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封裝基板與其制作方法與流程

文檔序號(hào):11586674閱讀:181來源:國(guó)知局
封裝基板與其制作方法與流程

本發(fā)明涉及一種封裝基板與其制作方法。



背景技術(shù):

由于消費(fèi)性電子產(chǎn)品的發(fā)展已成為科技產(chǎn)品的主流,像是個(gè)人電腦、筆記本電腦、智能型手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)或其他攜帶式電子產(chǎn)品,且其在消費(fèi)市場(chǎng)之中也已受到熱烈關(guān)切。如此,攜帶式電子產(chǎn)品的發(fā)展更是近幾年來的開發(fā)重點(diǎn)。

對(duì)于攜帶式電子產(chǎn)品的可攜帶性及多功能性的需求,攜帶式電子產(chǎn)品內(nèi)的電子元件也朝向小尺寸、高性能、及降低成本的方向前進(jìn)。再者,在攜帶式電子產(chǎn)品的薄型化趨勢(shì)帶領(lǐng)下,晶圓級(jí)封裝的需求也將持續(xù)上升。對(duì)此,如何提升封裝結(jié)構(gòu)的性能,例如使其厚度更薄或布線密度更高,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,也成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進(jìn)的目標(biāo)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種封裝基板與其制作方法,當(dāng)將電子元件設(shè)置于封裝基板以進(jìn)行封裝時(shí),可將電子元件置入封裝膠層的空腔內(nèi),并通過第一線路層與第二線路層的線路配置,使電子元件可電性連接至位于空腔之外的其他元件。

本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種封裝基板,其包含第一線路層、第二線路層與封裝膠層,其中封裝膠層具有空腔,以做為電子元件的打件區(qū)域。第二線路層的部分線路可通過導(dǎo)電盲孔電性連接至第一線路層的對(duì)應(yīng)的線路,其中第二線路層的部分線路位于空腔內(nèi)。當(dāng)電子元件設(shè)置于空腔內(nèi),并與第二線路層的部分線路電性連接后,電子元件可通過第一線路層與第二線路層的線路配置而電性連接至位于空腔之外的其他元件。借由此種線路配置,封裝基板可被設(shè)計(jì)成更薄或具有更高的布線密度。另一方面,封裝基板的封裝膠層所具有的空腔可通過移除部分封裝膠層形成,或是,也可通過具有凸出部的模具形成。此外,封裝基板的制作是通過增層法工藝完成。

本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種封裝基板,其包含第一線路層、介電層、第二線路層、導(dǎo)電盲孔與封裝膠層。介電層覆蓋第一線路層。第二線路層設(shè)置于介電層上,其中第一線路層與第二線路層分別位于介電層的相對(duì)兩側(cè)。導(dǎo)電盲孔設(shè)置于介電層中,其中導(dǎo)電盲孔的相對(duì)兩端分別連接第一線路層與第二線路層。封裝膠層設(shè)置于介電層上,并覆蓋部分第二線路層,其中封裝膠層具有空腔??涨槐┞恫糠纸殡妼优c另一部分第二線路層。

在部分實(shí)施方式中,介電層具有相對(duì)的第一表面與第二表面。第一線路層的相對(duì)第二線路層的表面與第一表面實(shí)質(zhì)上共平面,而第二線路層位于第二表面上。

在部分實(shí)施方式中,第二線路層凸出于第二表面,第二線路層包含線路,且第二線路層中的至少兩個(gè)互相毗鄰的線路之間具有空隙。

在部分實(shí)施方式中,至少部分第一線路層在介電層的垂直投影位于空腔在介電層的垂直投影的范圍之外。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板還包含至少一個(gè)防焊漆。防焊漆設(shè)置于第二線路層的表面,并至少由空腔暴露。

本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種封裝基板的制作方法,其包含以下步驟。于基板上形成膠體層,并在膠體層上形成第一導(dǎo)電層。圖案化第一導(dǎo)電層,以形成第一線路層。在第一線路層上形成介電層,并在介電層上形成第二導(dǎo)電層。通過第二導(dǎo)電層形成導(dǎo)電盲孔與第二線路層,其中導(dǎo)電盲孔的相對(duì)兩端分別電性連接至第一線路層與第二線路層。在介電層上形成封裝膠層,并覆蓋第二線路層。在封裝膠層中形成空腔,以暴露部分介電層與部分第二線路層。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板的制作方法還包含以下步驟。在部分介電層與部分第二線路層上形成輔助層。在輔助層上形成金屬層。在介電層上形成封裝膠層,并覆蓋第二線路層、金屬層與輔助層。移除部分封裝膠層,以暴露部分金屬層,其中在移除部分封裝膠層的步驟后,封裝膠層具有第一部分與第二部分,封裝膠層的第一部分位于金屬層上方,封裝膠層的第二部分圍繞第一部分。通過封裝膠層暴露部分金屬層處,移除金屬層、輔助層與封裝膠層的第一部分,以形成空腔。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板的制作方法還包含以下步驟。在介電層上設(shè)置模具,其中模具具有凸出部,且凸出部覆蓋部分介電層與部分第二線路層。在模具與介電層之間填充封裝膠體,以形成封裝膠層。移除模具,以在部分介電層與部分第二線路層上方形成空腔。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板的制作方法還包含以下步驟。在部分介電層與部分第二線路層上形成輔助層。在介電層與輔助層之上設(shè)置模具,其中凸出部連接輔助層,且移除模具的步驟包含移除輔助層。

在部分實(shí)施方式中,介電層與第二導(dǎo)電層為通過層壓堆疊而形成。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板的制作方法還包含在形成封裝膠層于介電層上的步驟后,移除膠體層與基板。

在部分實(shí)施方式中,封裝基板的制作方法還包含在第二線路層的表面設(shè)置防焊漆,其中設(shè)置防焊漆的步驟早于形成封裝膠體的步驟。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明的封裝基板與其制作方法,可將電子元件置入封裝膠層的空腔內(nèi),并通過第一線路層與第二線路層的線路配置,使電子元件可電性連接至位于空腔之外的其他元件,封裝基板可被設(shè)計(jì)成更薄或具有更高的布線密度。

附圖說明

圖1繪示本發(fā)明的封裝基板的一實(shí)施方式的側(cè)剖面示意圖。

圖2a繪示將電子元件打件至圖1的封裝基板的側(cè)剖面示意圖。

圖2b繪示將封裝膠體填充至圖2a的封裝膠層的空腔內(nèi)的側(cè)剖面示意圖。

圖3a至圖3h繪示制作封裝基板的一實(shí)施方式在制作流程的不同階段的側(cè)剖面示意圖。

圖4a至圖4d繪示制作封裝基板的另一實(shí)施方式在制作流程的不同階段的側(cè)剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將以圖式公開本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式,為明確說明起見,許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而,應(yīng)了解到,這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說,在本發(fā)明部分實(shí)施方式中,這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外,為簡(jiǎn)化圖式起見,一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。

有鑒于攜帶式電子產(chǎn)品在薄型化趨勢(shì)帶領(lǐng)下,晶圓級(jí)封裝的需求也將持續(xù)上升,本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種封裝基板,其包含第一線路層、第二線路層與封裝膠層,其中封裝膠層具有空腔,以做為電子元件的打件區(qū)域。第二線路層的部分線路可通過導(dǎo)電盲孔電性連接至第一線路層的對(duì)應(yīng)的線路,其中第二線路層的部分線路位于空腔內(nèi)。當(dāng)電子元件設(shè)置于空腔內(nèi),并與第二線路層的部分線路電性連接后,電子元件可通過第一線路層與第二線路層的線路配置而電性連接至位于空腔之外的其他元件。借由此種線路配置,封裝基板可被設(shè)計(jì)成更薄或具有更高的布線密度。另一方面,封裝基板的封裝膠層所具有的空腔可通過移除部分封裝膠層形成,或是,也可通過具有凸出部的模具形成。此外,封裝基板的制作是通過增層法工藝完成。

請(qǐng)參照?qǐng)D1,其中圖1繪示本發(fā)明的封裝基板100的一實(shí)施方式的側(cè)剖面示意圖。封裝基板100包含第一線路層110、介電層112、第二線路層114、導(dǎo)電盲孔116與封裝膠層118,其中第一線路層110與第二線路層114分別包含多條線路。

介電層112覆蓋第一線路層110。第二線路層114設(shè)置于介電層112上,其中第一線路層110與第二線路層114分別位于介電層112的相對(duì)兩側(cè)。導(dǎo)電盲孔116設(shè)置于介電層112中,其中導(dǎo)電盲孔116的相對(duì)兩端分別連接第一線路層110與第二線路層114,使得第一線路層110的部分線路可通過導(dǎo)電盲孔116電性連接至第二線路層114的對(duì)應(yīng)的線路。封裝膠層118設(shè)置于介電層112上,并覆蓋部分第二線路層114,其中封裝膠層118具有空腔120??涨?20暴露部分介電層112與另一部分第二線路層114。

介電層112具有第一表面s1與第二表面s2,其中第二表面s2為介電層112朝向封裝膠層118與其空腔120的表面。第一表面s1與第二表面s2彼此相對(duì),且其可為互相平行。由于介電層112覆蓋第一線路層110,故第一線路層110可視作設(shè)置于介電層112中,且設(shè)置于介電層112中的第一線路層110的相對(duì)第二線路層114的表面為暴露于介電層112之外。換言之,第一線路層110的相對(duì)第二線路層114的表面會(huì)與第一表面s1實(shí)質(zhì)上共平面。具體而言,第一線路層110具有下表面,此下表面與第二線路層114相對(duì),且與第一表面s1實(shí)質(zhì)上共平面。除此之外,第二線路層114位于介電層112的第二表面s2上,并凸出于介電層112的第二表面s2,使得第二線路層114中的至少兩個(gè)互相毗鄰的線路間具有空隙。例如,第二線路層114的線路115a與115b之間具有空隙,且此空隙連接于介電層112的空腔120。另一方面,封裝基板100可還包含防焊漆(未繪示)。防焊漆設(shè)置于第二線路層114的表面,其中一部分防焊漆被封裝膠層118覆蓋,而另一部分防焊漆由空腔120所暴露。防焊漆可提供后續(xù)打件時(shí)的電性絕緣用途。此外,防焊漆也可設(shè)置于第一線路層110的表面,并且與第二線路層114相對(duì),以提供后續(xù)焊接錫球之用。

在此配置下,封裝膠層118的空腔120可做為電子元件的打件區(qū)域。也即,當(dāng)進(jìn)行電子元件的封裝工藝時(shí),可將電子元件設(shè)置于封裝膠層118的空腔120內(nèi),并電性連接至第二線路層114的部分線路。接著,再填充封裝膠體于封裝膠層118的空腔120內(nèi),以完成電子元件的封裝工藝,請(qǐng)見以下說明。

請(qǐng)參照?qǐng)D2a與圖2b,其中圖2a繪示將電子元件150打件至圖1的封裝基板100的側(cè)剖面示意圖,而圖2b繪示將封裝膠體填充至圖2a的封裝膠層118的空腔120內(nèi)的側(cè)剖面示意圖。

圖2a中,可先將焊球152設(shè)置于第二線路層114的部分線路上,其中此第二線路層114的部分線路通過導(dǎo)電盲孔116電性連接至第一線路層110的對(duì)應(yīng)的線路。接著,再將電子元件150設(shè)置于焊球152上,使得電子元件150可通過焊球152電性連接至第二線路層114的部分線路,并再通過導(dǎo)電盲孔116電性連接至第一線路層110的對(duì)應(yīng)的線路。

此外,在第一線路層110的線路配置中,至少部分第一線路層110在介電層112的垂直投影會(huì)位于空腔120在介電層112的垂直投影的范圍之外。具體而言,第一線路層110與電子元件150電性連接的線路,可自介電層112在空腔120的下方向外延伸,并與其他電子元件(未繪示)電性連接。

另一方面,在第二線路層114的線路配置中,第二線路層114與電子元件150電性連接的線路,也可自封裝膠層118的空腔120的下方延伸至空腔120之外,并與其他電子元件(未繪示)電性連接。在其他實(shí)施方式中,第二線路層114與電子元件150電性連接的線路也可做為焊接墊使用。也就是說,通過第一線路層110與第二線路層114的線路配置,所設(shè)置的電子元件150可電性連接至位于空腔120之外的其他元件(未繪示)。借由此種線路配置,封裝基板100可被設(shè)計(jì)成更薄或具有更高的布線密度。

圖2b中,當(dāng)電子元件150通過焊球152固定于封裝膠層118的空腔120(請(qǐng)見圖2a)內(nèi)之后,可通過填充封裝膠體于封裝膠層118的空腔120內(nèi),完成電子元件150的封裝工藝。

圖1所繪的封裝基板100可通過多種方式制作而成,例如,請(qǐng)參照?qǐng)D3a至圖3h,其中圖3a至圖3h繪示制作封裝基板的一實(shí)施方式在制作流程的不同階段的側(cè)剖面示意圖。

圖3a中,在基板102上先形成膠體層104,并在膠體層104上形成第一導(dǎo)電層106,其中膠體層104具有可剝性,也即膠體層104可自第一導(dǎo)電層106剝離。

圖3b中,圖案化第一導(dǎo)電層106(請(qǐng)見圖3a),以形成第一線路層110,其中圖案化第一導(dǎo)電層106可通過微影工藝完成。同前所述,第一線路層110包含多條線路。

圖3c中,在第一線路層110上形成介電層112,并在介電層112上形成第二導(dǎo)電層108,其中介電層112與第二導(dǎo)電層108可通過層壓堆疊而形成。介電層112覆蓋第一線路層110,且部分介電層112連接膠體層104。也即,第一線路層110的相對(duì)第二導(dǎo)電層108的表面與介電層112的相對(duì)第二導(dǎo)電層108的表面為實(shí)質(zhì)上共平面,并與膠體層104連接。具體而言,第一線路層110與介電層112皆具有下表面,此兩者的下表面皆與第二線路層114相對(duì),且此兩者的下表面為實(shí)質(zhì)上共平面。此外,由于第二導(dǎo)電層108是通過層壓堆疊而形成,故通過重復(fù)層壓后的第二導(dǎo)電層108的最終導(dǎo)電層層數(shù)可以是兩層或兩層以上。

圖3d中,通過第二導(dǎo)電層108(請(qǐng)見圖3c)形成導(dǎo)電盲孔116與第二線路層114,其中導(dǎo)電盲孔116的相對(duì)兩端分別電性連接至第一線路層110與第二線路層114。在形成導(dǎo)電盲孔116的工藝中,可通過激光移除部分第二導(dǎo)電層108與部分介電層112,以形成盲孔,其中此盲孔暴露第一線路層110的部分線路。接著,在盲孔中以電鍍或其他方式填充導(dǎo)電物質(zhì),使得此盲孔可成為導(dǎo)電盲孔116。在導(dǎo)電盲孔116形成后,再圖案化第二導(dǎo)電層108,以形成第二線路層114,其中圖案化第二導(dǎo)電層108可通過微影工藝完成。此外,當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層114完成后,可在第二線路層114的表面設(shè)置防焊漆(未繪示),其中防焊漆與第一線路層110相對(duì),以提供后續(xù)打件時(shí)的電性絕緣用途。

圖3e中,在部分介電層112與部分第二線路層114上形成輔助層130,其中輔助層130位于待形成的空腔120(請(qǐng)見圖1)的位置。輔助層130可以是具有可剝性的離型層,使得輔助層130可自部分介電層112與部分第二線路層114剝離。接著,在輔助層130上形成金屬層132。

圖3f與圖3g中,在介電層112上形成封裝膠層118,并覆蓋第二線路層114、金屬層132與輔助層130。接著,在形成封裝膠層118后,可通過膠體層104所具有的可剝性,將膠體層104自第一線路層110與介電層112剝離,以移除膠體層104與基板102。具體而言,由于基板102連接于膠體層104的相對(duì)第一線路層110與介電層112的一側(cè),故基板102可與膠體層104一起脫離。此外,在完成封裝膠層118并將基板102與膠體層104脫離之后,可在第一線路層110表面設(shè)置防焊漆(未繪示),其中防焊漆與第二線路層114相對(duì),以提供后續(xù)焊接錫球之用。

圖3h中,移除部分封裝膠層118,以暴露部分金屬層132,其中金屬層132被暴露的部分為位于金屬層132的邊緣。移除部分封裝膠層118可通過激光l完成。具體而言,通過激光l,封裝膠層118會(huì)被燒蝕出溝槽,其中溝槽位于待形成的空腔120(請(qǐng)見圖1)的邊界處,并位于金屬層132的邊緣上方。此外,金屬層132可做為輔助層130的遮蔽層,以防止輔助層130被激光l燒毀。

在移除部分封裝膠層118后,封裝膠層118會(huì)具有第一部分122與第二部分124,其中封裝膠層118的第一部分122位于金屬層132上方,封裝膠層118的第二部分124圍繞第一部分122,且封裝膠層118被燒蝕出的溝槽位于第一部分122與第二部分124之間。

接著,在封裝膠層118通過激光l形成第一部分122與第二部分124后,可通過輔助層130所具有的可剝性,將輔助層130自介電層112與第二線路層114剝離,以移除金屬層132、輔助層130與封裝膠層118的第一部分122,以形成如圖1所示的空腔120。具體而言,可通過封裝膠層118暴露部分金屬層132處(即溝槽處),將金屬層132取出,以使輔助層130自介電層112與第二線路層114剝離,并連同取出連接于金屬層132的封裝膠層118的第一部分122。

在移除金屬層132、輔助層130與封裝膠層118的第一部分122并形成空腔120后,即可形成如圖1所示的封裝基板100,其中空腔120所暴露的部分介電層112與部分第二線路層114為原本受輔助層130所覆蓋的區(qū)域。

綜合前述,本發(fā)明的封裝基板的封裝膠層具有空腔,以做為電子元件的打件區(qū)域。在電子元件固定于封裝基板上之后,可再借由填充封裝膠體,以完成電子元件的封裝工藝。此外,在封裝基板的第一線路層與第二線路層的線路配置中,第一線路層與第二線路層的線路可根據(jù)欲設(shè)置的電子元件而設(shè)計(jì),使得所設(shè)置的電子元件可電性連接至位于空腔之外的其他元件。借由此種線路配置,封裝基板可被設(shè)計(jì)成更薄或具有更高的布線密度。另一方面,封裝基板的封裝膠層所具有的空腔可通過移除部分封裝膠層形成。除此之外,封裝基板的制作是通過增層工藝完成。

同前所述,除了圖3a至圖3h所示的制作流程之外,圖1所繪的封裝基板100也可通過其他方式制作而成,例如,請(qǐng)參照?qǐng)D4a至圖4c,其中圖4a至圖4d繪示制作封裝基板的另一實(shí)施方式在制作流程的不同階段的側(cè)剖面示意圖。此外,本實(shí)施方式中,在圖4a所示的制作階段之前,所進(jìn)行的制作流程可同于圖3a至圖3d,也即,圖4a所示的制作階段可視為接續(xù)于圖3d的制作階段。

圖4a中,在部分介電層112與部分第二線路層114上形成輔助層130,其中輔助層130位于待形成的空腔120(請(qǐng)見圖1)的位置。輔助層130可以是具有可剝性的離型層,使得輔助層130可自部分介電層112與部分第二線路層114剝離。接著,在介電層112與輔助層130之上設(shè)置模具140,其中模具140具有凸出部142,且凸出部142連接輔助層130。在其他實(shí)施方式中,模具140也可以直接設(shè)置于介電層112上,且其凸出部142覆蓋部分介電層112與部分第二線路層114。

圖4b與圖4c中,填充封裝膠體于模具140與介電層112之間,以形成封裝膠層118,其中所形成的封裝膠層118圍繞模具140的凸出部142,并覆蓋另一部分第二線路層114。接著,在形成封裝膠層118后,可通過膠體層104所具有的可剝性,將膠體層104自第一線路層110與介電層112剝離,以移除膠體層104與基板102。此外,在此步驟中,也可在第一線路層110表面設(shè)置防焊漆(未繪示),在此不再贅述。

圖4d中,可通過輔助層130所具有的可剝性,沿箭頭方向移除模具140與輔助層130,以在部分介電層112與部分第二線路層114上方形成如圖1所示的空腔120。

在移除模具140與輔助層130并形成空腔120后,即可形成如圖1所示的封裝基板100,其中空腔120所暴露的部分介電層112與部分第二線路層114為原本受輔助層130所覆蓋的區(qū)域。

具體而言,本實(shí)施方式是通過模具的凸出部填充于欲形成空腔的位置,使得在將模具移除后,對(duì)應(yīng)原本凸出部的位置將形成空腔。

綜上所述,本發(fā)明的封裝基板的封裝膠層具有空腔,以做為電子元件的打件區(qū)域。在封裝基板中,第二線路層的部分線路可通過導(dǎo)電盲孔電性連接至第一線路層的對(duì)應(yīng)的線路,其中第二線路層的部分線路位于空腔內(nèi)。當(dāng)電子元件設(shè)置于空腔內(nèi),并與第二線路層的部分線路電性連接后,電子元件可通過第一線路層與第二線路層的線路配置而電性連接至位于空腔之外的其他元件。另一方面,封裝基板的封裝膠層所具有的空腔可通過移除部分封裝膠層形成,或是,也可通過具有凸出部的模具形成。此外,封裝基板的制作是通過增層工藝完成。

雖然本發(fā)明已經(jīng)以多種實(shí)施方式公開如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種變動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。

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