光檢測裝置本申請是申請日為2012年8月2日、申請?zhí)枮?01280051817.0、發(fā)明名稱為光檢測裝置的專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種光檢測裝置。

背景技術(shù)：
已知的有一種表面入射型的光電二極管陣列(半導體光檢測元件)，其具備以蓋革模式(Geigermode)動作的多個雪崩光電二極管(avalanchephotodiode)、以及相對于各雪崩光電二極管串聯(lián)連接的滅弧電阻(quenchingresistance)(例如，參照專利文獻1)。在該光電二極管陣列中，在形成有構(gòu)成各像素的雪崩光電二極管的半導體基板設(shè)置有滅弧電阻?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011-003739號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的問題在專利文獻1中記載的表面入射型的半導體光檢測元件中，滅弧電阻配置在半導體基板的光入射面(表面)側(cè)。因此，對應于配置滅弧電阻的空間，開口率不得不降低，開口率的提高存在極限。此外，在背面入射型的半導體光檢測元件中，滅弧電阻配置在半導體基板的與光入射面相對的面(背面)側(cè)。在背面入射型的半導體光檢測元件中，存在因像素數(shù)的增加等因素而導致各像素的尺寸小的情況。在該情況下，在工藝(Process)設(shè)計的制約上，有時不得不在各像素的區(qū)域(有源區(qū)域)外配置滅弧電阻。各雪崩光電二極管以蓋革模式動作時所形成的倍增區(qū)域位于有源區(qū)域內(nèi)。結(jié)果，對應于將滅弧電阻配置在有源區(qū)域外，開口率不得不降低。本發(fā)明的目的在于提供一種可以顯著提高開口率的光檢測裝置。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明是一種光檢測裝置，其具備：半導體光檢測元件，其具有包含相互相對的第一和第二主面的半導體基板；以及搭載基板，其與半導體光檢測元件相對配置并且具有與半導體基板的第二主面相對的第三主面；半導體光檢測元件包含以蓋革模式動作并且形成在半導體基板內(nèi)的多個雪崩光電二極管、以及相對于各雪崩光電二極管電連接并且配置在半導體基板的第二主面?zhèn)鹊牡谝浑姌O；搭載基板包含對應于每個第一電極而配置在第三主面?zhèn)鹊亩鄠€第二電極、以及相對于各第二電極電連接并且配置在第三主面?zhèn)鹊臏缁‰娐?；第一電極與對應于該第一電極的第二電極經(jīng)由凸點電極而連接。在本發(fā)明中，滅弧電路配置在搭載基板而非半導體光檢測元件的半導體基板。因此，在半導體基板中，不考慮配置滅弧電路的空間而形成各雪崩光電二極管。其結(jié)果，能夠顯著提高光檢測裝置(半導體光檢測元件)的開口率。在本發(fā)明中，可選地，各雪崩光電二極管具有：第一導電型的半導體基板；第二導電型的第一半導體區(qū)域，其形成在半導體基板的第一主面?zhèn)?；第二導電型的第二半導體區(qū)域，其形成在第一半導體區(qū)域內(nèi)且雜質(zhì)濃度比第一半導體區(qū)域高；以及第三電極，其配置在半導體基板的第一主面?zhèn)惹译娺B接于第二半導體區(qū)域；在半導體基板中，針對雪崩光電二極管而形成有從第一主面?zhèn)蓉炌ㄖ恋诙髅鎮(zhèn)葹橹骨覍牡谌姌O與第一電極電連接的貫通電極。在該情況下，在使用表面入射型的半導體光檢測元件的情況下，也能夠顯著提高開口率。另外，第三電極與第一電極經(jīng)由貫通電極而電連接，故經(jīng)由第三電極、貫通電極、第一電極、凸點電極、以及第二電極的從第二半導體區(qū)域至滅弧電路為止的配線距離比較較短。因此，配線所具有的電阻及電容的影響得到抑制，時間分辨率提高。在本發(fā)明中，可選地，各雪崩光電二極管具有：第一導電型的半導體基板；第二導電型的第一半導體區(qū)域，其形成在半導體基板的第二主面?zhèn)龋坏谝粚щ娦偷牡诙雽w區(qū)域，其與第一半導體區(qū)域構(gòu)成PN結(jié)且雜質(zhì)濃度比半導體基板高；第一半導體區(qū)域與第一電極電連接。在該情況下，在使用背面入射型的半導體光檢測元件的情況下，也能夠顯著提高開口率。另外，第一電極與第二電極經(jīng)由凸點電極而電連接，故從第一半導體區(qū)域至滅弧電路為止的配線距離極其短。因此，配線所具有的電阻及電容的影響明顯得到抑制，時間分辨率更進一步地提高。在本發(fā)明中，可選地，搭載基板還包含并聯(lián)連接有滅弧電路的共用電極。在該情況下，不延長配線距離便能夠并聯(lián)地連接各雪崩光電二極管(滅弧電路)。在本發(fā)明中，可選地，滅弧電路是無源滅弧電路或有源滅弧電路。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以顯著提高開口率的光檢測裝置。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的光檢測裝置的概略立體圖。圖2是用以說明本實施方式所涉及的光檢測裝置的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖3是半導體光檢測元件的概略平面圖。圖4是半導體光檢測元件的概略平面圖。圖5是搭載基板的概略平面圖。圖6是光檢測裝置的電路圖。圖7是用以說明本實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖8是半導體光檢測元件的概略平面圖。圖9是用以說明本實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖10是搭載基板的概略平面圖。符號的說明：1…光檢測裝置，1N,2N…半導體基板，1Na,1Nb,2Na,2Nb…主面，1PA…第一半導體區(qū)域，1PB…第二半導體區(qū)域，2PA…第一半導體區(qū)域，2PB…第二半導體區(qū)域，10A,10B…半導體光檢測元件，20…搭載基板，20a,20b…主面，APD…雪崩光電二極管，AQ…有源滅弧電路，BE…凸點電極，CE…共用電極，E1,E5,E7,E9,E11…電極，PDA1,PDA2…光電二極管陣列，R1…滅弧電阻，TE…貫通電極。具體實施方式以下，參照附圖，對于本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行詳細說明。再者，在說明中，對于相同要素或具有相同功能的要素使用相同符號，并省略重復的說明。參照圖1～圖6，對本實施方式所涉及的光檢測裝置1的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是表示本實施方式所涉及的光檢測裝置的概略立體圖。圖2是用以說明本實施方式所涉及的光檢測裝置的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖3及圖4是半導體光檢測元件的概略平面圖。圖5是搭載基板的概略平面圖。圖6是光檢測裝置的電路圖。如圖1及圖2所示，光檢測裝置1具備半導體光檢測元件10A、搭載基板20、以及玻璃基板30。搭載基板20與半導體光檢測元件10A相對而配置。玻璃基板30與半導體光檢測元件10A相對而配置。半導體光檢測元件10A配置在搭載基板20與玻璃基板30之間。半導體光檢測元件10A由表面入射型的光電二極管陣列PDA1構(gòu)成。光電二極管陣列PDA1是具有在俯視下呈矩形形狀的半導體基板1N。半導體基板1N包含相互相對的主面1Na和主面1Nb。半導體基板1N是由Si構(gòu)成的N型(第一導電型)的半導體基板。光電二極管陣列PDA1包含形成在半導體基板1N的多個雪崩光電二極管APD。一個雪崩光電二極管APD構(gòu)成光電二極管陣列PDA1中的一個像素。各雪崩光電二極管APD在分別與滅弧電阻R1串聯(lián)連接的狀態(tài)下全部并聯(lián)地連接，且從電源施加反向偏壓。來自雪崩光電二極管APD的輸出電流由后述的信號處理部SP檢測。各雪崩光電二極管APD具有P型(第二導電型)的第一半導體區(qū)域1PA、以及P型(第二導電型)的第二半導體區(qū)域1PB。第一半導體區(qū)域1PA形成在半導體基板1N的主面1Na側(cè)。第二半導體區(qū)域1PB形成在第一半導體區(qū)域1PA內(nèi)且雜質(zhì)濃度比第一半導體區(qū)域1PA高。第二半導體區(qū)域1PB的平面形狀例如為多邊形(在本實施方式中為八邊形)。第一半導體區(qū)域1PA的深度比第二半導體區(qū)域1PB深。半導體基板1N具有N型(第一導電型)的半導體區(qū)域1PC。半導體區(qū)域1PC形成在半導體基板1N的主面1Na側(cè)。半導體區(qū)域1PC防止形成在N型的半導體基板1N與P型的第一半導體區(qū)域1PA之間的PN結(jié)在后述的配置有貫通電極TE的貫通孔TH露出。半導體區(qū)域1PC形成在與貫通孔TH(貫通電極TE)對應的位置。雪崩光電二極管APD也如圖3所示具有配置在半導體基板1N的主面1Na側(cè)的電極E1。電極E1連接于第二半導體區(qū)域1PB。電極E1從主面1Na側(cè)看經(jīng)由絕緣層L1而配置在第二半導體區(qū)域1PB的外側(cè)的半導體基板1N上。在圖3中，為了構(gòu)造的明確化，省略了圖2所示的絕緣層L1的記載。第一半導體區(qū)域1PA經(jīng)由第二半導體區(qū)域1PB而電連接于電極E1。雪崩光電二極管APD也如圖4所示包含分別配置在半導體基板1N的主面1Nb側(cè)的、電連接于半導體基板1N的電極(省略圖示)、電極E5、以及連接于該電極E5的電極E7。電極E5從主面1Nb側(cè)看經(jīng)由絕緣層L2而配置在第二半導體區(qū)域1PB的外側(cè)的半導體基板1N上。電極E7從主面1Nb側(cè)看經(jīng)由絕緣層L2而配置在與第二半導體區(qū)域1PB重復的半導體基板1N上。即，電極E7配置在主面1Nb的與第二半導體區(qū)域1PB對應的區(qū)域上。在圖4中，為了構(gòu)造的明確化，而省略圖2所示的鈍化膜PF的記載。光電二極管陣列PDA1包含多個貫通電極TE。貫通電極TE針對各個雪崩光電二極管APD的每一個而設(shè)置。貫通電極TE從主面1Na側(cè)至主面1Nb側(cè)為止貫通半導體基板1N而形成。即，貫通電極TE配置在貫通半導體基板1N的貫通孔TH內(nèi)。絕緣層L2也形成在貫通孔TH內(nèi)。因此，貫通電極TE經(jīng)由絕緣層L2而配置在貫通孔TH內(nèi)。貫通電極TE的一端連接于電極E1，其另一端連接于電極E5。第二半導體區(qū)域1PB經(jīng)由電極E1、貫通電極TE、以及電極E5而電連接于電極E7。貫通電極TE在俯視下配置在雪崩光電二極管APD間的區(qū)域。在本實施方式中，雪崩光電二極管APD二維排列成在第一方向上有M行，在與第一方向正交的第二方向上有N列(M、N為自然數(shù))。貫通電極TE形成在被4個雪崩光電二極管APD包圍的區(qū)域。貫通電極TE針對每個雪崩光電二極管APD而設(shè)置，故二維排列成在第一方向上有M行，在第二方向上有N列。電極E1、E5、E7及貫通電極TE由鋁等金屬構(gòu)成。在半導體基板由Si構(gòu)成的情況下，作為電極材料，除鋁以外，也常常使用AuGe/Ni等。雖也取決于工藝設(shè)計，但電極E5、電極E7、以及貫通電極TE可一體地形成。作為電極E1、E5、E7及貫通電極TE的形成方法，可使用濺射法。作為使用Si的情況下的P型雜質(zhì)，使用B等3族元素，作為N型雜質(zhì)，使用N、P或As等5族元素。即便作為半導體的導電型的N型與P型相互置換而構(gòu)成元件，也能夠使該元件發(fā)揮功能。作為這些雜質(zhì)的添加方法，可使用擴散法或離子注入法。作為絕緣層L1、L2的材料，可使用SiO2或SiN。作為絕緣層L1、L2的形成方法，在絕緣層L1、L2由SiO2構(gòu)成的情況下，可使用熱氧化法或濺射法。搭載基板20具有相互相對的主面20a和主面20b。搭載基板20在俯視下呈矩形形狀。主面20a與半導體基板1N的主面1Nb相對。搭載基板20包含配置在主面20a側(cè)的多個電極E9。如圖2及圖5所示，電極E9對應于貫通電極TE而配置。具體而言，電極E9形成在主面20a的與電極E7相對的各區(qū)域上。如圖1及圖2所示，半導體基板1N的側(cè)面1Nc與搭載基板20的側(cè)面20c成為同一平面。即，在俯視下，半導體基板1N的外緣與搭載基板20的外緣一致。電極E7與電極E9通過凸點電極BE而連接。由此，貫通電極TE經(jīng)由電極E5、電極E7、以及凸點電極BE而電連接于電極E9。而且，第二半導體區(qū)域1PB經(jīng)由電極E1、貫通電極TE、電極E5、電極E7、以及凸點電極BE而電連接于電極E9。電極E9也與電極E1、E5、E7以及貫通電極TE同樣地由鋁等金屬構(gòu)成。作為電極材料，除鋁以外，也可使用AuGe/Ni等。凸點電極BE例如由焊料構(gòu)成。凸點電極BE經(jīng)由未圖示的UBM(UnderBumpMetal，凸點下金屬層)而形成在電極E7。UBM由與凸點電極BE電及物理連接優(yōu)異的材料構(gòu)成。UBM的形成方法可使用無電鍍法。凸點電極BE的形成方法可使用搭載焊球的辦法或印刷法。如圖5所示，搭載基板20分別包含多個滅弧電阻R1及信號處理部SP。搭載基板20構(gòu)成ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，專用集成電路)。在圖5中，為了構(gòu)造的明確化，省略了圖2所示的鈍化膜PF的記載。滅弧電阻R1配置在主面20a側(cè)。滅弧電阻R1其一端電連接于電極E9，其另一端連接于共用電極CE。滅弧電阻R1構(gòu)成無源滅弧電路。在共用電極CE，并聯(lián)地連接有滅弧電阻R1。信號處理部SP配置在主面20a側(cè)。信號處理部SP其輸入端電連接于電極E9，其輸出端連接于信號線TL。在信號處理部SP中，經(jīng)由電極E1、貫通電極TE、電極E5、電極E7、凸點電極BE、以及電極E9而輸入來自各雪崩光電二極管APD(半導體光檢測元件10A)的輸出信號。信號處理部SP處理來自各雪崩光電二極管APD的輸出信號。信號處理部SP包含將來自各雪崩光電二極管APD的輸出信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖的CMOS電路。在半導體基板1N的主面1Nb側(cè)及搭載基板20的主面20a側(cè)，配置有在與凸點電極BE對應的位置形成有開口的鈍化膜PF。鈍化膜PF例如由SiN構(gòu)成。作為鈍化膜PF的形成方法，可使用CVD(ChemicalVaporDeposition，化學氣相沉積)法。玻璃基板30具有相互相對的主面30a和主面30b。玻璃基板30在俯視下呈矩形形狀。主面30a與半導體基板1N的主面1Na相對。主面30b是平坦的。在本實施方式中，主面30a也是平坦的。玻璃基板30與半導體光檢測元件10A通過光學粘合劑OA而光學性地連接。玻璃基板30也可直接形成在半導體光檢測元件10A上。雖省略圖示，但在玻璃基板30的主面30b通過光學粘合劑而光學性地連接有閃爍器。來自閃爍器的閃爍光通過玻璃基板30而入射至半導體光檢測元件10A。半導體基板1N的側(cè)面1Nc與玻璃基板30的側(cè)面30c也如圖1所示成為同一平面。即，在俯視下，半導體基板1N的外緣與玻璃基板30的外緣一致。在光檢測裝置1(半導體光檢測元件10A)中，通過在N型的半導體基板1N與P型的第一半導體區(qū)域1PA之間構(gòu)成PN結(jié)，而形成有雪崩光電二極管APD。半導體基板1N電連接于形成在基板1N的背面的電極(省略圖示)，第一半導體區(qū)域1PA經(jīng)由第二半導體區(qū)域1PB而連接于電極E1。滅弧電阻R1相對于雪崩光電二極管APD串聯(lián)連接(參照圖6)。在光電二極管陣列PDA1中，使各個雪崩光電二極管APD以蓋革模式動作。在蓋革模式中，將比雪崩光電二極管APD的擊穿電壓更大的反向電壓(反向偏壓)施加于雪崩光電二極管APD的正極與負極之間。即，對正極施加(-)電位V1，對負極施加(+)電位V2。這些電位的極性相對，還能夠?qū)⑵渲幸粋€電位設(shè)為接地電位。正極為P型的第一半導體區(qū)域1PA，負極為N型的半導體基板1N。若光(光子)入射至雪崩光電二極管APD，則在基板內(nèi)部進行光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生光電子。在第一半導體區(qū)域1PA的PN結(jié)界面的附近區(qū)域，進行雪崩倍增，經(jīng)放大的電子群向形成在半導體基板1N的背面的電極流動。即，若光(光子)入射至半導體光檢測元件10A(光電二極管陣列PDA1)中的任一像素(雪崩光電二極管APD)，則被倍增并作為信號從電極E9被取出，并輸入至所對應的信號處理部SP。如以上所述，在本實施方式中，滅弧電阻R1配置在搭載基板20而非半導體光檢測元件10A的半導體基板1N。因此，在半導體基板1N中，不考慮配置滅弧電阻R1的空間而形成各雪崩光電二極管APD。結(jié)果，能夠顯著提高光檢測裝置1(半導體光檢測元件10A)的開口率。各個雪崩光電二極管APD具有半導體基板1N、第一半導體區(qū)域1PA、第二半導體區(qū)域1PB、以及電連接于第二半導體區(qū)域1PB的電極E1，在半導體基板1N中，針對每個雪崩光電二極管APD而形成有從主面1Na側(cè)貫通至主面1Nb側(cè)且將對應的電極E1與電極E5電連接的貫通電極TE。由此，即便在使用表面入射型的半導體光檢測元件10A的情況下，也能夠顯著提高開口率。另外，電極E1與電極E5經(jīng)由貫通電極TE而電連接，故經(jīng)由電極E1、貫通電極TE、電極E5、E7、凸點電極BE、以及電極E9的從第二半導體區(qū)域1PB至滅弧電阻R1為止的配線距離比較短。因此，在光檢測裝置1中，從第二半導體區(qū)域1PB至滅弧電阻R1為止的配線所具有的電阻及電容的影響得到抑制，時間分辨率提高。搭載基板20包含并聯(lián)地連接有滅弧電阻R1的共用電極CE。由此，不延長配線距離便能夠并聯(lián)地連接各雪崩光電二極管APD(滅弧電阻R1)。在本實施方式中，能夠通過與半導體光檢測元件10A相對配置的玻璃基板30來提高半導體基板1N的機械強度。尤其在半導體基板1N已薄化的情況下極其有效。接下來，參照圖7及圖8，說明對本實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置1的結(jié)構(gòu)。圖7是用以說明本實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖8是半導體光檢測元件的概略平面圖。如圖7及圖8所示，光檢測裝置1具備半導體光檢測元件10B、搭載基板20、以及玻璃基板30。搭載基板20與半導體光檢測元件10B相對配置。玻璃基板30與半導體光檢測元件10B相對配置。半導體光檢測元件10B配置在搭載基板20與玻璃基板30之間。半導體光檢測元件10B由背面入射型的光電二極管陣列PDA2構(gòu)成。光電二極管陣列PDA2具有在俯視下呈矩形形狀的半導體基板2N。半導體基板2N包含相互相對的主面2Na和主面2Nb。半導體基板2N是由Si構(gòu)成的P型(第一導電型)的半導體基板。半導體基板2N電連接于形成在基板2N的主面2Nb側(cè)的電極(省略圖示)。光電二極管陣列PDA2包含形成在半導體基板2N的多個雪崩光電二極管APD。一個雪崩光電二極管APD構(gòu)成光電二極管陣列PDA2中的一個像素。各雪崩光電二極管APD具有N型(第一導電型)的第一半導體區(qū)域2PA、以及P型(第二導電型)的第二半導體區(qū)域2PB。第一半導體區(qū)域2PA形成在半導體基板2N的主面2Nb側(cè)。第二半導體區(qū)域2PB與第一半導體區(qū)域2PA構(gòu)成PN結(jié)且雜質(zhì)濃度比半導體基板2N高。第一半導體區(qū)域2PA的平面形狀例如為多邊形(在本實施方式中為八邊形)。第一半導體區(qū)域2PA作為負極層而發(fā)揮功能，第二半導體區(qū)域2PB作為倍增層而發(fā)揮功能。在半導體基板2N的主面2Na側(cè)配置有累積層(accumulationlayer)及絕緣層(均未圖示)。累積層通過在半導體基板2N內(nèi)使P型雜質(zhì)以成為雜質(zhì)濃度比半導體基板2N高的方式從主面2Na側(cè)離子注入或擴散而形成。絕緣層形成在累積層上。作為絕緣層的材料，可使用SiO2或SiN。作為絕緣層的形成方法，在絕緣層由SiO2構(gòu)成的情況下，可使用熱氧化法或濺射法。雪崩光電二極管APD也如圖8所示具有配置在半導體基板2N的主面2Nb側(cè)的電極E11。電極E11連接于第一半導體區(qū)域2PA。電極E11從主面2Nb側(cè)看經(jīng)由絕緣層L4而配置在與第一半導體區(qū)域2PA對應的半導體基板2N上。在圖8中，為了構(gòu)造的明確化，而省略圖7所示的絕緣層L4及鈍化膜PF的記載。電極E11與電極E9通過凸點電極BE而連接。由此，第一半導體區(qū)域2PA經(jīng)由電極E11及凸點電極BE而電連接于電極E9。電極E11也與電極E9同樣地由鋁等金屬構(gòu)成。作為電極材料，除鋁以外，也可使用AuGe/Ni等。如以上所述，在本變形例中，滅弧電阻R1也配置在搭載基板20而非半導體光檢測元件10B的半導體基板2N。因此，在半導體基板2N中，不考慮配置滅弧電阻R1的空間而形成各雪崩光電二極管APD。其結(jié)果，能夠顯著提高光檢測裝置1(半導體光檢測元件10B)的開口率。各雪崩光電二極管APD具有半導體基板2N、第一半導體區(qū)域2PA、以及第二半導體區(qū)域2PB，第一半導體區(qū)域2PA與電極E9電連接。由此，即便在使用背面入射型的半導體光檢測元件10B的情況下，也能夠顯著提高開口率。另外，電極E11與電極E9經(jīng)由凸點電極BE而電連接，故從第一半導體區(qū)域2PA至滅弧電阻R1為止的配線距離極短。因此，從第一半導體區(qū)域2PA至滅弧電阻R1為止的配線所具有的電阻及電容的影響明顯得到抑制，時間分辨率更進一步地提高。在本變形例中，也能夠通過與半導體光檢測元件10B相對配置的玻璃基板30來提高半導體基板2N的機械強度。尤其在半導體基板2N已薄化的情況下極其有效。半導體基板2N如圖9所示，形成有多個雪崩光電二極管APD的區(qū)域從主面2Na側(cè)被薄化，并除去半導體基板2N的與形成有多個雪崩光電二極管APD的區(qū)域?qū)牟糠帧Ｔ诮?jīng)薄化的區(qū)域的周圍，半導體基板2N作為框部而存在。半導體基板2N的除去可通過蝕刻(例如干式蝕刻等)或研磨等來進行。在半導體基板2N的主面2Na側(cè)配置有累積層AC及絕緣層L5。累積層AC通過在半導體基板2N內(nèi)使P型的雜質(zhì)以成為雜質(zhì)濃度比半導體基板2N高的方式從主面2Na側(cè)離子注入或擴散而形成。絕緣層L5形成在累積層AC上。作為絕緣層L5的材料，可使用SiO2或SiN。作為絕緣層L5的形成方法，在絕緣層L5由SiO2構(gòu)成的情況下，可使用熱氧化法或濺射法。以上，就本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行了說明，但本發(fā)明不必限定于所述實施方式，可以不脫離其主旨的范圍內(nèi)進行各種變更。搭載基板20也可如圖10所示包含有源滅弧電路AQ來替代無源滅弧電路(滅弧電阻)。有源滅弧電路AQ也作為信號處理部SP而發(fā)揮功能，且包含CMOS電路。在各有源滅弧電路AQ中連接有共用電極CE及信號線TL。有源滅弧電路AQ將來自各雪崩光電二極管APD的輸出信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，并且利用已轉(zhuǎn)換的數(shù)字脈沖進行MOS的導通/斷開(ON/OFF)動作，并進行電壓的強制下降(drop)及重置動作。搭載基板20包含有源滅弧電路AQ，故可減少半導體光檢測元件10A、10B以蓋革模式動作時的電壓恢復時間。第一和第二半導體區(qū)域1PA、1PB、2PA、2PB的形狀并不限定于所述形狀，也可為其他形狀(例如圓形形狀等)。另外，形成在半導體基板1N、2N的雪崩光電二極管APD的數(shù)量(行數(shù)和列數(shù))或排列并不限定于所述者。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可利用于檢測微弱光的光檢測裝置。