疊件106和第二管芯堆疊件108之間。在一些實(shí)施例中，諸如在圖1示出的實(shí)例中，多個(gè)第一導(dǎo)電柱116可以設(shè)置在多個(gè)第一通孔114上方和/或電連接至多個(gè)第一通孔114。在一些實(shí)施例中，多個(gè)第一導(dǎo)電柱116的相應(yīng)的導(dǎo)電柱可以設(shè)置在最緊鄰第二管芯堆疊件108的第一管芯堆疊件106的管芯106a的相應(yīng)的接觸焊盤上方。多個(gè)第一導(dǎo)電柱116可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料。此外，多個(gè)第一導(dǎo)電柱116的每個(gè)可以具有第一尺寸D1，第一尺寸D1可以在從約5微米至約20微米的范圍內(nèi)。

管芯封裝件100可以包括設(shè)置在第一管芯層級(jí)102和第二管芯層級(jí)104之間的第一再分布層(RDL)118。第一RDL 118可以包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層118d之間的導(dǎo)電部件118c(例如，導(dǎo)線和通孔)。導(dǎo)電部件118c可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料，而一個(gè)或多個(gè)介電層118d可以包括諸如聚酰亞胺、聚合物、氧化物(例如，含硅氧化物，例如，SiO)、氮化物(例如，含硅氮化物，例如，SiN)、氮氧化物(例如，含硅氮氧化物)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)等的合適的介電材料。可以使用旋涂、濺射等形成一個(gè)或多個(gè)介電層118d，并且可以通過(guò)圖案化一個(gè)或多個(gè)介電層118d(例如，使用光刻工藝和蝕刻工藝的組合)和在圖案化的一個(gè)或多 個(gè)介電層118d中形成導(dǎo)電部件118c(例如，通過(guò)鑲嵌和/或雙鑲嵌工藝)而在一個(gè)或多個(gè)介電層118d中形成導(dǎo)電部件118c。導(dǎo)電部件118c可以通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)電柱116和/或多個(gè)第一通孔114電連接至第一管芯堆疊件106的管芯106a。從多個(gè)第一導(dǎo)電柱116的電連接可以通過(guò)第一RDL 118扇出。因此，第一RDL 118也可以稱為第一扇出結(jié)構(gòu)。

管芯封裝件100可以包括設(shè)置在第一管芯堆疊件106的第二表面112處的第二再分布層(RDL)120。第二RDL 120可以包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)第二介電層120d之間的導(dǎo)電部件120c(例如，導(dǎo)線和通孔)。導(dǎo)電部件120c可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料，而一個(gè)或多個(gè)第二介電層120d可以包括與第一介電層118d類似的材料?？梢允褂靡陨详P(guān)于一個(gè)或多個(gè)第一介電層118d描述的類似的工藝形成一個(gè)或多個(gè)第二介電層120d，同時(shí)可以使用以上關(guān)于第一RDL 118的導(dǎo)電部件118c描述的類似的工藝形成第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c。在一些實(shí)施例中，多個(gè)第一通孔114的至少一個(gè)可以電連接至第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c。因此，在這樣的實(shí)施例中，第一RDL 118和第二RDL 120可以通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)電柱116和多個(gè)第一通孔114彼此電連接。

額外地或可選地，第一RDL 118和第二RDL 120可以通過(guò)在第一RDL 118和第二RDL 120之間延伸的多個(gè)第二通孔122彼此電連接。在實(shí)施例中，多個(gè)第二通孔122可以具有第二尺寸D2(例如，高度)，第二尺寸D2可以在從約100微米至約300微米的范圍內(nèi)(例如，約200微米)。如圖1的實(shí)例中所示，多個(gè)第二通孔122可以與第一管芯堆疊件106橫向分隔開。多個(gè)第二通孔122的第一端122a可以鄰近第一RDL 118，而多個(gè)第二通孔122的第二端122b可以鄰近第二RDL 120。多個(gè)第二通孔122的第一端122a可以電連接至第一RDL 118的導(dǎo)電部件118c，而多個(gè)第二通孔122的第二端122b可以電連接至第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c，從而使第一RDL 118和第二RDL 120彼此電連接。多個(gè)第二通孔122可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料。

多個(gè)第二通孔122可以包封在聚合物層124中，聚合物層124進(jìn)而可以至少部分地包封在第一模塑料126a、126b中。作為實(shí)例，第一模塑料126a、 126b可以為設(shè)置在其中的聚合物層124以及多個(gè)第二通孔122提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。作為實(shí)例，第一模塑料126a、126b可以包括鄰近第一管芯堆疊件106的第一橫向部分126a以及遠(yuǎn)離第一管芯堆疊件106的第二橫向部分126b。多個(gè)第二通孔122和聚合物層124可以設(shè)置在第一模塑料126a、126b的第一橫向部分126a和第二橫向部分126b之間。在隨后的描述中，第一模塑料126a、126b的第一橫向部分126a和第二橫向部分126b共同稱為第一模塑料126。聚合物層124和第一模塑料126在組分上可以不同。作為實(shí)例，聚合物層124可以包括能夠用作應(yīng)力緩沖的材料，該材料的實(shí)例包括聚酰亞胺(PI)、聚苯并惡唑(PBO)以及可從JSR(日本合成橡膠有限公司，東京，日本)、HDM(Hitachi-Dupont)購(gòu)買到的一種或多種聚合物材料、有機(jī)材料(例如，含碳材料)、環(huán)氧樹脂基材料(例如，酚醛基環(huán)氧樹脂)等的至少一種。另一方面，第一模塑料126可以包括諸如環(huán)氧樹脂、模制底部填充物等的合適的材料。

聚合物層124可以包括具有介于第一模塑料126和多個(gè)第二通孔122之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)和/或彈性模量的材料，因此減小了形成在多個(gè)第二通孔122和第一模塑料126之間的機(jī)械和熱應(yīng)力。作為實(shí)例，聚合物層124的材料可以包括在玻璃轉(zhuǎn)變溫度以下具有從約0.5GPa至約5.0GPa的范圍內(nèi)(例如，約2.1GPa)的彈性模量的材料。因此，與第一模塑料126相比，聚合物層124的材料可以更適用(例如，不那么易碎或更柔韌)。作為另一實(shí)例，聚合物層124的材料可以包括在玻璃轉(zhuǎn)變溫度以下具有從約10ppm/℃至約100ppm/℃的范圍內(nèi)(例如，約80ppm/℃)的CTE的材料。

如圖1所示，管芯封裝件100還可以包括包封第一管芯堆疊件106并且填充第一管芯堆疊件106的管芯106a之間的間隙的第二模塑料128。第二模塑料128可以額外地包封第一模塑料126。作為實(shí)例，第二模塑料128可以為第一管芯層級(jí)102以及設(shè)置在第一管芯層級(jí)102中的部件(例如，第一管芯堆疊件106)提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。第二模塑料128可以包括與第一模塑料126類似的材料。

如圖1所示，管芯封裝件100包括具有第二管芯堆疊件108的第二管 芯層級(jí)104。第二管芯堆疊件108可以具有面向第一管芯堆疊件106的第一表面130。作為實(shí)例，第一表面130可以是最緊鄰第一管芯堆疊件106的第二管芯堆疊件108的表面。在圖1示出的實(shí)施例中，第二管芯堆疊件108的第一表面130可以是第二管芯堆疊件108的最底表面。第二管芯堆疊件108也可以具有與第一表面130相對(duì)的第二表面132。第二管芯堆疊件108的第二表面132可以面向遠(yuǎn)離第一管芯堆疊件106。作為實(shí)例，第二表面132可以是最遠(yuǎn)離第一管芯堆疊件106的第二管芯堆疊件108的表面。在圖1示出的實(shí)施例中，第二管芯堆疊件108的第二表面132可以是第二管芯堆疊件108的最頂表面。

第二管芯堆疊件108的每個(gè)管芯108a可以包括多個(gè)接觸焊盤(圖1中未示出)，接觸焊盤可以包括導(dǎo)電材料(例如，包括鋁、銅等)。多個(gè)接觸焊盤可以用作第二管芯堆疊件108的管芯108a的輸入/輸出(I/O)部件，從而使管芯108a能夠彼此電連接和/或電連接至管芯封裝件100中或管芯封裝件100外部的其他部件。第二管芯堆疊件108的每個(gè)管芯108a可以額外地包括可以形成在具有多個(gè)接觸焊盤的管芯108a的表面處的鈍化層、介電層和凸塊下金屬化(UBM)層。為了簡(jiǎn)化，圖1中未示出鈍化層、介電層和凸塊下金屬化(UBM)層。

在實(shí)施例中，第二管芯堆疊件108可以包括設(shè)置在第二管芯堆疊件108的至少一個(gè)管芯108a內(nèi)(例如，嵌入在管芯108a內(nèi)和/或延伸穿過(guò)管芯108a)的多個(gè)第三通孔134。作為實(shí)例，圖1中僅示出八個(gè)第三通孔134。然而，在另一實(shí)例中，第三通孔134的數(shù)量可以少于八個(gè)或可以多于八個(gè)第三通孔134。多個(gè)第三通孔134可以電連接至第二管芯堆疊件108的管芯108a的接觸焊盤，從而將管芯108a彼此電連接。多個(gè)第三通孔134可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料。

管芯封裝件100也可以包括設(shè)置在第二管芯層級(jí)104中的多個(gè)第二導(dǎo)電柱136。作為實(shí)例，圖1中示出的第二導(dǎo)電柱136的數(shù)量?jī)H是說(shuō)明性的并且不旨在限制。多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以布置在第二管芯堆疊件108和第一RDL 118之間。在一些實(shí)施例中，諸如在圖1示出的實(shí)例中，多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以設(shè)置在多個(gè)第三通孔134上方和/或電連接至多個(gè)第三通 孔134。在一些實(shí)施例中，多個(gè)第二導(dǎo)電柱136的相應(yīng)的導(dǎo)電柱可以設(shè)置在最緊鄰第一管芯堆疊件106的第二管芯堆疊件108的管芯108a的相應(yīng)的接觸焊盤上方。多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以包括與多個(gè)第一通孔114類似的材料。此外，多個(gè)第二導(dǎo)電柱136的每個(gè)可以具有第三尺寸D3，第三尺寸D3可以在從約5微米至約20微米的范圍內(nèi)。第一RDL 118的導(dǎo)電部件118c可以通過(guò)多個(gè)第二導(dǎo)電柱136和/或多個(gè)第三通孔134電連接至第二管芯堆疊件108的管芯108a。從多個(gè)第二導(dǎo)電柱136的電連接可以通過(guò)第一RDL 118扇出。

如圖1所示，管芯封裝件100還可以包括至少部分地包封第二管芯堆疊件108并且填充第二管芯堆疊件108的管芯108a之間的間隙的第三模塑料138。作為實(shí)例，第三模塑料138可以為第二管芯層級(jí)104以及設(shè)置在第二管芯層級(jí)104中的部件(例如，第二管芯堆疊件108)提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。第三模塑料138可以包括與第一模塑料126類似的材料。在一些實(shí)施例中，諸如圖1示出的實(shí)例，面向遠(yuǎn)離第一RDL 118的第三模塑料138的表面138a可以與第二管芯堆疊件108的第二表面132基本上共面。然而，在另一實(shí)施例中，第三模塑料138可以設(shè)置在第二管芯堆疊件108的第二表面132上方并且可以覆蓋第二管芯堆疊件108的第二表面132。

管芯封裝件100可以包括可以設(shè)置在面向遠(yuǎn)離第一管芯堆疊件106的第二RDL 120的表面處的多個(gè)連接件140。作為實(shí)例，僅示出了八個(gè)連接件140，然而，根據(jù)一些實(shí)施例，連接件140的數(shù)量可以少于八個(gè)(例如，一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè))或多于八個(gè)(例如，九個(gè)、十個(gè)或更多)。多個(gè)連接件140可以電連接至第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c?？梢允褂枚鄠€(gè)連接件140實(shí)現(xiàn)至管芯封裝件100和形成在其中的部件(例如，第一管芯堆疊件106和/或第二管芯堆疊件108)的電連接。多個(gè)連接件140可以包括球柵陣列(BGA)、可控塌陷芯片連接(C4)凸塊等。多個(gè)連接件140可以包括導(dǎo)電材料(例如，金屬或金屬合金)。例如，多個(gè)連接件140可以包括焊料材料。另一實(shí)例，多個(gè)連接件140可以包括錫、鉛、銅、金、銀、鋅、鉍、鎂、銻、銦、它們的合金等的至少一種。在圖1中示出的實(shí)例中，多個(gè)連接件140的每個(gè)具有球形(例如，球)。然而，在另一實(shí)施例中，多 個(gè)連接件140可以具有其他形狀，例如，柱、桿、凸塊或帽。

圖2示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的多個(gè)第二通孔122、聚合物層124和第一模塑料126。作為實(shí)例，圖2中示出的結(jié)構(gòu)可以稱為包封的通孔結(jié)構(gòu)。如以上關(guān)于圖1描述的，第一模塑料126可以為聚合物層124以及設(shè)置在其中的多個(gè)第二通孔122提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。如圖2所示，多個(gè)第二通孔122的鄰近通孔(例如，緊鄰的通孔)可以分隔開第四尺寸D4，第四尺寸D4可以在從約2微米至約10微米的范圍內(nèi)(例如，約4微米)。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的這種分隔可以比形成在典型的InFO封裝件中的通孔之間觀察到的分隔更細(xì)。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的更細(xì)分隔可以使管芯封裝件100的橫向尺寸L1與典型的InFO封裝件相比更小，從而產(chǎn)生具有與典型的InFO封裝件相比更小的形狀因數(shù)的管芯封裝件100。作為實(shí)例，管芯封裝件100的橫向尺寸L1可以在從約10毫米至約20毫米的范圍內(nèi)。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的更細(xì)分隔可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

此外，如圖2的實(shí)例所示，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有第五尺寸D5(例如，寬度)，第五尺寸D5可以在從約1微米至約3微米的范圍內(nèi)(例如，約2微米)。第五尺寸D5沿著多個(gè)第二通孔122的第二尺寸D2可以是基本上均勻的。示例性地，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)在第一端122a處、第二端122b處以及第一端122a和第二端122b之間的第二通孔122的部分處可以具有第五尺寸D5。換句話說(shuō)，對(duì)于多個(gè)第二通孔122的每個(gè)，沿著第二尺寸D2的第五尺寸D5的變化可以是可忽略的。與形成在典型的InFO封裝件中的通孔相比，沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的第五尺寸D5的這種均勻性可以產(chǎn)生沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的電阻的較小的變化。這可以產(chǎn)生與典型的InFO封裝件相比的管芯封裝件100的更好的電性能。沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的電阻的較小的變化可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

此外，如以上關(guān)于圖1描述的，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有第 二尺寸D2，第二尺寸D2可以在從約100微米至約300微米的范圍內(nèi)(例如，約200微米)。因此，第二尺寸D2與第五尺寸D5(可以在從約1微米至約10微米的范圍內(nèi))的比率可以在從約10:1至約300:1的范圍內(nèi)。在形成在典型的InFO封裝件中的通孔中，這個(gè)比率可以在從約2:1至約3:1的范圍內(nèi)。因此，與形成在典型的InFO封裝件中的通孔相比，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有更高的高寬比。多個(gè)第二通孔122的較高的高寬比可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

圖3A至圖3J示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的制造包封在聚合物層124和第一模塑料126中的多個(gè)第二通孔122的方法的截面圖。圖4A至圖4L示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的沿著圖3A中示出的線A-A’截取的圖3A至圖3J中示出的方法的相應(yīng)的自上而下視圖。作為實(shí)例，圖3A至圖3J中示出的截面圖可以沿著圖4A中示出的線B-B’截取。

參照?qǐng)D3A和圖4A，可以在第一載體302上或上方形成第一模塑料126，并且可以在第一模塑料126上方形成聚合物層124的第一層124a。第一載體302為隨后的處理步驟期間形成的部件提供臨時(shí)的機(jī)械和結(jié)構(gòu)支撐。例如，第一載體302可以包括玻璃、硅、氧化硅、氧化鋁等。作為實(shí)例，第一載體302可以是載體晶圓。作為實(shí)例，在圖3A中示出的步驟中形成的第一模塑料126可以被識(shí)別為具有第一模塑料126的第一橫向部分126a或第二橫向部分126b。在一些實(shí)施例中，例如，使用模具(未示出)在第一載體302上方成形或模制第一模塑料126，模具可以具有用于保留施加的第一模塑料126的邊界或其他部件。這種模具可以用于將第一模塑料126壓模在第一載體302上方。在一些實(shí)施例中，可以對(duì)第一模塑料126實(shí)施蝕刻工藝和/或諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的平坦化工藝以形成第一模塑料126的基本上平坦的表面304a。隨后可以使用諸如旋涂、化學(xué)汽相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)等的合適的工藝在第一模塑料126上方形成聚合物層124的第一層124a。在一些實(shí)施例中，可以對(duì)聚合物層124的第一層124a實(shí)施蝕刻工藝和/或諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的平坦化工藝以形成聚合物層124 的第一層124a的基本上平坦的表面304b。

參照?qǐng)D3B和圖4B，可以在聚合物層124的第一層124a的表面304b上或上方形成晶種層306?？梢允褂弥T如CVD、PECVD、原子層沉積(ALD)等的合適的沉積工藝形成晶種層306。晶種層306可以包括諸如鈦、銅、鋁、它們的組合等的導(dǎo)電材料。

參照?qǐng)D3C和圖4C，可以在晶種層306上方形成圖案化的光刻膠308。圖案化的光刻膠308可以具有形成在其中的多個(gè)開口310?？梢酝ㄟ^(guò)在晶種層306上方沉積第一光刻膠以及隨后圖案化第一光刻膠以形成暴露部分晶種層306的多個(gè)開口310來(lái)形成圖案化的光刻膠308。第一光刻膠可以包括一種或多種合適的光敏材料，并且可以使用旋涂、CVD、PECVD、ALD等沉積在晶種層306上方。例如，可以使用光刻工藝(例如，光刻工藝)圖案化第一光刻膠。在實(shí)施例中，多個(gè)開口310的每個(gè)可以具有第六尺寸D6，第六尺寸D6可以基本上等于多個(gè)第二通孔122的第二尺寸D2。作為實(shí)例，第六尺寸D6可以是多個(gè)開口310的每個(gè)的長(zhǎng)度。此外，多個(gè)開口310的相鄰開口(例如，緊鄰的開口310)可以分隔開第七尺寸D7，第七尺寸D7可以基本上等于多個(gè)第二通孔122的第四尺寸D4。此外，多個(gè)開口310的每個(gè)可以具有第八尺寸D8，第八尺寸D8可以基本上等于多個(gè)第二通孔122的第五尺寸D5。作為實(shí)例，第八尺寸D8可以是多個(gè)開口310的每個(gè)的寬度。

參圖3D和圖4D，工藝流程繼續(xù)進(jìn)行多個(gè)開口310中的導(dǎo)電材料312的第一層的形成。導(dǎo)電材料312的第一層可以包括與多個(gè)第二通孔122類似的材料?？梢酝ㄟ^(guò)任何合適的技術(shù)形成導(dǎo)電材料312的第一層，技術(shù)的實(shí)例包括電鍍、濺射、蒸發(fā)、PECVD等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料312的第一層可以過(guò)填充多個(gè)開口310。這可以產(chǎn)生延伸在圖案化的光刻膠308上方的導(dǎo)電材料312的第一層的部分。如圖3D所示，在這種實(shí)施例中，諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的平坦化工藝或回蝕刻工藝可以用于去除設(shè)置在多個(gè)開口310外部的導(dǎo)電材料312的第一層的部分，從而使得導(dǎo)電材料312的第一層和圖案化的光刻膠308的表面基本上共面。

參照?qǐng)D3E和圖4E，隨后可以去除圖案化的光刻膠308以暴露導(dǎo)電材 料312的第一層的側(cè)壁和晶種層306?？梢允褂弥T如剝離工藝(例如，濕剝離工藝)或蝕刻工藝(例如，等離子體蝕刻工藝)的合適的工藝去除圖案化的光刻膠308，而留下導(dǎo)電材料312的第一層基本上未受干擾。

參照?qǐng)D3F和圖4F，工藝流程可以繼續(xù)進(jìn)行晶種層306的暴露部分的去除，這可以通過(guò)蝕刻工藝等來(lái)完成。工藝流程的這個(gè)步驟可以暴露未由導(dǎo)電材料312的第一層覆蓋的聚合物層124的第一層124a的部分。

參照?qǐng)D3G和圖4G，可以在聚合物層124的第一層124a上方形成聚合物層124的第二層124b以包封(例如，完全包封)導(dǎo)電材料312的第一層?？梢允褂靡陨详P(guān)于聚合物層124的第一層124a描述的類似的工藝形成聚合物層124的第二層124b。

工藝流程可以繼續(xù)進(jìn)行圖3B至圖3G中示出的步驟的一次或多次重復(fù)，例如，以形成圖3H中示出的結(jié)構(gòu)，其中，導(dǎo)電材料312的多個(gè)層包封在聚合物層124的多個(gè)層中。在圖3H中示出的實(shí)例中，僅示出了兩層導(dǎo)電材料312和兩層聚合物層124；然而，在其他實(shí)施例中，可以形成多于兩層導(dǎo)電材料312和多于兩層聚合物層124。作為實(shí)例，導(dǎo)電材料312的多個(gè)層可以識(shí)別為具有圖1中示出的多個(gè)第二通孔122，而聚合物層124的多個(gè)層可以識(shí)別為具有包封多個(gè)第二通孔122的圖1中示出的聚合物層124。

參照?qǐng)D3I和圖4I，工藝流程可以繼續(xù)進(jìn)行圖3H中的結(jié)構(gòu)上方的第一模塑料126的形成，其中，導(dǎo)電材料312的多個(gè)層包封在聚合物層124的多個(gè)層中?？梢允褂靡陨详P(guān)于圖3A中的第一模塑料126描述的類似的工藝形成圖3I和圖4I中示出的第一模塑料126。作為實(shí)例，在圖3I中示出的步驟中形成的第一模塑料126可以識(shí)別為具有第一模塑料126的第一橫向部分126a或第二橫向部分126b。

參照?qǐng)D3J和圖4J，圖3I和圖4I中示出的結(jié)構(gòu)可以從第一載體302脫粘或卸下并且隨后被分割或切割(例如，沿著切割線DL)，從而形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)第二通孔122包封在聚合物層124和第一模塑料126中。圖5中示出了這種結(jié)構(gòu)的實(shí)例，圖5示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的包封在聚合物層124和第一模塑料126中的多個(gè)第二通孔122的立體圖。在分割或切割之后的圖5中示出的實(shí)例中，多個(gè)第二通孔122的第二尺寸D2 可以沿著基本上平行于第一軸X1(例如，水平軸或X軸)的方向延伸。在一些實(shí)施例中，可以使圖5中示出的結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)，從而使得多個(gè)第二通孔122的第二尺寸D2在基本上平行于第二軸X2(例如，垂直軸或Z軸)的方向延伸。第二軸X2可以基本上垂直于第一軸X1。可以通過(guò)拾放機(jī)器、SMT(表面安裝技術(shù))組件放置系統(tǒng)等實(shí)施該旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)的結(jié)果時(shí)圖6中示出的包封的通孔結(jié)構(gòu)600。

由于圖3A至圖3J中示出的工藝流程，與典型的InFO封裝件相比，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的更細(xì)分隔。此外，由于圖3A至圖3J中示出的工藝流程，與典型的InFO封裝件相比，實(shí)現(xiàn)了沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的電阻的較小的變化。此外，由于圖3A至圖3J中示出的工藝流程，與典型的InFO封裝件相比，多個(gè)第二通孔122的高寬比更高。

圖6中示出的包封的通孔結(jié)構(gòu)600隨后可以用于圖1中示出的管芯封裝件100的制造。圖7A至圖7H示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示出制造管芯封裝件100的方法的一些步驟的工藝流程。參照?qǐng)D7A，包封的通孔結(jié)構(gòu)600和第一管芯堆疊件106可以放置(例如，拾放)在第二載體702上方。如圖7A的實(shí)例所示，多個(gè)第二通孔122遠(yuǎn)離第二載體702延伸。在一些實(shí)施例中，粘合層(圖7A中未示出)可以設(shè)置在第二載體702上方并且可以輔助將第一管芯堆疊件106和包封的通孔結(jié)構(gòu)600固定至第二載體702。第二載體702可以包括與第一載體302類似的材料并且可以實(shí)現(xiàn)與第一載體302類似的功能。在一些實(shí)施例中，如在圖7A中示出的實(shí)例中，第一管芯堆疊件106的第一表面110可以面向第二載體702，而第一管芯堆疊件106的第二表面112可以面向遠(yuǎn)離第二載體702。如圖7A的實(shí)例所示，多個(gè)第一導(dǎo)電柱116可以設(shè)置在第一管芯堆疊件106的第一表面110和第二載體702之間。

參照?qǐng)D7B，第二模塑料128可以形成在包封的通孔結(jié)構(gòu)600和第一管芯堆疊件106上方并且可以包封(例如，完全包封)包封的通孔結(jié)構(gòu)600和第一管芯堆疊件106。在一些實(shí)施例中，例如，使用模具成形和模制第二模塑料128，模具可以具有用于保留施加的第二模塑料128的邊界或其 他部件。這種模具可以用于將第二模塑料128壓模在第一管芯堆疊件106和包封的通孔結(jié)構(gòu)600上方和周圍以迫使第二模塑料128進(jìn)入開口和凹槽內(nèi)，從而消除第二模塑料128中的氣袋等。

參照?qǐng)D7C，可以對(duì)第二模塑料128實(shí)施減薄工藝(例如，蝕刻工藝和/或諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的平坦化工藝)以暴露第一管芯堆疊件106的第二表面112、多個(gè)第一通孔114和多個(gè)第二通孔122的第二端122b。隨后，可以使用以上關(guān)于圖1描述的一個(gè)或多個(gè)工藝在包封的通孔結(jié)構(gòu)600、第一管芯堆疊件106的第二表面112和第二模塑料128上方形成第一RDL 118。第一RDL 118的導(dǎo)電部件118c可以連接(例如，電連接和/或物理連接)至多個(gè)第一通孔114和/或多個(gè)第二通孔122。為了清楚，從圖7C省略了第一RDL 118的導(dǎo)電部件118c。

參照?qǐng)D7D，可以翻轉(zhuǎn)第二載體702，并且第一RDL 118可以接合或安裝在第三載體704上。此外，第二載體702可以從第二模塑料128、包封的通孔結(jié)構(gòu)600和多個(gè)第一導(dǎo)電柱116脫粘。熱脫粘工藝或激光脫粘工藝可以用于使第二載體702脫粘。第三載體704可以包括與第二載體702類似的材料并且可以實(shí)現(xiàn)與第二載體702類似的功能。

參照?qǐng)D7E，可以實(shí)施另一減薄工藝(例如，蝕刻工藝和/或諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的平坦化工藝)以暴露多個(gè)第二通孔122的第一端122a和多個(gè)第一導(dǎo)電柱116。隨后，可以使用以上關(guān)于圖1描述的一個(gè)或多個(gè)工藝在包封的通孔結(jié)構(gòu)600、多個(gè)第一導(dǎo)電柱116和第二模塑料128上方形成第二RDL 120。第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c可以連接(例如，電連接和/或物理連接)至多個(gè)第一導(dǎo)電柱116和/或多個(gè)第二通孔122。為了清楚，從圖7D省略了第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c。

參照?qǐng)D7F，第二管芯堆疊件108可以放置(例如，拾放)在第二RDL 120上方。如圖7F所示，多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以設(shè)置在第二管芯堆疊件108和第二RDL 120之間。在實(shí)施例中，多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以形成在第二管芯堆疊件108的第一表面130處。隨后，可以將具有多個(gè)第二導(dǎo)電柱136的第二管芯堆疊件108放置在第二RDL 120上方。多個(gè)第二導(dǎo)電柱136可以電連接至第二RDL 120的導(dǎo)電部件120c。

參照?qǐng)D7G，第三模塑料138可以形成在第二管芯堆疊件108上方并且可以包封(例如，完全包封)第二管芯堆疊件108。在一些實(shí)施例中，例如，使用模具成形和模制第三模塑料138，模具可以具有用于保留施加的第三模塑料138的邊界或其他部件。這種模具可以用于將第三模塑料138壓模在第二管芯堆疊件108上方和周圍以迫使第三模塑料138進(jìn)入開口和凹槽內(nèi)，從而消除第三模塑料138中的氣袋等。在一些實(shí)施例中，諸如圖7G中示出的實(shí)例，可以實(shí)施另一減薄工藝(例如，蝕刻工藝和/或諸如機(jī)械研磨工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的平坦化工藝)以暴露第二管芯堆疊件108的第二表面132，從而使得第二管芯堆疊件108的第二表面132與第三模塑料138的表面138a基本上共面。

參照?qǐng)D7H，工藝流程可以繼續(xù)進(jìn)行面向遠(yuǎn)離第一管芯堆疊件106的第一RDL 118的表面處的多個(gè)連接件140的形成。這可以通過(guò)使第三載體704從第一RDL 118脫粘來(lái)完成。第一RDL 118的一些導(dǎo)電部件118c可以暴露(例如，通過(guò)激光開口工藝和/或蝕刻工藝)，并且此后可以在第一RDL 118的暴露的導(dǎo)電部件118c上方形成多個(gè)連接件140(例如，通過(guò)BGA安裝工藝)。

在圖7A至圖7H中示出的工藝流程中，多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)?例如，緊鄰的通孔)可以分隔開第四尺寸D4，第四尺寸D4可以在從約2微米至約10微米的范圍內(nèi)(例如，約4微米)。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的這種分隔可以比形成在典型的InFO封裝件中的通孔之間觀察到的分隔更細(xì)。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的更細(xì)分隔可以使管芯封裝件100的橫向尺寸L1與典型的InFO封裝件相比更小，從而產(chǎn)生具有與典型的InFO封裝件相比更小的形狀因數(shù)的管芯封裝件100。多個(gè)第二通孔122的相鄰?fù)字g的更細(xì)分隔可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

此外，如圖2的實(shí)例所示，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有第五尺寸D5(例如，寬度)，第五尺寸D5可以在從約1微米至約3微米的范圍內(nèi)(例如，約2微米)。第五尺寸D5沿著多個(gè)第二通孔122的第二尺寸D2可以是基本上均勻的。示例性地，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)在第一端122a 處、第二端122b處以及第一端122a和第二端122b之間的第二通孔122的部分處可以具有第五尺寸D5。換句話說(shuō)，對(duì)于多個(gè)第二通孔122的每個(gè)，沿著第二尺寸D2的第五尺寸D5的變化可以是可忽略的。與形成在典型的InFO封裝件中的通孔相比，沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的第五尺寸D5的這種均勻性可以產(chǎn)生沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的電阻的較小的變化。這可以產(chǎn)生與典型的InFO封裝件相比的管芯封裝件100的更好的電性能。沿著多個(gè)第二通孔122的每個(gè)的第二尺寸D2的電阻的較小的變化可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

此外，如以上關(guān)于圖1描述的，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有第二尺寸D2，第二尺寸D2可以在從約100微米至約300微米的范圍內(nèi)(例如，約200微米)。因此，第二尺寸D2與第五尺寸D5(可以在從約1微米至約3微米的范圍內(nèi))的比率可以在從約30:1至約300:1的范圍內(nèi)。在形成在典型的InFO封裝件中的通孔中，這個(gè)比率可以在從約2:1至約3:1的范圍內(nèi)。因此，與形成在典型的InFO封裝件中的通孔相比，多個(gè)第二通孔122的每個(gè)可以具有更高的高寬比。多個(gè)第二通孔122的較高的高寬比可以是用于制造多個(gè)第二通孔122的方法的結(jié)果，下面關(guān)于圖3A至圖3J描述該方法。

在以上呈現(xiàn)的實(shí)例中，圖3A至圖3J中示出的方法可以用于形成包封在聚合物層124和第一模塑料126中的多個(gè)第二通孔122。然而，在另一實(shí)施例中，圖3A至圖3J中示出的方法可以用于形成具有小形狀因數(shù)的無(wú)源器件，并且這種無(wú)源器件可以包括在圖1中示出的管芯封裝件100中。

作為實(shí)例，圖8示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的使用以上關(guān)于圖3A至圖3G描述的工藝流程形成的三維(3D)電感器的立體圖。如圖8所示，導(dǎo)電材料312-1、312-2的多個(gè)層(例如，兩層)包封在聚合物層124的多個(gè)層中。可以使用以上關(guān)于圖3A至圖3G描述的工藝流程形成導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1。導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1可以包括多條導(dǎo)線(例如，導(dǎo)電跡線)，其中，相鄰(例如，緊鄰)的導(dǎo)線分隔開第四尺寸D4，第四尺寸D4可以在從約2微米至約10微米的范圍內(nèi)(例如，約4微米)。

在形成導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1之后，可以在包封導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1的聚合物層124中形成多個(gè)層間通孔802(例如，使用光刻、蝕刻和鍍工藝的組合)。多個(gè)層間通孔802可以包括與導(dǎo)電材料312類似的材料并且可以電連接至導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1。隨后，可以在多個(gè)層間通孔802上方形成導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2(例如，使用以上關(guān)于圖3A至圖3G描述的工藝流程)。導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2可以電連接至多個(gè)層間通孔802。導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2可以包括多條導(dǎo)線，其中，相鄰(例如，緊鄰)的導(dǎo)線分隔開第四尺寸D4，第四尺寸D4可以在從約2微米至約10微米的范圍內(nèi)(例如，約4微米)。在形成導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2之后，可以在導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2上方形成聚合物層124的另一層，例如，以包封導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2。由于導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2和導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1以圖8中示出的方式連接，所以圖8中示出的結(jié)構(gòu)可以用作3D電感器。形成圖8中示出的3D電感器的方法可以繼續(xù)進(jìn)行聚合物層124和3D電感器上方的第一模塑料126的形成。這可能是必要的以為聚合物層124以及形成在其中的3D電感器提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。

圖9A至圖9D示出了圖8中示出的3D電感器的各個(gè)視圖。圖9A和圖9B示出了分別沿著線C-C’和線D-D’截取的圖8中示出的3D電感器的側(cè)視圖。圖8中標(biāo)示了線C-C’和線D-D’。如圖9A和圖9B所示，導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1、導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2和多個(gè)層間通孔802包封在聚合物層124中，聚合物層124進(jìn)而夾在第一模塑料126的下層和上層之間。圖9C示出了圖8中示出的3D電感器的自上而下視圖。如圖8和圖9C的實(shí)例所示，導(dǎo)電材料312的每個(gè)第一層級(jí)312-1可以基本上彼此平行。也如圖8和圖9C的實(shí)例所示，導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2可以基本上彼此平行。

圖8和圖9A至圖9C示出的3D電感器可以具有第一端804和與第一端804相對(duì)的第二端806。用于使圖5中示出的結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生圖6中示出的包封的通孔結(jié)構(gòu)600的拾放機(jī)器也可以用于使圖8中示出的3D電感器旋轉(zhuǎn)(例如，旋轉(zhuǎn)約90度)。圖9D中示出了這個(gè)步驟的結(jié)果。隨后，3D 電感器的第一端804可以電連接至第一RDL 118，而第二端806可以電連接至第二RDL 120。這樣做時(shí)，可以使用圖3A至圖3J中示出的工藝流程以及圖7A至圖7H中示出的工藝流程制造垂直3D電感器。

由于也可以使用圖3A至圖3G中示出的工藝流程形成具有其他形狀的電感器，圖8中示出的3D電感器的形狀僅是說(shuō)明性的。作為實(shí)例，圖10示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的使用圖3A至圖3G中示出的工藝流程形成的螺旋平面電感器的立體圖。如圖10所示，導(dǎo)電材料312-1、312-2的多個(gè)層可以包封在聚合物層124的多個(gè)層中?？梢允褂靡陨详P(guān)于圖3A至圖3G中描述的工藝流程形成導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1。

在形成導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1之后，可以在包封導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1的聚合物層124中形成多個(gè)層間通孔802(例如，使用光刻、蝕刻和鍍工藝的組合)。多個(gè)層間通孔802可以包括與導(dǎo)電材料312類似的材料并且可以電連接至導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1。隨后，可以在多個(gè)層間通孔802上方形成導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2(例如，使用以上關(guān)于圖3A至圖3G描述的工藝流程)。導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2可以電連接至多個(gè)層間通孔802。導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2可以包括多條導(dǎo)線，其中，相鄰(例如，緊鄰)的導(dǎo)線分隔開第四尺寸D4，第四尺寸D4可以在從約2微米至約10微米的范圍內(nèi)(例如，約4微米)。在形成導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2之后，可以在導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2上方形成聚合物層124的另一層，例如，以包封導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2。由于導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2和導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1以圖10中示出的方式連接，所以圖10中示出的結(jié)構(gòu)可以用作螺旋平面電感器。形成圖10中示出的3D電感器的方法可以繼續(xù)進(jìn)行聚合物層124和螺旋平面電感器上方的第一模塑料126的形成。這可能是必要的以為聚合物層124以及形成在其中的螺旋平面電感器提供結(jié)構(gòu)和機(jī)械支撐。

圖11A至圖11D示出了圖10中示出的螺旋平面電感器的各個(gè)視圖。圖11A和圖11B示出了分別沿著線E-E’和線F-F’截取的圖10中示出的螺旋平面電感器的側(cè)視圖。圖10中標(biāo)示了線E-E’和線F-F’。如圖11A和圖11B所示，導(dǎo)電材料312的第一層級(jí)312-1、導(dǎo)電材料312的第二層級(jí)312-2 和多個(gè)層間通孔802包封在聚合物層124中，聚合物層124進(jìn)而夾在第一模塑料126的下層和上層之間。圖11C示出了圖10中示出的螺旋平面電感器的自上而下視圖。

圖10和圖11A至圖11C示出的螺旋平面電感器可以具有第一端804和與第一端804相對(duì)的第二端806。用于使圖5中示出的結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生圖6中示出的包封的通孔結(jié)構(gòu)600的拾放機(jī)器也可以用于使圖10中示出的螺旋平面電感器旋轉(zhuǎn)(例如，旋轉(zhuǎn)約90度)。圖11D中示出了這個(gè)步驟的結(jié)果。隨后，螺旋平面電感器的第一端804可以電連接至第一RDL 118，而第二端806可以電連接至第二RDL 120。這樣做時(shí)，可以使用圖3A至圖3J中示出的工藝流程以及圖7A至圖7H中示出的工藝流程制造垂直螺旋平面電感器。作為實(shí)例，由于圖3A至圖3J中示出的工藝流程，圖8和圖10中形成的無(wú)源器件可以具有與用于典型的InFO封裝件中的無(wú)源器件相比的更小的形狀因數(shù)。

根據(jù)本文中呈現(xiàn)的各個(gè)實(shí)施例，一種制造管芯封裝件的方法可以包括：形成包封的通孔結(jié)構(gòu)，包封的通孔結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)通孔、包封至少一個(gè)通孔的聚合物層和包封聚合物層的第一模塑料；將包封的通孔結(jié)構(gòu)和第一管芯堆疊件放置在載體上方，至少一個(gè)通孔具有鄰近載體的第一端和遠(yuǎn)離載體的第二端；將第一管芯堆疊件和包封的通孔結(jié)構(gòu)包封在第二模塑料中；以及在第二模塑料上方形成第一再分布層(RDL)，第一RDL電連接至少一個(gè)通孔。

在上述方法中，其中，多個(gè)第一導(dǎo)電柱設(shè)置在所述第一管芯堆疊件的第一表面和所述載體之間，所述多個(gè)第一導(dǎo)電柱電連接至所述第一管芯堆疊件。

在上述方法中，其中，所述第一管芯堆疊件與所述包封的通孔結(jié)構(gòu)橫向分隔開。

在上述方法中，其中，形成所述第一RDL包括：平坦化所述第二模塑料以暴露所述至少一個(gè)通孔的所述第二端和面向遠(yuǎn)離所述載體的所述第一管芯堆疊件的表面；在所述第一管芯堆疊件的所述表面和所述至少一個(gè)通孔的所述第二端上方形成一個(gè)或多個(gè)介電層；圖案化所述一個(gè)或多個(gè)介電 層；以及在圖案化的一個(gè)或多個(gè)介電層中形成導(dǎo)電部件。

在上述方法中，其中，形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括：在支撐結(jié)構(gòu)上方形成所述第一模塑料的第一層；在所述第一模塑料的第一層上方形成所述聚合物層的第一層；在所述聚合物層的第一層中形成至少一個(gè)開口；用導(dǎo)電材料填充所述至少一個(gè)開口以形成在平行于第一軸的第一方向上延伸的所述至少一個(gè)通孔；在所述至少一個(gè)通孔和所述聚合物層的第一層上方形成所述聚合物層的第二層；以及在所述聚合物層的第二層上方形成所述第一模塑料的第二層以形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)。

在上述方法中，其中，形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括：在支撐結(jié)構(gòu)上方形成所述第一模塑料的第一層；在所述第一模塑料的第一層上方形成所述聚合物層的第一層；在所述聚合物層的第一層中形成至少一個(gè)開口；用導(dǎo)電材料填充所述至少一個(gè)開口以形成在平行于第一軸的第一方向上延伸的所述至少一個(gè)通孔；在所述至少一個(gè)通孔和所述聚合物層的第一層上方形成所述聚合物層的第二層；以及在所述聚合物層的第二層上方形成所述第一模塑料的第二層以形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)，所述方法還包括：使所述包封的通孔結(jié)構(gòu)從所述支撐結(jié)構(gòu)脫粘；以及旋轉(zhuǎn)所述包封的通孔結(jié)構(gòu)，其中，所述旋轉(zhuǎn)形成在基本上垂直于所述第一軸的第二方向上延伸的所述至少一個(gè)通孔。

在上述方法中，其中，形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括：在支撐結(jié)構(gòu)上方形成所述第一模塑料的第一層；在所述第一模塑料的第一層上方形成所述聚合物層的第一層；在所述聚合物層的第一層中形成至少一個(gè)開口；用導(dǎo)電材料填充所述至少一個(gè)開口以形成在平行于第一軸的第一方向上延伸的所述至少一個(gè)通孔；在所述至少一個(gè)通孔和所述聚合物層的第一層上方形成所述聚合物層的第二層；以及在所述聚合物層的第二層上方形成所述第一模塑料的第二層以形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)，所述方法還包括：使所述包封的通孔結(jié)構(gòu)從所述支撐結(jié)構(gòu)脫粘；以及旋轉(zhuǎn)所述包封的通孔結(jié)構(gòu)，其中，所述旋轉(zhuǎn)形成在基本上垂直于所述第一軸的第二方向上延伸的所述至少一個(gè)通孔，其中，旋轉(zhuǎn)所述包封的通孔結(jié)構(gòu)包括使用表面安裝技術(shù)組件放置系統(tǒng)。

根據(jù)本文中呈現(xiàn)的各個(gè)實(shí)施例，一種制造管芯封裝件的方法可以包括：將第一管芯堆疊件放置在載體上方，第一管芯堆疊件包括多個(gè)堆疊管芯；將包封的通孔結(jié)構(gòu)放置在載體上方，包封的通孔結(jié)構(gòu)包括包封在聚合物層和第一模塑料中的多個(gè)第二通孔；將包封的通孔結(jié)構(gòu)和第一管芯堆疊件包封在第二模塑料中；在第二模塑料的第一表面上方形成第一再分布層(RDL)，第一RDL電連接至多個(gè)第二通孔；在與第一表面相對(duì)的第二模塑料的第二表面上方形成第二RDL，第二RDL電連接至多個(gè)第二通孔；以及將第二管芯堆疊件放置在第二RDL上方。

在上述方法中，還包括將所述第二管芯堆疊件包封在第三模塑料中。

在上述方法中，其中，所述第一模塑料和所述第二模塑料在組分上相似。

在上述方法中，其中，所述聚合物層和所述第一模塑料在組分上不同。

在上述方法中，其中，所述聚合物層包括在玻璃轉(zhuǎn)變溫度以下具有從約0.5GPa至約5.0GPa的范圍內(nèi)的彈性模量的材料。

在上述方法中，其中，所述聚合物層包括在玻璃轉(zhuǎn)變溫度以下具有從約10ppm/℃至約100ppm/℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)的材料。

在上述方法中，其中，將所述包封的通孔結(jié)構(gòu)放置在所述載體上方包括：在支撐結(jié)構(gòu)上方形成所述第一模塑料的第一層；在所述第一模塑料的第一層上方形成所述聚合物層的第一層；在所述聚合物層的第一層中蝕刻多個(gè)開口；用導(dǎo)電材料填充所述多個(gè)開口以形成在基本上水平的平面上延伸的所述多個(gè)通孔；在所述多個(gè)通孔和所述聚合物層的第一層上方形成所述聚合物層的第二層；在所述聚合物層的第二層上方形成所述第一模塑料的第二層以形成所述包封的通孔結(jié)構(gòu)；旋轉(zhuǎn)所述包封的通孔結(jié)構(gòu)以形成在基本上垂直的平面上延伸的所述多個(gè)通孔；以及在所述載體上方設(shè)置所述包封的通孔結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)通孔在基本上垂直的平面上延伸。

根據(jù)本文中呈現(xiàn)的各個(gè)實(shí)施例，一種管芯封裝件可以包括：第一再分布層(RDL)；第二RDL；第一管芯堆疊件，設(shè)置在第一RDL和第二RDL之間并且電連接至第一RDL和/或第二RDL；多個(gè)通孔，與第一管芯堆疊件橫向分隔開，多個(gè)通孔在第一RDL和第二RDL之間延伸并且電連接至 第一RDL和第二RDL；聚合物層，包封多個(gè)通孔；以及模塑料，包封聚合物層和第一管芯堆疊件，模塑料設(shè)置在第一RDL和第二RDL之間并且與聚合物層在組分上不同。

在上述管芯封裝件中，還包括：第二管芯堆疊件，設(shè)置在面向遠(yuǎn)離所述第一管芯堆疊件的所述第二RDL的表面處。

在上述管芯封裝件中，其中，所述多個(gè)通孔的相鄰?fù)字g的距離在從約2微米至約6微米的范圍內(nèi)。

在上述管芯封裝件中，其中，所述多個(gè)通孔的每個(gè)的寬度在從約1微米至約3微米的范圍內(nèi)。

在上述管芯封裝件中，其中，所述多個(gè)通孔在所述第一RDL和所述第二RDL之間延伸一段距離，所述距離在從約100微米至約300微米的范圍內(nèi)。

在上述管芯封裝件中，其中，所述聚合物層包括聚苯并惡唑。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。