1.一種晶片架，其特征在于具備：晶片支撐部，設(shè)置在晶片的搭載區(qū)域的端部；
第1部分，設(shè)置在比所述晶片支撐部更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)，且以所述搭載區(qū)域外側(cè)的所述晶片架的表面為基準，該第1部分的第1深度比所述晶片支撐部的第2深度及位于比所述第1部分更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)的第3部分的第3深度深；以及
第2部分，設(shè)置在比所述晶片支撐部更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)，且以所述搭載區(qū)域外側(cè)的所述晶片架的表面為基準，該第2部分的第4深度比所述第2及第3深度淺且比所述第1深度淺。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在所述搭載區(qū)域中距離所述晶片架的中心部最遠的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述晶片的搭載區(qū)域包含第1搭載區(qū)域及與該第1搭載區(qū)域相鄰的第2搭載區(qū)域，
所述第1搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第2搭載區(qū)域的部分，
所述第2搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第1搭載區(qū)域的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片架，其特征在于：所述晶片的搭載區(qū)域包含第1搭載區(qū)域及與該第1搭載區(qū)域相鄰的第2搭載區(qū)域，
所述第1搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第2搭載區(qū)域的部分，
所述第2搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第1搭載區(qū)域的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片架，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片架，其特征在于：所述第1搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述第1搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述第1搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個，
所述第2搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述第2搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述第2搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在設(shè)置著所述晶片支撐部的所述搭載區(qū)域的端部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述第1部分與所述第2部分的邊界部相對于所述第1部分的表面、所述第2部分的表面或能夠搭載所述晶片的第1面而傾斜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片架，其特征在于：所述搭載區(qū)域的第3部分的表面是以隨著從該搭載區(qū)域的中心朝向該搭載區(qū)域的外緣而接近于所述第2面的方式具有凸形狀。
11.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于具備：腔室，對晶片進行處理；
晶片架，能夠搭載所述晶片；
驅(qū)動部，使所述晶片架旋轉(zhuǎn)；
加熱器，設(shè)置在所述晶片架的下方；以及
氣體供給部，將用于所述晶片的處理的氣體供給到所述腔室內(nèi)；且
所述晶片架具備：
晶片支撐部，設(shè)置在所述晶片的搭載區(qū)域的端部；
第1部分，設(shè)置在比所述晶片支撐部更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)，且以所述搭載區(qū)域外側(cè)的所述晶片架的表面為基準，該第1部分的第1深度比所述晶片支撐部的第2深度及位于比所述第1部分更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)的第3部分的第3深度深；以及
第2部分，設(shè)置在比所述晶片支撐部更靠所述搭載區(qū)域的中心部側(cè)，且以所述搭載區(qū)域外側(cè)的所述晶片架的表面為基準，該第2部分的第4深度比所述第2及第 3深度淺且比所述第1深度淺。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在所述第1及第2部分中距離所述晶片架的中心部最遠的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述晶片的搭載區(qū)域包含第1搭載區(qū)域及與該第1搭載區(qū)域相鄰的第2搭載區(qū)域，
所述第1搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第2搭載區(qū)域的部分，
所述第2搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在最接近所述第1搭載區(qū)域的部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述第1搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述第1搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述第1搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個，
所述第2搭載區(qū)域的所述第1部分設(shè)置在與以所述晶片架的中心為中心而通過所述第2搭載區(qū)域的中心的圓交叉的所述第2搭載區(qū)域的兩個端部中的至少一個。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述第1部分設(shè)置在設(shè)置著所述晶片支撐部的所述搭載區(qū)域的端部。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述第1部分與所述第2部分的邊界部相對于所述第1部分的表面、所述第2部分的表面或能夠搭載所述晶片的第1面而傾斜。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于：所述搭載區(qū)域的第3部分的表面是以隨著從該搭載區(qū)域的中心朝向該搭載區(qū)域的外緣而接近于所述第2面的方式具有凸形狀。