本發(fā)明涉及一種顯示裝置，且特別是涉及一種顯示單元和開關元件設置于基板不同側的顯示裝置。

背景技術：

具顯示面板的電子產品已是現(xiàn)代人不論在工作處理學習上、或是個人休閑娛樂上，不可或缺的必需品，包括智慧型手機(smartphone)、平板電腦(pad)、筆記型電腦(notebook)、顯示器(monitor)到電視(tv)等許多相關產品。顯示面板在顯示技術上，除了技術成熟的液晶顯示技術，其具簡潔、輕盈、可攜帶、更低價、更高可靠度以及讓眼睛更舒適等優(yōu)點早已經廣泛取代早期的陰極射線管顯示器(crt)，還有具備自發(fā)光特性的有機發(fā)光二極管(oled)顯示技術以及微型發(fā)光二極管(micro-led)顯示技術。有機發(fā)光二極管顯示技術采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，有機材料就會發(fā)光，因此無需背光燈，相較于液晶顯示裝置則具有可顯著節(jié)省電能和更輕更薄等優(yōu)點，但存在使用壽命短以及屏幕大型化不易等缺陷。而微型發(fā)光二極管顯示技術則通過定址化驅動微型發(fā)光二極管陣列，除了具有節(jié)能、機構簡易、體積小、薄型、高亮度、高可靠度及高速響應等種種優(yōu)點，在材料穩(wěn)定性、壽命等性能更勝oled一籌，在未來的顯示應用中也具有競爭力。

不論是何種顯示技術或內部元件態(tài)樣，顯示裝置在制作時需注意制作工藝上的細節(jié)，例如進行金屬層和半導體層等各層圖案化時(如光刻和蝕刻)需精確以避免斷線，而各層的相對位置與圖案設計也需考慮到是否可使制得的顯示裝置具有穩(wěn)定良好的電子特性，以符合產品要求的各項規(guī)格，例如顯示單元與開關元件之間的電連接是否良好。顯示裝置的設計不良，可能會造成制作工藝缺陷而使產品良率下降，進而影響顯示裝置的電性表現(xiàn)，影響顯示品質。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，將顯示單元和開關元件設置于基板不同側，并通過基板的填充有粘結材料的穿孔完成顯示單元和開關元件的連接，可提高產品良率。

為達上述目的，本發(fā)明提出一種顯示裝置，包括至少一基板，具有多個穿孔；多個顯示單元和多個開關元件分別位于基板的不同側；和至少一粘結材料填充于該些穿孔，且粘結材料連接顯示單元和開關元件。

根據本發(fā)明，又提出一種顯示裝置，包括一第一基板，具有多個第一穿孔填充有一第一粘結材料；一第二基板，具有多個第二穿孔填充有一第二粘結材料；多個開關元件，位于第一基板的上側；多個顯示單元，位于第二基板的下側，其中第一基板的下側與第二基板的上側通過第一粘結材料與第二粘結材料的相互連接而對組。

根據本發(fā)明，再提出一種顯示裝置，包括至少一基板，基板具有多個穿孔，并包括交錯設置的多條數據線與多條掃描線以定義出陣列的多個像素區(qū)域，各像素區(qū)域中包含一顯示單元和一開關元件，分別位于至少該基板的不同側；和至少一粘結材料填充該些穿孔且連接顯示單元和開關元件。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中顯示裝置的基板的簡單俯視圖；

圖2為本發(fā)明第一實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖；

圖3a-圖3j為制作第一實施例的顯示裝置的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明第二實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖；

圖5a-圖5g為制作第二實施例的顯示裝置的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明第三實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖；

圖7a-圖7m為制作第三實施例的顯示裝置的流程示意圖；

圖8a繪示基板上的一背通道蝕刻形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖；

圖8b繪示基板上的一蝕刻阻擋層形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖；

圖8c繪示基板上的一頂部柵極形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖；

圖9為本發(fā)明第四實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖；

圖10a-圖10h為制作第四實施例的顯示裝置的流程示意圖，其中顯示單元為有機發(fā)光二極管(oled)；

圖11a、圖11b分別繪示本發(fā)明應用例中與集成電路或電路板組裝連接的顯示裝置的剖面示意圖。

符號說明

10：基板

10a：第一基板

10b：第二基板

101、101a、101b：第一表面

102、102a、102b：第二表面

105、105a、105b：穿孔

20：開關元件

21a：柵極

21b：陽極

21c：陰極

22：柵極絕緣層

23：半導體層

23e：蝕刻阻擋層

24a：源極

24b：漏極

25：絕緣層

29：第一保護層

291：第一保護面

30：圖案化光致抗蝕劑

41：粘結材料

41a：第一粘結材料

41b：第二粘結材料

411、411a、411b：頂面

412、412a、412b：底面

50、70：顯示單元

51：n型氮化鎵層

52：p型氮化鎵層

53：多重量子阱發(fā)光層

54：n型導電層

55：p型導電層

56：n型焊墊

57：p型焊墊

59、75：第二保護層

591：第二保護面

71a：第一電極部

71b：第二電極部

72：像素定義層

73：有機發(fā)光層

74：電極層

91：導電插塞

dl：數據線

sl：掃描線

px：像素區(qū)域

pue：拾取器

ic：集成電路

pcba：電路板組裝

具體實施方式

本發(fā)明的實施例提出一顯示裝置，將顯示單元和開關元件設置于基板不同側，顯示單元和開關元件通過基板的多個填充有粘結材料的穿孔而完成電連接。根據實施例的顯示裝置設計，配合相關制作工藝可使制得的顯示單元和開關元件具有精確的圖案但仍維持良好的電性表現(xiàn)(包括良好的電連接特性)，使應用的顯示裝置仍可達到穩(wěn)定優(yōu)異的顯示品質。再者，根據實施例所提出的顯示裝置設計，顯示單元直接設置在基板上還可提高產品良率。

本發(fā)明的實施例例如是應用于一顯示裝置的陣列基板，其開關元件例如是(但不限制是)薄膜晶體管，其形態(tài)例如是背通道蝕刻(backchanneletch)、蝕刻阻擋層(etch-stoplayer)、頂部柵極(top-gate)、底部柵極(bottom-gate)等形態(tài)的薄膜晶體管。實施例的顯示單元例如是微型發(fā)光二極管(micro-led)或是有機發(fā)光二極管(oled)或是其他適合的自發(fā)光組件。

以下是參照所附附圖詳細敘述本發(fā)明的多種實施態(tài)樣。需注意的是，實施例所提出的實施態(tài)樣的結構、制作工藝和內容僅為舉例說明之用，本發(fā)明欲保護的范圍并非僅限于所述的態(tài)樣。需注意的是，本發(fā)明并非顯示出所有可能的實施例，相關領域者可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內對實施例的結構和制作工藝加以變化與修飾，以符合實際應用所需。因此，未于本發(fā)明提出的其他實施態(tài)樣也可能可以應用。再者，附圖已簡化以利清楚說明實施例的內容，附圖上的尺寸比例并非按照實際產品等比例繪制。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本發(fā)明保護范圍之用。再者，實施例中相同或類似的標號用以標示相同或類似的部分。

再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等的用詞，是為了修飾請求項的元件，其本身并不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區(qū)分。

<第一實施例>

圖1為本發(fā)明一實施例中顯示裝置的基板的簡單俯視圖。實施例的基板10例如是一陣列基板，包括多條數據線dl與多條掃描線sl交錯設置，以定義出陣列的多個像素區(qū)域px，而各像素區(qū)域px中包含至少一開關元件20例如是薄膜晶體管，以獨立控制所屬像素區(qū)域px。且實施例的各像素區(qū)域px中的顯示單元和開關元件分別位于基板10的不同側，例如上下兩側。

圖2為本發(fā)明第一實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖。在第一實施例中，以背通道蝕刻形態(tài)的薄膜晶體管與微型發(fā)光二極管(micro-led)為例，分別做為位于基板10不同側的開關元件20與顯示單元50的說明。圖2中，基板10包括不同側的第一表面101和第二表面102，開關元件20設置于第一表面101，顯示單元50設置于第二表面102。基板10還具有多個穿孔105，而粘結材料(bondingmaterial)41則填充于穿孔105處。實施例中，粘結材料41為一導電材料，顯示單元50和開關元件20通過粘結材料41完成電連接。

實施例中，開關元件20(i.e.背通道蝕刻形態(tài)的薄膜晶體管)例如是包括柵極21a、陽極21b、陰極21c、柵極絕緣層22(形成于柵極21a、陽極21b和陰極21c上方)、半導體層23形成于柵極絕緣層22上、源極24a/漏極24b、以及第一保護層29覆蓋前述開關組件。于第一實施例中，開關元件20的開關電極(如陽極21b和陰極21c)直接接觸基板10，且穿孔105的位置與開關電極的位置相對應。

而實施例的顯示單元50(i.e.微型發(fā)光二極管)，以gan系的藍光led為例，其包括一n型氮化鎵(n-gan)層51、一p型氮化鎵(p-gan)層52、多重量子阱發(fā)光層(qw)53、n型導電層54形成于n型氮化鎵層51上、p型導電層55形成于p型氮化鎵層52上、n型焊墊(n-bump)56形成于n型導電層54上和p型焊墊(p-bump)57形成于p型導電層55上。其中n型焊墊56和n型導電層54可做為顯示單元50的n型電極，p型焊墊57和p型導電層55可做為顯示單元50的p型電極。當然，前述各組件僅為其中一種可應用的顯示單元50的例示說明，也可應用其他光色和/或形態(tài)的微型發(fā)光二極管，本發(fā)明不以此示例為限。

如圖2所示，基板10的穿孔105是自第二表面102貫穿至第一表面101以暴露出開關元件20的開關電極(例如陽極21b和陰極21c)。填充于穿孔105的粘結材料41具有頂面411和底面412，其中頂面411與開關元件20的開關電極(例如陽極21b和陰極21c)接觸，而底面412則與顯示單元50的電極層(如n型焊墊56和p型焊墊57)接觸。

圖3a-圖3j圖為制作第一實施例的顯示裝置的流程示意圖。圖3a-圖3j與圖2中相同元件沿用相同標號，以利清楚說明。如圖3a所示，首先提供一基板10，基板的不同側(如上下側或稱正面背面兩側)具有第一表面101和第二表面102，于第一表面101上形成一圖案化導電層以做為開關元件的柵極21a、陽極21b和陰極21c。如圖3b所示，于圖案化導電層上形成柵極絕緣層22，且柵極絕緣層22覆蓋柵極21a和陰極21c但暴露出陽極21b表面；并于柵極絕緣層22上形成半導體層23，且半導體層23對應柵極21a處。接著，如圖3c所示，于柵極絕緣層22上形成源極24a和漏極24b與半導體層23接觸，且漏極24b與陽極21b連接。如圖3d所示，形成第一保護層29將前述開關組件覆蓋。

之后，如圖3e所示，反轉基板10，在基板10的第二表面102上形成圖案化光致抗蝕劑30。如圖3f所示，根據圖案化光致抗蝕劑30對基板10進行蝕刻以形成多個穿孔105，且這些穿孔105自基板10的第二表面102貫穿至第一表面101以暴露出開關元件20的陽極21b和陰極21c。接著，如圖3g所示，形成一粘結材料層40于基板10的第二表面102上。而后移除多余的部分，形成如圖3h所示的填充于穿孔105處的粘結材料41，其中粘結材料41的頂面411與開關元件20的陽極21b和陰極21c直接接觸。另外，第一實施例中，粘結材料41的底面412可略高于基板10的第二表面102，或是與第二表面102齊平亦可。之后，如圖3i所示，以拾取器(pickupequipment)pue將撿拾的多個顯示單元50例如微型發(fā)光二極管放置到基板10上，且各顯示單元50的n型焊墊56和p型焊墊57分別與粘結材料41的底面412接觸。之后，如圖3j(同圖2)所示，形成一第二保護層59覆蓋顯示單元的顯示組件。

圖3j中，覆蓋各開關元件20的相關組件的第一保護層29具有第一保護面(firstprotectivesurface)291，覆蓋顯示單元50的相關組件的第二保護層59具有第二保護面591，一實施例中，第一保護面291和第二保護面591實質上相互平行，且兩者例如是平行于基板10的第一表面101和第二表面102。另外，第一保護層29和第二保護層59的材料可以相同或不同，可視實際應用時的產品需求而做適當選擇，可應用的材料例如是(但不限制是)聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma，又稱壓克力(acrylic))，或是無機絕緣物例如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(alox)，或其他適合材料。

實施例中，基板10有一定的承載力(例如基板10的材料具有一定剛性)和平整度，使顯示單元50和開關元件20設置于平坦基板上，可提高接合(bonding)良率。實施例中，可用的基板10材料，例如是玻璃、或是高分子材料(如聚乙烯pe)、半導體基板(如硅基板)外面包覆絕緣材料、或是金屬外面包覆絕緣材料、或是其他適合材料。粘結材料41例如是應用金錫(au/sn)合金或是其他適合的導電材料，以點焊方式形成焊球或焊盤?；蚴且噪婂兘饘?如銅)的方式形成粘結材料41。本發(fā)明并不做特別限制。另外，開關元件20的柵極21a、陽極21b和陰極21c、粘結材料41、與n型焊墊56和p型焊墊57可選擇熱膨脹系數接近的材料，使接合后的產品更為穩(wěn)定。

<第二實施例>

圖4為本發(fā)明第二實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖。圖5a-圖5g為制作第二實施例的顯示裝置的流程示意圖。類似第一實施例，第二實施例中也以薄膜晶體管與微型發(fā)光二極管(micro-led)為例做開關元件20與顯示單元50的說明。如圖4所示，第二實施例的開關元件20與顯示單元50也設置于基板10不同側，且通過基板10的填充有粘結材料41的穿孔105而連接顯示單元50和開關元件20。實施例中，粘結材料41為一導電材料，顯示單元50和開關元件20通過粘結材料41完成電連接。

第二實施例(圖4和圖5a-圖5g)與第一實施例(圖3a-圖3j與圖2)相同元件沿用相同標號。因此第二實施例中開關元件20與顯示單元50的相關部件的細節(jié)，請參照第一實施例的內容，在此不再贅述。

不同于第一實施例，第二實施例先進行顯示單元50的設置，再進行開關元件20的設置。如圖5a所示，以拾取器pue將撿拾的多個顯示單元50例如微型發(fā)光二極管放置到基板10上，且各顯示單元50的n型焊墊56和p型焊墊57與基板10的第一表面101接觸。之后，如圖5b所示，反轉基板10，于基板10的第二表面102上形成圖案化光致抗蝕劑30。如圖5c所示，根據圖案化光致抗蝕劑30對基板10進行蝕刻以形成多個穿孔105，且這些穿孔105是自基板10的第二表面102貫穿至第一表面101以暴露出顯示單元50的電極層例如n型焊墊56和p型焊墊57。接著，如圖5d所示，形成粘結材料41填充于穿孔105處，粘結材料41具有頂面411與顯示單元50的n型焊墊56和p型焊墊57接觸。于第二實施例中，可應用具導電性的粘結材料41于相同步驟中制得柵極21a，如圖5d所示，其中柵極21a的表面與粘結材料41的底面412例如實質上位于同一平面(齊平)。因此第二實施例中，具導電性的粘結材料41也可做為開關元件20的電極(如陽極和陰極)。之后，完成開關元件20的其他部件，包括形成柵極絕緣層22以覆蓋柵極21a和粘結材料41(圖5e)；于柵極絕緣層22上形成半導體層23，和于柵極絕緣層22上形成源極24a和漏極24b與半導體層23接觸(圖5f)，且漏極24b與粘結材料41的底面412連接；以及形成第一保護層29覆蓋前述開關組件(圖5g)。

<第三實施例>

圖6為本發(fā)明第三實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖。圖7a-圖7m為制作第三實施例的顯示裝置的流程示意圖。類似第一實施例，第三實施例中也以薄膜晶體管與微型發(fā)光二極管(micro-led)為例做開關元件20與顯示單元50的說明。不同于第一、二實施例中僅使用一片基板10，第三實施例中使用兩片基板(i.e.第一基板10a和第二基板10b，并于兩片基板上分別制作開關元件20與顯示單元50，個別完成后再進行基板對組。如圖6所示，視第一基板10a和第二基板10b為一個基板整體，則顯示單元50和開關元件20分別位于基板整體的不同側。再者，對于第一基板10a而言，顯示單元50和開關元件20也是分別對應于第一基板10a的不同側；對于第二基板10b而言，顯示單元50和開關元件20也是分別對應于第二基板10b的不同側。

第三實施例(圖6和圖7a-圖7m)與第一實施例(圖3a-圖3j與圖2)相同元件沿用相同標號。因此第三實施例中開關元件20與顯示單元50的相關部件的細節(jié)與制作工藝，請參照第一、二實施例的內容，在此不再贅述。

例如，圖7a-圖7h中所示的形成開關元件20(圖7a-圖7d)、于第一基板10a形成多個第一穿孔105a(圖7e-圖7f)和填充第一粘結材料41a于第一穿孔105a處(圖7g-圖7h)等步驟和結構，與第一實施例的圖3a-圖3h所示的步驟和結構相同。

例如，圖7i-圖7l中所示的形成顯示單元50(圖7i)、于第二基板10b形成多個第二穿孔105b(圖7j-圖7k)和填充第二粘結材料41b于第二穿孔105b處(圖7l)等步驟和結構，與第二實施例的圖5a-圖5d所示的步驟和結構相同(除了圖7l中的第二粘結材料41b無須如圖5d的粘結材料41所示之后也要做為開關元件20的電極)。

最后，如圖7m所示，將具有開關元件20和第一粘結材料41a的第一基板10a與具有顯示單元50和第二粘結材料41b的第二基板10b進行對組，而完成第三實施例的顯示裝置。其中，如圖6和圖7m所示，開關元件20位于第一基板10a的上側(i.e.第一表面101a上)，顯示單元50位于第二基板10b的下側(i.e.第二表面102b上)，且第一基板10a的下側(i.e.第二表面102a)與第二基板10b的上側(i.e.第一表面101b)對組。

第一粘結材料41a和第二粘結材料41b可以相同或不同，本發(fā)明并不多做限制。較佳的，第一粘結材料41a和第二粘結材料41b的熱膨脹系數接近或相同，以使接合后的產品更為穩(wěn)定。一實施例中，例如是應用金錫(au/sn)合金或是其他適合的導電材料，以點焊方式形成焊球或焊盤，并且以熱壓合方式做焊球或焊盤的結合。另一實施例中，例如是以電鍍金屬(如銅/銅)的方式形成第一粘結材料41a和第二粘結材料41b，并且以壓合熔融(加壓互融)完成結合。

雖然上述實施例的附圖中，以背通道蝕刻形態(tài)的薄膜晶體管做為開關元件的示例，但本發(fā)明并不以此為限，其他形態(tài)的開關元件也可應用。圖8a繪示基板10上的一背通道蝕刻形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖。圖8b繪示基板10上的一蝕刻阻擋層(etch-stoplayer)形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖，其中在柵極絕緣層22和源極24a/漏極24b之間還包括一蝕刻阻擋層23e以覆蓋部分的半導體層23。圖8c繪示基板10上的一頂部柵極(top-gate)形態(tài)的薄膜晶體管的示意圖，其中半導體層23形成于基板10上，柵極絕緣層22覆蓋半導體層23，柵極21a(于半導體層23上方處)/陽極21b/陰極21c形成于柵極絕緣層22上且上方覆蓋另一絕緣層25，源極24a/漏極24b位于絕緣層25上并與半導體層23和陽極21b連接。圖8a～圖8c中與前述實施例相同元件沿用相同標號，且細節(jié)省略不贅述。圖8a～圖8c所示的開關元件形態(tài)也可應用于本發(fā)明，并根據應用情況稍微變化和修飾。例如，應用圖8c所示的開關元件時，于基板上形成的穿孔必須延伸并貫穿柵極絕緣層22以暴露出陽極21b和陰極21c的底部表面，使后續(xù)填充的粘結材料可接觸陽極21b和陰極21c。上述半導體層23可應用的材料例如是(但不限制是)金屬氧化物半導體或非晶硅/低溫多晶硅。

另外，雖然上述實施例的附圖中，是以微型發(fā)光二極管(micro-led)做為顯示單元的示例，但本發(fā)明并不以此為限，其他形態(tài)的顯示單元也可應用，例如有機發(fā)光二極管(oled)。

<第四實施例>

圖9為本發(fā)明第四實施例的顯示裝置中三個相鄰像素區(qū)域的剖面簡示圖。圖10a-圖10h為制作第四實施例的顯示裝置的流程示意圖，其中顯示單元為有機發(fā)光二極管(oled)。

第四實施例(圖9和圖10a-圖10h)與第一實施例(圖3a-圖3j與圖2)相同元件沿用相同標號。因此第四實施例中開關元件20的相關部件的細節(jié)與制作工藝，請參照第一實施例的內容，在此不再贅述。例如，圖10a-圖10f中所示的形成開關元件20(圖10a-圖10d)，和于基板10處形成多個穿孔105，穿孔位置與開關電極位置相對應(圖10e-圖10f)等步驟和結構，與第一實施例的圖3a-圖3f所示的步驟和結構相同。

接著，如圖10g所示，以一粘結材料填充于穿孔105處，且粘結材料為一導電材料；圖案化粘結材料后可形成第一電極部71a(與陰極21c連接)和第二電極部71b(與陽極21b連接)。之后，如圖10h所示，形成有機發(fā)光二極管(oled)的各相關層，包括一像素定義層72、一有機發(fā)光層73、一電極層74(與第一電極部71a連接)和覆蓋前述顯示組件的第二保護層75，以完成第四實施例的顯示單元70。

綜上所述，實施例所提出的顯示裝置，是將顯示單元和開關元件設置于平坦的基板的不同側，通過基板的多個填充有粘結材料的穿孔而完成顯示單元和開關元件的連接。實施例中，粘結材料為一導電材料，基板不同側的顯示單元和開關元件通過穿孔中的粘結材料完成電連接。根據實施例的顯示裝置設計，可使制得的顯示單元和開關元件具有精確圖案并維持良好電性表現(xiàn)(包括良好的電連接特性)，使應用的顯示裝置達到穩(wěn)定優(yōu)異的顯示品質。且設置在基板不同側的顯示單元和開關元件，如后續(xù)制作工藝需要(例如產品檢驗時發(fā)現(xiàn)顯示單元或開關元件有缺陷或損壞等)，則有利于單獨移除一者而不影響另一者的結構。再者，根據實施例所提出的顯示裝置設計，顯示單元直接設置在平坦的基板上可更提高產品良率。

另外，于實際應用時，實施例的顯示裝置的數據線與掃描線(圖1)可與各像素區(qū)域中的開關元件如tft位于基板的同一側(例如基板背面)，而顯示單元則位于另一側(例如基板正面)。請參照圖11a、圖11b，其分別繪示本發(fā)明應用例中與集成電路或電路板組裝連接的顯示裝置的剖面示意圖。圖11a、圖11b中以第一實施例所述的顯示裝置結構做示例，并將集成電路ic(圖11a)或含有元件的電路板組裝pcba(圖11b)連接于開關元件20的同側(例如通過導電插塞91連接相應的電極)。當然，其他實施態(tài)樣的顯示裝置結構都可應用。據此，走線(如集成電路ic或電路板組裝pcba或是其他原本設置于邊界區(qū)域(borderregion)的線路)與tft都位于基板同側而藏在基板背面，則所需整體空間可以縮小，亦即面板原本需要提供線路置放的邊界區(qū)域可以變小，而使空間得到更有效的使用。因此應用本發(fā)明實施例提出的顯示面板設計可以在更局限的空間中達到最大的顯示效果。

如上述圖示的結構，是用以敘述本發(fā)明的部分實施例，而非用以限制本發(fā)明的范圍。其他不同結構態(tài)樣的實施例，例如不同內部組件的開關元件和顯示裝置、電極結構和穿孔的位置變化以符合連結所需，粘結材料的選澤和接合方式以符合制作工藝需求…等等，都是屬本發(fā)明可應用的范圍。通常知識者當知，應用本發(fā)明的相關結構和制作工藝視實際應用的需求而可能有相應的調整和變化。

綜上所述，雖然結合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術領域中熟悉此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。