技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種形成具有空氣間隙的半導(dǎo)體器件的方法，通過(guò)對(duì)金屬互連線進(jìn)行回刻蝕來(lái)在所述金屬互連線上方形成凹槽，以用于定義金屬互連線之間形成空氣間隙的擴(kuò)展深度，從而保證了后續(xù)形成的器件結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)精度，同時(shí)通過(guò)在凹槽中填充第三層間介質(zhì)層后，將金屬互連線周圍的第二層間介質(zhì)層替換為犧牲層，并在之后在犧牲層和第三層間介質(zhì)層上覆蓋第四層間介質(zhì)層，使得去除犧牲層而獲得空氣間隙僅在深度方向上擴(kuò)展，從而在實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步降低金屬互連結(jié)構(gòu)之間的寄生電容的同時(shí)，還能足夠保證器件的機(jī)械抗壓能力的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：韓秋華;吳端毅;肖芳元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.25
技術(shù)公布日：2017.10.03