本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板及其制造方法，且特別是有關(guān)于顯示面板的晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

不論在工作處理學(xué)習(xí)上或是個(gè)人休閑娛樂上，具顯示面板的電子產(chǎn)品，包括智能手機(jī)(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記本電腦(Notebook)、顯示器(Monitor)到電視(TV)等許多相關(guān)產(chǎn)品，已是現(xiàn)代人不可或缺的必需品。其中又以簡潔、輕盈、易攜帶、和低價(jià)的液晶顯示面板最為廣泛使用。液晶顯示面板同時(shí)提供多樣性包括尺寸、形狀、解析度等多種選擇。

銅制程為目前大尺寸顯示面板常用的制程技術(shù)，而顯示面板的基板中以半導(dǎo)體(例如氧化銦鎵鋅，IGZO)做為薄膜晶體管(例如IGZO TFT)的有源層，由于具有高場效移動率及大面積制程的可行性，應(yīng)用于大尺寸顯示器具極大優(yōu)勢。而目前以銅做為金屬導(dǎo)線時(shí)，由于其與底層絕緣膜的附著性不佳，需于銅與絕緣層之間增加一中介金屬層(如鉬)，以增加金屬與絕緣層的附著性，另一方面，此中介金屬層可做為擴(kuò)散阻擋層，以防止銅離子進(jìn)入有源層而影響元件可靠性。目前常見的金屬導(dǎo)線和中介金屬層的組合為：銅/鉬(Cu/Mo)，銅/鈦(Cu/Ti)，和銅/鉬鈦合金(Cu/Mo:Ti)等。在IGZO薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，當(dāng)有源層為IGZO層時(shí)，鉬或鈦等金屬接觸IGZO時(shí)容易搶IGZO內(nèi)的氧而造成有源層導(dǎo)電性的改變。因此，于第二金屬層定義完成后(即形成源極漏極)和沉積保護(hù)層如氧化硅(SiOx)于第二金屬層上之前，目前制程會使用氧化氮(N₂O)等離子對有源層表面進(jìn)行表面處理來補(bǔ)氧，但此道步驟同時(shí)也容易造成銅導(dǎo)線表面嚴(yán)重氧化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板及其制造方法，其晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 可防止導(dǎo)線的金屬離子進(jìn)入有源層而改變元件電子特性，影響元件的可靠性，但又可避免導(dǎo)線表面在制程中產(chǎn)生氧化。

本發(fā)明提出一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對設(shè)置的一第二基板，和設(shè)置于第一基板與第二基板之間的一顯示介質(zhì)層。第一基板包括交錯(cuò)設(shè)置的多條第一導(dǎo)線、多條第二導(dǎo)線和多個(gè)晶體管設(shè)置在一基材上以定義出多個(gè)像素區(qū)域，且第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線分別沿第一方向和第二方向延伸。各像素區(qū)域的晶體管包含：設(shè)置在基材上的一柵極電極、設(shè)置在柵極電極上的一第一絕緣層、設(shè)置在第一絕緣層上的一有源層、設(shè)置在該有源層上并與有源層電性連接的一第一電極和一第二電極。有源層包含一溝道區(qū)，且溝道區(qū)位于第一電極和第二電極之間。第一電極由雙層透光導(dǎo)電材料組成，包括一第一透光導(dǎo)電材料層形成于有源層上方和一第二透光導(dǎo)電材料層形成于第一透光導(dǎo)電材料層上，其中與第一電極連接的第二導(dǎo)線包括一第三透光導(dǎo)電材料層、一金屬層與一第四透光導(dǎo)電材料層，金屬層設(shè)置于第三透光導(dǎo)電材料層和第四透光導(dǎo)電材料層之間。于一實(shí)施例中，各像素區(qū)域的第一電極的第一透光導(dǎo)電材料層和第二透光導(dǎo)電材料層延伸至對應(yīng)的第二導(dǎo)線的金屬層并包覆金屬層，以分別形成第三透光導(dǎo)電材料層與第四透光導(dǎo)電材料層。

本發(fā)明提出一種顯示面板的制造方法，包含形成一第一基板，提供一第二基板并與第一基板對組，以及提供一顯示介質(zhì)層于第一基板與第二基板之間。其中形成第一基板包括：形成第一金屬層于一基材，圖案化第一金屬層以形成多條第一導(dǎo)線與多個(gè)柵極電極，這些第一導(dǎo)線沿第一方向延伸并連接相對應(yīng)的柵極電極；形成第一絕緣層覆蓋于這些柵極電極與這些第一導(dǎo)線上；形成多個(gè)有源層于第一絕緣層上；形成一第一透光導(dǎo)電材料層于第一絕緣層上；形成多條金屬層于第一透光導(dǎo)電材料層上；形成一第二透光導(dǎo)電材料層于這些金屬層與第一透光導(dǎo)電材料層上；圖案化第一透光導(dǎo)電材料層與第二透光導(dǎo)電材料層以形成多條第二導(dǎo)線于基材上并沿第二方向延伸、多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，其中每一第二導(dǎo)線包括一由第一透光導(dǎo)電材料層形成的第一透光導(dǎo)電層、金屬層、一由第二透光導(dǎo)電材料層形成的第二透光導(dǎo)電層，且這些第二導(dǎo)線與這些第一導(dǎo)線交錯(cuò)設(shè)置以定義出多個(gè)像素區(qū)域；其中，于各像素區(qū)域中第一電極和第二電極在有源層上，且溝道區(qū)位于第一電極和第二電極之間。第一電極 由一第一透光導(dǎo)電材料層和一第二透光導(dǎo)電材料層組成。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明，其中：

圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例中顯示面板的基板的簡單俯視圖。

圖1B為圖1A中圈選處的局部放大圖。

圖1C為沿圖1B的剖面線1C-1C繪示第一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。

圖2A-2F為制作第一實(shí)施例顯示面板的晶體管陣列基板的流程示意圖。

圖3是繪示本發(fā)明第一實(shí)施例顯示面板的另一基板的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例顯示面板的基板的剖面示意圖。

圖5是繪示本發(fā)明第二實(shí)施例顯示面板的另一基板的剖面示意圖。

圖中元件標(biāo)號說明如下：

S1：第一基板

10：基材

12：柵極電極

13：第一絕緣層

14：有源層

A_CH：溝道區(qū)

141：有源層的上表面

E1：第一電極

E2：第二電極

151：第一透光導(dǎo)電材料層

152：第二透光導(dǎo)電材料層

15E：延伸部

16：金屬層

160：金屬層的底面

161、162：金屬層的側(cè)壁

163：金屬層的上表面

17：蝕刻阻擋層

18：第二絕緣層

19：第三絕緣層

19h：孔洞

PE：像素電極

SL：掃描線

DL：數(shù)據(jù)線

PX：像素區(qū)域

D_E：延伸寬度

17h₁：第一開口

17h₂：第二開口

D_C1：第一接觸寬度

D_C2：第二接觸寬度

S2：第二基板

LC：液晶層

D1：第一方向

D2：第二方向

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例提出一種顯示面板，其關(guān)于晶體管陣列基板的特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其導(dǎo)線(例如金屬銅)包括側(cè)面系以透光導(dǎo)電材料覆蓋，如此所制得的導(dǎo)線(例如數(shù)據(jù)線)可避免產(chǎn)生銅氧化。再者，于在各像素區(qū)域中的電極例如源極電極和漏極電極僅由透光導(dǎo)電材料所組成，如此可避免銅擴(kuò)散至有源層而造成電子特性改變。以下是參照附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用于具不同形態(tài)的晶體管陣列基板的顯示面板，例如是背溝道蝕刻型晶體管(BCE-type TFT)陣列基板和蝕刻停止型晶體管(Etch Stop-type TFT)陣列基板等的液晶顯示面板。需注意的是，實(shí)施例所提出的實(shí)施態(tài)樣的結(jié)構(gòu)和內(nèi)容僅為舉 例說明的用。本發(fā)明并非顯示出所有可能的實(shí)施例，相關(guān)領(lǐng)域者可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)對實(shí)施例的結(jié)構(gòu)加以變化與修飾，以符合實(shí)際應(yīng)用所需。因此，未于本發(fā)明提出的其他實(shí)施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。再者，附圖系已簡化以利清楚說明實(shí)施例之內(nèi)容，附圖上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制。因此，說明書和附圖內(nèi)容僅作敘述實(shí)施例之用，而非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。再者，實(shí)施例中相同或類似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或類似的部分。

另外，說明書與權(quán)利要求中所使用的序數(shù)例如”第一”、”第二”、”第三”等的用詞，以修飾權(quán)利要求的元件，其本身并不意含及代表該請求元件有任何之前的序數(shù)，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是制造方法上的順序，這些序數(shù)的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區(qū)分。

<第一實(shí)施例>

第一實(shí)施例是以背溝道蝕刻型晶體管陣列基板的顯示面板做說明。圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例中顯示面板的基板的簡單俯視圖。圖1B為圖1A中圈選處的局部放大圖。圖1C為沿圖1B的剖面線1C-1C繪示第一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖1A-1C。

如圖1A、1B所示，實(shí)施例的顯示面板包括一陣列基板，包括多條第一導(dǎo)線例如掃描線SL與多條第二導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL交錯(cuò)設(shè)置，以定義出陣列的多個(gè)像素區(qū)域PX，其中第一導(dǎo)線(例如掃描線SL)沿第一方向D1(即X方向)延伸，第二導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL是沿第二方向D2(即Y方向)延伸。而各像素區(qū)域PX中包含至少一開關(guān)元件例如是薄膜晶體管，以獨(dú)立控制所屬像素區(qū)域PX。

如圖1C所示，一實(shí)施例的顯示面板包括一第一基板S1、與第一基板S1相對設(shè)置一第二基板S2和設(shè)置于第一基板S1與第二基板S2之間的一顯示介質(zhì)層。第一實(shí)施例中，第一基板S1例如是一晶體管陣列基板，第二基板S2例如是一彩色濾光基板，顯示介質(zhì)層例如是液晶層LC。第一實(shí)施例是以源極電極和漏極電極直接形成于半導(dǎo)體層(i.e.有源層)上且位于溝道區(qū)A_CH的兩側(cè)為例作第一基板S1的結(jié)構(gòu)說明。

如圖1C所示，設(shè)置在一基材10上的多個(gè)晶體管其中之一包含一柵極電極12(例如是金屬銅或其他適合金屬材料)設(shè)置在基材10上，一第一絕緣層13設(shè) 置在柵極電極12上，一有源層14(i.e.半導(dǎo)體層)設(shè)置在第一絕緣層13上且有源層14包含一溝道區(qū)A_CH，一第一電極E1(例如源極電極)和一第二電極E2(例如漏極電極)設(shè)置在有源層14上，溝道區(qū)A_CH位于第一電極E1和第二電極E2之間。于一實(shí)施例中，有源層14的材料包含氧化物半導(dǎo)體(或金屬氧化物半導(dǎo)體)，例如是氧化鋅(zinc oxide，ZnO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)。另外，晶體管更包括一第二絕緣層18覆蓋第一電極E1和第二電極E2，以及位于第二絕緣層18上的一第三絕緣層19。要說明的是，第二絕緣層18、第三絕緣層19可以是單層、雙層、或兩層以上的膜層組成，例如，于本實(shí)施例中，第二絕緣層18是包含氧化硅、氮化硅兩種膜層。于各像素區(qū)域中，更包括一像素電極PE(材料例如是ITO)通過第二絕緣層18和第三絕緣層19的孔洞19h而電性連接第二電極E2，如圖1B、1C所示。

本發(fā)明并不局限于圖1A～1C所繪示的細(xì)部結(jié)構(gòu)，例如于第一實(shí)施例中雖繪示第一方向D1與第二方向D2垂直，但于其他實(shí)施例中第一方向D1亦可與第二方向D2形成一夾角，其范圍例如是在75度至90度之間。再者，第二基板S2亦省略了其他元件，以利清楚顯示本發(fā)明。

根據(jù)本發(fā)明，顯示面板的顯示區(qū)中，第一電極E1(例如源極電極)和一第二電極E2(例如漏極電極)由透光導(dǎo)電材料所組成；而與兩電極其中一者連接的導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL，其組成則包括一金屬層和兩層透光導(dǎo)電材料。第一實(shí)施例中，第一電極E1(例如源極電極)由雙層透光導(dǎo)電材料組成，包括一第一透光導(dǎo)電材料層151形成于有源層14上方，和第二透光導(dǎo)電材料層152形成于第一透光導(dǎo)電材料層151上。與第一電極E1連接的第二導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL，包括一第三透光導(dǎo)電材料層、一金屬層16與一第四透光導(dǎo)電材料層，金屬層16設(shè)置于第三透光導(dǎo)電材料層和第四透光導(dǎo)電材料層之間；而于一實(shí)施例中，各像素區(qū)域的第一電極E1的第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152延伸至對應(yīng)的第二導(dǎo)線的金屬層16并包覆金屬層16，以分別形成第三透光導(dǎo)電材料層與第四透光導(dǎo)電材料層。如圖1C所示，第二導(dǎo)線如數(shù)據(jù)線DL包括一金屬層16設(shè)置于第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152之間。類似地，第二電極E2(ex漏極電極)亦由形成于有源層14上方的第一透光導(dǎo)電 材料層151和形成于第一透光導(dǎo)電材料層151上的第二透光導(dǎo)電材料層152所組成。需說明的是，雖然實(shí)施例的第一電極E1與第二電極E2都包括有第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152，但第一電極E1與第二電極E2之間并沒有物理性上地連接。

如圖1C所示，各像素區(qū)域的第一電極E1的第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152延伸至對應(yīng)的金屬層16并包覆金屬層16，以形成第二導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL。其中金屬層16系形成于第一透光導(dǎo)電材料層151上，包括底面160與第一透光導(dǎo)電材料層151直接接觸；而第二透光導(dǎo)電材料層152則形成于金屬層16上，直接接觸并覆蓋金屬層16的側(cè)壁161、162和上表面163。

于一實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152為金屬氧化物，例如是(但不限制是)IZO或ITO材料層，而且第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152可以使用相同或不同的透光導(dǎo)電材料。一實(shí)施例中，金屬層16例如是金屬銅層，因此在各像素區(qū)域中源極電極和漏極電極僅由透光導(dǎo)電材料(ex:IZO)所組成(亦即有源層14上面沒有金屬材料層)，但數(shù)據(jù)線DL是由透光導(dǎo)電材料包覆金屬銅(ex:IZO/Cu/IZO)所組成。

再者，于數(shù)據(jù)線DL處，金屬層16包括相對的兩側(cè)壁161和162分別鄰近與遠(yuǎn)離有源層14。第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152于金屬層16的遠(yuǎn)離有源層14的側(cè)壁162處系重合且可形成一延伸部15E，此延伸部15E具有一延伸寬度D_E。一實(shí)施例中，延伸寬度D_E約0.1μm-4μm的范圍。相關(guān)技藝者當(dāng)知，前述數(shù)值與范圍是作示例與參考，可因應(yīng)用產(chǎn)品的規(guī)格不同而做適當(dāng)選擇。因此這些數(shù)值與范圍是做參考的用，而非限制本發(fā)明之用。

圖2A-2F是為制作第一實(shí)施例顯示面板的晶體管陣列基板的流程示意圖。亦可同時(shí)參考圖1A-1C。圖2A-2F圖與圖1A-1C中相同元件系沿用相同標(biāo)號，以利清楚說明。如圖2A所示，首先提供一基材10，并形成第一金屬層于基材10上以及對第一金屬層進(jìn)行圖案化，以定義出多條相互平行的第一導(dǎo)線例如掃描線SL和定義出柵極電極12，其中掃描線SL沿第一方向D1(X方向)延伸。此第一金屬層又可稱為柵極金屬導(dǎo)線。此導(dǎo)線可為銅金屬或其他其他具低電阻的金屬材料。

如圖2B所示，形成第一絕緣層13于基材上并覆蓋柵極電極12，其中第一絕緣層13是整面鍍制，并作為柵極絕緣層。接著，鍍制一氧化物半導(dǎo)體層并進(jìn)行顯影蝕刻制程，以形成多個(gè)有源層14于第一絕緣層13上。氧化物半導(dǎo)體層的材料泛指以離子鍵結(jié)的半導(dǎo)體材料，例如是氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或其他適合材料。

之后，第一透光導(dǎo)電材料層151(如IZO)是整面鍍制并覆蓋于第一絕緣層和有源層14上方；并鍍制金屬(例如銅金屬)和定義金屬走線區(qū)，包括移除溝道區(qū)域、像素區(qū)域及其他不需要導(dǎo)線區(qū)域的金屬，以形成多條金屬層16的走線，而第一透光導(dǎo)電材料層151則全面留下，如圖2C所示。

接著，整面覆蓋第二透光導(dǎo)電材料層152(如IZO)于第一透光導(dǎo)電材料層151上，且第二透光導(dǎo)電材料層152并覆蓋這些金屬層16，并對第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152同時(shí)圖案化，以定義金屬走線區(qū)，包括薄膜晶體管的源極區(qū)、漏極區(qū)和金屬層16，以及金屬層16的側(cè)面161、162也被第二透光導(dǎo)電材料層152覆蓋，如圖2D所示。再者，于此定義步驟中，亦使各像素區(qū)域中的溝道區(qū)A_CH暴露出對應(yīng)的有源層14的上表面。因此前述(圖1C)的第二導(dǎo)線如數(shù)據(jù)線DL是由第一透光導(dǎo)電材料層151和第二透光導(dǎo)電材料層152包覆金屬層16(材料例如是IZO/Cu/IZO)所組成。而從上視圖來看，透明導(dǎo)電層面積(如第二透光導(dǎo)電材料層152)會大于金屬層16(ex:銅導(dǎo)線)的面積。

之后，于第二透光導(dǎo)電材料層152上方形成第二絕緣層18和第三絕緣層19(做為絕緣保護(hù)層(Passivation))，并定義接觸孔洞，例如形成孔洞19h貫穿第三絕緣層19和第二絕緣層18以暴露出第二電極E2的第二透光導(dǎo)電材料層152的上表面，如圖2E所示。

于各像素區(qū)域中鍍制像素電極層(材料例如是ITO)，而形成如圖2F所示的像素電極PE，其中像素電極PE是通過孔洞19h(例如與第二透光導(dǎo)電材料層152接觸)而電性連接第二電極E2。

如上述完成第一基板S1后，再與第二基板S2(圖1C)對組，并提供一顯示介質(zhì)層(如圖1C所示的液晶層LC)于第一基板S1與第二基板S2之間，完成顯示面板的制作。

另外，如圖1C所示，第一電極E1的第一透光導(dǎo)電材料層151是與有源層 14的上表面141具有第一接觸寬度D_C1，第二電極E2的第一透光導(dǎo)電材料層151是與有源層14的上表面141具有第二接觸寬度D_C2，第一接觸寬度D_C1可與第二接觸寬度D_C2相同。

但本發(fā)明并不僅限于此，亦可變化兩側(cè)的接觸寬度使其不同。圖3是繪示本發(fā)明第一實(shí)施例顯示面板的另一基板的剖面示意圖。于另一實(shí)施態(tài)樣中，第一接觸寬度D_C1與第二接觸寬度不同D_C2。如此設(shè)計(jì)使柵極/像素電極電容(Cg pixel)較大，柵極/漏極電容(Cgd)較小，而較小的柵極/漏極電容可使數(shù)據(jù)線電容(Cdata)下降。

<第二實(shí)施例>

圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例顯示面板的基板的剖面示意圖。第二實(shí)施例是以蝕刻停止型晶體管(Etch Stop-type TFT)陣列基板的顯示面板做說明。圖4與圖1C中相同元件沿用相同標(biāo)號，以利清楚說明。且第二實(shí)施例與第一實(shí)施例相同元件的結(jié)構(gòu)、材料與設(shè)置等相關(guān)細(xì)節(jié)，請參看前述，在此不再贅述。

第二實(shí)施例中，與第一實(shí)施例不同的是，各像素區(qū)域的晶體管更包含一蝕刻阻擋層17，位于有源層14和第一電極E1與第二電極E2之間，且蝕刻阻擋層17于第一電極E1和第二電極處E2處分別具有第一開口17h₁和第二開口17h₂。第二實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電材料層151經(jīng)由第一開口17h₁和第二開口17h₂與有源層14接觸。而兩開口的寬度決定了第一透光導(dǎo)電材料層151與有源層14的上表面141的接觸寬度。亦即，第一電極E1的第一透光導(dǎo)電材料層151與有源層14的上表面141具有第一接觸寬度D_C1(對應(yīng)的第一開口17h₁的大小)，第二電極E2的第一透光導(dǎo)電材料層151與有源層14的上表面141具有第二接觸寬度D_C2(對應(yīng)的第二開口17h₂大小的)。另外，有源層14對應(yīng)第一開口17h₁和第二開口17h₂處的厚度小于溝道區(qū)A_CH的厚度。

如圖4所示，第一開口17h₁可與第二開口17h₂相同；亦即，第一接觸寬度D_C1可與第二接觸寬度D_C2相同。當(dāng)然，但本發(fā)明并不僅限于此，亦可變化兩側(cè)的開口寬度使其不相等。圖5繪示本發(fā)明第二實(shí)施例顯示面板的另一基板的剖面示意圖。類似前述第一實(shí)施例的圖3所示的態(tài)樣，第二實(shí)施例中，第一開口17h₁與第二開口17h₂不同；亦即，第一接觸寬度D_C1與第二接觸寬度不同D_C2。如圖5所示，第一開口17h₁小于第二開口17h₂，如此設(shè)計(jì)使柵極/像素電 極電容(Cg pixel)較大，柵極/漏極電容(Cgd)較小，而較小的柵極/漏極電容可使數(shù)據(jù)線電容(Cdata)下降。

如上述圖示的結(jié)構(gòu)與制程(例如提出底柵極五道掩模制程及制得結(jié)構(gòu))，是用以敘述本發(fā)明的部分實(shí)施例，而非用以限制本發(fā)明的范圍。其他不同結(jié)構(gòu)態(tài)樣的實(shí)施例，例如不同形態(tài)的開關(guān)如TFT和顯示面板、做為S/D電極的雙層透光導(dǎo)電材料層其邊界是否齊平或有段差等以符合制程需求、兩電極的第一透光導(dǎo)電材料層與有源層之間的接觸寬度、像素電極連接用的接觸孔洞的位置變化以符合連結(jié)所需、或是蝕刻阻擋層對應(yīng)電極處的開口位置和大小…等等，都是屬本發(fā)明的保護(hù)范圍。通常知識者當(dāng)知，應(yīng)用本發(fā)明的相關(guān)結(jié)構(gòu)和制程系視實(shí)際應(yīng)用的產(chǎn)品需求而可能有相應(yīng)的調(diào)整，但調(diào)整后仍可符合應(yīng)用產(chǎn)品的操作規(guī)格(例如晶體管的充電能力和電容負(fù)載仍符合一般應(yīng)用產(chǎn)品的需求)，而可維持顯示面板良好的電子特性。

根據(jù)上述，本發(fā)明提出的顯示面板的晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其導(dǎo)線例如金屬銅層系以透光導(dǎo)電材料覆蓋，例如金屬層16上下分別以第二透光導(dǎo)電材料層152和第一透光導(dǎo)電材料層151覆蓋，且第二透光導(dǎo)電材料層152更包覆了金屬層16的側(cè)面161、162，如此所制得的導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線DL(ex:IZO/Cu/IZO)可避免后續(xù)制程(例如于電極定義后沉積保護(hù)層前，使用N2O等離子對有源層14表面進(jìn)行處理)所造成的銅表面氧化。再者，于在各像素區(qū)域中第一電極E1(ex:源極電極)和第二電極E2(ex:漏極電極)僅由透光導(dǎo)電材料(ex:IZO)所組成(亦即有源層14上面沒有金屬材料如銅)，如此可避免銅擴(kuò)散至有源層14(半導(dǎo)體材料)而造成電子特性改變。再者，實(shí)施例所提出的基板制程步驟簡易不耗時(shí)，在制作上十分適合量產(chǎn)。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。