本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體封裝組件(semiconductor package assembly)，特別有關(guān)于三維(three-dimension,3D)半導(dǎo)體封裝組件及其制造方法。

背景技術(shù)：

為達到電子產(chǎn)品的小型化與多功能性的要求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了連續(xù)且快速地成長。已將集成密度(integration density)提高，使得更多晶片(die)或晶粒(chip)可整合于半導(dǎo)體封裝內(nèi)，如二維(2D)半導(dǎo)體封裝。然而，二維半導(dǎo)體封裝有物理限制，例如當(dāng)多于兩個具有各種功能的晶片放入二維半導(dǎo)體裝置中，會變得難以發(fā)展必要的更復(fù)雜的設(shè)計及布局。

雖然已發(fā)展出且廣泛使用三維(3D)集成電路及堆疊晶片，然而整合于傳統(tǒng)的三維半導(dǎo)體封裝內(nèi)的晶片被限制為相同尺寸。再者，三維半導(dǎo)體封裝技術(shù)也遭遇各種可能導(dǎo)致制造良率下降的問題。

因此，需要發(fā)展可以減緩或消除上述問題的半導(dǎo)體封裝組件及其制造方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件包含第一半導(dǎo)體封裝。第一半導(dǎo)體封裝包含第一半導(dǎo)體晶片，第一重布層結(jié)構(gòu)與第一半導(dǎo)體晶片耦接。半導(dǎo)體封裝組件也包含第二半導(dǎo)體封裝與第一半導(dǎo)體封裝接合。第二半導(dǎo)體封裝包含第二半導(dǎo)體晶片，第二半導(dǎo)體晶片的主動面朝向第一半導(dǎo)體晶片的主動 面，第二重布層結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體晶片耦接，第一重布層結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體晶片與第二重布層結(jié)構(gòu)之間。

本發(fā)明的另一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件包含第一封裝。第一封裝包含第一元件，第一重布層結(jié)構(gòu)與第一元件耦接。半導(dǎo)體封裝組件也包含第二封裝與第一封裝接合，第二封裝包含第二元件，第二重布層結(jié)構(gòu)與第二元件耦接，第一重布層結(jié)構(gòu)位于第一元件與第二重布層結(jié)構(gòu)之間。

本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件的制造方法包含形成第一半導(dǎo)體封裝。第一半導(dǎo)體封裝包含第一半導(dǎo)體晶片，第一重布層結(jié)構(gòu)與第一半導(dǎo)體晶片耦接。半導(dǎo)體封裝組件的制造方法也包含形成第二半導(dǎo)體封裝，第二半導(dǎo)體封裝包含第二半導(dǎo)體晶片，第二半導(dǎo)體晶片的主動面朝向第一半導(dǎo)體晶片的主動面，第二重布層結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體晶片耦接。半導(dǎo)體封裝組件的制造方法更包含將第二半導(dǎo)體封裝接合至第一半導(dǎo)體封裝，第一重布層結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體晶片與第二重布層結(jié)構(gòu)之間。

上述半導(dǎo)體封裝組件及其制造方法使得利用半導(dǎo)體封裝組件制作出的電子產(chǎn)品的尺寸可縮減。

為了對本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

【附圖說明】

圖1A至1C為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。

圖2A至2C為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。

圖3A至3E為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件的剖面示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件的剖面示意圖。

【具體實施方式】

以下的揭露內(nèi)容提供許多不同的實施例或范例以及圖式，然而，這些僅是用以說明本發(fā)明的原理，且并非用以限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍以權(quán)利要求書決定。附圖的描述僅用于理解本發(fā)明，并非用于限制本發(fā)明。為了說明的目的，在附圖中的一些元件的尺寸可能會放大且并未依照實際比例來繪制。附圖中的尺寸和相對尺寸可能不對應(yīng)于本發(fā)明實際應(yīng)用中的真實尺寸。

本發(fā)明的實施例提供三維(3D)系統(tǒng)級封裝(system-in-package,SIP)半導(dǎo)體封裝組件。半導(dǎo)體封裝組件是整合多于兩個元件或晶片，使得利用半導(dǎo)體封裝組件制作出的電子產(chǎn)品的尺寸可縮減，這些元件或晶片是分別被制造且接續(xù)被整合于半導(dǎo)體封裝組件內(nèi)，因此元件或晶片的尺寸及/或功能并不受限為相同的，半導(dǎo)體封裝組件的設(shè)計彈性大幅地提升。再者，預(yù)先測試這些元件或晶片，以確保半導(dǎo)體封裝組件僅包含良好的元件或晶片，由于多個缺陷的元件或晶片而造成良率損失的問題顯著地減少或消除，因此，降低了半導(dǎo)體封裝組件的制造成本。

圖1A至1C為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。在圖1A至1C描述的各階段之前、期間及/或之后，可提供一些額外的操作步驟。描述的一些階段可依據(jù)不同實施例被代替或省略，額外的特征部件可加入半導(dǎo)體封裝中。以下描述的一些特征部件可依據(jù) 不同實施例被代替或省略。

如圖1A所示，提供第一承載基底(carrier substrate)100A。在一些實施例中，第一承載基底100A為晶圓(wafer)或板材(panel)，第一承載基底100A可包含玻璃或其他適合的支撐材料。

如圖1A所示，多個第一元件110A接合(bonded)至第一承載基底100A之上。根據(jù)本發(fā)明一些實施例，第一元件110A為已知良好(known-good)的元件，換句話說，沒有缺陷的元件接合至第一承載基底100A之上。在一些實施例中，第一元件110A和第一承載基底100A通過粘著層(adhesive layer)(例如膠(glue)或其他適合的粘著材料)貼附在一起。

在一些實施例中，第一元件110A為主動元件且可被稱為第一半導(dǎo)體晶片(或晶粒)110A，第一半導(dǎo)體晶片110A可包含電晶體或其他適合的主動元件，例如第一半導(dǎo)體晶片110A可為邏輯晶片(logic die)，其包含中央處理單元(central processing unit,CPU)、圖像處理單元(graphics processing unit,GPU)、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory,DRAM)控制器或者其任意組合。在一些其他實施例中，第一元件110A為被動元件，例如整合被動元件(integrated passive device,IPD)，第一元件110A可包含多個電容、電阻、電感、變?nèi)荻O體或其他適合的被動元件。

如圖1B所示，第一模塑料(molding compound)120A形成于第一承載基底100A之上，第一模塑料120A圍繞第一元件110A的多個側(cè)壁(sidewall)，而未覆蓋第一元件110A的頂表面和底表面。

在一些實施例中，第一模塑料120A由非導(dǎo)電性材料(例如環(huán)氧化物(epoxy)、樹脂(resin)、可塑形聚合物(moldable polymer)或其他適合的模塑材料)所形成。在一些實施例中，可在大體上為液態(tài)時涂布第一模塑料120A，并經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)固化第一模塑料120A。在一些實施例中，第一模塑料120A 可為紫外光(ultraviolet,UV)或熱固化聚合物的膠體或具延展性的固體，且可經(jīng)由紫外光或熱固化制程來固化。第一模塑料120A亦可使用模具來固化。

在一些實施例中，沉積的(deposited)第一模塑料120A覆蓋第一元件110A的頂表面，接著實施研磨(grinding)制程以薄化(thin)沉積的第一模塑料120A，結(jié)果薄化的第一模塑料120A露出第一元件110A的頂表面。在一些實施例中，第一模塑料120A的頂表面和底表面分別與第一元件110A的頂表面和底表面共平面。

如圖1C所示，第一重布層(redistribution layer,RDL)結(jié)構(gòu)130A(亦被稱為扇出(fan-out)結(jié)構(gòu))形成于第一模塑料120A之上且與第一元件110A耦接，結(jié)果形成第一(半導(dǎo)體)封裝A。在一些實施例中，第一(半導(dǎo)體)封裝A為晶圓級(wafer-level)扇出封裝。

第一重布層結(jié)構(gòu)130A覆蓋第一模塑料120A且可直接接觸第一模塑料120A。在一些實施例中，第一重布層結(jié)構(gòu)130A可包含一或多個導(dǎo)電線路(conductive trace)140A，設(shè)置于金屬層間介電(inter-metal dielectric,IMD)層150A中且被金屬層間介電層150A圍繞。第一元件110A電性連接至第一重布層結(jié)構(gòu)130A的導(dǎo)電線路140A。金屬層間介電層150A可包含多個子介電(sub-dielectric)層連續(xù)堆疊于第一模塑料120A和第一元件110A上，例如導(dǎo)電線路140A的第一層級(layer-level)位于子介電層的第一層級之上且被子介電層的第二層級覆蓋，導(dǎo)電線路140A的第二層級位于子介電層的第二層級之上且被子介電層的第三層級覆蓋。

在一些實施例中，金屬層間介電層150A可由有機材料(包含聚合基材料)、無機材料(包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、石墨烯(graphene))或類似的材料形成。在一些實施例中，金屬層間介電層150A是高介電常數(shù)(high-k，k是介電層的介電常數(shù))介電層。在一些實施例中，金屬層間介電層150A可 由光敏感材料形成，其包含干膜光阻(dry film photoresist)或膠膜(taping film)。

導(dǎo)電線路140A的導(dǎo)電墊(pad)部分從第一重布層結(jié)構(gòu)130A的頂表面露出，例如導(dǎo)電線路140A的導(dǎo)電墊部分由金屬層間介電層150A的開口露出，且連接至后續(xù)形成的導(dǎo)電元件。應(yīng)理解的是，繪示于圖中的導(dǎo)電線路140A和金屬層間介電層150A的數(shù)量和配置僅為范例且并不局限本發(fā)明。

圖2A至2C為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。在圖2A至2C描述的各階段之前、期間及/或之后，可提供一些額外的操作步驟。描述的一些階段可依據(jù)不同實施例被代替或省略，額外的特征部件可加入半導(dǎo)體封裝中。以下描述的一些特征部件可依據(jù)不同實施例被代替或省略。

如圖2A所示，提供第二承載基底100B。在一些實施例中，第二承載基底100B為晶圓或板材，第二承載基底100B可包含玻璃或其他適合的支撐材料。

如圖2A所示，多個導(dǎo)孔/導(dǎo)孔電極(via)160形成于第二承載基底100B之上。導(dǎo)孔160可為中介穿孔/中介穿孔電極(through interposer via,TIV)。在一些實施例中，導(dǎo)孔160為銅柱(pillar)或其他適合的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，導(dǎo)孔160是通過電鍍(electroplating)制程或其他適合的制程形成。

如圖2A所示，多個第二元件110B接合至第二承載基底100B之上。根據(jù)本發(fā)明一些實施例，第二元件110B為已知良好的元件，換句話說，沒有缺陷的元件接合至第二承載基底100B之上。在一些實施例中，第二元件110B和第二承載基底100B通過粘著層(例如膠或其他適合的粘著材料)貼附在一起。在一些實施例中，每個第二元件110B是位于導(dǎo)孔160的其中兩者之間，在一些實施例中，一或多個導(dǎo)孔160是位于第二元件110B的其中兩 者之間。

在一些實施例中，第二元件110B為主動元件且可被稱為第二半導(dǎo)體晶片(或晶粒)110B，第二半導(dǎo)體晶片110B可包含電晶體或其他適合的主動元件，例如第二半導(dǎo)體晶片110B可為邏輯晶片包含中央處理單元、圖像處理單元、動態(tài)隨機存取存儲器控制器或者其任意組合。在一些其他實施例中，第二元件110B為被動元件，例如整合被動元件，第二元件110B可包含多個電容、電阻、電感、變?nèi)荻O體或其他適合的被動元件。

如圖2B所示，第二模塑料120B形成于第二承載基底100B之上，第二模塑料120B圍繞導(dǎo)孔160和第二元件110B的多個側(cè)壁，而未覆蓋第二元件110B和導(dǎo)孔160的頂表面和底表面。也就是說，導(dǎo)孔160穿透或貫穿第二模塑料120B。

在一些實施例中，第二模塑料120B由非導(dǎo)電性材料(例如環(huán)氧化物、樹脂、可塑形聚合物或其他適合的模塑材料)所形成。在一些實施例中，可在大體上為液態(tài)時涂布第二模塑料120B，并經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)固化第二模塑料120B。在一些實施例中，第二模塑料120B可為紫外光或熱固化聚合物的膠體或具延展性的固體，且可經(jīng)由紫外光或熱固化制程來固化。第二模塑料120B亦可使用模具來固化。

在一些實施例中，沉積的第二模塑料120B覆蓋第二元件110B與導(dǎo)孔160的頂表面，接著實施研磨制程以薄化沉積的第二模塑料120B，結(jié)果薄化的第二模塑料120B露出第二元件110B和導(dǎo)孔160的頂表面。在一些實施例中，第二模塑料120B的頂表面和底表面分別與第二元件110B的頂表面和底表面共平面。在一些實施例中，第二模塑料120B的頂表面和底表面分別與導(dǎo)孔160的頂表面和底表面共平面。

根據(jù)本發(fā)明一些實施例，在將第二元件110B接合至第二承載基底100B 上之前，預(yù)先地薄化第二元件110B，結(jié)果使第二元件110B和導(dǎo)孔160大體上具有相同的厚度，進而有利于露出第二元件110B和導(dǎo)孔160。舉例來說，將半導(dǎo)體晶圓薄化且接續(xù)地切割成半導(dǎo)體晶片(或晶粒)，以形成第二元件110B。第二元件110B可藉由機械研磨(mechanical grinding)制程、化學(xué)機械研磨(chemical mechanical polishing)制程、銑削(milling)制程或其他適合的制程薄化。

如圖2C所示，第二重布層結(jié)構(gòu)130B形成于第二模塑料120B之上且與第二元件110B和導(dǎo)孔160耦接，第二重布層結(jié)構(gòu)130B覆蓋第二模塑料120B且可直接接觸第二模塑料120B。在一些實施例中，第二重布層結(jié)構(gòu)130B可包含一或多個導(dǎo)電線路140B設(shè)置于金屬層間介電層150B中且被金屬層間介電層150B圍繞。第二元件110B電性連接至第二重布層結(jié)構(gòu)130B的導(dǎo)電線路140B。導(dǎo)電線路140B的導(dǎo)電墊部分從第二重布層結(jié)構(gòu)130B的頂表面露出。第二重布層結(jié)構(gòu)130B的結(jié)構(gòu)可相似或相同于第一重布層結(jié)構(gòu)130A的結(jié)構(gòu)，如前述的詳細內(nèi)容。應(yīng)理解的是，繪示于圖中的導(dǎo)電線路140B和金屬層間介電層150B的數(shù)量和配置僅為范例且并不局限本發(fā)明。

如圖2C所示，多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170形成于第二重布層結(jié)構(gòu)130B之上，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170電性連接至導(dǎo)電線路140B的導(dǎo)電墊部分，結(jié)果形成第二(半導(dǎo)體)封裝B。在一些實施例中第二(半導(dǎo)體)封裝B為晶圓級扇出封裝。

在一些實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170可為導(dǎo)電柱、導(dǎo)電凸塊(bump)(例如微凸塊)、導(dǎo)電膏/膠(paste/glue)或其他適合的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170可包含銅、焊料(solder)或其他適合的導(dǎo)電材料，例如導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170可為以焊料層覆蓋的銅柱。

圖3A至3E為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件制造方法的各階段的剖面示意圖。在圖3A至3E描述的各階段之前、期間及/或之后，可 提供一些額外的操作步驟。描述的一些階段可依據(jù)不同實施例被代替或省略，額外的特征部件可加入半導(dǎo)體封裝中。以下描述的一些特征部件可依據(jù)不同實施例被代替或省略。

如圖3A所示，第二封裝B接合至第一封裝A，使第一重布層結(jié)構(gòu)130A位于第一元件110A與第二重布層結(jié)構(gòu)130B之間。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170位于第一重布層結(jié)構(gòu)130A與第二重布層結(jié)構(gòu)130B之間，且與第一重布層結(jié)構(gòu)130A和第二重布層結(jié)構(gòu)130B耦接。第一重布層結(jié)構(gòu)130A的導(dǎo)電線路140A通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170電性連接至第二重布層結(jié)構(gòu)130B的導(dǎo)電線路140B，例如導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170直接接觸導(dǎo)電線路140A與導(dǎo)電線路140B的導(dǎo)電墊部分。在一些實施例中，第一元件110A的主動面朝向第二元件110B的主動面。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，第一封裝A與第二封裝B通過粘著層180接合在一起，粘著層180填充第一重布層結(jié)構(gòu)130A與第二重布層結(jié)構(gòu)130B之間的空間。在一些實施例中，粘著層180圍繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170。在一些實施例中，粘著層180由環(huán)氧樹脂、丁基環(huán)丁烷(butyl cyclobutane,BCB)、環(huán)氧氯丙烷(epoxy chloropropane,ECP)或其他適合的粘著材料形成。

如圖3B所示，將第二承載基底100B從第二封裝B移除，結(jié)果露出第二元件110B和導(dǎo)孔160，而第二元件110B與導(dǎo)孔160的側(cè)壁仍被第二模塑料120B圍繞。在一些實施例中，消除用來接合第二元件110B和第二承載基底100B的粘著層的黏性，以剝離(debond)第二承載基底100B。

如圖3C所示，導(dǎo)電元件190形成于遠離第一封裝A的第二封裝B之上，換句話說，導(dǎo)電元件190和第一封裝A是位于第二封裝B的兩個相反側(cè)，第二元件110B是位于第二重布層結(jié)構(gòu)130B與導(dǎo)電元件190之間。

在一些實施例中，導(dǎo)電元件190通過導(dǎo)孔160及第二重布層結(jié)構(gòu)130B電性連接或耦接至第二元件110B。在一些實施例中，導(dǎo)電元件190通過導(dǎo) 孔160、第二重布層結(jié)構(gòu)130B、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170及第一重布層結(jié)構(gòu)130A更進一步電性連接至第一元件110A。

在一些實施例中，導(dǎo)電元件190由重布層結(jié)構(gòu)200和形成于重布層結(jié)構(gòu)200之上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210所構(gòu)成。在一些實施例中，重布層結(jié)構(gòu)200包含一或多個導(dǎo)電線路220設(shè)置于金屬層間介電層230中且被金屬層間介電層230圍繞，導(dǎo)電線路220的導(dǎo)電墊部分從重布層結(jié)構(gòu)200的頂表面露出。重布層結(jié)構(gòu)200的結(jié)構(gòu)可相似或相同于第一重布層結(jié)構(gòu)130A，如前述的詳細內(nèi)容。

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210電性連接露出的導(dǎo)電線路220的導(dǎo)電墊部分，導(dǎo)孔160通過導(dǎo)電線路220電性連接或耦接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210。在一些實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210為接合球(bonding ball)(例如焊球(solder ball))或其他適合的導(dǎo)電材料。應(yīng)理解的是，繪示于圖中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210和導(dǎo)電線路220的數(shù)量和配置僅為范例且并不局限本發(fā)明。

在一些其他實施例中，導(dǎo)電元件190由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210形成。導(dǎo)孔160直接電性連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210，導(dǎo)孔160可通過一或多層導(dǎo)電層電性連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)210。

如圖3D所示，將第一承載基底100A從第一封裝A移除，結(jié)果露出第一元件110A，而第一元件110A的側(cè)壁仍被第一模塑料120A圍繞。在一些實施例中，消除用來接合第一元件110A和第一承載基底100A的粘著層的黏性，以剝離第一承載基底100A。

之后，在接合的第一封裝A與第二封裝B上實施單體化(singulation)制程，沿切割道(scribe line)L切開或分割接合的第一封裝A與第二封裝B，以將接合的第一封裝A與第二封裝B分離成多個半導(dǎo)體封裝組件300。半導(dǎo)體封裝組件300是系統(tǒng)級封裝半導(dǎo)體封裝組件，且晶圓級扇出封裝整合于半導(dǎo)體封裝組件300中。

如圖3E所示，每個半導(dǎo)體封裝組件300包含一個第一元件110A和兩個第二元件110B，半導(dǎo)體封裝組件300可包含多于兩個的第二元件110B。在一些實施例中，第一元件110A的尺寸不同于第二元件110B的尺寸，例如第一元件110A的尺寸大于第二元件110B的尺寸。在一些實施例中，多個第二元件110B為相同尺寸。在一些其他實施例中，多個第二元件110B為不同尺寸。

在一些實施例中，第一元件110A與第二元件110B具有相同功能，因此半導(dǎo)體封裝組件300是同質(zhì)整合(homogeneous integration)。在一些其他實施例中，第一元件110A的功能不同于一或多個第二元件110B的功能，因此半導(dǎo)體封裝組件300為異質(zhì)整合(heterogeneous integration)。

在一些實施例中，第一元件110A與第二元件110B的其中一者為系統(tǒng)單晶片(system-on-chip,SOC)，且第一元件110A與第二元件110B的其中另一者為動態(tài)隨機存取存儲器。在一些實施例中，第一元件110A與第二元件110B的其中一者為應(yīng)用處理器(application processor,AP)，且第一元件110A與第二元件110B的其中另一者為數(shù)字處理器(digital processor,DP)。在一些實施例中，第一元件110A與第二元件110B的其中一者為基頻(baseband)元件，且第一元件110A與第二元件110B的其中另一者為射頻(radio frequency,RF)元件。

舉例來說，在一些實施例中，第一元件110A為主動元件，而多個第二元件110B為有相同或不同功能的被動元件。在一些實施例中，第一元件110A和其中一個第二元件110B是具有相同或不同功能的主動元件，而其他的第二元件110B是被動元件。在一些其他實施例中，第一元件110A和多個第二元件110是具有各種不同功能的主動元件。

或者，在一些實施例中，第一元件110A是被動元件，而多個第二元件 110B是具有相同或不同功能的主動元件。在一些實施例中，第一元件110A和其中一個第二元件110B是具有相同或不同功能的被動元件，而其他的第二元件110B是主動元件。

可于本發(fā)明的實施例作許多變更和修改。圖4和5為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件的剖面示意圖。為簡化，圖4和5中相同于圖3E中的部件使用相同的標號并省略其說明。

請參照圖4，繪示出半導(dǎo)體封裝組件400，半導(dǎo)體封裝組件400與圖3E所示的半導(dǎo)體封裝組件300相似，半導(dǎo)體封裝組件300與半導(dǎo)體封裝組件400之間主要的不同處在于半導(dǎo)體封裝組件300包含一個第一元件110A，而半導(dǎo)體封裝組件400包含兩個第一元件110A。半導(dǎo)體封裝組件400可包含多于兩個第一元件110A。

在一些實施例中，多個第一元件110A具有相同的尺寸。在一些其他實施例中，多個第一元件110A具有不同的尺寸。在一些實施例中，第一元件110A的尺寸不同于第二元件110B的尺寸，例如第一元件110A的尺寸大于第二元件110B的尺寸。在一些實施例中，多個第一元件110A具有相同的功能，在一些其他實施例中，多個第一元件110A具有不同的功能。

請參照圖5，繪示出半導(dǎo)體封裝組件500，半導(dǎo)體封裝組件500與圖3E所示的半導(dǎo)體封裝組件300相似，半導(dǎo)體封裝組件300與半導(dǎo)體封裝組件500之間主要的不同處在于半導(dǎo)體封裝組件300的導(dǎo)孔160是形成于第二封裝B內(nèi)，而半導(dǎo)體封裝組件500的導(dǎo)孔160是形成于第一封裝A內(nèi)，結(jié)果半導(dǎo)體封裝組件300的導(dǎo)電元件190是形成于第二封裝B之上，而半導(dǎo)體封裝組件500的導(dǎo)電元件190是形成于第一封裝A之上。

于圖5中，導(dǎo)孔160穿透第一模塑料120A且電性連接或耦接至第一重布層結(jié)構(gòu)130A，導(dǎo)電元件190和第二封裝B是位于第一封裝A的兩個相反 側(cè)，第一元件110A是位于第一重布層結(jié)構(gòu)130A與導(dǎo)電元件190之間。

本發(fā)明根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體封裝組件及其制造方法提供各種優(yōu)點。根據(jù)前述的一些實施例，多于兩個元件或晶片可整合于單一半導(dǎo)體封裝組件內(nèi)，這些元件或晶片是在不同的制程中制造且為已知良好的元件或晶片，因此，這些元件或晶片的尺寸及/或功能并未被局限，進而有利于改善設(shè)計的彈性，且半導(dǎo)體封裝組件的制造良率更進一步顯著地提升。

雖然本發(fā)明的實施例及其優(yōu)點已揭露如上，但應(yīng)理解的是，本發(fā)明并未局限于揭露的實施例。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定為準。凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。