技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體裝置,更具體地涉及一種包括鰭形圖案的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù):
作為用于增加半導(dǎo)體裝置的密度的縮放技術(shù)中的一種,已經(jīng)提出了一種周圍柵極(gate-all-around)結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中納米線形硅體形成在基底上,柵極形成為圍繞硅體。
因?yàn)橹車鷸艠O結(jié)構(gòu)使用三維溝道,所以容易實(shí)現(xiàn)縮放。另外,可以改善電流控制能力而不用增加?xùn)艠O的長(zhǎng)度。此外,可以有效地抑制溝道區(qū)域的電勢(shì)受漏電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明構(gòu)思提供了一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置通過(guò)增加?xùn)艠O絕緣層的厚度具有改善的操作性能。
本發(fā)明構(gòu)思的上述和其它目的將在下面的示例實(shí)施例中進(jìn)行描述,或者本發(fā)明構(gòu)思的上述或其它目的通過(guò)下面的示例實(shí)施例的描述而清楚。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面,提供了一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:第一鰭形圖案;場(chǎng)絕緣層,設(shè)置在第一鰭形圖案的附近,,并具有第一部分和第二部分,所述第一部分從第二部分突出;第一虛設(shè)柵極堆疊件,形成在場(chǎng)絕緣層的第一部分上,并包括具有第一厚度的第一虛設(shè)柵極絕緣層;第一柵極堆疊件,形成在場(chǎng)絕緣層的第二部分上,以與第一鰭形圖案相交,并包括具有與第一厚度不同的第二厚度的第一柵極絕緣層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一厚度是沿著場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面形成的第一虛設(shè)柵極絕緣層的厚度,第二厚度是沿著第一鰭形圖案的頂表面形成的第一柵極絕緣層的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一厚度比第二厚度大。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件還包括限定第一溝槽的第一虛設(shè)間隔件,第一柵極堆疊件還包括限定第二溝槽的第一間隔件,第一虛設(shè)柵極絕緣層包括形成在第一溝槽的底表面上的第一虛設(shè)界面層和沿著第一溝槽的側(cè)壁和底表面形成在第一虛設(shè)界面層上的第一虛設(shè)高k絕緣層,第一柵極絕緣層包括形成在第二溝槽的底表面上的界面層和沿著第二溝槽的側(cè)壁和底表面形成在界面層上的高k絕緣層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)界面層不沿著第一溝槽的側(cè)壁形成,界面層不沿著第二溝槽的側(cè)壁形成。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)界面層和界面層中的每個(gè)包括氧化硅。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,形成在第一溝槽的底表面上的第一虛設(shè)高k絕緣層的厚度與形成在第二溝槽的底表面上的高k絕緣層的厚度基本相同。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體裝置還可以包括形成在場(chǎng)絕緣層的第一部分上的第二虛設(shè)柵極堆疊件,所述第二虛設(shè)柵極堆疊件包括具有比第一厚度小的第三厚度的第二虛設(shè)柵極絕緣層和限定第一溝槽的第二虛設(shè)間隔件。第一鰭形圖案具有第一端和第二端,第一虛設(shè)柵極堆疊件設(shè)置為與第一鰭形圖案的第一端相鄰,第二虛設(shè)柵極堆疊件設(shè)置為與第一鰭形圖案的第二端相鄰。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一厚度和第三厚度是沿著場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面形成的第一虛設(shè)柵極絕緣層和第二虛設(shè)柵極絕緣層的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件包括限定第二溝槽的第一虛設(shè)間隔件,第一虛設(shè)柵極絕緣層包括形成在第二溝槽的底表面上的第一虛設(shè)界面層和在第一虛設(shè)界面層上沿著第二溝槽的側(cè)壁和底表面形成的第一虛設(shè)高k絕緣層,第二虛設(shè)柵極絕緣層包括形成在第一溝槽的底表面上的第二虛設(shè)界面層和在第二虛設(shè)界面層上沿著第一溝槽的側(cè)壁和底表面形成 的第二虛設(shè)高k絕緣層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)界面層不沿著第二溝槽的側(cè)壁形成,第二虛設(shè)界面層不沿著第一溝槽的側(cè)壁形成,第一虛設(shè)界面層的厚度比第二虛設(shè)界面層的厚度大。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件包括限定第二溝槽的第一虛設(shè)間隔件,第一虛設(shè)柵極絕緣層包括形成在第二溝槽的底表面上的第一虛設(shè)界面層和在第一虛設(shè)界面層上沿著第二溝槽的側(cè)壁和底表面形成的第一虛設(shè)高k絕緣層,第二虛設(shè)柵極絕緣層包括與場(chǎng)絕緣層的第一部分接觸并沿著第一溝槽的側(cè)壁和底表面形成的第二虛設(shè)高k絕緣層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體裝置還可以包括設(shè)置為沿縱向方向與第一鰭形圖案平行的第二鰭形圖案。場(chǎng)絕緣層設(shè)置為與第二鰭形圖案相鄰,場(chǎng)絕緣層的第一部分設(shè)置在第一鰭形圖案與第二鰭形圖案之間。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體裝置還可以包括形成在場(chǎng)絕緣層的第二部分上以與第二鰭形圖案相交的第二柵極堆疊件。第一虛設(shè)柵極堆疊件設(shè)置在第一柵極堆疊件與第二柵極堆疊件之間,第一虛設(shè)柵極堆疊件、第一柵極堆疊件和第二柵極堆疊件分別沿第一方向縱向地延伸,第一柵極堆疊件、第一虛設(shè)柵極堆疊件和第二柵極堆疊件沿與第一方向不同的第二方向順序地布置。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件包括虛設(shè)柵電極,第一柵極堆疊件包括柵電極,虛設(shè)柵電極的頂表面與柵電極的頂表面彼此平行,虛設(shè)柵電極具有比柵電極小的高度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面與第一鰭形圖案的頂表面彼此平行。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面比第一鰭形圖案的頂表面高。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一鰭形圖案具有長(zhǎng)邊和短邊,場(chǎng)絕緣層的第一部分與第一鰭形圖案的短邊接觸,場(chǎng)絕緣層的第二部分與第一鰭形圖案的長(zhǎng)邊接觸。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面,提供了一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:第一鰭形圖案,設(shè)置在基底的第一區(qū)域上;第二鰭形圖案,設(shè)置在基底的第二區(qū)域上;場(chǎng)絕緣層,設(shè)置在第一鰭形圖案和第二鰭形圖案的附近, 場(chǎng)絕緣層設(shè)置在第一區(qū)域上,具有第一部分和第二部分,第一部分的頂表面設(shè)置得比第二部分的頂表面高;虛設(shè)柵極堆疊件,包括虛設(shè)界面層和形成在虛設(shè)界面層上的虛設(shè)高k絕緣層,虛設(shè)柵極堆疊件位于在場(chǎng)絕緣層的第一部分上;第一柵極堆疊件,形成在場(chǎng)絕緣層的第二部分上,以與第一鰭形圖案相交,并包括第一界面層和形成在第一界面層上的第一高k絕緣層,所述第一界面層具有與虛設(shè)界面層的厚度不同的厚度;第二柵極堆疊件,形成在場(chǎng)絕緣層上,以與第二鰭形圖案相交,并包括第二界面層和形成在第二界面層上的第二高k絕緣層,所述第二界面層具有與第一界面層的厚度不同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第二界面層具有比第一界面層大的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,虛設(shè)界面層具有比第一界面層大的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,虛設(shè)高k絕緣層、第一高k絕緣層和第二高k絕緣層具有基本相同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一柵極堆疊件包括第一柵電極,第二柵極堆疊件包括第二柵電極,第一柵電極與第二柵電極具有不同的寬度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,虛設(shè)柵極堆疊件包括虛設(shè)柵電極,虛設(shè)柵電極與第一柵電極具有基本相同的寬度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一柵電極的頂表面與第二柵電極的頂表面平行,第一柵電極具有比第二柵電極大的高度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一鰭形圖案是硅鰭形圖案。所述半導(dǎo)體裝置還可以包括位于第一鰭形圖案與第一柵極堆疊件之間的硅鍺溝道層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,硅鍺溝道層形成在第一鰭形圖案的頂表面上。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第二界面層和虛設(shè)界面層通過(guò)同一制造工藝形成。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,虛設(shè)界面層、第一界面層和第二界面層中的每個(gè)包括氧化硅。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面,提供了一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:第一鰭形圖案,設(shè)置在基底的第一區(qū)域上;第二鰭形圖案,設(shè)置在基底的第二區(qū)域上并具有長(zhǎng)邊和短邊;場(chǎng)絕緣層,設(shè)置在第一鰭形圖案和第二鰭形圖案的附近,所述場(chǎng)絕緣層具有與第二鰭形圖案的短邊接觸的第一部分和與第二鰭形圖案的長(zhǎng)邊接觸的第二部分,第一部分從第二部分的頂表面突 出;虛設(shè)柵極堆疊件,設(shè)置在場(chǎng)絕緣層的第一部分上,并包括虛設(shè)界面層,虛設(shè)界面層包括氧化硅;第一柵極堆疊件,設(shè)置在場(chǎng)絕緣層上,包括第一界面層,與第一鰭形圖案相交,并具有與虛設(shè)柵極堆疊件不同的厚度,其中,第一界面層包括氧化硅,第一界面層與虛設(shè)界面層具有基本相同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一柵極堆疊件具有比虛設(shè)柵極堆疊件大的寬度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體裝置還可以包括形成在場(chǎng)絕緣層的第二部分上的第二柵極堆疊件,所述第二柵極堆疊件包括第二界面層并與第二鰭形圖案相交。第二界面層包括氧化硅,第二界面層與虛設(shè)界面層具有不同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第二界面層具有比虛設(shè)界面層小的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第二柵極堆疊件與虛設(shè)柵極堆疊件具有基本相同的寬度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,虛設(shè)柵極堆疊件的頂表面與第一柵極堆疊件的頂表面平行,虛設(shè)柵極堆疊件具有比第一柵極堆疊件大的高度。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面,提供了一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:鰭形圖案,包括第一端和第二端;場(chǎng)絕緣層,包括設(shè)置在鰭形圖案附近的第一部分和第二部分,第一部分具有設(shè)置得比第二部分的頂表面高的頂表面;第一虛設(shè)柵極堆疊件,設(shè)置在與第一端相鄰的場(chǎng)絕緣層的第一部分上,并包括第一虛設(shè)柵電極;第二虛設(shè)柵極堆疊件,設(shè)置在場(chǎng)絕緣層的與第二端相鄰的第一部分上,并包括第二虛設(shè)柵電極,第二虛設(shè)柵電極與第一虛設(shè)柵電極具有不同的高度;柵極堆疊件,設(shè)置在場(chǎng)絕緣層的第二部分上并與鰭形圖案相交。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件包括沿著場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面形成的第一虛設(shè)界面層和形成在第一虛設(shè)界面層上的第一虛設(shè)高k絕緣層,第二虛設(shè)柵極堆疊件包括沿著場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面形成的第二虛設(shè)界面層和形成在第二虛設(shè)界面層上的第二虛設(shè)高k絕緣層,第一虛設(shè)界面層與第二虛設(shè)界面層具有不同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)界面層與第一虛設(shè)柵電極之間的第一虛設(shè)高k絕緣層的厚度和位于第二虛設(shè)界面層與第二虛設(shè)柵電極之間的第二虛設(shè)高k絕緣層的厚度基本相同。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件包括沿著場(chǎng)絕緣層的第一部分的頂表面形成的第一虛設(shè)界面層和形成在第一虛設(shè)界面層上的第一虛設(shè)高k絕緣層,第二虛設(shè)柵極堆疊件包括與場(chǎng)絕緣層的第一部分接觸的第二虛設(shè)高k絕緣層。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第一虛設(shè)柵極堆疊件的頂表面、第二虛設(shè)柵極堆疊件的頂表面和第一柵極堆疊件的頂表面彼此平行。
本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例包括一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:第一鰭形圖案,位于基底的第一區(qū)域上;第二鰭形圖案,位于基底的第一區(qū)域上,第二鰭形圖案與第一鰭形圖案沿縱向方向平行;第三鰭形圖案,位于基底的第二區(qū)域上。這樣的實(shí)施例可以包括:場(chǎng)絕緣層,位于第一鰭形圖案的部分、第二鰭形圖案的部分和第三鰭形圖案的部分上,場(chǎng)絕緣層位于第一區(qū)域和第二區(qū)域上,具有第一部分和第二部分,第一部分從第二部分突出并包括比第二部分的頂表面高的頂表面;虛設(shè)柵極堆疊件,包括虛設(shè)界面層和虛設(shè)界面層上的虛設(shè)高k絕緣層,虛設(shè)柵極堆疊件位于場(chǎng)絕緣層的第一部分上;第一柵極堆疊件,位于場(chǎng)絕緣層的第二部分上以與第一鰭形圖案相交,并包括第一界面層和位于第一界面層上的第一高k絕緣層,第一界面層具有與虛設(shè)界面層的厚度不同的厚度;第二柵極堆疊件,位于場(chǎng)絕緣層上以與第三鰭形圖案相交,并包括第二界面層和形成在第二界面層上的第二高k絕緣層,第二界面層具有與第一界面層的厚度不同的厚度。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,第二界面層具有比第一界面層大的厚度,虛設(shè)界面層具有比第一界面層大的厚度。
一些實(shí)施例提供了第一柵極堆疊件包括第一柵電極,第二柵極堆疊件包括第二柵電極,第一柵電極與第二柵電極具有不同的寬度。在一些實(shí)施例中,虛設(shè)柵極堆疊件包括虛設(shè)柵電極,所述虛設(shè)柵電極包括與第一柵電極的寬度基本相同的寬度。
一些實(shí)施例提供了第一鰭形圖案是硅鰭形圖案,所述半導(dǎo)體裝置還包括位于第一鰭形圖案與第一柵極堆疊件之間的硅鍺溝道層,硅鍺溝道層形成在第一鰭形圖案的頂表面上。
在一些實(shí)施例中,虛設(shè)界面層、第一界面層和第二界面層中的每個(gè)包括氧化硅。
注意的是,對(duì)于一個(gè)實(shí)施例描述的本發(fā)明構(gòu)思方面也可以被包含在不同 的實(shí)施例中,雖然對(duì)于不同的實(shí)施例未進(jìn)行具體描述。即,所有實(shí)施例和/或任一實(shí)施例的特征可以以任何形式和/或組合進(jìn)行組合。在下面闡述的說(shuō)明書(shū)中詳細(xì)地解釋本發(fā)明構(gòu)思的這些和其它目的和/或特征。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例,本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚,在附圖中:
圖1和圖2是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局視圖和透視圖;
圖3是用于解釋圖1和圖2中示出的半導(dǎo)體裝置的鰭形圖案和場(chǎng)絕緣層的局部透視圖;
圖4是沿著圖1和圖2的線A-A截取的剖視圖;
圖5是沿著圖1和圖2的線B-B截取的剖視圖;
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的修改示例的視圖;
圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖;
圖8是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖;
圖9是沿著圖8的線C-C截取的剖視圖;
圖10是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖;
圖11和圖12是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局視圖和透視圖;
圖13是沿著圖11和圖12的線D-D和線E-E截取的剖視圖;
圖14是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖;
圖15是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的SoC系統(tǒng)的框圖;
圖16是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的電子系統(tǒng)的框圖;以及
圖17至圖19示出了可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例半導(dǎo)體系統(tǒng)。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明構(gòu)思,在附圖中示出了本 發(fā)明的示例實(shí)施例。然而,本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)實(shí)施,且不應(yīng)被解釋為限于在這里所闡述的實(shí)施例。相反,這些實(shí)施例被提供為使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的,并且將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中,相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在附圖中,為了清晰起見(jiàn),夸大了層和區(qū)域的厚度。
將理解的是,當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí),該元件或?qū)涌梢灾苯舆B接到或直接結(jié)合到另一元件或?qū)?,或者可以存在中間元件或中間層。相反,當(dāng)元件被稱為“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí),不存在中間元件或中間層。同樣的標(biāo)號(hào)始終表示同樣的元件。如在這里使用的,術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)中的一個(gè)或更多個(gè)的任意和全部組合。
還將理解的是,當(dāng)層被稱為“在”另一層或基底“上”時(shí),該層可以直接在所述另一層或基底上,或者也可以存在中間層。相反,當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí),不存在中間元件。
將理解的是,雖然在這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件,但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下,例如下面討論的第一元件、第一組件或第一區(qū)域可以命名為第二元件、第二組件或第二區(qū)域。
除非在這里另外指出或者明確地與上下文矛盾,否則在描述本發(fā)明的語(yǔ)境下(尤其在權(quán)利要求的語(yǔ)境下),術(shù)語(yǔ)“一個(gè)(種)”和“所述(該)”以及類似指示語(yǔ)的使用將被解釋為覆蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者。除非另外指明,否則術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”和“包含”將被解釋為開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)(即,意指“包括,但不限于”)。
除非另外定義,否則在這里使用的所有技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同的意思。注意的是,除非另外說(shuō)明,否則在這里提供的任意和全部示例或示例術(shù)語(yǔ)的使用僅意圖更好地說(shuō)明本發(fā)明,而不是本發(fā)明的范圍上的限制。此外,除非另外定義,否則不可以過(guò)度解釋在通用字典中定義的所有術(shù)語(yǔ)。
在下文中,將參照?qǐng)D1至圖5描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。
圖1和圖2是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局視圖和透視圖,圖3是用于解釋圖1和圖2中示出的半導(dǎo)體裝置的鰭形圖 案和場(chǎng)絕緣層的局部透視圖,圖4是沿著圖1和圖2的線A-A截取的剖視圖,圖5是沿著圖1和圖2的線B-B截取的剖視圖。
這里,圖1至圖3中示出的鰭形圖案包括形成在其上的源極/漏極。
另外,盡管在圖1至圖3中通過(guò)示例方式示出了鰭形圖案,但是也可以形成布線圖案來(lái)代替鰭形圖案。
參照?qǐng)D1至圖5,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1可以包括第一鰭形圖案110、第二鰭形圖案210、第一柵極堆疊件120、第二柵極堆疊件220和第一虛設(shè)柵極堆疊件150。
基底100可以是例如體硅或絕緣體上硅(SOI)。在一些實(shí)施例中,基底100可以是硅基底,或者由從例如鍺、硅鍺、銻化銦、碲化鉛化合物、砷化銦、磷化銦、砷化鎵和/或銻化鎵組成的組中選擇的其它材料組成的基底。另外,基底100可以是形成在基體基底上的外延層。
第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以從基底100突出。第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以沿第一方向X1縱向地延伸。
雖然示出了布置為沿縱向方向彼此平行的第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
因?yàn)榈谝祸捫螆D案110與第二鰭形圖案210沿著第一方向X1縱向地形成,所以它們可以分別具有沿第一方向X1延伸的長(zhǎng)邊和沿第二方向Y1延伸的短邊。
即使第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210具有圓角,但明顯的是,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以辨別長(zhǎng)邊與短邊。
第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以意指多柵極晶體管中使用的有源圖案。也就是說(shuō),第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案210中的每個(gè)可以通過(guò)沿著每個(gè)鰭的三個(gè)表面連接溝道來(lái)形成,或者溝道可以形成在每個(gè)鰭的兩個(gè)相對(duì)的表面上。
第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210中的每個(gè)可以是基底100的一部分和/或可以包括從基底100生長(zhǎng)的外延層。
第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以包括例如諸如硅或鍺的元素半導(dǎo)體材料。另外,第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以包括諸如IV-IV族化合物半導(dǎo)體或III-V族化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體。
詳細(xì)地,第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以包含IV-IV族化合 物半導(dǎo)體,所述IV-IV族化合物半導(dǎo)體包括例如包含兩種或更多種IV族元素(諸如碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和/或錫(Sn))的二元化合物或三元化合物或者通過(guò)將IV族元素?fù)诫s到所述二元化合物或三元化合物中制備的化合物。
第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以包含III-V族化合物半導(dǎo)體,所述III-V族化合物半導(dǎo)體包括例如通過(guò)將鋁(Al)、鎵(Ga)和/或銦(In)的至少一種III族元素與磷(P)、砷(As)和銻(Sb)的至少一種V族元素結(jié)合而制備的二元化合物、三元化合物或四元化合物。
在描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中,假設(shè)第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210是包括硅的硅鰭形圖案。
場(chǎng)絕緣層105可以形成在基底100上并可以設(shè)置在第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的附近。場(chǎng)絕緣層105可以形成為圍繞第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的部分。也就是說(shuō),第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210可以被場(chǎng)絕緣層105所限定。
詳細(xì)地,場(chǎng)絕緣層105可以具有有著不同高度的第一部分106和第二部分107。場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的高度可以是H0,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的高度可以是H0+H1。
也就是說(shuō),場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面可以突出到場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面的上方。在一些實(shí)施例中,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106可以從場(chǎng)絕緣層105的第二部分107突出。
另外,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面可以比第一鰭形圖案110的頂表面和第二鰭形圖案210的頂表面低。
如圖2和圖3中所示,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1中,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面可以比第一鰭形圖案110的頂表面和第二鰭形圖案210的頂表面高。
例如,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106可以形成為與第一鰭形圖案110的短邊和第二鰭形圖案210的短邊接觸。另外,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107可以形成為與第一鰭形圖案110的長(zhǎng)邊和第二鰭形圖案210的長(zhǎng)邊接觸。
場(chǎng)絕緣層105的第一部分106可以形成在第一虛設(shè)柵極堆疊件150的下面,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107可以形成在第一柵極堆疊件120和第二柵極堆疊件220的下面。
換句話說(shuō),場(chǎng)絕緣層105的第一部分106可以設(shè)置在彼此面對(duì)的第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案210之間。
場(chǎng)絕緣層105的第一部分106可以形成為沿第二方向Y1縱向地延伸,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107可以形成為沿第一方向X1縱向地延伸。
另外,圖3中示出了圍繞第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的端部的場(chǎng)絕緣層105,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
如圖3中所示,當(dāng)場(chǎng)絕緣層105形成為圍繞第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的端部時(shí),能夠防止將被設(shè)置在場(chǎng)絕緣層105的部分之間的第一虛設(shè)柵極堆疊件150的第一虛設(shè)柵電極160不對(duì)準(zhǔn)。
場(chǎng)絕緣層105可以包括例如氧化物層、氮化物層、氮氧化物層和/或其組合。
第一柵極堆疊件120可以沿第二方向Y1延伸,以與第一鰭形圖案110相交。第一柵極堆疊件120可以設(shè)置在第一鰭形圖案110和場(chǎng)絕緣層105上,更具體地,可以設(shè)置在場(chǎng)絕緣層105的第二部分107上。
第二柵極堆疊件220可以沿第二方向Y1延伸,以與第二鰭形圖案210相交。第二柵極堆疊件220可以設(shè)置在第二鰭形圖案210和場(chǎng)絕緣層105上,更具體地,可以設(shè)置在場(chǎng)絕緣層105的第二部分107上。第二柵極堆疊件220可以形成為與第一柵極堆疊件120平行。
第一虛設(shè)柵極堆疊件150可以沿第二方向Y1延伸然后設(shè)置在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106中的對(duì)應(yīng)的第一部分上。第一虛設(shè)柵極堆疊件150中的一個(gè)可以形成在場(chǎng)絕緣層105的對(duì)應(yīng)的第一部分106上。
因?yàn)橐粋€(gè)虛設(shè)柵極堆疊件而非兩個(gè)或更多個(gè)虛設(shè)柵極堆疊件形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上,所以可以減小布局尺寸。
第一柵極堆疊件120可以包括第一柵電極130、第一柵極絕緣層125和第一間隔件135。
第二柵極堆疊件220可以包括第二柵電極230、第二柵極絕緣層225和第二間隔件235。
第一虛設(shè)柵極堆疊件150可以包括第一虛設(shè)柵電極160、第一虛設(shè)柵極絕緣層155和第一虛設(shè)間隔件165。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1中,第一柵極堆疊件120的與第一鰭形圖案110相交的寬度w1可以與設(shè)置在場(chǎng)絕緣層105的第一部分 106上的柵極堆疊件150的寬度w2基本相等。
例如,第一柵電極130和第一虛設(shè)柵電極160可以具有基本相同的寬度。
第一柵電極130、第二柵電極230和第一虛設(shè)柵電極160可以分別形成為沿第二方向Y1延伸。
第一柵電極130可以包括金屬層MG1和MG2。如示出的,第一柵電極130可以包括彼此堆疊的兩層或更多層金屬層MG1和MG2。第一金屬層MG1控制逸出功而第二金屬層MG2可以填充由第一金屬層MG1形成的空間。第一金屬層MG1可以包括例如TiN、WN、TiAl、TiAlN、TaN、TiC、TaC、TaCN、TaSiN和/或其組合中的至少一種,但是本公開(kāi)的方面不限于此。另外,第二金屬層MG2可以包括例如W、Al、Cu、Co、Ti、Ta、多晶Si、SiGe和/或金屬合金,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
第一柵電極130可以通過(guò)例如替換工藝(replacement process)或后柵極工藝(gate last process)形成,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
與第一柵電極130類似,第二柵電極230可以包括第三金屬層MG3和第四金屬層MG4。第二柵電極230的描述可以與第一柵電極130的描述基本相同。
第一虛設(shè)柵電極160可以具有與第一柵電極130或第二柵電極230的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造。如示出的,第一虛設(shè)柵電極160可以包括彼此堆疊的兩層或更多層金屬層DGM1和DGM2。第一虛設(shè)金屬層DMG1控制逸出功而第二虛設(shè)金屬層DMG2可以填充由第一虛設(shè)金屬層DMG1形成的空間。第一虛設(shè)柵電極160和第一柵電極130可以包括基本相同的材料。
如上在圖2中所述,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106和場(chǎng)絕緣層105的第二部分107可以具有不同的高度。場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的高度可以是H0+H1,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的高度可以是H0。
場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面可以比第一柵電極130的底表面和第二柵電極230的底表面高。
第一柵電極130和第二柵電極230可以沿著場(chǎng)絕緣層105的第二部分107以及第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的頂表面和側(cè)壁形成。第一柵電極130和第二柵電極230中的每個(gè)的“底表面”可以意指第一柵電極130和第二柵電極230中的每個(gè)的基體的最底的部分。在圖2中,底表面可以是與場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面面對(duì)的表面。
換句話說(shuō),第一柵電極130和第二柵電極230中的每個(gè)具有與第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210中的每個(gè)的頂表面面對(duì)的第一表面和與第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的側(cè)壁面對(duì)的第二表面。
如圖2中所示,第一柵電極130和第二柵電極230的底表面可以形成為比第一表面低,并將連接到第二表面。
同時(shí),第一虛設(shè)柵電極160與第一柵電極130和第二柵電極230具有不同的高度。
第一虛設(shè)柵電極160的頂表面與第一柵電極130和第二柵電極230的頂表面可以彼此平行。例如,當(dāng)?shù)谝惶撛O(shè)柵電極160以及第一柵電極130和第二柵電極230被平坦化時(shí),第一虛設(shè)柵電極160的頂表面可以設(shè)置為與第一柵電極130和第二柵電極230的頂表面是共面的。
換句話說(shuō),第一虛設(shè)柵極堆疊件150的頂表面可以與第一柵極堆疊件120和第二柵極堆疊件220的頂表面平行。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1中,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面比第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210的頂表面高。另外,第一虛設(shè)柵電極160形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上,第一柵電極130和第二柵電極230形成在第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210上。
因此,在沿著圖1的線B-B截取的剖視圖中,第一虛設(shè)柵電極160的高度比第一柵電極130和第二柵電極230的高度小。
另外,在圖2中,第一柵極堆疊件120和第二柵極堆疊件220形成在場(chǎng)絕緣層105的第二部分107上,第一虛設(shè)柵極堆疊件150形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上。另外,因?yàn)閳?chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面在場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面的上方突出,所以第一虛設(shè)柵極堆疊件150的高度H4比第一柵極堆疊件120和第二柵極堆疊件220中的每個(gè)的高度H3小。
更詳細(xì)地,第一虛設(shè)柵極堆疊件150的第一虛設(shè)柵電極160的高度比第二柵極堆疊件220的第二柵電極230的高度小。
第一柵極絕緣層125可以形成在第一鰭形圖案110與第一柵電極130之間。第一柵極絕緣層125可以沿著在場(chǎng)絕緣層105(即,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107)的上方突出的第一鰭形圖案110的輪廓形成。另外,第一柵極絕緣層125可以設(shè)置在第一柵電極130與場(chǎng)絕緣層105的第二部分107之間。
第一柵極絕緣層125可以包括第一界面層126和第一高k絕緣層127。第一高k絕緣層127可以形成在第一界面層126上。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1中,第一界面層126和第一高k絕緣層127中的每個(gè)可以沿著在場(chǎng)絕緣層105的上方突出的第一鰭形圖案110的輪廓和場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面形成。
第二柵極絕緣層225可以形成在第二鰭形圖案210與第二柵電極230之間。第二柵極絕緣層225可以包括第二界面層226和第二高k絕緣層227。第二高k絕緣層227可以形成在第二界面層226上。
第二柵極絕緣層225的描述可以與第一柵極絕緣層125的描述基本相同。
第一界面層126和第二界面層226中的每個(gè)可以包括例如氧化硅。
第一高k絕緣層127和第二高k絕緣層227中的每個(gè)可以包括具有比氧化硅高的介電常數(shù)的高k材料。第一高k絕緣層127和第二高k絕緣層227中的每個(gè)可以包括例如從氧化鉿、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鑭鋁、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化釔、氧化鋁、氧化鉛鈧鉭和/或鈮鋅酸鉛組成的組中選擇的一種或更多種,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
第一虛設(shè)柵極絕緣層155可以形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106與第一虛設(shè)柵電極160之間。第一虛設(shè)柵極絕緣層155可以沿著場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面形成。
第一虛設(shè)柵極絕緣層155可以包括第一虛設(shè)界面層156和第一虛設(shè)高k絕緣層157。第一虛設(shè)高k絕緣層157可以形成在第一虛設(shè)界面層156上。
第一虛設(shè)界面層156可以包括例如氧化硅,第一虛設(shè)高k絕緣層157可以包括與第一高k絕緣層127基本相同的材料。
第一間隔件135可以設(shè)置在沿第二方向Y1延伸的第一柵電極130的側(cè)壁上。第一間隔件135可以限定沿第二方向Y1延伸的第一溝槽130t。
第二間隔件235可以設(shè)置在沿第二方向Y1延伸的第二柵電極230的側(cè)壁上。第二間隔件235可以限定沿第二方向Y1延伸的第二溝槽230t。
第一虛設(shè)間隔件165可以設(shè)置在沿第二方向Y1延伸的第一虛設(shè)柵電極160的側(cè)壁上。第一虛設(shè)間隔件165可以限定沿第二方向Y1延伸的第三溝槽160t。
第一間隔件135、第二間隔件235和第一虛設(shè)間隔件165中的每個(gè)可以 包括例如氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiO2)、碳氮氧化硅(SiOCN)和/或其組合中的至少一種。
第一界面層126可以形成在第一溝槽130t的底表面上,但可以不沿著第一溝槽130t的側(cè)壁形成。第一高k絕緣層127可以沿著第一溝槽130t的側(cè)壁和底表面形成。
第二界面層226可以形成在第二溝槽230t的底表面上,但可以不沿著第二溝槽230t的側(cè)壁形成。第二高k絕緣層227可以沿著第二溝槽230t的側(cè)壁和底表面形成。
第一虛設(shè)界面層156可以形成在第三溝槽160t的底表面上,但可以不沿著第三溝槽160t的側(cè)壁形成。第一虛設(shè)高k絕緣層157可以沿著第三溝槽230t的側(cè)壁和底表面形成。
第一源極/漏極140可以設(shè)置在第一柵電極130與場(chǎng)絕緣層105的第一部分106之間,并可以形成在第一鰭形圖案110上。第一源極/漏極140可以包括外延層。第一源極/漏極140可以是抬高的源極/漏極。
第一源極/漏極140可以與第一間隔件135和第一虛設(shè)間隔件165接觸。第一源極/漏極140的頂表面可以比第一間隔件135和第一虛設(shè)間隔件165的底表面的高度高。
第二源極/漏極240可以設(shè)置在第二柵電極230與場(chǎng)絕緣層105的第一部分106之間,并可以形成在第二鰭形圖案210上。第二源極/漏極240可以包括外延層。第二源極/漏極240可以是抬高的源極/漏極。
第二源極/漏極240可以與第二間隔件235和第一虛設(shè)間隔件165接觸。第二源極/漏極240的頂表面可以比第二間隔件235和第一虛設(shè)間隔件165的底表面的高度高。
第一源極/漏極140與第二源極/漏極240可以使場(chǎng)絕緣層105的第一部分106介于它們之間。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1是PMOS晶體管時(shí),第一源極/漏極140和第二源極/漏極240中的每個(gè)可以包括壓應(yīng)力材料。例如,壓應(yīng)力材料可以是具有比Si的晶格常數(shù)大的晶格常數(shù)的材料(例如,SiGe)。壓應(yīng)力材料可以通過(guò)向第一鰭形圖案110施加壓應(yīng)力來(lái)改善溝道區(qū)域的載流子遷移率。
同時(shí),當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1是NMOS晶體管 時(shí),第一源極/漏極140和第二源極/漏極240中的每個(gè)可以包括張應(yīng)力材料。例如,當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110和第二鰭形圖案210包括Si時(shí),第一源極/漏極140和第二源極/漏極240可以包括具有比Si小的晶格常數(shù)的材料(例如,SiC)。例如,張應(yīng)力材料可以通過(guò)向第一鰭形圖案110施加張應(yīng)力來(lái)改善溝道區(qū)域的載流子遷移率。
層間絕緣層180可以形成在第一源極/漏極140和第二源極/漏極240上。另外,層間絕緣層180可以形成為圍繞第一柵電極130、第二柵電極230和第一虛設(shè)柵電極160。
層間絕緣層180可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或低k材料中的至少一種。低k材料可以包括可流動(dòng)氧化物(FOX)、東燃硅氮烷(Tonen silazene,TOSZ)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯(PETEOS)、氟硅酸鹽玻璃(FSG)、摻碳氧化硅(CDO)、干凝膠、氣凝膠、非晶氟化碳、有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)、聚對(duì)二甲苯、苯并環(huán)丁烯(BCB)、SiLK、聚酰亞胺、多孔聚合物材料和/或其組合,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
同時(shí),參照?qǐng)D5,第一柵極絕緣層125可以具有形成在第一溝槽130t的底表面上的部分和形成在第一溝槽130t的側(cè)壁上的部分。另外,第一虛設(shè)柵極絕緣層155可以具有形成在第三溝槽160t的底表面上的部分和形成在第三溝槽160t的側(cè)壁上的部分。
第一柵極絕緣層125和第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度可以根據(jù)它們是基于形成在溝槽的底表面上的部分還是基于形成在溝槽的側(cè)壁上的部分測(cè)量的而變化。
將基于假設(shè)“絕緣層的厚度是基于形成在溝槽的底表面上的部分”作出本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的下面的描述。
也就是說(shuō),第一柵極絕緣層125的厚度意指形成在第一溝槽130t的底表面上的第一柵極絕緣層125的部分(即,沿著第一鰭形圖案110的頂表面形成的部分)的厚度。另外,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度意指形成在第三溝槽160t的底表面上的第一虛設(shè)柵極絕緣層155的部分(即,沿著場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面形成的部分)的厚度。
第一柵極絕緣層125的厚度可以是第一厚度t1,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度可以是第二厚度t2。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1 中,第一柵極絕緣層125的厚度t1可以與第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2不同。
例如,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以比第一柵極絕緣層125的厚度t1大。
更詳細(xì)地,第一柵極絕緣層125的厚度t1可以是第一界面層126的厚度t11與第一高k絕緣層127的厚度t12的和。另外,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以是第一虛設(shè)界面層156的厚度t21與第一虛設(shè)高k絕緣層157的厚度t22的和。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1中,第一界面層126的厚度t11可以與第一虛設(shè)界面層156的厚度t21不同。例如,第一虛設(shè)界面層156的厚度t21可以比第一界面層126的厚度t11大。
然而,第一高k絕緣層127的厚度t12可以與第一虛設(shè)高k絕緣層157的厚度t22基本相等。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的修改示例的視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖1至圖5中示出的半導(dǎo)體裝置與圖6中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D6,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1的修改示例的半導(dǎo)體裝置1a中,第一界面層126可以沿著在場(chǎng)絕緣層105(即,場(chǎng)絕緣層105的第二部分107)的上方突出的第一鰭形圖案110的輪廓來(lái)形成,但是可以不沿著場(chǎng)絕緣層105的第二部分107的頂表面來(lái)形成。
換句話說(shuō),第一界面層126可以不形成在第一柵電極130與場(chǎng)絕緣層105的第二部分107之間。
圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖1至圖5中示出的半導(dǎo)體裝置與圖7中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D7,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2中,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面可以與第一鰭形圖案110的頂表面和第二鰭形圖案210的頂表面平行。
第一虛設(shè)柵電極160形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上,第一柵電極130和第二柵電極230形成在第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案210上。
另外,場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面可以設(shè)置為與第一鰭形圖 案110和第二鰭形圖案210的頂表面是共面的。
然而,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以比第一柵極絕緣層125的厚度t1大。因此,在沿著圖1的線B-B截取的剖視圖中,第一虛設(shè)柵電極160的高度比第一柵電極130和第二柵電極230的高度小。
圖8是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖,圖9是沿著圖8的線C-C截取的剖視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖1至圖5中示出的半導(dǎo)體裝置與圖8中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D8和圖9,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3還可以包括第二虛設(shè)柵極堆疊件。
第一鰭形圖案110包括沿第一方向X1延伸的長(zhǎng)邊和沿第二方向Y1延伸的短邊。因此,第一鰭形圖案110可以包括具有沿第二方向Y1延伸的短邊的第一端110a和第二端110b。
因?yàn)閳?chǎng)絕緣層105的第一部分106形成為與第一鰭形圖案110的短邊接觸,所以第一鰭形圖案110的第一端110a和第一鰭形圖案110的第二端110b可以與場(chǎng)絕緣層105的第一部分106接觸。
換句話說(shuō),第一鰭形圖案110可以設(shè)置在沿第二方向Y1縱向地延伸的場(chǎng)絕緣層105的第一部分106之間。
第一虛設(shè)柵極堆疊件150可以設(shè)置在與第一鰭形圖案110的第一端110a相鄰的場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上。
第二虛設(shè)柵極堆疊件250可以設(shè)置在與第一鰭形圖案110的第二端110b相鄰的場(chǎng)絕緣層105的第一部分106上。第二虛設(shè)柵極堆疊件250可以沿第二方向Y1延伸。第二虛設(shè)柵極堆疊件250可以逐一形成在與場(chǎng)絕緣層105的第一部分106中的對(duì)應(yīng)的第一部分上。
第二虛設(shè)柵極堆疊件250可以包括第二虛設(shè)柵電極260、第二虛設(shè)柵極絕緣層255和第二虛設(shè)間隔件265。
第一柵極堆疊件120可以設(shè)置在第一虛設(shè)柵極堆疊件150與第二虛設(shè)柵極堆疊件250之間。
在圖8中示出了形成在第一虛設(shè)柵極堆疊件150與第二虛設(shè)柵極堆疊件250之間的一個(gè)第一柵極堆疊件120,提供其僅是為了便于解釋,但是本公開(kāi)的方面不限于此。也就是說(shuō),多個(gè)柵極堆疊件可以形成在第一虛設(shè)柵極堆疊件150與第二虛設(shè)柵極堆疊件250之間。
第二虛設(shè)柵電極260可以形成為沿著第二方向Y1延伸。第二虛設(shè)柵電極260可以具有與第一虛設(shè)柵電極160基本相同的構(gòu)造。
如示出的,第二虛設(shè)柵電極260可以包括彼此堆疊的兩層或更多層金屬層DMG3和DMG4。例如,第三虛設(shè)金屬層DMG3控制逸出功而第四虛設(shè)金屬層DMG4可以填充由第三虛設(shè)金屬層DMG3形成的空間。第二虛設(shè)柵電極260和第一柵電極130可以包括基本相同的材料。
第一虛設(shè)柵電極160的頂表面與第一柵電極130和第二虛設(shè)柵電極260的頂表面可以彼此平行。例如,當(dāng)?shù)谝惶撛O(shè)柵電極160、第一柵電極130和第二虛設(shè)柵電極260被平坦化時(shí),它們的頂表面可以被設(shè)置為是共面的。
換句話說(shuō),第一虛設(shè)柵極堆疊件150、第一柵極堆疊件120和第二虛設(shè)柵極堆疊件250的頂表面可以被設(shè)置為是共面的。
第二虛設(shè)柵極絕緣層255可以形成在場(chǎng)絕緣層105的第一部分106與第二虛設(shè)柵電極260之間。第二虛設(shè)柵極絕緣層255可以沿著場(chǎng)絕緣層105的第一部分106的頂表面來(lái)形成。
第二虛設(shè)柵極絕緣層255可以包括第二虛設(shè)界面層256和第二虛設(shè)高k絕緣層257。第二虛設(shè)高k絕緣層257可以形成在第二虛設(shè)界面層256上。
第二虛設(shè)界面層256可以包括例如氧化硅,第二虛設(shè)高k絕緣層257可以包括與第一高k絕緣層127基本相同的材料。
第二虛設(shè)間隔件265可以設(shè)置在沿第二方向Y1延伸的第二虛設(shè)柵電極260的側(cè)壁上。第二虛設(shè)間隔件265可以限定沿第二方向Y1延伸的第四溝槽260t。
第二虛設(shè)間隔件265可以包括與第一虛設(shè)間隔件165基本相同的材料。
第二虛設(shè)界面層256可以形成在第四溝槽260t的底表面上,但可以不沿著第四溝槽260t的側(cè)壁形成。第二虛設(shè)高k絕緣層257可以沿著第四溝槽260t的側(cè)壁和底表面形成。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3中,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以與第二虛設(shè)柵極絕緣層255的厚度t3不同。
例如,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以比第二虛設(shè)柵極絕緣層255的厚度t3大。
更詳細(xì)地,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以是第一虛設(shè)界面層156的厚度t21與第一虛設(shè)高k絕緣層157的厚度t22的和。另外,第二虛設(shè)柵極 絕緣層255的厚度t3可以是第二虛設(shè)界面層256的厚度t31與第二虛設(shè)高k絕緣層257的厚度t32的和。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置3中,第一虛設(shè)界面層156的厚度t21可以與第二虛設(shè)界面層256的厚度t31不同。例如,第一虛設(shè)界面層156的厚度t21可以比第二虛設(shè)界面層256的厚度t31大。
同時(shí),第二虛設(shè)高k絕緣層257的厚度t32可以與第一虛設(shè)高k絕緣層157的厚度t22基本相等。
第一虛設(shè)柵極堆疊件150和第二虛設(shè)柵極堆疊件250可以形成在場(chǎng)絕緣層105的對(duì)應(yīng)的第一部分106上。另外,第一虛設(shè)柵極堆疊件150的頂表面和第二虛設(shè)柵極堆疊件250的頂表面可以彼此平行。
因?yàn)榈谝惶撛O(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以比第二虛設(shè)柵極絕緣層255的厚度t3大,所以第一虛設(shè)柵電極160的高度h41可以比第二虛設(shè)柵電極260的高度h42小。
圖10是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖8和圖9中示出的半導(dǎo)體裝置與圖10中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D10,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置4中,第二虛設(shè)柵極絕緣層255可以包括第二虛設(shè)高k絕緣層257,但可以不包括第二虛設(shè)界面層256。
換句話說(shuō),沿著第四溝槽260t的底表面和側(cè)壁形成的第二虛設(shè)高k絕緣層257可以與場(chǎng)絕緣層105的第一部分106接觸。
圖11和圖12是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局視圖和透視圖,圖13是沿著圖11和圖12的線D-D和線E-E截取的剖視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖1至圖5中示出的半導(dǎo)體裝置與圖11和圖12中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D11至圖13,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5可以包括第一鰭形圖案110、第二鰭形圖案210、第三鰭形圖案310、第一柵極堆疊件120、第三柵極堆疊件320和第一虛設(shè)柵極堆疊件150。
基底100可以包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II。第一區(qū)域I和第二區(qū)域II可以是彼此分離的區(qū)域或彼此連接的區(qū)域。
例如,基底100的第一區(qū)域I可以是形成需要高速運(yùn)行的晶體管的區(qū)域, 基底100的第二區(qū)域II可以是形成需要高功率水平的晶體管的區(qū)域。
第一鰭形圖案110、第二鰭形圖案210、第一虛設(shè)柵極堆疊件150和第一柵極堆疊件120可以形成在基底100的第一區(qū)域I上。
因?yàn)榈谝祸捫螆D案110、第二鰭形圖案210、第一虛設(shè)柵極堆疊件150和第一柵極堆疊件120的描述與參照?qǐng)D1至圖5上面描述的基本相同,所以將不會(huì)給出其重復(fù)的描述。
另外,因?yàn)樾纬稍诨?00的第一區(qū)域I上的場(chǎng)絕緣層105的描述與參照?qǐng)D1至圖5上面描述的基本相同,所以將不會(huì)給出其重復(fù)的描述。
第三鰭形圖案310可以從基底100突出。第三鰭形圖案310可以沿第三方向X2延伸。
第三鰭形圖案310可以是基底100的一部分,和/或可以包括生長(zhǎng)自基底100的外延層。
第三鰭形圖案310可以包括例如諸如硅和/或鍺的元素半導(dǎo)體。另外,第三鰭形圖案310可以包括例如IV-IV族化合物半導(dǎo)體或III-V族化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體。
詳細(xì)地,第三鰭形圖案310可以包括例如諸如包括碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和/或錫(Sn)中的至少兩種元素的二元化合物或三元化合物的IV-IV族化合物半導(dǎo)體和/或摻雜有IV族元素的化合物。
另外,第三鰭形圖案310可以包括例如III-V族化合物半導(dǎo)體,所述III-V族化合物半導(dǎo)體為諸如通過(guò)將鋁(Al)、鎵(Ga)和/或銦(In)的至少一種III族元素與磷(P)、砷(As)和/或銻(Sb)的至少一種V族元素結(jié)合而制備的二元化合物、三元化合物或四元化合物。
將針對(duì)包括硅(Si)的硅鰭形圖案來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。
場(chǎng)絕緣層105可以設(shè)置在第三鰭形圖案310的附近。場(chǎng)絕緣層105可以形成為圍繞第三鰭形圖案310的一部分。第三鰭形圖案310可以在場(chǎng)絕緣層105的頂表面上方突出。
第三柵極堆疊件320可以沿第四方向Y2延伸,以與第三鰭形圖案310相交。第三柵極堆疊件320可以設(shè)置在第三鰭形圖案310和場(chǎng)絕緣層105上。
第三柵極堆疊件320可以包括第三柵電極330、第三柵極絕緣層325和第三間隔件335。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5中,第三柵極堆疊件320的寬度w3可以與第一柵極堆疊件120的寬度w1和第一虛設(shè)柵極堆疊件150的寬度w2不同。另外,第一柵極堆疊件120的寬度w1可以與第一虛設(shè)柵極堆疊件150的寬度w2基本相等。
例如,第三柵極堆疊件320的寬度w3可以比第一柵極堆疊件120的寬度w1和第一虛設(shè)柵極堆疊件150的寬度w2大。另一方面,第三柵電極330的寬度可以比第一柵電極130的寬度和第一虛設(shè)柵電極160的寬度大。
第三柵電極330可以沿第四方向Y2延伸。第三柵電極330可以包括金屬層MG5和MG6。如示出的,第三柵電極330可以包括彼此堆疊的兩層或更多層金屬層MG5和MG6。第五金屬層MG5控制逸出功而第六金屬層MG6可以填充第五金屬層MG5形成的空間。第五金屬層MG5可以包括例如TiN、WN、TiAl、TiAlN、TaN、TiC、TaC、TaCN、TaSiN和/或其組合中的至少一種,但是本公開(kāi)的方面不限于此。另外,第六金屬層MG6可以包括例如W、Al、Cu、Co、Ti、Ta、多晶Si、SiGe和/或金屬合金,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
第三柵電極330可以通過(guò)例如替換工藝或后柵極工藝來(lái)形成,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
在圖11中,第三柵極堆疊件320形成在與形成在基底100的第一區(qū)域I中的場(chǎng)絕緣層105的第二部分107對(duì)應(yīng)的場(chǎng)絕緣層105上。因此,如果第一虛設(shè)柵極堆疊件150的頂表面與第三柵極堆疊件320的頂表面彼此平行,那么第一虛設(shè)柵極堆疊件150的高度H4可以比第三柵極堆疊件320的高度H5小。
更詳細(xì)地,第一虛設(shè)柵極堆疊件150的第一虛設(shè)柵電極160的高度比第三柵極堆疊件320的第三柵電極330的高度小。
第三柵極絕緣層325可以包括第三界面層326和第三高k絕緣層327。第三高k絕緣層327可以形成在第三界面層326上。與在圖4中類似,第三界面層326和第三高k絕緣層327可以沿著在場(chǎng)絕緣層105的上方突出的第三鰭形圖案310的輪廓和場(chǎng)絕緣層105的頂表面形成。
第三界面層326可以包括例如氧化硅。第三高k絕緣層327可以包括具有比氧化硅高的介電常數(shù)的高k材料。第三高k絕緣層327可以包括例如從氧化鉿、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鑭鋁、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鉭、氧化 鈦、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化釔、氧化鋁、氧化鉛鈧鉭和/或鈮鋅酸鉛組成的組中選擇的一種或更多種,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
第三間隔件335可以設(shè)置在沿第四方向Y2延伸的第三柵電極330的側(cè)壁上。第三間隔件335可以限定沿第四方向Y2延伸的第五溝槽330t。
第三界面層326可以形成在第五溝槽330t的底表面上,但可以不沿著第五溝槽330t的側(cè)壁形成。第三高k絕緣層327可以沿著第五溝槽330t的側(cè)壁和底表面形成。
第三源極/漏極340可以設(shè)置在第三柵電極330的相對(duì)側(cè)處,并可以形成在第三鰭形圖案310上。第三源極/漏極340可以包括外延層。第三源極/漏極340可以是抬高的源極/漏極。
第一柵極絕緣層125的厚度可以是第一厚度t1,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度可以是第二厚度t2,第三柵極絕緣層325的厚度可以是第四厚度t4。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5中,第一柵極絕緣層125的厚度t1可以與第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2和第三柵極絕緣層325的厚度t4不同。
例如,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2和第三柵極絕緣層325的厚度t4可以比第一柵極絕緣層125的厚度t1大。
更詳細(xì)地,第一柵極絕緣層125的厚度t1可以是第一界面層126的厚度t11與第一高k絕緣層127的厚度t12的和,第一虛設(shè)柵極絕緣層155的厚度t2可以是第一虛設(shè)界面層156的厚度t21與第一虛設(shè)高k絕緣層157的厚度t22的和。另外,第三柵極絕緣層325的厚度t4可以是第三界面層326的厚度t41與第三高k絕緣層327的厚度t42的和。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5中,第一界面層126的厚度t11可以與第一虛設(shè)界面層156的厚度t21和第三界面層326的厚度t41不同。例如,第一虛設(shè)界面層156的厚度t21和第三界面層326的厚度t41可以比第一界面層126的厚度t11大。
另外,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置5中,第一虛設(shè)界面層156的厚度t21可以與第三界面層326的厚度t41基本相等。因?yàn)榈谝惶撛O(shè)界面層156和第三界面層326通過(guò)同一制造工藝形成,所以第一虛設(shè)界面層156的厚度t21與第三界面層326的厚度t41可以基本彼此相等。
同時(shí),第一高k絕緣層127的厚度t12可以與第一虛設(shè)高k絕緣層157 的厚度t22和第三高k絕緣層327的厚度t42基本相等,但是本公開(kāi)的方面不限于此。
第一柵極絕緣層125的厚度t1可以比第三柵極絕緣層325的厚度t4小。因此,如果第一柵極堆疊件120的頂表面與第三柵極堆疊件320的頂表面彼此平行,那么第一柵電極130的高度可以比第三柵電極330的高度大第五厚度t5。
圖14是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的視圖。為了便于解釋,下面的描述將集中在圖11至圖13中示出的半導(dǎo)體裝置與圖14中示出的半導(dǎo)體裝置之間的區(qū)別上。
參照?qǐng)D14,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置6還可以包括形成在第一鰭形圖案110與第一柵極堆疊件120之間的溝道層115。
詳細(xì)地,溝道層115可以形成在第一鰭形圖案110與第一柵極絕緣層125之間。例如,溝道層115可以形成在第一鰭形圖案110的頂表面上。
溝道層115可以包括與第一鰭形圖案110不同的材料。例如,當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110是硅鰭形圖案時(shí),溝道層115可以包括具有比硅大的晶格常數(shù)的材料,例如,SiGe。換句話說(shuō),溝道層115可以是硅鍺溝道層。
圖15是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的SoC系統(tǒng)的框圖。
參照?qǐng)D15,SoC系統(tǒng)1000可以包括應(yīng)用處理器1001和DRAM 1060。
應(yīng)用處理器1001可以包括中央處理單元(CPU)1010、多媒體系統(tǒng)1020、多級(jí)互連總線1030、存儲(chǔ)器系統(tǒng)1040和外圍電路1050。
CPU 1010可以執(zhí)行對(duì)于操作SoC系統(tǒng)1000所必需的算法操作。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,CPU 1010可以在包括多個(gè)核心的多核環(huán)境下配置。
多媒體系統(tǒng)1020可以在執(zhí)行SoC系統(tǒng)1000中的各種多媒體功能中被使用。多媒體系統(tǒng)1020可以包括3D引擎模塊、視頻編解碼器、顯示系統(tǒng)、照相機(jī)系統(tǒng)和后處理器。
多級(jí)互連總線1030可以在CPU 1010、多媒體系統(tǒng)1020、存儲(chǔ)器系統(tǒng)1040和外圍電路1050中執(zhí)行數(shù)據(jù)通信中使用。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,多級(jí)互連總線1030可以具有多層結(jié)構(gòu)。詳細(xì)地,總線1030的示例可以包括多層高級(jí)高性能總線(AHB)或多層高級(jí)可擴(kuò)展接口(AXI),但是本公開(kāi)的方面不限于此。
存儲(chǔ)器系統(tǒng)1040可以通過(guò)將應(yīng)用處理器1001連接到外部存儲(chǔ)器(例如,DRAM 1060)來(lái)提供用于高速運(yùn)行的環(huán)境。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,存儲(chǔ)器系統(tǒng)1040可以包括用于控制外部存儲(chǔ)器(例如,DRAM 1060)的單獨(dú)控制器(例如,DRAM控制器)。
外圍電路1050可以提供用于將SoC系統(tǒng)1000順暢地連接到外部裝置(例如,主板)的環(huán)境。因此,外圍電路1050可以包括使連接到SoC系統(tǒng)1000的外部裝置能被兼容地使用的各種接口。
DRAM 1060可以用作操作應(yīng)用處理器1001所需要的工作存儲(chǔ)器。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,如示出的,DRAM 1060可以設(shè)置在應(yīng)用處理器1001的外面。詳細(xì)地,DRAM 1060可以與應(yīng)用處理器1001以層疊封裝(PoP)的形式來(lái)封裝。
SoC系統(tǒng)1000的組件中的至少一個(gè)可以采用前述的根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1至6中的一個(gè)。
圖16是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)的框圖。
參照?qǐng)D16,電子系統(tǒng)1100可以包括控制器1110、輸入/輸出裝置(I/O)1120、存儲(chǔ)器裝置1130、接口1140和總線1150??刂破?110、I/O 1120、存儲(chǔ)器裝置1130和/或接口1140可以通過(guò)總線1150連接到彼此??偩€1150與數(shù)據(jù)通過(guò)其移動(dòng)的路徑對(duì)應(yīng)。
控制器1110可以包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器和/或能夠起與這些元件的功能相似的功能的邏輯元件中的至少一個(gè)。I/O 1120可以包括小鍵盤、鍵盤、顯示裝置等。存儲(chǔ)器裝置1130可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或命令。接口1140可以執(zhí)行將數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵ㄐ啪W(wǎng)絡(luò)或者從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)的功能。接口1140可以是有線的或無(wú)線的。例如,接口1140可以包括天線或有線/無(wú)線收發(fā)器等。
雖然未示出,但是電子系統(tǒng)1100還可以包括作為用于改善控制器1110的操作的工作存儲(chǔ)器的高速DRAM和/或SRAM。
另外,前述的根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可以設(shè)置在存儲(chǔ)器器裝置1130中,或者可以設(shè)置在控制器1110或I/O 1120的一些組件中。
電子系統(tǒng)1100可以被應(yīng)用于個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂(lè)播放器、存儲(chǔ)卡或者能夠在無(wú) 線環(huán)境中發(fā)送和/或接收信息的任何類型的電子裝置。
圖17至圖19示出了可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例半導(dǎo)體系統(tǒng)。
圖17示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置被應(yīng)用到平板電腦1200的示例,圖18示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置被應(yīng)用到筆記本電腦1300的示例,圖19示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置被應(yīng)用到智能手機(jī)1400的示例。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的至少一個(gè)可以服務(wù)于平板電腦1200、筆記本電腦1300、智能手機(jī)1400等。
另外,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1至6還可以被應(yīng)用到未在這里示出的其它IC裝置。
也就是說(shuō),在上述實(shí)施例中,僅平板電腦1200、筆記本電腦1300和智能手機(jī)1400已經(jīng)被例證為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體系統(tǒng),但是本公開(kāi)的方面不限于此。
在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中,半導(dǎo)體系統(tǒng)可以被實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)、超級(jí)移動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī)(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、電子書(shū)、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲控制器、導(dǎo)航裝置、黑匣子、數(shù)碼相機(jī)、三維(3D)電視、數(shù)字錄音器、數(shù)字聲音播放器、數(shù)字圖片記錄器、數(shù)字圖像播放器、數(shù)字視頻錄像機(jī)、數(shù)字視頻播放器等。
雖然已經(jīng)參照其示例實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思,但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是,在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下,可以在其中做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種變化。因此期望的是,本實(shí)施例在各個(gè)方面作為示意性的而非限制性的來(lái)考慮,參考權(quán)利要求而非前述具體實(shí)施方式來(lái)表明本發(fā)明的范圍。