本發(fā)明實施例涉及半導體器件制備技術領域，尤其涉及一種bcd器件的制備方法。

背景技術：

bcd工藝是一種單片集成工藝技術，這種技術能夠在同一芯片上制備雙極型晶體管(bipolar)、cmos管和dmos器件，所以通過bcd工藝制備出來的器件為bcd器件。該bcd器件綜合了雙極器件的高跨導、強負載驅(qū)動能力和cmos器件高集成度、低功耗的優(yōu)點以及集成了dmos功率器件。

在制備bcd器件過程中，在襯底有時會出現(xiàn)凹坑，出現(xiàn)襯底凹坑的原因很多，如等離子損傷、硅生長缺陷、硅襯底氮化等。其中有一種襯底凹坑的形成是由于bcd器件在進行推阱工藝時形成的。進行推阱工藝形成的襯底凹坑具有出現(xiàn)在固定區(qū)域，圖形不規(guī)則的特點。

現(xiàn)有的推阱工藝在襯底形成凹坑，會影響bcd器件的性能，所以亟需一種推阱工藝造成襯底凹坑的解決方法。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種bcd器件的制備方法，減少了bcd器件在推阱處理后形成的襯底凹坑現(xiàn)象，提高了bcd器件的性能。

本發(fā)明實施例提供一種bcd器件的制備方法，包括：

在硅襯底上方進行墊氧處理，所述墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃；

采用離子注入工藝，在所述硅襯底中注入離子；

將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，所述推阱處理在氧氣氛圍中。

進一步地，如上所述的方法，所述在硅襯底上方進行墊氧處理，所述墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃之后，還包括：

對所述氧化層的厚度進行測量，使所述氧化層的厚度誤差在50埃以內(nèi)。

進一步地，如上所述的方法，所述采用離子注入工藝，在所述硅襯底中注入離子后，還包括：

依次采用spm溶液，sc1溶液和sc2溶液對注入離子之后形成的圖案表面進行清洗處理。

進一步地，如上所述的方法，所述將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，所述推阱處理在氧氣氛圍中具體包括：。

將所述bcd器件放入所述爐管中進行推阱處理，并在進行所述推阱處理的過程中向所述爐管中以10l/min的速度送入氧氣。

進一步地，如上所述的方法，所述推阱處理包括升溫階段、溫度保持階段及降溫階段。

進一步地，如上所述的方法，所述推阱處理的溫度保持階段的時長為120分鐘，保持的溫度為1200攝氏度。

進一步地，如上所述的方法，所述墊氧處理的氧化層的厚度為1000埃。

進一步地，如上所述的方法，所述將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，所述推阱處理在氧氣氛圍中之后，還包括：

對所述氧化層進行剝離處理。

本發(fā)明實施例提供一種bcd器件的制備方法，通過在硅襯底上方進行墊氧處理，墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃；采用離子注入工藝，在硅襯底中注入離子；將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，推阱處理在氧氣氛圍中。減少注入離子時打傷硅襯底，并且在進行推阱處理時在氧氣氛圍中，有助于修復襯底損傷，從而減少了bcd器件在推阱處理后形成的襯底凹坑現(xiàn)象，提高了bcd器件的性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下 面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明bcd器件的制備方法實施例一的流程圖；

圖2為本發(fā)明bcd器件的制備方法實施例二的流程圖；

圖3為本發(fā)明實施例二中進行推阱處理的流程示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明bcd器件的制備方法實施例一的流程圖，如圖1所示，本實施例提供的bcd器件的制備方法包括以下步驟。

步驟101，在硅襯底上方進行墊氧處理，墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃。

本實施例中，bcd器件為在同一芯片上制備雙極型晶體管(bipolar)、cmos管和dmos器件的混合器件。

本實施例中，在硅襯底的上方進行墊氧處理，墊氧處理的氧化層根據(jù)實際需求可以為peteos氧化層，二氧化硅層等，本實施例中，不做限定。

本實施例中，進行墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃，如可以為600埃，800埃，1000埃等，也可以為其他符合要求的數(shù)值，本實施例中不做限定。

本實施例中，在進行墊氧處理時的溫度為950攝氏度。

步驟102，采用離子注入工藝，在硅襯底中注入離子。

本實施例中，進行墊氧處理后，在氧化層的上方采用離子注入工藝注入相應的離子。如若在硅襯底中形成p阱區(qū)，則注入的離子為p型離子，p型離子可以為硼離子，以在進行推阱處理后，形成p阱區(qū)。若在硅襯底中形成n阱區(qū)，則注入的離子為n型離子，以在進行推阱處理后，形成n阱區(qū)。

步驟103，將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，推阱處理在氧氣氛圍中。

本實施例中，可將bcd器件放入爐管中后，對爐管進行升溫，升溫到預設溫度后，在預設時間內(nèi)持續(xù)保持預設溫度，然后進行降溫處理，以使注入的離子深入硅襯底中，完成推阱處理。在整個推阱處理過程中，爐管一直在氧氣的氛圍中，如可以以預設速度向爐管中持續(xù)送入氧氣，以使bcd器件在爐管中進行推阱處理時始終處于氧氣氛圍中。

本實施例提供的bcd器件的制備方法，通過在硅襯底上方進行墊氧處理，墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃；采用離子注入工藝，在硅襯底中注入離子；將bcd器件在爐管中進行推阱處理，以形成阱區(qū)，推阱處理在氧氣氛圍中。由于墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃，減少注入離子時打傷硅襯底，并且在進行推阱處理時在氧氣氛圍中，有助于修復襯底損傷，從而減少了bcd器件在推阱處理后形成的襯底凹坑現(xiàn)象，提高了bcd器件的性能。

圖2為本發(fā)明bcd器件的制備方法實施例二的流程圖，如圖2所示，本實施例提供的bcd器件的制備方法，相比于實施例一，為一更為優(yōu)選的實施例，則本實施例提供的bcd器件的制備方法包括以下步驟。

步驟201，在硅襯底上方進行墊氧處理，墊氧處理的氧化層的厚度大于500埃。

優(yōu)選地，本實施例中，墊氧處理的氧化層的厚度為1000埃。

本實施例中，墊氧處理的氧化層的厚度為1000埃，由于厚度足夠厚，能夠有效阻止注入離子時打傷硅襯底。

步驟202，對氧化層的厚度進行測量，使氧化層的厚度誤差在50埃以內(nèi)。

進一步地，本實施例中，在進行墊氧處理后，對氧化層的厚度進行測量，使氧化層的厚度誤差在50埃以內(nèi)，即氧化層的實際厚度范圍為：950埃-1050埃。保證了制備器件的精度。

步驟203，采用離子注入工藝，在硅襯底中注入離子。

本實施例中，步驟203的實現(xiàn)方式和本發(fā)明bcd器件的制備方法實施 例一中的步驟102的實現(xiàn)方式相同，在此不再一一贅述。

步驟204，依次采用spm溶液，sc1溶液和sc2溶液對注入離子之后形成的圖案表面進行清洗處理。

本實施例中，首先采用spm溶液對注入離子之后形成的圖案表面進行清洗處理，spm溶液為用硫酸、過氧化氫及水混合而成的溶液，可去除圖案表面的有機污物和部分金屬。

然后采用sc1溶液對注入離子之后形成的圖案表面進行清洗處理，sc1溶液為由氫氧化氨、過氧化氫和水混合而成的溶液。sc1溶液與圖案表面的有機物和金屬雜質(zhì)反應，以去圖案表面的顆粒、有機物和金屬雜質(zhì)。

最后，采用sc2溶液對注入離子之后形成的圖案表面進行清洗處理。sc2溶液為由氯化氫、過氧化氫和水混合而成的溶液。sc2溶液與圖案表面的原子和離子雜質(zhì)反應，以去除掉圖案表面的原子和離子雜質(zhì)。

步驟205，將bcd器件放入爐管中進行推阱處理，并在進行推阱處理的過程中向爐管中以10l/min的速度送入氧氣。

進一步地，如圖3所示，推阱處理包括升溫階段、溫度保持階段及降溫階段。圖3中的時長和溫度只是示例，本實施例中，對推阱處理的升溫階段、溫度保持階段及降溫階段的時間和溫度并不做限定。

如圖3所示，在升溫階段，升溫的時長可為161分鐘，升高的溫度到達1200攝氏度，在溫度保持階段，溫度保持階段的時長為120分鐘，保持的溫度為1200攝氏度，在降溫階段，降溫的時長可為200分鐘，將溫度降低到預設溫度，如可降到常溫。在整個推阱處理過程中，向爐管中以10l/min的速度送入氧氣，即在推阱處理的升溫階段、溫度保持階段及降溫階段時鐘保持以10l/min的速度向爐管中送入氧氣。

步驟206，對氧化層進行剝離處理。

本實施例中，對墊氧處理的氧化層進行剝離處理，以對bcd器件進行后續(xù)的制備過程。

本實施例提供的bcd器件的制備方法，通過將墊氧處理的氧化層的厚度設置為1000埃，有效阻止了注入離子時打傷硅襯底。并在進行推阱處理的過程中向爐管中以10l/min的速度送入氧氣，能夠保證在推阱處理的過程中bcd器件與氧氣充分接觸，若出現(xiàn)打傷硅襯底的情況，能對損傷的硅襯 底進行充分修復，避免了bcd器件在推阱處理后形成的襯底凹坑現(xiàn)象，進一步提高了bcd器件的性能。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。