1.一種存儲器元件，其特征在于，所述存儲器元件包含：
基板；
交替設(shè)置于所述基板內(nèi)的第一主動區(qū)域以及第二主動區(qū)域；
閘極結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于所述基板內(nèi)并介于所述第一主動區(qū)域以及所述第二主動區(qū)域之間；以及
覆蓋層，其位于所述閘極結(jié)構(gòu)的上方，以在所述覆蓋層以及所述閘極結(jié)構(gòu)之間定義一空隙。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述閘極結(jié)構(gòu)是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲器元件，其特征在于，所述閘極結(jié)構(gòu)是所述多層結(jié)構(gòu)并包含：
第一部分；以及
由所述第一部分所包圍的第二部分。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述空隙包含氣態(tài)材料。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器元件，其特征在于，所述氣態(tài)材料具有約為1的介電常數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述空隙是真空。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述覆蓋層是由氧化物所制成。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述覆蓋層包含：
第一部分；以及
插入所述第一部分的第二部分。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲器元件，其特征在于，所述覆蓋層的所述第一部分是由氧化物所制成，而所述覆蓋層的所述第二部分是由氮化物所制成。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述存儲器元件還包含氮化層，其在所述覆蓋層之上。
11.一種制造存儲器元件的方法，其特征在于，所述制造存儲器元件的方法包含：
在基板內(nèi)交替形成第一主動區(qū)域以及第二主動區(qū)域；
在所述基板內(nèi)形成閘極結(jié)構(gòu)并介于所述第一主動區(qū)域以及所述第二主動區(qū)域之間；以及
在所述閘極結(jié)構(gòu)的上方形成覆蓋層，以在所述覆蓋層以及所述閘極結(jié)構(gòu)之間定義一空隙。
12.如權(quán)利要求11所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，形成所述閘極結(jié)構(gòu)包含：
形成第一部分；以及
形成由所述第一部分所包圍的第二部分。
13.如權(quán)利要求11所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層密封所述閘極結(jié)構(gòu)與所述覆蓋層間的空間，以定義所述空隙。
14.如權(quán)利要求13所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，所述覆蓋層是由氧化物所制成。
15.如權(quán)利要求11所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層以定義所述空隙包含：
在所述閘極結(jié)構(gòu)之上形成犧牲結(jié)構(gòu)；
在所述犧牲結(jié)構(gòu)之上形成所述覆蓋層的第一部分，并且所述覆蓋層的所述第一部分具有開口；
移除所述犧牲結(jié)構(gòu)；以及
在所述開口內(nèi)形成所述覆蓋層的第二部分，以形成所述覆蓋層并且定義所述空隙。
16.如權(quán)利要求15所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層的所述第一部分包含：
在所述犧牲結(jié)構(gòu)之上沉積覆蓋襯墊；以及
蝕刻所述覆蓋襯墊以形成具有所述開口的所述覆蓋層的所述第一部分。
17.如權(quán)利要求15所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，所述犧牲結(jié)構(gòu)是由氮化物或光阻所制成。
18.如權(quán)利要求17所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，移除所述犧牲結(jié)構(gòu)是借由濕蝕刻或光阻剝離進(jìn)行。
19.如權(quán)利要求15所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，所述覆蓋層的所述第一部分是由氧化物所制成，而所述覆蓋層的所述第二部分是由氮化物所制成。
20.如權(quán)利要求11所述的制造存儲器元件的方法，其特征在于，所述制造存儲器元件的方法還包含在所述覆蓋層之上沉積氮化層。