1.一種FET結(jié)構(gòu)，包括：
第一導(dǎo)電類型的晶體管，包括：
襯底，具有第二導(dǎo)電類型的區(qū)域；
第一導(dǎo)電類型的源極和漏極；
溝道，位于所述第一導(dǎo)電類型的源極和漏極之間，包括第一導(dǎo)電類型的摻雜物；以及
柵極，位于所述溝道上方，包括第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET，其中，所述溝道從所述襯底的表面延伸到所述襯底的表面下方小于50nm的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET，其中，所述溝道中的所述第一導(dǎo)電類型的摻雜物濃度大于1E15/cm3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET，還包括第二導(dǎo)電類型的晶體管，包括：
襯底，具有第一導(dǎo)電類型的區(qū)域；
第二導(dǎo)電類型的源極和漏極；
溝道，位于所述第二導(dǎo)電類型的源極和漏極之間，包括第二導(dǎo)電類型的摻雜物；以及
柵極，位于所述溝道上方，包括第一導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的FET，其中，所述第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層的功函大于所述第一導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層的功函。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的FET，其中，所述第一導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層的功函和所述第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層的功函均在3.8eV至5.5eV的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET，其中，所述FET是FinFET。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET，其中，所述FET被集成到物聯(lián)網(wǎng)(IOT)結(jié)構(gòu)中。
9.一種設(shè)置用于FET結(jié)構(gòu)的多閾值電壓的方法，包括：
形成第一導(dǎo)電類型的低閾值電壓(Vt)晶體管，包括：
利用第一導(dǎo)電類型的摻雜物注入所述第一導(dǎo)電類型的低Vt晶體管的溝道；以及
沉積第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層，以覆蓋所述第一導(dǎo)電類型的低Vt晶體管的溝道。
10.一種用于制造具有多閾值電壓的FET的方法，包括：
從第一掩模中暴露第一導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道和第二導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道；
以相同的注入劑量，利用第一導(dǎo)電類型的摻雜物摻雜所述第一導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道和所述第二導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道；
從第二掩模中暴露第一導(dǎo)電類型的第二晶體管的溝道和第二導(dǎo)電類型的第二晶體管的溝道；
以相同的注入劑量，利用第二導(dǎo)電類型的摻雜物摻雜所述第一導(dǎo)電類型的第二晶體管的溝道和所述第二導(dǎo)電類型的第二晶體管的溝道；以及
在所述第一導(dǎo)電類型的第一晶體管和所述第二導(dǎo)電類型的第一晶體管上方沉積第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層。