本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法。

背景技術(shù)：

由于氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。

現(xiàn)有技術(shù)中，氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法為：在氮化鎵外延基底的表面上形成氮化硅層，在氮化硅層上刻蝕出源極接觸孔和漏極接觸孔，源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)沉積金屬，從而形成源極和漏極；再刻蝕氮化硅層以及氮化鎵外延基底中的氮化鋁鎵層，形成一個凹槽，在凹槽中依次沉積金屬層，從而形成柵極。

然而現(xiàn)有技術(shù)中，漏極進行高壓的時候，漏極的動態(tài)導(dǎo)通電阻會增大，進而產(chǎn)生電流崩塌的現(xiàn)象，從而會損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件，降低氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中漏極進行高壓的時候，漏極的動態(tài)導(dǎo)通電阻會增大，進而產(chǎn)生電流崩塌的現(xiàn)象，從而會損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件，降低氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性的問題。

本發(fā)明提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

在氮化鎵外延基底的表面上沉積二氧化硅，形成二氧化硅層，其中，所述氮化鎵外延基底包括由下而上依次設(shè)置的硅襯底層、緩沖層、氮化鎵層和氮化鋁鎵層；

對所述二氧化硅層進行干法刻蝕，形成沉積孔；

在所述沉積孔內(nèi)沉積p型氮化鎵層之后，去除所述二氧化硅層；

在整個器件表面沉積氮化硅，形成氮化硅層，其中，所述氮化硅層覆蓋住所述p型氮化鎵層；

對所述氮化硅層進行干法刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔和第一漏極接觸孔，并在所述p型氮化鎵層的上方形成第二漏極接觸孔，其中，所述p型氮化鎵層位于所述源極接觸孔和所述第一漏極接觸孔之間，所述第二漏極接觸孔的高度與所述p型氮化鎵層的高度之和等于所述第一漏極接觸孔的高度；

在所述源極接觸孔、所述第一漏極接觸孔、所述第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層；

對所述源極接觸孔和所述第二漏極接觸孔之間的氮化硅層、氮化鋁鎵層進行干法刻蝕，形成柵極接觸孔，其中，所述柵極接觸孔的底部與所述氮化鋁鎵層的底部具有預(yù)設(shè)距離；

在所述柵極接觸孔內(nèi)，沉積第二金屬層。

如上所述的方法中，所述第二漏極接觸孔的高度小于所述p型氮化鎵層的高度。

如上所述的方法中，在所述對所述氮化硅層進行干法刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔和第一漏極接觸孔，并在所述p型氮化鎵層的上方形成第二漏極接觸孔之后，還包括：

依次采用稀釋后的氫氟酸溶液、過氧化氫與氫氧化氨的混合溶液、過氧化氫與氯化氫的混合溶液，對整個器件的表面進行表面處理，以去除整個器件的表面上的雜質(zhì)物。

如上所述的方法中，所述在所述源極接觸孔、所述第一漏極接觸孔、所述第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層，包括：

在整個器件的表面上，依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層，以形成第一金屬層；

對所述第一金屬層進行光刻和刻蝕，以去除所述氮化硅層上方的第一金屬層，并在所述源極接觸孔、所述第一漏極接觸孔內(nèi)和外邊緣、所述第二漏極接觸孔內(nèi)和外邊緣形成第一金屬層；

其中，所述第一鈦金屬層的厚度為200埃，所述鋁金屬層的厚度為1200 埃，所述第二鈦金屬層的厚度為200埃，所述氮化鈦層的厚度為200埃。

如上所述的方法中，在所述源極接觸孔、所述第一漏極接觸孔、所述第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層之后，還包括：

在氮氣氣體的氛圍下，在840攝氏度的環(huán)境下對整個器件進行30秒的高溫退火處理，以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬層與所述氮化鋁鎵層進行反應(yīng)之后形成合金，以降低刻蝕后的第一金屬層與所述氮化鋁鎵層的接觸電阻。

如上所述的方法中，所述預(yù)設(shè)距離為所述氮化鋁鎵層的厚度的一半。

如上所述的方法中，在所述對所述源極接觸孔和所述第二漏極接觸孔之間的氮化硅層、氮化鋁鎵層進行干法刻蝕，形成柵極接觸孔之后，還包括：

采用鹽酸溶液清洗所述柵極接觸孔，以去除所述柵極接觸孔內(nèi)的雜質(zhì)物。

如上所述的方法中，所述在所述柵極接觸孔內(nèi)，沉積第二金屬層，包括：

在整個器件的表面上，依次沉積鎳金屬層、金金屬層；

對所述鎳金屬層、金金屬層進行光刻和刻蝕，以在所述柵極接觸孔內(nèi)沉積第二金屬層。

本發(fā)明通過在氮化鎵外延基底的表面上沉積二氧化硅，形成二氧化硅層，其中，氮化鎵外延基底包括由下而上依次設(shè)置的硅襯底層、緩沖層、氮化鎵層和氮化鋁鎵層；對二氧化硅層進行干法刻蝕，形成沉積孔；在沉積孔內(nèi)沉積p型氮化鎵層之后，去除二氧化硅層；在整個器件表面沉積氮化硅，形成氮化硅層，其中，氮化硅層覆蓋住p型氮化鎵層；對氮化硅層進行干法刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔和第一漏極接觸孔，并在p型氮化鎵層的上方形成第二漏極接觸孔，其中，p型氮化鎵層位于源極接觸孔和第一漏極接觸孔之間，第二漏極接觸孔的高度與p型氮化鎵層的高度之和等于第一漏極接觸孔的高度；在源極接觸孔、第一漏極接觸孔、第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層；對源極接觸孔和第二漏極接觸孔之間的氮化硅層、氮化鋁鎵層進行干法刻蝕，形成柵極接觸孔，其中，柵極接觸孔的底部與氮化鋁鎵層的底部具有預(yù)設(shè)距離；在柵極接觸孔內(nèi)，沉積第二金屬層。從而p型氮化鎵層中的空穴會與電子進行復(fù)合，從而消除電子，進而防止在漏極進行高壓的時候進而產(chǎn)生電流崩塌的現(xiàn)象，防止出現(xiàn)的電流崩塌的現(xiàn)象會損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件，增強了氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法的流程示意圖；

圖2為實施例一的步驟101執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖3為實施例一的步驟102執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖4為實施例一的步驟103執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的第一剖面示意圖；

圖5為實施例一的步驟103執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的第二剖面示意圖；

圖6為實施例一的步驟104執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖7為實施例一的步驟105執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖8為實施例一的步驟106執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖9為實施例一的步驟107執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖10為實施例一的步驟108執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例二提供的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法的流程示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲 得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明實施例一提供的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法的流程示意圖，為了對本實施例中的方法進行清楚系統(tǒng)的描述，如圖1所示，方法包括：

步驟101、在氮化鎵外延基底的表面上沉積二氧化硅，形成二氧化硅層，其中，氮化鎵外延基底包括由下而上依次設(shè)置的硅襯底層、緩沖層、氮化鎵層和氮化鋁鎵層。

在本實施例中，具體的，圖2為實施例一的步驟101執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖2所示，氮化鎵外延基底用標(biāo)號11表示，硅襯底層用標(biāo)號12表示，緩沖層用標(biāo)號13表示，氮化鎵層用標(biāo)號14表示，氮化鋁鎵層用標(biāo)號15表示，二氧化硅層用標(biāo)號16表示。

氮化鎵是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射性能等特性、并且在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強的優(yōu)勢，從而是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料；其中，大禁帶寬度為3.4電子伏特，高電子飽和速率為2e7厘米每秒，高擊穿電場為1e10～-3e10伏特每厘米。

氮化鎵外延基底11由硅(si)襯底層12、緩沖層13、氮化鎵(gan)層14和氮化鋁鎵(algan)層15構(gòu)成，其中，硅襯底層12、緩沖層13、氮化鎵層14和氮化鋁鎵層15由下而上依次設(shè)置。緩沖層12為氮化鋁與氮化鎵的復(fù)合層。

可以采用等離子體增強化學(xué)氣相電積方法，在氮化鎵外延基底中的氮化鋁鎵層15的表面上沉積一層二氧化硅，從而形成二氧化硅層16。

步驟102、對二氧化硅層進行干法刻蝕，形成沉積孔。

在本實施例中，具體的，圖3為實施例一的步驟102執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖3所示，沉積孔用標(biāo)號17表示。

采用干法刻蝕的方法，對二氧化硅層16進行刻蝕，形成沉積孔17。

步驟103、在沉積孔內(nèi)沉積p型氮化鎵層之后，去除二氧化硅層。

在本實施例中，具體的，圖4為實施例一的步驟103執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的第一剖面示意圖，圖5為實施例一的步驟103執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的第二剖面示意圖，圖4和圖5所示，p型氮化鎵層用標(biāo)號18表示。

在整個器件的表面沉積一層p型氮化鎵，然后去除二氧化硅層16上的p型氮化鎵，只在沉積孔17內(nèi)保留p型氮化鎵，如圖4所示，從而在沉積孔17內(nèi)形成p型氮化鎵層18。然后將二氧化硅層16全部刻蝕掉，如圖5所示，只在氮化鋁鎵層15上保留了如沉積孔17形狀的p型氮化鎵層18。

步驟104、在整個器件表面沉積氮化硅，形成氮化硅層，其中，氮化硅層覆蓋住p型氮化鎵層。

在本實施例中，具體的，圖6為實施例一的步驟104執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖6所示，氮化硅層用標(biāo)號19表示。

可以采用等離子體增強化學(xué)氣相電積方法，在反應(yīng)爐中通入硅烷(sih4)氣體、氧氣(o2)、一氧化氮(no)氣體的混合氣體，或者通入硅烷氣體、氧氣、二氧化碳(co2)氣體的混合氣體，從而混合氣體進行反應(yīng)之后生成氮化硅(si3n4)氣體，進而在整個器件的表面上沉積一層氮化硅，從而形成氮化硅層19。其中，氮化硅層19覆蓋住p型氮化鎵層18，氮化硅層19的厚度大于p型氮化鎵層18的厚度。

步驟105、對氮化硅層進行干法刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔和第一漏極接觸孔，并在p型氮化鎵層的上方形成第二漏極接觸孔，其中，p型氮化鎵層位于源極接觸孔和第一漏極接觸孔之間，第二漏極接觸孔的高度與p型氮化鎵層的高度之和等于第一漏極接觸孔的高度。

在本實施例中，具體的，圖7為實施例一的步驟105執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖7所示，源極接觸孔用標(biāo)號20表示，第一漏極接觸孔用標(biāo)號21表示，第二漏極接觸孔用標(biāo)號22表示。

采用干法刻蝕的方法，對氮化硅層19進行刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔20和第一漏極接觸孔21；并將p型氮化鎵層18上方的氮化硅層19刻蝕掉，從而形成第二漏極接觸孔22?？芍?，p型氮化鎵層18位于源極接觸孔20和第一漏極接觸孔21之間，由于p型氮化鎵層18上方的氮化硅層19刻蝕掉，從而可以看得到p型氮化鎵層18的上表面，第二漏極接觸孔22的高度與p型氮化鎵層18的高度之和等于第一漏極接觸孔21的高度。

步驟106、在源極接觸孔、第一漏極接觸孔、第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層。

在本實施例中，具體的，圖8為實施例一的步驟106執(zhí)行過程中氮化鎵 半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖8所示，第一金屬層用標(biāo)號23表示。

可以采用磁控濺射鍍膜工藝，在源極接觸孔20、第一漏極接觸孔21內(nèi)和外邊緣、以及第二漏極接觸孔22內(nèi)和外邊緣，沉積第一金屬層23，同時第一漏極接觸孔21外邊緣的第一金屬層23與第二漏極接觸孔22外邊緣的第一金屬層23是連接的。源極接觸孔20上的第一金屬層23構(gòu)成了器件的源極，第一漏極接觸孔21上的第一金屬層23、以及p型氮化鎵層18與p型氮化鎵層18上的第一金屬層23共同構(gòu)成了器件的漏極。

步驟107、對源極接觸孔和第二漏極接觸孔之間的氮化硅層、氮化鋁鎵層進行干法刻蝕，形成柵極接觸孔，其中，柵極接觸孔的底部與氮化鋁鎵層的底部具有預(yù)設(shè)距離。

在本實施例中，具體的，圖9為實施例一的步驟107執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖9所示，柵極接觸孔用標(biāo)號24表示。

采用干法刻蝕的方法，對源極接觸孔20和第二漏極接觸孔22之間的氮化硅層19、以及部分的氮化鋁鎵層15進行干法刻蝕，進而在器件上形成一個柵極接觸孔24。其中，柵極接觸孔24完全的穿透了氮化硅層19，并穿過部分的氮化鋁鎵層15，使得柵極接觸孔24的底部與氮化鋁鎵層15的底部具有預(yù)設(shè)距離。

步驟108、在柵極接觸孔內(nèi)，沉積第二金屬層。

在本實施例中，具體的，圖10為實施例一的步驟108執(zhí)行過程中氮化鎵半導(dǎo)體器件的剖面示意圖，圖10所示，第二金屬層用標(biāo)號25表示。

可以采用磁控濺射鍍膜工藝，在柵極接觸孔24和柵極接觸孔24的外邊緣上沉積第二金屬層25，從而第二金屬層25構(gòu)成了器件的柵極。

本發(fā)明通過在氮化鎵外延基底的表面上沉積二氧化硅層；對二氧化硅層進行干法刻蝕，形成沉積孔；在沉積孔內(nèi)沉積p型氮化鎵層之后，完全的去除二氧化硅層；在整個器件表面沉積氮化硅層；對氮化硅層進行干法刻蝕，形成相對設(shè)置的源極接觸孔和第一漏極接觸孔，并在p型氮化鎵層的上方形成第二漏極接觸孔；在源極接觸孔、第一漏極接觸孔、第二漏極接觸孔內(nèi)，沉積第一金屬層；對源極接觸孔和第二漏極接觸孔之間的氮化硅層、氮化鋁鎵層進行干法刻蝕，形成柵極接觸孔；在柵極接觸孔內(nèi)，沉積第二金屬層。從而在漏極形成了p型氮化鎵層，p型氮化鎵層中的空穴會與電子進行復(fù)合， 從而消除電子，進而防止在漏極進行高壓的時候進而產(chǎn)生電流崩塌的現(xiàn)象，防止出現(xiàn)的電流崩塌的現(xiàn)象會損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件，增強了氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。

圖11為本發(fā)明實施例二提供的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法的流程示意圖，在上述實施例的基礎(chǔ)上，為了對本實施例中的方法進行清楚系統(tǒng)的描述，如圖11所示，在步驟105之后，方法還包括：

步驟201、依次采用稀釋后的氫氟酸溶液、過氧化氫與氫氧化氨的混合溶液、過氧化氫與氯化氫的混合溶液，對整個器件的表面進行表面處理，以去除整個器件的表面上的雜質(zhì)物。

在本實施例中，具體的，在對氮化硅層19進行干法刻蝕之后，器件的表面會存在雜質(zhì)、顆粒等雜質(zhì)物，從而需要將雜質(zhì)物從整個器件上去除?？梢韵炔捎胐hf+sc1+sc2的方法，去除器件上的雜質(zhì)物，具體來說，可以先采用稀釋后的氫氟酸溶液處理器件，然后采用過氧化氫與氫氧化氨的堿性混合溶液處理器件，再采用過氧化氫與氯化氫的酸性混合溶液處理器件，進而可以去除整個器件的表面上的雜質(zhì)物。

步驟106的具體實施方式，包括：

步驟1061、在整個器件的表面上，依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層，以形成第一金屬層；其中，第一鈦金屬層的厚度為200埃，鋁金屬層的厚度為1200埃，第二鈦金屬層的厚度為200埃，氮化鈦層的厚度為200埃。

在本實施例中，具體的，采用磁控濺射鍍膜工藝，在整個器件的表面，首先沉積一層鈦(ti)金屬，從而形成第一鈦金屬層，第一鈦金屬層的厚度為200埃；然后再沉積一層鋁(al)金屬，形成鋁金屬層，鋁金屬層的厚度為1200埃；再沉積一層鈦金屬，形成第二鈦金屬層，第二鈦金屬層的厚度為200埃；最后再沉積一層氮化鈦(tin)，形成氮化鈦層，氮化鈦層的厚度為200埃；從而四層金屬層構(gòu)成了第一金屬層23。

步驟1062、對第一金屬層進行光刻和刻蝕，以去除氮化硅層上方的第一金屬層，并在源極接觸孔、第一漏極接觸孔內(nèi)和外邊緣、第二漏極接觸孔內(nèi)和外邊緣形成第一金屬層。

在本實施例中，具體的，對第一金屬層23進行光刻和刻蝕，從而去除掉 此時保留的氮化硅層19的上方的第一金屬層23，從而在源極接觸孔20、第一漏極接觸孔21內(nèi)和外邊緣、以及第二漏極接觸孔22內(nèi)和外邊緣形成第一金屬層23，第一漏極接觸孔21外邊緣的第一金屬層23與第二漏極接觸孔22外邊緣的第一金屬層23是連接的。

在步驟106之后，方法還包括：

步驟202、在氮氣氣體的氛圍下，在840攝氏度的環(huán)境下對整個器件進行30秒的高溫退火處理，以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬層與氮化鋁鎵層進行反應(yīng)之后形成合金，以降低刻蝕后的第一金屬層與氮化鋁鎵層的接觸電阻。

在本實施例中，具體的，形成第一金屬層23之后，利用氮氣氣體作為保護氣體，在840攝氏度的環(huán)境下對整個器件進行30秒的高溫退火處理的時候，第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層以及氮化鈦層會發(fā)生反應(yīng)，從而形成合金，并且第一金屬層23中的鈦會與氮化鋁鎵層15中的氮發(fā)生反應(yīng)，生成合金，進而降低第一金屬層23與氮化鋁鎵層15的接觸電阻。

在步驟107之后，方法還包括：

步驟203、采用鹽酸溶液清洗柵極接觸孔，以去除柵極接觸孔內(nèi)的雜質(zhì)物。

在本實施例中，具體的，對源極接觸孔20和第二漏極接觸孔22之間氮化硅層19、以及部分的氮化鋁鎵層15進行干法刻蝕，在器件上形成一個柵極接觸孔24之后，柵極接觸孔24內(nèi)會存在雜質(zhì)、顆粒以及離子等雜質(zhì)物，從而可以采用鹽酸溶液清洗柵極接觸孔24，將柵極接觸孔24內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。

本實施例通過在對氮化硅層進行干法刻蝕之后，采用dhf+sc1+sc2的方法去除器件上的雜質(zhì)物；并形成柵極接觸孔之后，采用鹽酸溶液將柵極接觸孔內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。從而可以有效的保證了器件的表面以及柵極接觸孔內(nèi)的清潔，進而保證了氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能；形成第一金屬層之后，利對整個器件進行高溫退火處理，可以降低第一金屬層與氮化鋁鎵層的接觸電阻；同時，在漏極形成了p型氮化鎵層，p型氮化鎵層中的空穴會與電子進行復(fù)合，從而消除電子，進而防止在漏極進行高壓的時候進而產(chǎn)生電流崩塌的現(xiàn)象，防止出現(xiàn)的電流崩塌的現(xiàn)象會損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件，增強了氮化 鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。

進一步的，在上述實施例的基礎(chǔ)上，第二漏極接觸孔的高度小于p型氮化鎵層的高度。預(yù)設(shè)距離為氮化鋁鎵層的厚度的一半。

步驟108的具體實施方式，包括：在整個器件的表面上，依次沉積鎳金屬層、金金屬層；對鎳金屬層、金金屬層進行光刻和刻蝕，以在柵極接觸孔內(nèi)沉積第二金屬層。

在本實施例方式中，具體的，在步驟105中形成的第二漏極接觸孔22的高度小于p型氮化鎵層18的高度。步驟107中，柵極接觸孔24的底部與氮化鋁鎵層15的底部之間的預(yù)設(shè)距離，為氮化鋁鎵層15的厚度的一半。在步驟108中，采用磁控濺射鍍膜工藝，在整個器件的表面上依次沉積一層鎳(ni)金屬層、一層金(au)金屬層，然后對鎳金屬層、金金屬層進行涂膠、曝光和顯影的光刻程序，然后進行刻蝕，只保留柵極接觸孔24內(nèi)的第二金屬層25，從而第二金屬層25構(gòu)成整個器件的柵極。

最后應(yīng)說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。