本發(fā)明概括而言涉及凸塊技術(shù)領(lǐng)域，特別是關(guān)于一種凸塊構(gòu)造，以及包含所述凸塊構(gòu)造，并且位于一半導(dǎo)體芯片(或晶圓)與一基板之間的內(nèi)連結(jié)構(gòu)，特別適用于具有細(xì)微間距的三維(three-dimensional，3D)覆晶接合(flip-chip bonding)或三維集成電路(integrated circuit，IC)的封裝。

背景技術(shù)：

覆晶技術(shù)為本領(lǐng)域公知的一種技術(shù)，可將半導(dǎo)體器件，例如集成電路芯片，通過設(shè)置在芯片焊墊上的焊錫凸塊，連接至外部電路。焊錫凸塊是在晶圓制作工藝最后的步驟階段中，設(shè)置在晶圓頂面的芯片焊墊上。為了將所述芯片安裝到外部電路(例如電路板、另一個(gè)芯片，或另一片晶圓)上，必須翻轉(zhuǎn)芯片，使其頂面朝向下方，并將芯片焊墊與外部電路的配對(duì)焊墊對(duì)齊，接著進(jìn)行焊錫的回流焊，以完成芯片與外部電路之間的連接。

球柵數(shù)組(Ball grid array，BGA)基板上覆晶的方法，通常包含翻轉(zhuǎn)具有凸塊的芯片并安裝至BGA基板上、填充底層填料、模塑、附著焊錫球、切割分離等步驟。為了提高焊接點(diǎn)的密度，焊錫球的尺寸持續(xù)地微縮。例如，目前BGA基板使用直徑0.5毫米(mm)、間距1毫米的焊錫球，將封裝體安裝至印刷電路板上。而封裝體內(nèi)使用的微凸塊，直徑通常小于100微米(μm)。

目前，覆晶封裝是微處理器以及專用集成電路(application-specific integrated circuit，ASIC)芯片封裝時(shí)主要采用的技術(shù)。幾乎大多應(yīng)用處理器都已采用覆晶封裝。一般而言，這種封裝技術(shù)是采用焊錫來連接，是一種制作于有機(jī)基板上的鉛錫(PbSn)共镕合金。為了解決電子遷移問題，許多微處理器的封裝已采用銅柱的凸塊結(jié)構(gòu)。覆晶封裝目前也采用銅柱的凸塊結(jié)構(gòu)，作為達(dá)到細(xì)微間距封裝的主要解決方案。銅柱凸塊可包含細(xì)小的銅圓柱體。不同于焊錫，所述銅圓柱體可在組裝過程中維持原本的形狀。

一般而言，會(huì)在半導(dǎo)體晶粒的銅柱凸塊的自由端上，以镕融涂布的方式，形成一預(yù)定體積的焊錫。所述焊錫經(jīng)過回流焊后會(huì)镕融，藉由镕融的焊錫，可在銅柱凸塊的自由端與基板的連接點(diǎn)之間形成內(nèi)連結(jié)構(gòu)。。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的為提供一改良的銅柱凸塊結(jié)構(gòu)，以及提供一位于半導(dǎo)體芯片和基板之間，且包含所述銅柱凸塊的內(nèi)連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的銅柱凸塊結(jié)構(gòu)以及內(nèi)連結(jié)構(gòu)，特別適用于具有細(xì)微間距的三維(3D)覆晶接合或三維集成電路的封裝。

本發(fā)明一方面提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，包括一焊盤；一鈍化層，覆蓋該接墊的周緣，其中所述鈍化層包含一開口，顯露出所述焊盤的部分表面區(qū)域；一第一部位，位于所述焊盤上，所述第一部位包含一上表面及一側(cè)壁；及一第二部位，覆蓋在所述第一部位的上表面及其全部的側(cè)壁上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第二部位直接接觸到所述鈍化層。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述焊盤是一金屬焊盤，所述第一部位包含銅。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第二部位是由純錫構(gòu)成。所述金屬焊盤包含銅、鋁銅合金、或鋁硅銅合金。

本發(fā)明另一方面提供一種內(nèi)連結(jié)構(gòu)，用來電連接一半導(dǎo)體晶粒與一基板。所述內(nèi)連結(jié)構(gòu)包含一第一部位，延伸于所述半導(dǎo)體晶粒與所述基板的一接觸表面之間；一第二部位，覆蓋在所述第一部位的整個(gè)的側(cè)壁上；及一接口層，位于所述第一部位與所述基板的接觸表面之間，其中所述接口層僅單純由一銅錫金屬間化合物所構(gòu)成。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述銅錫金屬間化合物包含Cu6Sn5、Cu3Sn、或以上的組合。所述基板包含有機(jī)基板、導(dǎo)線架、或晶圓。

無庸置疑的，該領(lǐng)域的技術(shù)人士讀完接下來本發(fā)明較佳實(shí)施例的詳細(xì)描述與圖式后，均可了解本發(fā)明的目的。

【附圖說明】

所附圖式提供對(duì)于此實(shí)施例更深入的了解，并納入此說明書成為其中一部分。這些圖式與描述，用來說明一些實(shí)施例的原理。圖式中:

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的示意性剖面圖，說明一位于一半導(dǎo)體晶粒與一基板之間的內(nèi)連結(jié)構(gòu)。

圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的凸塊結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。

圖3到圖7是本發(fā)明提供的制作如圖2的凸塊結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖。

圖8是本發(fā)明另一實(shí)施例的凸塊結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖，其中的凸塊結(jié)構(gòu)具有焊錫帽蓋。

須注意的是所有圖式均為示意圖，以說明和制圖方便為目的，相對(duì)尺寸及比例都經(jīng)過調(diào)整。相同的符號(hào)在不同的實(shí)施例中代表相對(duì)應(yīng)或類似的特征。

【主要組件符號(hào)說明】

100 半導(dǎo)體器件

11，31 凸塊結(jié)構(gòu)

10 半導(dǎo)體晶粒

10a 表面

12 內(nèi)連結(jié)構(gòu)

20 基板

20a 接觸面

102 焊盤

110 鈍化層

110a 開口

113 凸塊下金屬層

111，121 第一部位

112，122 第二部位

123 第三部位

111' 金屬鍍膜層

111a 頂面

111b 側(cè)壁

121a 側(cè)壁

311 銅柱體

312 蓋層

314 焊錫帽蓋

210 圖案化光刻膠層

210a 開口

T 厚度

t1 厚度

t2 厚度

【具體實(shí)施方式】

在下面的描述中，已提供許多具體細(xì)節(jié)以便徹底理解本發(fā)明。然而，很明顯，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明還是可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。此外，一些公知的系統(tǒng)配置和制程步驟沒有被巨細(xì)靡遺的披露出來，因?yàn)檫@些應(yīng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。

同樣地，例示的裝置的實(shí)施例的附圖是半示意且未按比例繪制，并且，附圖中為了清楚呈現(xiàn)，某些尺寸可能被放大。此外，公開和描述多個(gè)實(shí)施例中具有通用的某些特征時(shí)，相同或類似的特征通常以相同的附圖標(biāo)記描述，以方便于說明和描述。

另外，為了容易說明，在此可以使用空間相對(duì)術(shù)語，例如“在…之下”，“在...下面”，“下部”，“在…之上”，“上部”等等，以描述一個(gè)元素或特征與另外一個(gè)或多個(gè)元素或特征的關(guān)系，如附圖中繪示的。應(yīng)理解除了附圖中描述的定位之外，空間相對(duì)術(shù)語也包含裝置在使用或操作時(shí)的不同定位。例如，如果附圖中的組件被翻轉(zhuǎn)，則原本描述中位在其他元素或特征“之下”或“下面”的元素，將被定位為在其它元素或特征“之上”。因此，例示性術(shù)語“在…之下”可依實(shí)際的空間相對(duì)關(guān)系，包含“之上”和“之下”的兩個(gè)定位。組件也可以是其他的定位，例如旋轉(zhuǎn)90度或以設(shè)置成其它定位，在此使用的空間相對(duì)術(shù)語也可相應(yīng)地解釋。

在此使用的術(shù)語僅是為了描述特殊實(shí)施方案的目的，而不應(yīng)視為是本發(fā)明的限制。例如在此使用的，單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“所述”，除非上下文另外清楚地指明，否則也視為包括復(fù)數(shù)形式。此外，應(yīng)進(jìn)一步理解，本說明書中使用的術(shù)語“包含”和/或“包括”，是用來具體說明所述特征、整體、步驟、工序、器件和/或組分的存在，但是并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、工序、器件、組分和/或其組合的存在或增加。應(yīng)進(jìn)一步理解，在本說明書中，“晶粒”、“半導(dǎo)體芯片”與“半導(dǎo)體晶?！本呦嗤?，可交替使用。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的局部示意性剖面圖，其中包含內(nèi)連結(jié)構(gòu)12，是用來電性連接半導(dǎo)體晶粒(或晶圓)10與基板20。如圖1所示，半導(dǎo)體晶粒10是通過內(nèi)連結(jié)構(gòu)12，電性連接至基板20。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，基板20可包含有機(jī)基板、引線框基板、晶圓、封裝基板、封裝芯片、芯片、電路基板或基板等，但不限于此?；?0可包含接觸面20a，適用來與內(nèi)連結(jié)構(gòu)12對(duì)應(yīng)并接合。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，內(nèi)連結(jié)構(gòu)12具有小于或等于50微米(μm)的高度或厚度，T。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶粒10與基板20之間可包含模塑料(圖未示)，包圍內(nèi)連結(jié)構(gòu)12。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，并未使用焊錫。因此，公知工藝中焊錫回流焊的步驟可以被省略。

需了解的是，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶粒10并不是以覆晶的方式安裝至基板20上。例如，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶粒10可為影像感測芯片，而內(nèi)連結(jié)構(gòu)12是用來電性連接所述影像感測芯片背面的焊盤與基板20的接觸面20a。除了上述晶粒對(duì)晶圓接合的結(jié)構(gòu)，內(nèi)連結(jié)構(gòu)12也可應(yīng)用在晶圓對(duì)晶圓接合的結(jié)構(gòu)中。例如，在晶圓對(duì)晶圓接合的結(jié)構(gòu)中，圖1中的半導(dǎo)體晶粒10由一晶圓取代。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，適合的基板20的接觸面20a可例如是具有暴露的銅表面的銅焊盤。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，適用的基板20的接觸面20a可暫時(shí)性地被一表面處理層(surface finish layer)覆蓋，例如有機(jī)保焊劑(organic solderability preservatives，OSP)，以避免接觸面20a在組裝前發(fā)生氧化。有機(jī)保焊劑可包含例如苯并三唑(benzotriazole)、苯并咪唑(benzimidazole)或其衍生物的材料。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述有機(jī)保焊劑并不包含鎳/金(Ni/Au)。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，內(nèi)連結(jié)構(gòu)12包含第一部位121，延伸于半導(dǎo)體晶粒10的表面10a與基板20的接觸面20a之間。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，表面10a可為半導(dǎo)體晶粒10的有源面。半導(dǎo)體晶粒10是被翻轉(zhuǎn)的，使其有源面得以面對(duì)基板20的接觸面20a。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，表面10a可為半導(dǎo)體晶粒10的背面。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第一部位121可由均質(zhì)的第一材料所構(gòu)成。第一材料包含導(dǎo)電材料。例如，第一部位121可以是由純銅構(gòu)成的銅柱體，可通過電鍍法制得。第一部位121可直接設(shè)置在位于表面10a的導(dǎo)電焊盤(圖未示)上。需理解的是，表面10a可以被鈍化層(圖未示)覆蓋，但不限于此。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第一部位121包含垂直的側(cè)壁121a。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，整個(gè)側(cè)壁121a都被第二部位122覆蓋。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位122可由均質(zhì)的第二材料所構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二材料包含導(dǎo)電材料，例如金屬元素，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位122可以是由純錫(Sn)構(gòu)成，并可藉由無電鍍、浸潤或短時(shí)間浸泡的制作方法形成，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位122可具有小于或等于10微米的厚度。

第二部位122可避免第一部位121的側(cè)壁121a被氧化，并且可用來濕潤(Wetting)第一部位121的表面，具有幫助接合的功用。第二部位122可用其他合適的方法，例如電鍍、真空蒸鍍、濺鍍，或化學(xué)氣相沉積等方法制得，但并不限于此。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶粒10的表面10a被鈍化層覆蓋，第二部位122可直接與鈍化層直接接觸。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，內(nèi)連結(jié)構(gòu)12另包含位于第一部位121與接觸面20a之間的第三部位123。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第三部位123為單純由銅錫金屬間化合物(copper-tin intermetallic compound)構(gòu)成的薄界面層，是由第一部位121的銅、接觸面20a的銅，與預(yù)先設(shè)置在第一部位121和接觸面20a之間的純錫薄層反應(yīng)而形成。先將純錫薄層設(shè)置在第一部位121和接觸面20a之間，接著在后續(xù)的熱壓合工藝或在一溫度，例如260度至300度，之下的褪火工藝中，所述純錫薄層會(huì)完全被反應(yīng)消耗掉，形成所述銅錫金屬間化合物。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，形成的銅錫金屬間化合物可包含Cu6Sn5、Cu3Sn或其組合，但并不限于此。第三部位123提供了第一部位121(銅柱體)與基板20的接觸面20a之間一可靠且牢固的接合。

圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，一具有凸塊結(jié)構(gòu)11的半導(dǎo)體器件100的示意性剖面圖。如圖2所示，半導(dǎo)體器件100包含半導(dǎo)體晶粒10，并且半導(dǎo)體晶粒10的表面10a被鈍化層110覆蓋。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，鈍化層110可包含，例如氧化硅、氮化硅，或聚酰亞胺(polyimide)等材料，但并不限于此。半導(dǎo)體晶粒10的表面10a具有焊盤102。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，焊盤102是金屬焊盤，例如是銅焊盤。一般而言，焊盤102的周緣被鈍化層110覆蓋，且焊盤102的中間區(qū)域自鈍化層110的開口110a暴露出來。凸塊結(jié)構(gòu)11即是通過開口110a，制作在焊盤102上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，凸塊結(jié)構(gòu)11包含第一部位111(銅柱凸塊)，和第二部位112(蓋層)。其中，第二部位112共形的覆蓋住第一部位111的頂面111a和側(cè)壁111b。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，凸塊結(jié)構(gòu)11可另包含凸塊下金屬層(under-bump-metallurgy，UBM)113，設(shè)于第一部位111和焊盤102之間。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第一部位111可由純銅構(gòu)成，但不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位112可由純錫構(gòu)成，并以無電鍍工藝制得，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位112共形的覆蓋住第一部位111的整個(gè)側(cè)壁111b。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位112與鈍化層110直接接觸。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，第二部位112可單獨(dú)選自以下群組：鎳/金、鎳鈀金、鎳/銀、金、錫-鉛合金、銀、有機(jī)保焊劑(OSPs)，及以上的組合。適用的有機(jī)保焊劑包含苯并三唑(benzotriazole)、苯并咪唑(benzimidazole)，或其個(gè)別的衍生物。

在一些實(shí)施例中，凸塊下金屬層113可包含一擴(kuò)散阻障層(或黏著層)，其由鈦(titanium)、鉭(tantalum)、氮化鈦(titanium nitride)，或氮化鉭(tantalum nitride)等材料構(gòu)成，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，所述擴(kuò)散阻障層具有介于500至2000埃之間的沉積厚度，但并不限于此。在一些實(shí)施例中，凸塊下金屬層113可另包含一晶種層(seed layer)，例如是銅層或銅合金層。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，所述晶種層可具有介于500至2000埃之間的沉積厚度，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第一部位111和凸塊下金屬層113兩者的總厚度為t1，其中t1為例如小于或等于45微米(μm)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二部位112的厚度為t2，其中，t2例如介于1到10微米(μm)之間，并且t1與t2的總和小于或等于50微米。

圖3到圖7是本發(fā)明制作如圖2的凸塊結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖面圖。首先，請(qǐng)參考圖3，提供一半導(dǎo)體晶粒10。雖然圖中并未繪示，但應(yīng)可理解半導(dǎo)體晶粒10中可包含多個(gè)半導(dǎo)體器件，例如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，和電路結(jié)構(gòu)，例如金屬內(nèi)連結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體晶粒10的表面10a被鈍化層110覆蓋。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，鈍化層110可為半導(dǎo)體晶粒10的最頂層介電層，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，鈍化層110可包含，例如氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺(polyimide)等材料，但并不限于此。半導(dǎo)體晶粒10的表面10a上設(shè)置有焊盤102。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，焊盤102為金屬焊盤，優(yōu)選為銅焊盤。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，焊盤102可為半導(dǎo)體晶粒10的最頂金屬層，但并不限于此。一般而言，焊盤102的周緣被鈍化層110覆蓋，焊盤102的中間區(qū)域自鈍化層110的開口110a暴露出來。

開口110a可通過公知的光刻工藝和蝕刻工藝制作而成。形成開口110a后，接著全面性的在表面10a上沉積凸塊下金屬層113。凸塊下金屬層113共形的覆蓋鈍化層110、開口110a以及焊盤102暴露出來的區(qū)域。凸塊下金屬層113可包含一擴(kuò)散阻障層(或黏著層)，其由鈦(titanium)、鉭(tantalum)、氮化鈦(titanium nitride)，或氮化鉭(tantalum nitride)等材料構(gòu)成，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，所述擴(kuò)散阻障層具有介于500至2000埃之間的沉積厚度，但并不限于此。在一些實(shí)施例中，凸塊下金屬層113可另包含一晶種層(seed layer)，例如是銅層或銅合金層。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，所述晶種層可具有介于500至2000埃之間的沉積厚度，但并不限于此。

請(qǐng)參考圖4。接著，在表面10a上形成一圖案化光刻膠層(或屏蔽層)210。圖案化光刻膠層210包含一大致上與焊盤102對(duì)齊的開口210a。形成圖案化光刻膠層210的方法可為所屬領(lǐng)域公知的光刻工藝。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，圖案化光刻膠層210的厚度大致上等于形成在開口210a中的銅凸塊或銅柱體的厚度。

接著如圖5所示，通過鍍膜工藝，在開口210a中填滿一金屬鍍膜層111’，例如是銅金屬。金屬鍍膜層111’可以通過例如電化學(xué)沉積(electro-chemical deposition，ECD)工藝形成，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，金屬鍍膜層111’優(yōu)選者具有介于40微米至50微米之間的沉積厚度。在其他實(shí)施例中，金屬鍍膜層111’也可以通過無電鍍工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝而形成。

請(qǐng)參考圖6。鍍膜工藝完成后，接著將圖案化光刻膠層210移除，暴露出凸塊下金屬層113，而原本填充在開口210a中的銅層即形成銅柱體111。接著，將未被銅柱體111覆蓋的凸塊下金屬層113移除。凸塊下金屬層113可以通過所屬領(lǐng)域公知的濕蝕刻或干蝕刻工藝，以自對(duì)準(zhǔn)的方式被移除。形成的銅柱體111包含頂面111a和側(cè)壁111。

請(qǐng)參考圖7。接著，進(jìn)行一無電鍍工藝，形成一共形的覆蓋住銅柱體111頂面111a和側(cè)壁111的蓋層112。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，蓋層112是由純錫構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，蓋層112可單獨(dú)選自以下群組：鎳/金、鎳鈀金、鎳/銀、金、錫-鉛合金、銀、有機(jī)保焊劑(OSPs)，及以上的組合。適用的有機(jī)保焊劑包含苯并三唑(benzotriazole)、苯并咪唑(benzimidazole)，或其個(gè)別的衍生物。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，蓋層112的厚度可介于1微米至10微米之間。

圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的示意性剖面圖，其中，凸塊結(jié)構(gòu)具有焊錫帽蓋。圖中與前文相同或類似的特征以相同的附圖標(biāo)記描述。如圖8所示，半導(dǎo)體晶粒10的表面10a上設(shè)有凸塊結(jié)構(gòu)31。凸塊結(jié)構(gòu)31包含自表面10a凸出的銅柱體311。銅柱體311包含頂面311a和側(cè)壁311b。蓋層312共形的設(shè)置在頂面311a和側(cè)壁311b上。蓋層312可單獨(dú)選自以下群組：鎳/金、鎳鈀金、鎳/銀、金、錫-鉛合金、銀、有機(jī)保焊劑(OSPs)，及以上的組合。適用的有機(jī)保焊劑包含苯并三唑(benzotriazole)、苯并咪唑(benzimidazole)，或其個(gè)別的衍生物。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，蓋層312的厚度可介于1微米至10微米之間。凸塊結(jié)構(gòu)31另包含一預(yù)定體積的焊錫帽蓋314，直接設(shè)置在蓋層312上并鄰近銅柱體311的末端。焊錫帽蓋314可包含具回流性和可焊性的材料，例如錫鉛共熔焊錫或無鉛焊錫。

以上所述僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例，該領(lǐng)域中的技術(shù)人士可輕易知道在本發(fā)明的教示范圍內(nèi)，依然可做許多修改。因此，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。