技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：在氮化鎵外延基底上沉積第一氮化硅層，在第一氮化硅層上形成源極接觸孔、漏極接觸孔；在源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)、第一氮化硅層上沉積第一金屬層；在第一金屬層上形成歐姆接觸電極窗口；對(duì)整個(gè)器件進(jìn)行高溫退火處理，第一金屬層與氮化鎵外延基底中的氮化鋁鎵層反應(yīng)形成合金，降低第一金屬層與氮化鋁鎵層的接觸電阻；在第一氮化硅層和氮化鋁鎵層上形成柵極接觸孔；在柵極接觸孔內(nèi)沉積氮化硅介質(zhì)層、在柵極接觸孔和柵極接觸孔的外邊緣沉積第二金屬層。降低第一金屬層與氮化鋁鎵層的接觸電阻，避免出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及軟擊穿的問題，增強(qiáng)氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué);北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.25
技術(shù)公布日：2017.10.03