技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

在MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等半導(dǎo)體裝置中，有在溝槽的內(nèi)部形成柵極的具有溝槽型柵極構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。

在溝槽型柵極構(gòu)造中，有將布線埋入到半導(dǎo)體裝置的外周、并將該布線與柵極電極以及電極焊盤(pán)連接的情況。在使該半導(dǎo)體裝置為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過(guò)布線從電極焊盤(pán)向柵極電極施加電壓。

該布線與電極焊盤(pán)之間的電阻優(yōu)選是較低的電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施方式提供一種能夠降低在柵極電極上連接的布線與電極焊盤(pán)之間的電阻的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具有第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域、第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域、第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域、柵極電極、柵極布線、第2絕緣層以及第1電極。

第1半導(dǎo)體區(qū)域具有第1區(qū)域和設(shè)在上述第1區(qū)域的周?chē)牡?區(qū)域。

第2半導(dǎo)體區(qū)域選擇性地設(shè)在第1區(qū)域之上。

第3半導(dǎo)體區(qū)域選擇性地設(shè)在第2半導(dǎo)體區(qū)域之上。

柵極電極設(shè)在第1區(qū)域之上。柵極電極在與從第1區(qū)域朝向第2半導(dǎo)體區(qū)域的第1方向垂直的第2方向上延伸。柵極電極在與第1方向及第2 方向垂直的第3方向上隔著第1絕緣層而與第2半導(dǎo)體區(qū)域相面對(duì)。

柵極布線具有第1部分和第2部分。第1部分在第3方向上延伸。第1部分設(shè)在第2部分的周?chē)５?部分在第3方向上延伸。第2部分在第1方向上的厚度比第1部分在第1方向上的厚度薄。柵極布線設(shè)在第2區(qū)域之上。柵極布線與柵極電極電連接。柵極布線在第2方向上的長(zhǎng)度比柵極電極在第3方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。柵極布線隔著第1絕緣層被第1半導(dǎo)體區(qū)域包圍。

第2絕緣層設(shè)在第2區(qū)域之上。第2絕緣層將第1部分覆蓋。

第1電極設(shè)在柵極布線之上以及第2絕緣層之上。第1電極與柵極布線相接。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，能夠提供能夠降低在柵極電極上連接的布線與電極焊盤(pán)之間的電阻的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

附圖說(shuō)明

圖1是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖2是圖1的A－A′剖面圖。

圖3是將圖1的B－B′剖面的一部分放大了的局部放大剖面圖。

圖4是將圖1的部分C放大了的局部放大平面圖。

圖5A和圖5B是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的工序剖面圖。

圖6A和圖6B是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的工序剖面圖。

圖7A和圖7B是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的工序剖面圖。

圖8A和圖8B是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的工序剖面圖。

圖9是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖10是將圖9的B－B′剖面的一部分放大了的局部放大剖面圖。

圖11是將圖9的部分C放大了的局部放大平面圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

另外，附圖是示意性或概念性的圖，各部分的厚度和寬度的關(guān)系、部分間的大小的比率等并不一定與實(shí)際情況相同。此外，即使在表示相同部分的情況下，在有通過(guò)附圖將彼此的尺寸、比率不同地表示的情況。

此外，在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)和各圖中，對(duì)于與已說(shuō)明的要素同樣的要素附加同一符號(hào)而適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明。

在實(shí)施方式的說(shuō)明中，使用XYZ正交坐標(biāo)系。將從第1區(qū)域R1朝向p型基體(base)區(qū)域2的方向設(shè)為Z方向(第1方向)，將與Z方向垂直的方向且相互正交的2個(gè)方向設(shè)為X方向(第2方向)以及Y方向(第3方向)。

在以下的說(shuō)明中，n⁺、n^－以及p⁺、p的標(biāo)記表示各導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度的相對(duì)高低。即，n⁺表示與n^－相比n型的雜質(zhì)濃度相對(duì)高。此外，p⁺表示與p相比p型的雜質(zhì)濃度相對(duì)高。

關(guān)于以下說(shuō)明的各實(shí)施方式，也可以使各半導(dǎo)體區(qū)域的p型和n型反型來(lái)實(shí)施各實(shí)施方式。

(第1實(shí)施方式)

參照?qǐng)D1～圖4對(duì)第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一例進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的平面圖。

圖2是圖1的A－A′剖面圖。

圖3是將圖1的B－B′剖面的一部分放大了的局部放大剖面圖。

圖4是將圖1的部分C放大了的局部放大平面圖。

另外，在圖1中，用虛線表示n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1具有的第1區(qū)域R1以及第2區(qū)域R2。

在圖4中，省略了柵極電極焊盤(pán)32，并用虛線表示柵極電極10以及柵極布線11。

半導(dǎo)體裝置100例如為MOSFET。

如圖1～圖4所示，半導(dǎo)體裝置100具有n⁺型(第1導(dǎo)電型)的漏極區(qū)域5、n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1(第1半導(dǎo)體區(qū)域)、p型(第2導(dǎo)電型)的基體區(qū)域2(第2半導(dǎo)體區(qū)域)、n⁺型源極區(qū)域3(第3半導(dǎo)體區(qū)域)、p⁺型 接觸區(qū)域4、柵極電極10、柵極布線11、絕緣層21(第1絕緣層)、絕緣層22(第2絕緣層)、漏極電極31、柵極電極焊盤(pán)32(第1電極)以及源極電極33(第2電極)。

如圖1所示，第2區(qū)域R2沿著X－Y面設(shè)在第1區(qū)域R1的周?chē)?。源極電極33的至少一部分設(shè)在第1區(qū)域R1之上，柵極電極焊盤(pán)32的至少一部分設(shè)在第2區(qū)域R2之上。

柵極電極焊盤(pán)32的一部分沿著X方向以及Y方向延伸。在柵極電極焊盤(pán)32與源極電極33之間設(shè)有絕緣層22，柵極電極焊盤(pán)32與源極電極33相互分離而設(shè)置。

如圖2所示，漏極電極31設(shè)在n⁺型漏極區(qū)域5之下。漏極電極31與n⁺型漏極區(qū)域5電連接。

n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1設(shè)在n⁺型漏極區(qū)域5之上。n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1具有第1區(qū)域R1和設(shè)在第1區(qū)域R1的周?chē)牡?區(qū)域R2。

p型基體區(qū)域2設(shè)在第1區(qū)域R1之上。

n⁺型源極區(qū)域3以及p⁺型接觸區(qū)域4分別選擇性地設(shè)在p型基體區(qū)域2之上。

p型基體區(qū)域2、n⁺型源極區(qū)域3以及p⁺型接觸區(qū)域4在Y方向上設(shè)有多個(gè)，各個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域在X方向上延伸。

柵極電極10設(shè)在第1區(qū)域R1之上。柵極電極10在Y方向上設(shè)有多個(gè)，各個(gè)柵極電極10在X方向上延伸。柵極電極10的一部分沿著X－Y面被n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1包圍。此外，柵極電極10在Y方向上隔著絕緣層21而與p型基體區(qū)域2相面對(duì)。

源極電極33設(shè)在第1區(qū)域R1之上以及第2區(qū)域R2的一部分之上。源極電極33與n⁺型源極區(qū)域3以及p⁺型接觸區(qū)域4電連接。

p⁺型接觸區(qū)域4在Z方向上的位置比n⁺型源極區(qū)域3在Z方向上的位置低。因此，在p⁺型接觸區(qū)域4之上且n⁺型源極區(qū)域3彼此之間，設(shè)有源極電極33的一部分。

絕緣層22設(shè)在第1區(qū)域R1之上以及第2區(qū)域R2之上。絕緣層22的一部分設(shè)在柵極電極10之上，柵極電極10與源極電極33被絕緣層22電分離。此外，絕緣層22的該一部分在Y方向上位于絕緣層21的一部分與 另一部分之間，絕緣層21的該一部分以及該另一部分在Z方向上與源極電極33相接。即，絕緣層21的該一部分以及該另一部分在Z方向上一直設(shè)置到比n⁺型源極區(qū)域3靠上部的位置。

如圖3及圖4所示，柵極布線11設(shè)在第2區(qū)域R2之上，并在Y方向上延伸。柵極布線11隔著第1絕緣層21被n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1包圍。

柵極布線11具有第1部分111、第2部分112和第3部分113。第1部分111～第3部分113在Y方向上延伸。

第2部分112沿著X－Y面被第1部分111包圍。第2部分112在Z方向上的厚度T2比第1部分111在Z方向上的厚度T1薄。

第3部分113沿著X－Y面被第2部分112包圍。第3部分113在Z方向上的厚度T3比厚度T2薄。

絕緣層22在第2區(qū)域R2之上將柵極布線11的第1部分111覆蓋。絕緣層22具有第1絕緣部分221以及第2絕緣部分222。

第1絕緣部分221設(shè)在第1部分111之上，與n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1的部分1b在X方向上排列。

第2絕緣部分222與部分1b在Z方向上排列。

第1絕緣部分221在X方向上的厚度T4比第2絕緣部分222在Z方向上的厚度T5薄。此外，n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1的Z方向的端部與柵極布線11的Z方向的端部之間的Z方向上的距離D1比厚度T5大。

柵極電極焊盤(pán)32設(shè)在絕緣層22之上以及柵極布線11之上。柵極電極焊盤(pán)32與柵極布線11電連接。更具體而言，柵極電極焊盤(pán)32與第2部分112的上表面以及第3部分113的上表面相接。

如圖4所示，柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的接觸面沿著柵極布線11而在Y方向上延伸。此外，柵極布線11與多個(gè)柵極電極10相接。柵極布線11在X方向上的長(zhǎng)度L1比柵極電極10在Y方向上的長(zhǎng)度L2長(zhǎng)。

這里，對(duì)各結(jié)構(gòu)要素的材料的一例進(jìn)行說(shuō)明。

各半導(dǎo)體區(qū)域包含硅、碳化硅、鎵砷或氮化鎵。

柵極電極10以及柵極布線11包含多晶硅。

絕緣層21及22包含氧化硅。

漏極電極31、柵極電極焊盤(pán)32以及源極電極33包含鋁。

接著，對(duì)于第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的制造方法的一例，利用圖5A～圖8B進(jìn)行說(shuō)明。

圖5A～圖8B是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的制造工序的工序剖面圖。圖5A～圖8B的各個(gè)圖中，左側(cè)的圖是與圖1的帶有A－A′線的位置對(duì)應(yīng)的工序剖面圖，右側(cè)的圖是與圖1的帶有B－B′線的位置對(duì)應(yīng)的工序剖面圖。

首先，準(zhǔn)備在n⁺型的半導(dǎo)體層5a之上形成有n^－型的半導(dǎo)體層1a的半導(dǎo)體基板。接著，將n^－型半導(dǎo)體層1a的表面熱氧化而形成絕緣層。通過(guò)將該絕緣膜圖案化而形成掩模20。

接著，利用掩模20，如圖5A所示那樣，形成第1溝槽Tr1以及第2溝槽Tr2。第1溝槽Tr1在X方向上延伸，在第1區(qū)域R1之上形成有多個(gè)。第2溝槽Tr2在X方向上延伸，形成在第2區(qū)域R2之上。第1溝槽Tr1的一部分一直延伸到第2區(qū)域R2，第2溝槽Tr2與多個(gè)第1溝槽Tr1在第2區(qū)域R2之上相連。第1溝槽Tr1以及第2溝槽Tr2形成為，第2溝槽Tr2的寬度(Y方向上的長(zhǎng)度)比第1溝槽Tr1的寬度(Y方向上的長(zhǎng)度)寬(長(zhǎng))。

接著，將各溝槽的內(nèi)壁熱氧化。由此時(shí)形成的氧化層和先前形成的氧化層形成絕緣層21a。接著，在絕緣層21a之上形成導(dǎo)電層。將該導(dǎo)電層的一部分蝕刻，使導(dǎo)電層的表面后退。通過(guò)該工序，在第1溝槽Tr1的內(nèi)部形成柵極電極10(第1導(dǎo)電部)，在第2溝槽Tr2的內(nèi)部形成柵極布線11(第2導(dǎo)電部)。

接著，在半導(dǎo)體層1a之上，如圖5B所示那樣形成絕緣層22a。絕緣層22a形成為，第1溝槽Tr1被絕緣層22a埋入(對(duì)應(yīng)日文：埋め込む)，第2溝槽Tr2的僅一部分被絕緣層22a埋入。此時(shí)，絕緣層22a由于沿著柵極布線11的上表面以及第2溝槽Tr2的內(nèi)壁形成，從而在柵極布線11之上的絕緣層22a的表面形成凹部22b。

進(jìn)而，柵極布線11以及絕緣層22a形成為，n^－型半導(dǎo)體層1a的上表面與柵極布線11的Z方向的端部之間的Z方向上的距離D1比絕緣層22在Z方向上的厚度T大。

接著，在絕緣層22a之上形成掩模23。掩模23設(shè)在第2區(qū)域R2之上， 具有開(kāi)口OP。開(kāi)口OP在X方向上的長(zhǎng)度比凹部22b在X方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。

利用該掩模23，如圖6A所示那樣，將絕緣層21a的一部分以及絕緣層22a的一部分去除。通過(guò)該工序，將設(shè)在第1區(qū)域R1之上的絕緣層21a及22a蝕刻，半導(dǎo)體層1a的表面露出。同時(shí)，在柵極布線11之上，以凹部22b的側(cè)壁為掩模，自對(duì)準(zhǔn)地(對(duì)應(yīng)日文：自己整合的に)將凹部22b的底面蝕刻，柵極布線11的表面的一部分露出。

接著，將掩模23去除，將露出的半導(dǎo)體層1a的表面蝕刻，從而使半導(dǎo)體層1a的表面后退。此時(shí)，柵極布線11的一部分也被蝕刻，柵極布線11中表面露出的部分的厚度變得比其他部分的厚度薄。此外，絕緣層22中的、沿著第2溝槽Tr2的側(cè)壁形成的部分的膜厚變得比形成在絕緣層21的上表面之上的部分的膜厚薄。

接著，通過(guò)將p型雜質(zhì)以及n型雜質(zhì)對(duì)第1區(qū)域R1的表面部分依次進(jìn)行離子注入，形成p型基體區(qū)域2以及n⁺型源極區(qū)域3。n^－型半導(dǎo)體層1a中的、p型基體區(qū)域2以及n⁺型源極區(qū)域3以外的區(qū)域?qū)?yīng)于n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1。

接著，如圖6B所示那樣，在第1區(qū)域R1之上以及第2區(qū)域R2之上形成絕緣層24。

接著，如圖7A所示那樣，將絕緣層24的一部分去除。通過(guò)該工序，在n⁺型源極區(qū)域3之上，形成沿著絕緣層21的側(cè)壁的絕緣層24a。此外，在柵極布線11上，形成沿著絕緣層22的側(cè)壁的絕緣層24b。

接著，如圖7B所示那樣，將絕緣層24a用作掩模，將p型基體區(qū)域2的一部分以及n⁺型源極區(qū)域3的一部分自對(duì)準(zhǔn)地蝕刻。同時(shí)，以絕緣層24b為掩模，將柵極布線11的一部分蝕刻。

結(jié)果，沒(méi)有被絕緣層24b覆蓋的部分的厚度變得比被絕緣層24b覆蓋的部分的厚度薄。此外，被絕緣層24b覆蓋的部分的厚度變得比被絕緣層22覆蓋的部分的厚度薄。各個(gè)部分對(duì)應(yīng)于在圖3中表示的第1部分111、第2部分112以及第3部分113。

接著，通過(guò)對(duì)p型基體區(qū)域2中的沒(méi)有被絕緣層24a覆蓋的區(qū)域?qū)型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入，形成p⁺型接觸區(qū)域4。接著，將絕緣層24a及24b去除。

接著，在第1區(qū)域R1之上以及第2區(qū)域R2之上，形成金屬層。此時(shí)，金屬層的一部分設(shè)在第2溝槽Tr2的內(nèi)側(cè)，并與柵極布線11連接。通過(guò)將該金屬層圖案化，如圖8A所示，形成柵極電極焊盤(pán)32以及源極電極33。

接著，如圖8B所示，對(duì)n⁺型半導(dǎo)體層5a的背面進(jìn)行研磨直到n⁺型半導(dǎo)體層5a成為規(guī)定的厚度。留下的n⁺型半導(dǎo)體層5a對(duì)應(yīng)于n⁺型漏極區(qū)域5。

接著，在n⁺型漏極區(qū)域5的背面形成金屬層。將該金屬層圖案化而形成漏極電極31，由此得到圖1～圖4所示的半導(dǎo)體裝置100。

這里，對(duì)本實(shí)施方式的作用及效果進(jìn)行說(shuō)明。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，柵極布線11的長(zhǎng)度L1比柵極電極10的長(zhǎng)度L2長(zhǎng)。進(jìn)而，柵極布線11具有第1部分111和比第1部分111薄的第2部分112。

通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的接觸面積增加。通過(guò)使柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32的接觸面積增加，能夠降低柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的電阻。

此外，柵極布線11具有比第2部分112薄的第3部分113，從而使柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32的接觸面積進(jìn)一步增加，能夠進(jìn)一步降低柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的電阻。

除此以外，通過(guò)使第1絕緣部分221的厚度T4比第2絕緣部分222的厚度T5薄，能夠使柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32的接觸面積進(jìn)一步增加。因而，通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步降低柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的電阻。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式，在Z方向上，在柵極電極焊盤(pán)32與n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1之間，設(shè)有柵極布線11的一部分。因此，使包含金屬材料的柵極電極焊盤(pán)32與包含半導(dǎo)體材料的n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1之間的距離較長(zhǎng)，能夠降低發(fā)生金屬材料與半導(dǎo)體材料的相互擴(kuò)散的可能性。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的作用及效果進(jìn)行說(shuō)明。

根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，利用形成于絕緣層22a的凹部22b，位于凹部22b的底部的絕緣層22a的一部分被自對(duì)準(zhǔn)地蝕刻，柵極布線11的表面的一部分露出。

因此，與在絕緣層22a之上利用光刻法形成掩模并利用該掩模將絕緣層22a的一部分蝕刻的情況相比，能夠減小柵極布線11的露出的部分的錯(cuò)位。通過(guò)減小錯(cuò)位，能夠抑制柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的電阻的變動(dòng)，抑制柵極漏電流的變動(dòng)。

此外，通過(guò)以使距離D1大于厚度T的方式形成第2溝槽Tr2、柵極布線11以及絕緣層22，凹部22b的形成變得容易，能夠降低凹部22b的形狀的偏差。因此，能夠進(jìn)一步減小柵極布線11中的、利用凹部22b通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)蝕刻而露出的部分的錯(cuò)位。

另外，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一例，利用MOSFET進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明還能夠應(yīng)用于IGBT。在半導(dǎo)體裝置100為IGBT的情況下，例如，在漏極電極31與n⁺型漏極區(qū)域5之間，設(shè)置p⁺型的半導(dǎo)體區(qū)域。此外，該情況下，漏極電極31作為集電極電極發(fā)揮功能，源極電極33作為發(fā)射極電極發(fā)揮功能。

(第2實(shí)施方式)

參照?qǐng)D9～圖11，對(duì)第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一例進(jìn)行說(shuō)明。

圖9是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置200的平面圖。

圖10是將圖9的B－B′剖面的一部分放大了的局部放大剖面圖。

圖11是將圖9的部分C放大了的局部放大平面圖。

在圖9中，用虛線表示n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1具有的第1區(qū)域R1以及第2區(qū)域R2。

此外，在圖11中，省略了柵極電極焊盤(pán)32，用虛線表示柵極電極10以及柵極布線11。

第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置200，與半導(dǎo)體裝置100相比，關(guān)于柵極布線11的構(gòu)造具有差異。

圖9的A－A′剖面中的構(gòu)造與例如圖2所示的構(gòu)造相同。

如圖10所示，柵極布線11在Y方向上設(shè)有多個(gè)。各個(gè)柵極布線11具有在X方向上延伸的第1部分111～第3部分113。柵極電極焊盤(pán)32在多個(gè)柵極布線11之上沿Y方向延伸。柵極電極焊盤(pán)32與多個(gè)第2部分112的上表面以及多個(gè)第3部分113的上表面相接。

如圖11所示，各個(gè)柵極布線11與各個(gè)柵極電極10在X方向上排列。 柵極布線11在Y方向上的長(zhǎng)度L1比柵極電極10在Y方向上的長(zhǎng)度L2長(zhǎng)。

此外，與半導(dǎo)體裝置100同樣地，厚度T4比厚度T5薄。厚度T5比距離D1小。

在制作本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的情況下，在圖5A所示的工序中，將第1溝槽Tr1以及第2溝槽Tr2在Y方向上形成多個(gè)。各個(gè)第2溝槽Tr2與各個(gè)第1溝槽Tr1相連。

在形成第1溝槽Tr1以及第2溝槽Tr2之后，通過(guò)執(zhí)行與圖5B～圖8B所示的工序同樣的工序，能夠制作半導(dǎo)體裝置200。

在本實(shí)施方式中，也與第1實(shí)施方式同樣地，能夠降低柵極布線11與柵極電極焊盤(pán)32之間的電阻。

此外，在本實(shí)施方式的制造方法中，也能夠減小柵極布線11的露出的部分的錯(cuò)位，結(jié)果，能夠抑制柵極漏電流的變動(dòng)。

關(guān)于以上說(shuō)明的各實(shí)施方式中的、各半導(dǎo)體區(qū)域之間的雜質(zhì)濃度的相對(duì)高低，例如能夠利用SCM(掃描型靜電電容顯微鏡)進(jìn)行確認(rèn)。另外，各半導(dǎo)體區(qū)域中的載流子濃度能夠視為與各半導(dǎo)體區(qū)域中有效(日文原文：活性化)的雜質(zhì)濃度相等。因而，關(guān)于各半導(dǎo)體區(qū)域之間的載流子濃度的相對(duì)高低，也能夠利用SCM進(jìn)行確認(rèn)。

此外，關(guān)于各半導(dǎo)體區(qū)域中的雜質(zhì)濃度，例如能夠通過(guò)SIMS(二次離子質(zhì)譜分析法)進(jìn)行測(cè)定。

以上例示了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式是作為例子提示的，并不意欲限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他各種各樣的方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、替換、變更等。關(guān)于實(shí)施方式中包含的例如n⁺型漏極區(qū)域5、n^－型半導(dǎo)體區(qū)域1、p型基體區(qū)域2、n⁺型源極區(qū)域3、p⁺型接觸區(qū)域4、柵極電極10、漏極電極31、柵極電極焊盤(pán)32以及源極電極33等各要素的具體結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠從公知的技術(shù)中適當(dāng)選擇。這些實(shí)施方式及其變形例包含在發(fā)明的范圍及主旨中，并且包含在專(zhuān)利請(qǐng)求所記載的發(fā)明及其等同范圍內(nèi)。此外，上述的各實(shí)施方式能夠相互組合實(shí)施。