技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上由下到上依次形成若干層犧牲單元層，犧牲單元層包括底層犧牲層和位于底層犧牲層上的頂層犧牲層；在若干層犧牲單元層上形成保護層，保護層的材料和所述底層犧牲層的材料相同；采用各向異性干刻工藝刻蝕保護層和犧牲單元層直至暴露出半導(dǎo)體襯底表面，形成貫穿保護層和犧牲單元層厚度的溝槽；對溝槽側(cè)壁的犧牲單元層和保護層進行濕法刻蝕，所述濕法刻蝕對頂層犧牲層的刻蝕速率大于對底層犧牲層的刻蝕速率；在濕法刻蝕后的溝槽內(nèi)填充滿鰭部，使鰭部的側(cè)壁具有凸起，然后去除保護層和犧牲單元層。所述方法能夠增強柵極結(jié)構(gòu)的電場控制能力，進一步改善短溝道效應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：黃敬勇;王彥
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.06
技術(shù)公布日：2017.07.14